JP2895005B2 - ドップラーレーダモジュール - Google Patents
ドップラーレーダモジュールInfo
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- JP2895005B2 JP2895005B2 JP8272934A JP27293496A JP2895005B2 JP 2895005 B2 JP2895005 B2 JP 2895005B2 JP 8272934 A JP8272934 A JP 8272934A JP 27293496 A JP27293496 A JP 27293496A JP 2895005 B2 JP2895005 B2 JP 2895005B2
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- electrically insulating
- insulating substrate
- doppler radar
- radar module
- circuit
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q21/00—Antenna arrays or systems
- H01Q21/0087—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing antenna arrays
- H01Q21/0093—Monolithic arrays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S13/00—Systems using the reflection or reradiation of radio waves, e.g. radar systems; Analogous systems using reflection or reradiation of waves whose nature or wavelength is irrelevant or unspecified
- G01S13/02—Systems using reflection of radio waves, e.g. primary radar systems; Analogous systems
- G01S13/50—Systems of measurement based on relative movement of target
- G01S13/58—Velocity or trajectory determination systems; Sense-of-movement determination systems
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/02—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S13/00
- G01S7/03—Details of HF subsystems specially adapted therefor, e.g. common to transmitter and receiver
- G01S7/032—Constructional details for solid-state radar subsystems
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- H—ELECTRICITY
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- H01Q23/00—Antennas with active circuits or circuit elements integrated within them or attached to them
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- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロストリッ
