JPH05152814A - チツプ型方向性結合器 - Google Patents

チツプ型方向性結合器

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JPH05152814A
JPH05152814A JP3312355A JP31235591A JPH05152814A JP H05152814 A JPH05152814 A JP H05152814A JP 3312355 A JP3312355 A JP 3312355A JP 31235591 A JP31235591 A JP 31235591A JP H05152814 A JPH05152814 A JP H05152814A
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JP
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electrode
substrate
electrodes
stripline
directional coupler
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JP3312355A
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English (en)
Inventor
Yasuhiro Fujiki
康裕 藤木
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12Coupling devices having more than two ports
    • H01P5/16Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
    • H01P5/18Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
    • H01P5/184Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers the guides being strip lines or microstrips
    • H01P5/187Broadside coupled lines

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  • Waveguides (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型化されたチップ型方向性結合器を提供す
ることを目的とする。 【構成】 1/4波長のストリップライン電極部分3f
・4fが一方の主表面に蛇行して形成されたストリップ
ライン電極基板3・4が、各ストリップライン電極3b
・4b同士を電磁結合する状態で積層され、更に、この
2枚のストリップライン電極基板3・4を挟む状態で、
グランド電極2b・5bが形成された2枚のグランド電
極基板2・5が積層され、この積層構造体の側面に複数
の外部電極が形成され、前記ストリップライン電極3b
・4bの各端部及びグランド電極2b・5bが各別の外
部電極と電気的に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ストリップ線路を用い
たチップ型方向性結合器に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロ波回路の主流であった導波管回
路は、高い精度の機械工作を必要とするので、多量生産
にはむかず、高価であり、また、外形も大きく、重さも
重いという欠点がある。このため、無線機、BS受信機
などでは、高集積化技術を利用して小型軽量化が実現で
きるマイクロストリップが用いられるようになってい
る。
【0003】ところで、方向性結合器は、伝送線を流れ
ているマイクロ波電力のうち、一方向に進む電力にだけ
比例した出力を、逆方向に進むものには関係なく取り出
す回路素子であり、マイクロストリップで構成される方
向性結合器としては、図5に示すようなものがある。こ
れは、マイクロストリップ40・41のストリップライ
ン電極40a・41aをλ/4にわたり部分的に立体交
差状に接近させたもので、この部分の結合モードで、ポ
ート1から主線に投入される電力に対して、副線のポー
ト3へはその数分の1の電力が現れるようになる。な
お、このようなブロードサイドカップリング型の方向性
結合器としては、基板の表裏両面にストリップライン電
極を形成して成るものが知られている。図中40b・4
1bは両ストリップライン電極40a・41aを遮蔽す
るためのグランド電極である。
【0004】このような方向性結合器における高周波信
号の二分配作用を利用し、例えば、携帯電話装置などで
は、送信電力を必要最小限に抑えるべく、図6に示すよ
うに、方向性結合器50の主線50aを送信電力増幅器
51とアンテナ52間に配すると共に、副線50bの一
端を自動利得制御回路53に接続し、自動利得制御回路
53にて送信電力増幅器51の出力調整を行うようにし
ている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
携帯電話装置などでは、その小型化が重要な課題となっ
ており、その結果として、方向性結合器についても、よ
り一層の小型化が要求されるようになっている。方向性
結合器が導波管からマイクロストリップを用いることで
小型化されたといっても、前述のように、ストリップラ
イン電極についてはλ/4の長さ、例えば、1GHzで
のλ/4は7.5cm(但し、比誘電率=1とする)の長
さを必要とし、それだけの長さの直線状ストリップライ
ン電極を結合させるために比較的広い基板面積が必要に
なっている。また、前記の図5に示したブロードサイド
