JP5153771B2 - 終端器 - Google Patents
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- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
Description
前記誘電体基板の一表面および他表面の間において、前記誘電体基板に設けられる導電体層と、
誘電体基板の一表面上において電気信号の伝送方向に延びるストリップ導体、前記誘電体基板の一部、および前記導電体層の一部を含むマイクロストリップ線路と、
前記ストリップ導体の一端部に、一端が接続される抵抗器と、
前記抵抗器の他端に接続されたラジアルスタブ線路と、
前記誘電体基板の一表面上において前記ストリップ導体から分岐して設けられ、前記ストリップ導体の他端部側から一端部側に伝送する電気信号の、前記抵抗器での反射を抑制するスタブ線路と、
前記導電体層の一部を含み、前記誘電体基板の厚み方向の一方から見て、一端部が前記ストリップ導体の少なくとも他端部に重なり、前記導電体層に対して前記誘電体基板の他表面側に設けられる導波管とを含み、
前記導電体層は、前記誘電体基板の厚み方向の一方から見て、前記マイクロストリップ線路と導波管とが重なる領域のうちの、前記ストリップ導体の他端から前記スタブ線路が分岐する部位までにおいて、前記マイクロストリップ線路と前記導波管とが電磁結合可能に形成され、
前記マイクロストリップ線路の電気信号が入力される位置と、前記ストリップ導体の他端と、の間の距離は電気信号の半波長であることを特徴とする終端器である。
前記誘電体基板の一表面および他表面の間において、前記誘電体基板に設けられる導電体層と、
誘電体基板の一表面上において電気信号の伝送方向に延びるストリップ導体、前記誘電体基板の一部、および前記導電体層の一部を含むマイクロストリップ線路と、
前記ストリップ導体の一端部に、一端が接続される抵抗器と、
前記抵抗器の他端に接続された、電気信号の反射を抑える反射抑制要素と、
前記誘電体基板の一表面上において前記ストリップ導体から分岐して設けられ、前記ストリップ導体の他端部側から一端部側に伝送する電気信号の、前記抵抗器での反射を抑制するスタブ線路と、
前記導電体層の一部を含み、前記誘電体基板の厚み方向の一方から見て、一端部が前記ストリップ導体の少なくとも他端部に重なり、前記導電体層に対して前記誘電体基板の他表面側に設けられる導波管とを含み、
前記導電体層は、前記誘電体基板の厚み方向の一方から見て、前記マイクロストリップ線路と導波管とが重なる領域のうちの、前記ストリップ導体の他端から前記スタブ線路が分岐する部位までにおいて、前記マイクロストリップ線路と前記導波管とが電磁結合可能に形成され、
前記マイクロストリップ線路の電気信号が入力される位置と、前記ストリップ導体の他端と、の間の距離は電気信号の半波長であることを特徴とする終端器である。
図1は、本発明の一実施形態の終端器1を示す斜視図であり、図2は、終端器1の平面図である。図3は、図2の切断面線III−IIIから見た終端器1の断面図であり、図4は、図2の切断面線IV−IVから見た終端器1の断面図である。終端器1は、導波管2に入力される電気信号が反射波として戻ることを抑制して、入力される電気信号を減衰する。終端器1は、誘電体基板3に形成される回路の一部として機能し、回路を構成する電子部品および回路素子などとともに誘電体基板3に設けられる。本実施形態では理解の容易のために、誘電体基板3に形成される回路のうちの終端器1の形成される部分のみを切出して、この終端器1のみについて説明する。終端器1の一部を構成する導波管2は、誘電体基板3に形成される導波管に接続され、この接続された導波管から電気信号が入力される。
Claims (5)
- 誘電体基板と、
前記誘電体基板の一表面および他表面の間において、前記誘電体基板に設けられる導電体層と、
誘電体基板の一表面上において電気信号の伝送方向に延びるストリップ導体、前記誘電体基板の一部、および前記導電体層の一部を含むマイクロストリップ線路と、
前記ストリップ導体の一端部に、一端が接続される抵抗器と、
前記抵抗器の他端に接続されたラジアルスタブ線路と、
前記誘電体基板の一表面上において前記ストリップ導体から分岐して設けられ、前記ストリップ導体の他端部側から一端部側に伝送する電気信号の、前記抵抗器での反射を抑制するスタブ線路と、
前記導電体層の一部を含み、前記誘電体基板の厚み方向の一方から見て、一端部が前記ストリップ導体の少なくとも他端部に重なり、前記導電体層に対して前記誘電体基板の他表面側に設けられる導波管とを含み、
前記導電体層は、前記誘電体基板の厚み方向の一方から見て、前記マイクロストリップ線路と導波管とが重なる領域のうちの、前記ストリップ導体の他端から前記スタブ線路が分岐する部位までにおいて、前記マイクロストリップ線路と前記導波管とが電磁結合可能に形成され、
前記マイクロストリップ線路の電気信号が入力される位置と、前記ストリップ導体の他端と、の間の距離は電気信号の半波長であることを特徴とする終端器。 - 前記抵抗器は、表面実装によって前記ストリップ導体および前記ラジアルスタブ線路にそれぞれ電極が接続されるチップ抵抗器から成り、
前記ストリップ導体の一端部は、前記抵抗器に近づくにつれて幅広に形成され、前記抵抗器が表面実装可能なインピーダンス整合回路を構成することを特徴とする請求項1記載の終端器。 - 前記導波管は、
前記導電体層に対して誘電体基板の他表面側において、前記導電体層に平行に設けられる低壁用導電体層と、
前記電気信号が伝送する導波路の外縁に沿って遮断周波数の半波長以下の間隔をあけて配列され、前記導電体層と前記低壁用導電体層との間にわたって前記誘電体基板の厚み方向に延びる複数の導電体柱と、
前記複数の導電体柱が配列される配列方向に沿って、互いに隣接する導電体柱をそれぞれ接続して前記導電体層に平行に延びる板状の副導電体層とを含んで構成される請求項1記載の終端器。 - 誘電体基板と、
前記誘電体基板の一表面および他表面の間において、前記誘電体基板に設けられる導電体層と、
誘電体基板の一表面上において電気信号の伝送方向に延びるストリップ導体、前記誘電体基板の一部、および前記導電体層の一部を含むマイクロストリップ線路と、
前記ストリップ導体の一端部に、一端が接続される抵抗器と、
前記抵抗器の他端に接続された、電気信号の反射を抑える反射抑制要素と、
前記誘電体基板の一表面上において前記ストリップ導体から分岐して設けられ、前記ストリップ導体の他端部側から一端部側に伝送する電気信号の、前記抵抗器での反射を抑制するスタブ線路と、
前記導電体層の一部を含み、前記誘電体基板の厚み方向の一方から見て、一端部が前記ストリップ導体の少なくとも他端部に重なり、前記導電体層に対して前記誘電体基板の他表面側に設けられる導波管とを含み、
前記導電体層は、前記誘電体基板の厚み方向の一方から見て、前記マイクロストリップ線路と導波管とが重なる領域のうちの、前記ストリップ導体の他端から前記スタブ線路が分岐する部位までにおいて、前記マイクロストリップ線路と前記導波管とが電磁結合可能に形成され、
前記マイクロストリップ線路の電気信号が入力される位置と、前記ストリップ導体の他端と、の間の距離は電気信号の半波長であることを特徴とする終端器。 - 前記導波管の延びる向きと前記ストリップ導体の延びる向きとが180度異なることを特徴する請求項1記載の終端器。
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