プ線路技術で構成されて、１〜５ＧＨｚの周波数範囲用
に設計され、アンテナと、マイクロ波を送信及び受信す
るための回路と、導電材料から作られたケースとを有す
るドップラーレーダモジュールに関する。
プ線路技術で構成されて、１〜５ＧＨｚの周波数範囲用
に設計され、アンテナと、マイクロ波を送信及び受信す
るための回路と、導電材料から作られたケースとを有す
るドップラーレーダモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のドップラーレーダモジュールは
ヨーロッパ特許出願公開第６３８８１８号公報によって
公知である。この公知のドップラーレーダモジュールに
おいては、マイクロストリップ線路技術で構成されたマ
イクロ波を送信及び受信するための回路が多層板の両側
に設けられ、この多層板が導電材料から構成されたケー
ス内に固定されている。ケースの外面上には平面アンテ
ナと、電圧調節器及びドップラー信号増幅器を備えたＬ
Ｆ（低周波）板とが固定されている。特に小さくしかも
非常に簡単に構成されたこのドップラーレーダモジュー
ルは約１０ＧＨｚでの作動用に設計されている。この周
波数ではドップラーレーダモジュールは僅かな送信出力
で高調波放射が少なくしかも高い感度を有する。
ヨーロッパ特許出願公開第６３８８１８号公報によって
公知である。この公知のドップラーレーダモジュールに
おいては、マイクロストリップ線路技術で構成されたマ
イクロ波を送信及び受信するための回路が多層板の両側
に設けられ、この多層板が導電材料から構成されたケー
ス内に固定されている。ケースの外面上には平面アンテ
ナと、電圧調節器及びドップラー信号増幅器を備えたＬ
Ｆ（低周波）板とが固定されている。特に小さくしかも
非常に簡単に構成されたこのドップラーレーダモジュー
ルは約１０ＧＨｚでの作動用に設計されている。この周
波数ではドップラーレーダモジュールは僅かな送信出力
で高調波放射が少なくしかも高い感度を有する。
【０００３】しかしながら上述の従来のドップラーレー
ダモジュールは世界的に電気通信上認可された約２．４
５ＧＨｚの作動周波数には適していない。というのは上
述のドップラーレーダモジュールはこの周波数では高調
波放射が許容し得ない程高く、かつ感度が著しく低く、
しかも過大な寸法を有するからである。
ダモジュールは世界的に電気通信上認可された約２．４
５ＧＨｚの作動周波数には適していない。というのは上
述のドップラーレーダモジュールはこの周波数では高調
波放射が許容し得ない程高く、かつ感度が著しく低く、
しかも過大な寸法を有するからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、下位
のＧＨｚ範囲において、特に２．４５ＧＨｚにおいて高
調波放射が少なくしかも高い感度を有するドップラーレ
ーダモジュールを提供することにある。同時にこのドッ
プラーレーダモジュールはできるだけ小さくしかも簡単
に製造可能でなければならない。
のＧＨｚ範囲において、特に２．４５ＧＨｚにおいて高
調波放射が少なくしかも高い感度を有するドップラーレ
ーダモジュールを提供することにある。同時にこのドッ
プラーレーダモジュールはできるだけ小さくしかも簡単
に製造可能でなければならない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、マイクロ波を送信及び受信するための回路が第１の
電気絶縁性基板上の少なくとも一部分に設けられ、高調
波フィルタ装置は複数のフィルタ構造体が第２の電気絶
縁性基板上の少なくとも一部分に配置されているトリプ
レート（Ｔｒｉｐｌａｔｅ）構造として構成され、アン
テナは平面ダイポールが第４の電気絶縁性基板上に設け
られている平面アンテナであり、マイクロ波を送信及び
受信するための回路を備えた第１の電気絶縁性基板及び
高調波フィルタ装置を備えた第２の電気絶縁性基板は多
層板に纏められ、アンテナはその多層板上に固定され、