カップリング型の方向性結合器では、縦方向に結合線路
が位置するため、これを複数の板状基板を重ね合わせて
ビス止めするようなものでは、小型化に限界があり、コ
ストも嵩むことになる。
【0006】本発明は、上記の事情に鑑み、より小型化
されたチップ型方向性結合器を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係るチップ型方
向性結合器は、上記の課題を解決するために、1/4波
長のストリップライン電極が一方の主表面に蛇行して形
成された誘電体基板2枚が、各ストリップライン電極同
士を電磁結合する状態で積層され、更に、この2枚の誘
電体基板を挟む状態で、グランド電極が形成された2枚
の基板が積層され、この積層構造体の側面に複数の外部
電極が形成され、前記ストリップライン電極の各端部及
びグランド電極が各別の外部電極と電気的に接続されて
いることを特徴としている。
【0008】
【作用】上記の構成によれば、1/4波長ストリップラ
イン電極部分を非直線としているので、当該部分を直線
とする場合に比べ、この部分をより小さい基板上に収容
することができ、チップ型方向性結合器の小型化が図れ
る。また、両ストリップライン電極を挟むようにその上
下に各々グランド電極が存在し、両ストリップライン電
極は上下両方からシールドされることになるため、金属
ケースなどを必要とせずに当該積層体構造のままで電磁
遮蔽構造を実現できる。さらに、側面に外部電極が形成
されていることにより、基板上へは表面実装が可能にな
る。
【0009】
【実施例】本発明の一実施例を、図1ないし図4に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。図1は、チップ型
方向性結合器1の外観を示す斜視図であり、このチップ
型方向性結合器1は、第1のグランド電極基板2と、第
1のストリップライン電極基板3と、第2のストリップ
ライン電極基板4と、第2のグランド電極基板5と、保
護基板6とが積層され、当該積層構造体の側面に、グラ
ンド電極用の外部電極C…、主線用の外部電極D・D、
副線用の外部電極E・Eが形成されて成るものである。
各基板2〜6は、実際にはセラミックグリーンシートが
用いられ、各シートは各電極膜が形成されたりした後に
積み重ねられ、外部電極C,D,Eが形成されて焼成さ
れ、結合器1とされる。このため、図1において各基板
2〜6の各層間には実際には区分線が生じることはな
い。なお、外部電極C,D,Eは、シートの積層体を焼
成した後に形成してもよい。
【0010】第1のグランド電極基板2は、図1の分解
斜視図である図2に示すように、方形状のセラミック基
板2aの片側表面上に、グランド電極2bが形成されて
成るものである。グランド電極2bは、後述するU字型
に形成された1/4波長ストリップライン電極部分3f
を覆い得る大きさに形成されたものであるが、セラミッ
ク基板2aの表面上の全面に形成したものではなく、後
述する外部電極部2d・2d,2e・2eとの電気的接
続を断つべく基板2aの周縁部には形成されていない。
また、セラミック基板2aの側面には、外部電極部2c
…,2d・2d,2e・2eが形成されており、上記の
外部電極部2c…はグランド電極2bから延びて形成さ
れ、外部電極部2d・2d,2e・2eは、上述したよ
うに、グランド電極2bとの電気的接続を断たれた状態
に位置されることとなる。
【0011】第1のストリップライン電極基板3は、方
形状のセラミック基板3aの片側表面上に、ストリップ
ライン電極3b(副線)が形成されて成るものである。
このストリップライン電極3bは、U字型に形成された
1/4波長ストリップライン電極部分3fと、後述する
外部電極部3d・3dに接続された引出電極部3g・3
gと、これら引出電極部3g・3gと前記の1/4波長
ストリップライン電極部分3fにおける両端部分とを接
続するテーパ部3h・3hとにより構成される。このテ
ーパ部3h・3hは、ストリップライン電極部分3fと
引出し電極部3g・3gとのインピーダンスマッチング
をとる機能を果たしている。また、セラミック基板3a
の側面には、前記の外部電極部2c…と対応する外部電
極部3c…、外部電極部2d・2dと対応する外部電極
部3d・3d、および、外部電極部2e・2eと対応す
る外部電極部3e・3eがそれぞれ位置されることとな
る。なお、前記の1/4波長ストリップライン電極部分
3fについては、先述のグランド電極2bの形成範囲に
おいてできるだけその周縁部を沿うようにして大きくU
字を形作るように形成されている。
【0012】第2のストリップライン電極基板4は、上
記の第1のストリップライン電極基板3とほぼ同様の構
成を有し、方形状のセラミック基板4a、ストリップラ
イン電極4b(主線)、U字型に形成された1/4波長
ストリップライン電極部分4f、引出電極部4g・4
g、及び、外部電極部4c…、4d・4d、4e・4e
を有している。なお、引出電極部4g・4gは、引出電
極部3g・3gとの立体交差を回避する方向に屈曲して
外部電極部4d・4dに接続されている。
【0013】第2のグランド電極基板5は、上記の第2
のグランド電極基板2と同一の構成を有し、方形状のセ
ラミック基板5a、グランド電極5b、外部電極部5c
…、5d・5d,5e・5eを有している。保護基板6
は、方形状のセラミック基板6aからなり、その側面に
は、前記の外部電極部2c…と対応する外部電極部6c
…、外部電極部2d・2dと対応する外部電極部6d・
6d、および、外部電極部2e・2eと対応する外部電
極部6e・6eがそれぞれ位置されている。なお、各基
板2〜6の外部電極部は、各基板2〜6を積層圧着して
後、公知の手法で形成される。従って、図1に示すよう
に、前記の外部電極部2c…,3c…,4c…,5c
…,6c…によりグランド電極用の外部電極C…が構成
され、外部電極部2d・2d,3d・3d,4d・4