マイクロ波を送信及び受信するための回路と高調波フィ
ルタ装置と平面ダイポールとは導電性基板貫通部材によ
って予め定められた接続図に応じて相互に接続されるこ
とによって解決される。
ば、マイクロ波を送信及び受信するための回路が第１の
電気絶縁性基板上の少なくとも一部分に設けられ、高調
波フィルタ装置は複数のフィルタ構造体が第２の電気絶
縁性基板上の少なくとも一部分に配置されているトリプ
レート（Ｔｒｉｐｌａｔｅ）構造として構成され、アン
テナは平面ダイポールが第４の電気絶縁性基板上に設け
られている平面アンテナであり、マイクロ波を送信及び
受信するための回路を備えた第１の電気絶縁性基板及び
高調波フィルタ装置を備えた第２の電気絶縁性基板は多
層板に纏められ、アンテナはその多層板上に固定され、
マイクロ波を送信及び受信するための回路と高調波フィ
ルタ装置と平面ダイポールとは導電性基板貫通部材によ
って予め定められた接続図に応じて相互に接続されるこ
とによって解決される。
【０００６】本発明によるドップラーレーダモジュール
の有利な実施態様によれば、マイクロ波を送信及び受信
するための回路は第１の電気絶縁性基板上に設けられ、
高調波フィルタ装置は複数のフィルタ構造体が第２の電
気絶縁性基板と第３の電気絶縁性基板との間に配置され
ているトリプレート構造として構成され、第２の電気絶
縁性基板及び第３の電気絶縁性基板は複数のフィルタ構
造体の反対側に位置する面にそれぞれ第１のアース金属
膜及び第２のアース金属膜を有し、マイクロ波を送信及
び受信するための回路を備えた第１の電気絶縁性基板と
高調波フィルタ装置とは第１のアース金属膜が第１の電
気絶縁性基板のマイクロ波を送信及び受信するための回
路とは反対側に位置する面上に載置されるように多層板
に纏められ、アンテナは平面ダイポールが第４の電気絶
縁性基板上に設けられている平面アンテナであり、アン
テナは第４の電気絶縁性基板の平面ダイポールとは反対
側に位置する面が第２のアース金属膜に向かい合うよう
に多層板上に固定され、マイクロ波を送信及び受信する
ための回路と高調波フィルタ装置と平面ダイポールと第
１のアース金属膜と第２のアース金属膜とは導電性基板
貫通部材によって予め定められた接続図に応じて相互に
接続される。
の有利な実施態様によれば、マイクロ波を送信及び受信
するための回路は第１の電気絶縁性基板上に設けられ、
高調波フィルタ装置は複数のフィルタ構造体が第２の電
気絶縁性基板と第３の電気絶縁性基板との間に配置され
ているトリプレート構造として構成され、第２の電気絶
縁性基板及び第３の電気絶縁性基板は複数のフィルタ構
造体の反対側に位置する面にそれぞれ第１のアース金属
膜及び第２のアース金属膜を有し、マイクロ波を送信及
び受信するための回路を備えた第１の電気絶縁性基板と
高調波フィルタ装置とは第１のアース金属膜が第１の電
気絶縁性基板のマイクロ波を送信及び受信するための回
路とは反対側に位置する面上に載置されるように多層板
に纏められ、アンテナは平面ダイポールが第４の電気絶
縁性基板上に設けられている平面アンテナであり、アン
テナは第４の電気絶縁性基板の平面ダイポールとは反対
側に位置する面が第２のアース金属膜に向かい合うよう
に多層板上に固定され、マイクロ波を送信及び受信する
ための回路と高調波フィルタ装置と平面ダイポールと第
１のアース金属膜と第２のアース金属膜とは導電性基板
貫通部材によって予め定められた接続図に応じて相互に
接続される。
【０００７】本発明の他の有利な実施態様は請求項３以
降に記載されている。
降に記載されている。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【０００９】図１のａ、ｂに示され個々の基板面に分解
された多層板１３は、上下に配置された３個の例えば８
角形の電気絶縁性基板４、９、１０から構成されてい
る。基板４、９、１０は例えばエポキシ樹脂、テフロン
（商品名）材又はＡｌ2 Ｏ3 から構成され、例えば約
０．５ｍｍの厚みを有している。基板４の下面にはマイ
クロ波を送信及び受信するための回路が設けられてい
る。基板４と基板１０との間に配置された基板９はその
下面にアース金属膜１１を備えている。その上面にはＨ
Ｆ（高周波）入力点４０及びアンテナ接続点４１を備え
たＨＦフィルタ構造体５と、一方ではそれぞれ１つのＤ
Ｃ入力点２６、２７、２８に接続されかつ他方ではそれ
ぞれ１つの回路接続点２３、２４、２５に接続された３
つのＬＦフィルタ構造体６、７、８と、アース路２９と
が設けられている。基板１０の上面は同様にアース金属
膜１２を備えている。
された多層板１３は、上下に配置された３個の例えば８
角形の電気絶縁性基板４、９、１０から構成されてい
る。基板４、９、１０は例えばエポキシ樹脂、テフロン
（商品名）材又はＡｌ2 Ｏ3 から構成され、例えば約
０．５ｍｍの厚みを有している。基板４の下面にはマイ
クロ波を送信及び受信するための回路が設けられてい
る。基板４と基板１０との間に配置された基板９はその
下面にアース金属膜１１を備えている。その上面にはＨ
Ｆ（高周波）入力点４０及びアンテナ接続点４１を備え
たＨＦフィルタ構造体５と、一方ではそれぞれ１つのＤ
Ｃ入力点２６、２７、２８に接続されかつ他方ではそれ
ぞれ１つの回路接続点２３、２４、２５に接続された３
つのＬＦフィルタ構造体６、７、８と、アース路２９と
が設けられている。基板１０の上面は同様にアース金属
膜１２を備えている。
【００１０】基板９の上面に設けられたＨＦフィルタ構
造体５及びＬＦフィルタ構造体６、７、８は両アース金
属膜１１、１２と共にトリプレート構造の高調波フィル
タ装置２を形成している。ＨＦフィルタ構造体５は、基
本波に対する僅かな通過減衰と、回路３によって発生さ
れたＨＦ波の第１の高調波及び第２の高調波に対する高
い減衰とを示す。このＨＦフィルタ構造体５は例えば第
５次ＬＣ低域通過フィルタとしてマイクロストリップ線
路技術で構成される。ＬＦフィルタ構造体６、７、８は
同様に高調波を抑制する。これらのＬＦフィルタ構造体
６、７、８は同様に低域通過特性を有し、しかもマイク
ロストリップ線路技術の二重ＬＣ阻止フィルタを有す
る。
造体５及びＬＦフィルタ構造体６、７、８は両アース金
属膜１１、１２と共にトリプレート構造の高調波フィル
タ装置２を形成している。ＨＦフィルタ構造体５は、基
本波に対する僅かな通過減衰と、回路３によって発生さ
れたＨＦ波の第１の高調波及び第２の高調波に対する高
い減衰とを示す。このＨＦフィルタ構造体５は例えば第
５次ＬＣ低域通過フィルタとしてマイクロストリップ線
路技術で構成される。ＬＦフィルタ構造体６、７、８は
同様に高調波を抑制する。これらのＬＦフィルタ構造体
６、７、８は同様に低域通過特性を有し、しかもマイク
ロストリップ線路技術の二重ＬＣ阻止フィルタを有す
る。
【００１１】基板１０上にはアンテナ１が配置される。
このアンテナ１は同様に８角形の電気絶縁性基板１５か
ら構成されており、その上面には平面ダイポール１４が
設けられその下面にはアース金属膜１６が設けられてい
る。基板１５は例えばエポキシ樹脂、テフロン（商品
名）材又はＡｌ2 Ｏ3 から構成されている。
このアンテナ１は同様に８角形の電気絶縁性基板１５か
ら構成されており、その上面には平面ダイポール１４が
設けられその下面にはアース金属膜１６が設けられてい
る。基板１５は例えばエポキシ樹脂、テフロン（商品
名）材又はＡｌ2 Ｏ3 から構成されている。
【００１２】基板９の上面及び基板４の下面に配設され
た全構造体、アース金属膜１１、１２、１６、ならびに
平面ダイポール１４は例えばＣｕ又は他の導電材料から
成る約３５μｍの厚みの膜から構成されている。
た全構造体、アース金属膜１１、１２、１６、ならびに
平面ダイポール１４は例えばＣｕ又は他の導電材料から
成る約３５μｍの厚みの膜から構成されている。
【００１３】多層板１３及びアンテナ１の８角形の形状
によって組立て技術上ケースの寸法が非常に小さくな
る。例えば４角形又は楕円形のような他の形状も機能的
に障害を生じなければ同様に採用することができる。
によって組立て技術上ケースの寸法が非常に小さくな