d,5d・5d,6d・6dにより副線用の外部電極D
・Dが構成され、外部電極部2e・2e,3e・3e,
4e・4e,5e・5e,6e・6eにより主線用の外
部電極E・Eが構成される。
【0014】上記の構成によれば、第1のグランド電極
基板2と第2のグランド電極基板5とにより挟まれた、
第1のストリップライン電極基板3と第2のストリップ
ライン電極基板4の両ストリップ線路の1/4波長スト
リップライン電極部分3f・4fを、立体交差状に近接
させることで方向性結合器を構成する。この場合、1/
4波長ストリップライン電極部分3f・4fを非直線と
しているので、直線とする場合に比べ、この部分をより
小さい基板上に収容することができ、チップ型方向性結
合器の小型化が図れる。また、2つのストリップライン
電極3b・4bを挟むようにその上下に各々グランド電
極2a・5aが存在し、ストリップライン電極3b・4
bが上下両方からシールドされることになるため、金属
ケースなどを必要とせずに当該積層体構造のままで電磁
遮蔽構造を実現することができる。さらに、積層体の側
面に外部電極C…,D・D,E・Eが形成されているこ
とにより、基板上への表面実装が可能になる。
【0015】上記チップ型方向性結合器の製造方法を簡
単に説明すれば、ストリップ導体の描かれたグリーンシ
ートを上下に2枚積み重ね、さらに、その上下両面を、
グランド電極が印刷されたグリーンシートではさみ込
み、さらに、保護基板となるグリーンシートを重ね、各
外部電極を付与形成した後一体焼成する。勿論、焼成後
に外部電極を形成してもよい。
【0016】なお、誘電体基板としては、樹脂基板或い
はセラミック基板のいずれを用いてもよいが、セラミッ
クは、下記のように、ガラス・エポキシ樹脂などに比べ
誘電体損失が小さく、主線の電力損失が抑制されるとい
う利点があり、また、放熱効果に優れていることによっ
て一層の小型化を図ることができる利点がある。 ガラス・エポキシ樹脂 tanδ=0.02 セラミック誘電体(例)tanδ=0.0007 このようなチップ型方向性結合器は、以下に示す製造方
法により、複数取りによる量産が可能となる。即ち、図
3に示すように、複数のグランド電極が形成された基板
12、複数のストリップライン電極(副線)が形成され
た基板13、複数のストリップライン電極(主線)が形
成された基板14、複数のグランド電極が印刷された基
板15、保護基板となる基板16を積層し、図4(a)
に示す複数取り積層基板20を得る。次に、同図(b)
に示すように、外部電極となる部分及び他の2か所(こ
の2か所は、各基板の接合強度を向上させるために設け
る)に貫通穴hを形成し、この貫通穴h…に電極となる
金属を注入し、所定のカットラインに従って切断して焼
成することにより、同図(c)に示すように、側面に外
部電極C…,D・D,E・Eを有するチップ型方向性結
合器1が得られることになる。
【0017】なお、1/4波長ストリップライン電極部
分における結合度および特性インピーダンスは、比誘電
率、膜厚、線幅、線間距離などにより決定されるが、本
発明に係るチップ型方向性結合器は、積層構造を採るた
め、基板間に所定の厚みの何も印刷していないシートを
介在させることにより、製造に際して上記の線間距離を
容易に調整することができる。
【0018】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、小型で
表面実装が可能なチップ型方向性結合器を提供できると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例としてのチップ型方向性結合
器の斜視図である。
【図2】図1のチップ型方向性結合器における各基板を
示す斜視図である。
【図3】チップ型方向性結合器の複数取りに用いる各基
板を示す斜視図である。
【図4】チップ型方向性結合器の複数取り製造方法を示
す図であって、同図(a)は図3における各基板が積層
された状態を示す斜視図であり、同図(b)は同図
(a)の積層基板にスルーホールを形成した状態を示す
斜視図であり、同図(c)は同図(b)の基板(スルー
ホールに金属注入済)を所定のカットラインでカットし
て得られる複数のチップ型方向性結合器のうちの一つを
拡大して示す斜視図である。
【図5】従来のブロードサイドカップリング型方向性結
合器の斜視図である。
【図6】方向性結合器が用いられたRF送信回路を示す
ブロック図である。
【符号の説明】
1 チップ型方向性結合器 2 第1のグランド電極基板 2a セラミック基板 2b グランド電極 3 第1のストリップライン電極基板 3a セラミック基板 3b ストリップライン電極 3f 1/4波長ストリップライン電極 3h テーパ部 4 第2のストリップライン電極基板 4a セラミック基板 4b ストリップライン電極 4f 1/4波長ストリップライン電極 5 第2のグランド電極基板 5a セラミック基板 5b グランド電極 6 保護基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1/4波長のストリップライン電極が一
    方の主表面に蛇行して形成された誘電体基板2枚が、各
    ストリップライン電極同士を電磁結合する状態で積層さ
    れ、更に、この2枚の誘電体基板を挟む状態で、グラン
    ド電極が形成された2枚の基板が積層され、この積層構
    造体の側面に複数の外部電極が形成され、前記ストリッ
    プライン電極の各端部及びグランド電極が各別の外部電
    極と電気的に接続されていることを特徴とするチップ型
    方向性結合器。
JP3312355A 1991-11-27 1991-11-27 チツプ型方向性結合器 Pending JPH05152814A (ja)

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