る。例えば４角形又は楕円形のような他の形状も機能的
に障害を生じなければ同様に採用することができる。
【００１４】図２に概略的に示された基板９の平面図
は、ＨＦ入力点４０及びアンテナ接続点４１を備えたＨ
Ｆフィルタ構造体５と、回路接続点２３、２４、２５を
備えたＬＦフィルタ構造体６、７、８と、ＤＣ入力点２
６、２７、２８と、アース路２９の優れた実施例及び配
置を示す。ＤＣ入力点２６、２７、２８は基板上の周縁
側に一列に配置されている。アース路２９はほぼＤＣ入
力点２６、２７、２８とＬＦフィルタ構造体６、７、８
との間に延在している。さらにＬＦフィルタ構造体７、
８間には同様にアース路２９が基板９上に設けられてい
る。このアース路２９は、基板内でのＨＦ伝播を減少さ
せしかも側方のＨＦ放射を軽減させるために使われる。
側方のＨＦ放射の減少は側面の補助金属膜、すなわち基
板９、１０のいわゆる縁部金属膜によって同様に達成す
ることができる。この縁部金属膜は例えば約３５μｍの
厚みのＣｕ膜から構成される。
は、ＨＦ入力点４０及びアンテナ接続点４１を備えたＨ
Ｆフィルタ構造体５と、回路接続点２３、２４、２５を
備えたＬＦフィルタ構造体６、７、８と、ＤＣ入力点２
６、２７、２８と、アース路２９の優れた実施例及び配
置を示す。ＤＣ入力点２６、２７、２８は基板上の周縁
側に一列に配置されている。アース路２９はほぼＤＣ入
力点２６、２７、２８とＬＦフィルタ構造体６、７、８
との間に延在している。さらにＬＦフィルタ構造体７、
８間には同様にアース路２９が基板９上に設けられてい
る。このアース路２９は、基板内でのＨＦ伝播を減少さ
せしかも側方のＨＦ放射を軽減させるために使われる。
側方のＨＦ放射の減少は側面の補助金属膜、すなわち基
板９、１０のいわゆる縁部金属膜によって同様に達成す
ることができる。この縁部金属膜は例えば約３５μｍの
厚みのＣｕ膜から構成される。
【００１５】図３ａに示されたアンテナ１の実施例の平
面図において、８角形の基板１５はエポキシ樹脂から構
成され、平面ダイポール１４はＨＦ供給点３１を有する
Ｃｕ膜から構成されている。このＨＦ供給点３１はアー
ス金属膜１６を絶縁されて貫通する導電性基板貫通部材
３２（図３ｂ参照）によって多層板１３に接続されてい
る。平面ダイポール１４の放射エッジ１４Ａ、１４Ｂの
長さはそれらの相互間隔より短く、基板１５の長さと両
放射エッジ１４Ａ、１４Ｂ間の間隔との差は２ｍｍ以上
である。基板１５の厚みは３ｍｍ以上である。供給点３
１とこれに最も近い放射エッジ１４Ａとの間の間隔を変
えることによって、アンテナ１のインピーダンスを調整
することができる。
面図において、８角形の基板１５はエポキシ樹脂から構
成され、平面ダイポール１４はＨＦ供給点３１を有する
Ｃｕ膜から構成されている。このＨＦ供給点３１はアー
ス金属膜１６を絶縁されて貫通する導電性基板貫通部材
３２（図３ｂ参照）によって多層板１３に接続されてい
る。平面ダイポール１４の放射エッジ１４Ａ、１４Ｂの
長さはそれらの相互間隔より短く、基板１５の長さと両
放射エッジ１４Ａ、１４Ｂ間の間隔との差は２ｍｍ以上
である。基板１５の厚みは３ｍｍ以上である。供給点３
１とこれに最も近い放射エッジ１４Ａとの間の間隔を変
えることによって、アンテナ１のインピーダンスを調整
することができる。
【００１６】約２．４５ＧＨｚの作動周波数にとって特
に優れたアンテナ１の実施形態は次の寸法を有する。 放射エッジ１４Ａ、１４Ｂの長さ：１４ｍｍ 放射エッジ１４Ａ、１４Ｂの相互間隔：２９．４ｍｍ 基板１５の幅：２６ｍｍ 基板１５の厚み：３．３ｍｍ 供給点３１とこれに最も近い放射エッジ１４Ａとの間の
間隔：１１ｍｍ
に優れたアンテナ１の実施形態は次の寸法を有する。 放射エッジ１４Ａ、１４Ｂの長さ：１４ｍｍ 放射エッジ１４Ａ、１４Ｂの相互間隔：２９．４ｍｍ 基板１５の幅：２６ｍｍ 基板１５の厚み：３．３ｍｍ 供給点３１とこれに最も近い放射エッジ１４Ａとの間の
間隔：１１ｍｍ
【００１７】アンテナ１の優れた実施形態において、基
板１５は図３ｂに示されているように例えば３５μｍの
厚みのＣｕ膜から構成された縁部金属膜３３を有してい
る。基板１５のこの縁部金属膜３３はＨＦ波の側方の伝
播を減らし、これによってアンテナ１の放射特性が改善
される。
板１５は図３ｂに示されているように例えば３５μｍの
厚みのＣｕ膜から構成された縁部金属膜３３を有してい
る。基板１５のこの縁部金属膜３３はＨＦ波の側方の伝
播を減らし、これによってアンテナ１の放射特性が改善
される。
【００１８】図４のａ、ｂに示されアンテナ１を備えた
多層板１３の概略断面図は、導電性基板貫通部材１７、
１８、１９、２０、２１、２２によるドップラーレーダ
モジュールの個々の構成要素相互間の結合状態を示して
いる。アース金属膜１１、１２とアース路２９とは基板
貫通部材１７、２１、すなわちいわゆるアースメッキ付
きスルーホールによって相互に接続されている。金属は
んだ又は導電性接着材から形成された導電性結合材３
４、３５はアース金属膜１６を多層板１３に結合し、ま
た平面ダイポール１４からの基板貫通部材３２を多層板
１３の基板貫通部材１９に結合する。
多層板１３の概略断面図は、導電性基板貫通部材１７、
１８、１９、２０、２１、２２によるドップラーレーダ
モジュールの個々の構成要素相互間の結合状態を示して
いる。アース金属膜１１、１２とアース路２９とは基板
貫通部材１７、２１、すなわちいわゆるアースメッキ付
きスルーホールによって相互に接続されている。金属は
んだ又は導電性接着材から形成された導電性結合材３
４、３５はアース金属膜１６を多層板１３に結合し、ま
た平面ダイポール１４からの基板貫通部材３２を多層板
１３の基板貫通部材１９に結合する。
【００１９】本発明の特に優れた実施例による多層板１
３は基板４、９、１０の側面に縁部金属膜３７を有す
る。この優れた多層板１３は外部接続面の領域にだけ縁
部金属膜を有していない。
３は基板４、９、１０の側面に縁部金属膜３７を有す
る。この優れた多層板１３は外部接続面の領域にだけ縁
部金属膜を有していない。
【００２０】本発明の実施例によるドップラーレーダモ
ジュールのケース３６（図５のａ、ｂ参照）は導電材料
から構成され、その上面に８角形の開口部３９を有して
おり、この開口部３９内にアンテナ１を備えた多層板１
３が固定される。ケース３６はＤＣ供給及びドップラー
信号出力が高調波フィルタ装置２を介して行われるよう
に成形されている。
ジュールのケース３６（図５のａ、ｂ参照）は導電材料
から構成され、その上面に８角形の開口部３９を有して
おり、この開口部３９内にアンテナ１を備えた多層板１
３が固定される。ケース３６はＤＣ供給及びドップラー
信号出力が高調波フィルタ装置２を介して行われるよう
に成形されている。
【００２１】図６に示す本発明によるドップラーレーダ
モジュールの第２の実施例は、第１の実施例とは、第２
のアース金属膜１２及び第３のアース金属膜１６が基板
１０上又は基板１５上に選択的に設けられた唯一のアー
ス金属膜３８によって置換されている点でのみ相違して
いる。その場合実施形態に応じて、基板１０又は基板１
５はアース金属膜３８上に例えばはんだ又は接着剤によ
って固定される。
モジュールの第２の実施例は、第１の実施例とは、第２
のアース金属膜１２及び第３のアース金属膜１６が基板
１０上又は基板１５上に選択的に設けられた唯一のアー
ス金属膜３８によって置換されている点でのみ相違して
いる。その場合実施形態に応じて、基板１０又は基板１
５はアース金属膜３８上に例えばはんだ又は接着剤によ
って固定される。
【図１】本発明の第１の実施例によるアンテナを備え個
々の基板面に分解された多層板を示し、ａは上から見た
斜視図、ｂは下から見た斜視図。
々の基板面に分解された多層板を示し、ａは上から見た
斜視図、ｂは下から見た斜視図。
【図２】高調波フィルタ装置のフィルタ構造体を備えた
基板の平面図。
基板の平面図。
【図３】平面アンテナを示し、ａはその平面アンテナの
平面図、ｂはａのＡ−Ａ線に沿った平面アンテナの断面
図。
平面図、ｂはａのＡ−Ａ線に沿った平面アンテナの断面
図。
【図４】本発明の実施例によるアンテナを備えた多層板
を示し、ａはその一方の側の縦断面図、ｂはその他方の
側の縦断面図。
を示し、ａはその一方の側の縦断面図、ｂはその他方の
側の縦断面図。
【図５】本発明によるドップラーレーダモジュールを示
し、ａはその平面図、ｂはａのＢ−Ｂ線に沿ったドップ
ラーレーダモジュールの概略断面図。
し、ａはその平面図、ｂはａのＢ−Ｂ線に沿ったドップ
ラーレーダモジュールの概略断面図。
【図６】本発明の第２の実施例によるアンテナを備えた
多層板の概略断面図。
多層板の概略断面図。
１ アンテナ ２ 高調波フィルタ装置 ３ マイクロ波を送信及び受信するための回路 ４、９、１０ 電気絶縁性基板 ５ ＨＦフィルタ構造体 ６、７、８ ＬＦフィルタ構造体 １１、１２ アース金属膜 １３ 多層板 １４ 平面ダイポール １４Ａ、１４Ｂ 放射エッジ １５ 基板 １６ アース金属膜 １７、１８、１９、２０ 基板貫通部材 ２３、２４、２５ 回路接続点 ２６、２７、２８ ＤＣ入力点 ２９ アース路 ３１ ＨＦ供給点 ３２ 基板貫通部材 ３３ 縁部金属膜 ３４、３５ 結合材 ３６ ケース ３７ 縁部金属膜 ３８ アース金属膜 ３９ ８角形開口部 ４０ ＨＦ入力点 ４１ アンテナ接続点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−104052（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−49374（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−350329（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−46028（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−67919（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−55917（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−114667（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−186437（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−320375（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01S 7/00 - 7/42 G01S 13/00 - 13/95
Claims (11)
- 【請求項１】 マイクロストリップ線路技術で構成され
て、１〜５ＧＨｚの周波数範囲用に設計され、アンテナ
（１）と、マイクロ波を送信及び受信するための回路
（３）と、導電材料から作られたケース（３６）とを有
するドップラーレーダモジュールにおいて、マイクロ波
を送信及び受信するための回路（３）は第１の電気絶縁
性基板（４）上の少なくとも一部分に設けられ、高調波
フィルタ装置（２）は複数のフィルタ構造体が第２の電
気絶縁性基板（９）上の少なくとも一部分に配置されて
いるトリプレート構造として構成され、アンテナ（１）
は平面ダイポール（１４）が第４の電気絶縁性基板（１
５）上に設けられている平面アンテナであり、第１の電
気絶縁性基板（４）及び第２の電気絶縁性基板（９）は
多層板（１３）に纏められ、アンテナ（１）はその多層
板（１３）上に固定され、マイクロ波を送信及び受信す
るための回路（３）と高調波フィルタ装置（２）と平面
ダイポール（１４）とは導電性基板貫通部材（１７〜２
２）によって予め定められた接続図に応じて相互に接続
されることを特徴とするドップラーレーダモジュール。 - 【請求項２】 マイクロ波を送信及び受信するための回
路（３）は第１の電気絶縁性基板（４）上に設けられ、
高調波フィルタ装置（２）は複数のフィルタ構造体が第
２の電気絶縁性基板（９）と第３の電気絶縁性基板（１
０）との間に配置されているトリプレート構造として構
成され、第２の電気絶縁性基板（９）及び第３の電気絶
縁性基板（１０）は複数のフィルタ構造体とは反対側に
位置する面にそれぞれ第１のアース金属膜（１１）及び
第２のアース金属膜（１２）を有し、マイクロ波を送信
及び受信するための回路（３）を備えた第１の電気絶縁
性基板（４）と高調波フィルタ装置（２）とは第１のア
ース金属膜（１１）が第１の電気絶縁性基板（４）のマ
イクロ波を送信及び受信するための回路（３）とは反対
側に位置する面上に載置されるように多層板（１３）に
纏められ、アンテナ（１）は第４の電気絶縁性基板の平
面ダイポール（１４）とは反対側に位置する面が第２の
アース金属膜（１２）に向かい合うように多層板（１
３）上に固定され、マイクロ波を送信及び受信するため
の回路（３）と高調波フィルタ装置（２）と平面ダイポ
ール（１４）と第１のアース金属膜（１１）と第２のア
ース金属膜（１２）とは導電性基板貫通部材（１７〜２
２）によって予め定められた接続図に応じて相互に接続
されていることを特徴とする請求項１記載のドップラー
レーダモジュール。 - 【請求項３】 平面ダイポール（１４）の放射エッジ
（１４Ａ、１４Ｂ）の長さはそれらの相互間隔より小さ
く、第４の電気絶縁性基板（１５）の長さと平面ダイポ
ール（１４）の両放射エッジ（１４Ａ、１４Ｂ）の間隔
との差は２ｍｍ以上であり、第４の電気絶縁性基板（１
５）の厚みは３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項
１又は２に記載のドップラーレーダモジュール。 - 【請求項４】 第４の電気絶縁性基板（１５）は平面ダ
イポール（１４）とは反対側に位置する面に第３のアー
ス金属膜（１６）を有し、この第３のアース金属膜（１
６）は第２のアース金属膜（１２）に導電的に結合され
ていることを特徴とする請求項２又は３に記載のドップ
ラーレーダモジュール。 - 【請求項５】 第４の電気絶縁性基板（１５）は縁部金
属膜（３３）を有することを特徴とする請求項１乃至４
の１つに記載のドップラーレーダモジュール。 - 【請求項６】 第２の電気絶縁性基板（９）はフィルタ
構造体が設けられている面の周縁側に複数のＤＣ入力点
（２６、２７、２８）を有することを特徴とする請求項
１乃至５の１つに記載のドップラーレーダモジュール。 - 【請求項７】 高調波フィルタ装置（２）は、マイクロ
波を送信及び受信するための回路（３）とアンテナ
（１）との間に接続されたＨＦトリプレートフィルタ
（５）と、それぞれ一方ではＤＣ入力点（２６、２７、
２８）に接続されかつ他方ではマイクロ波を送信及び受
信するための回路（３）に接続された３つのＬＦトリプ
レートフィルタ（６、７、８）とを有することを特徴と
する請求項１乃至６の１つに記載のドップラーレーダモ
ジュール。 - 【請求項８】 第２の電気絶縁性基板（９）と第３の電
気絶縁性基板（１０）とはそれぞれ縁部金属膜を有する
ことを特徴とする請求項２乃至７の１つに記載のドップ
ラーレーダモジュール。 - 【請求項９】 多層板（１３）は縁部金属膜（３７）を
有することを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の
ドップラーレーダモジュール。 - 【請求項１０】 第１の電気絶縁性基板（４）はマイク
ロ波を送信及び受信するための回路（３）が設けられて
いる面の周縁側に、マイクロ波の側方放射を阻止する少
なくとも１つのアース路を有することを特徴とする請求
項１乃至９の１つに記載のドップラーレーダモジュー
ル。 - 【請求項１１】 第２の電気絶縁性基板（９）はフィル
タ構造体が設けられている面上でしかもＬＦフィルタ構
造体とＤＣ入力点との間に、マイクロ波の側方放射を阻
止する複数のアース路を有することを特徴とする請求項
１乃至１０の１つに記載のドップラーレーダモジュー
ル。
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