TWI552443B - 天線結構 - Google Patents

Description

天線結構

本發明係關於一種天線結構，特別係關於一種近場通訊(Near Field Communication，NFC)之天線結構。

近場通訊(Near Field Communication，NFC)，又稱近距離無線通訊，是一種短距離之高頻無線通訊技術，其允許電子設備之間進行非接觸式點對點資料傳輸，在十公分(3.9英吋)內交換資料。近場通訊技術因所需之頻率較低，故其所對應之天線元件通常具有較長之共振路徑。然而，行動裝置之內部設計空間往往極為有限，在此情況下，如何設計出具有小尺寸、多方向輻射之近場通訊天線來涵蓋所需頻帶，已成為現今天線設計者之一大挑戰。

在較佳實施例中，本發明提供一種天線結構，包括：一支撐元件，具有一上表面、一下表面，以及複數側邊緣，其中該等側邊緣係位於該上表面和該下表面之間；一第一線圈結構，鄰近於該支撐元件之一第一側邊緣處；以及一第二線圈結構，鄰近於該支撐元件之一第二側邊緣處；其中該第一線圈結構和該第二線圈結構係用於產生多方向側邊輻射。

在一些實施例中，該支撐元件大致為一矩形薄平 板或一正方形薄平板。

在一些實施例中，該支撐元件之厚度大於或等於3mm，該支撐元件係由一非導體材料所製成。

在一些實施例中，該支撐元件之厚度小於3mm，該支撐元件係由一導磁性材料所製成。

在一些實施例中，該導磁性材料為一鐵氧體。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一第一饋入墊，作為該天線結構之一第一端點；以及一第二饋入墊，作為該天線結構之一第二端點。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一第三線圈結構，鄰近於該支撐元件之一第三側邊緣處；以及一第四線圈結構，鄰近於該支撐元件之一第四側邊緣處；其中該第三線圈結構和該第四線圈結構亦用於產生多方向側邊輻射。

在一些實施例中，該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構係串聯耦接於該第一饋入墊和該第二饋入墊之間。

在一些實施例中，一電流路徑係由該第一饋入墊經過該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構再至該第二饋入墊。

在一些實施例中，該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構係並聯耦接於該第一饋入墊和該第二饋入墊之間。

在一些實施例中，該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構之每一者之二末 端皆分別耦接至該第一饋入墊和該第二饋入墊。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一中央線圈結構，設置於該支撐元件之中央區域，其中該中央線圈結構係用於產生正向輻射和背向輻射。

在一些實施例中，該中央線圈結構係耦接於該第一饋入墊、該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構、該第四線圈結構，以及該第二饋入墊之任二者之間。

在一些實施例中，該中央線圈結構之二末端係分別耦接至該第一饋入墊和該第二饋入墊。

在一些實施例中，該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構之每一者分別具有大於或等於1之線圈匝數。

在一些實施例中，該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構之每一者分別包括：一或複數第一金屬導線，設置於該支撐元件之該上表面處；一或複數第二金屬導線，設置於該支撐元件之該下表面處；以及複數金屬連接件，穿透該支撐元件，其中該等金屬連接件將該等第一金屬導線分別連接至該等第二金屬導線。

在一些實施例中，該等第一金屬導線和該等第二金屬導線皆大致為直條形。

在一些實施例中，該等第一金屬導線於該支撐元件之該下表面上具有一或複數垂直投影，而該等垂直投影與該等第二金屬導線之至少一部份不互相平行。

在一些實施例中，該等垂直投影與該等第二金屬 導線之該部份之夾角係介於0度至45度之間。

在一些實施例中，該等第一金屬導線之任相鄰二者之間距係至少為0.05mm，而該等第二金屬導線之任相鄰二者之間距係至少為0.05mm。

100、200、300、400、500、600、700、800、900、990‧‧‧天線結構

110‧‧‧支撐元件

121‧‧‧支撐元件之第一側邊緣

122‧‧‧支撐元件之第二側邊緣

123‧‧‧支撐元件之第三側邊緣

124‧‧‧支撐元件之第四側邊緣

131、331、431、531、631、731、831、931、981‧‧‧第一線圈結構

132、332、432、532、632、732、832、932、982‧‧‧第二線圈結構

133、333、433、533、633、733、833‧‧‧第三線圈結構

134、334、434、534、634、734、834‧‧‧第四線圈結構

141‧‧‧第一饋入墊

142‧‧‧第二饋入墊

550、650、750‧‧‧中央線圈結構

361、561、661、761、861、961、962‧‧‧金屬連接件

771、871‧‧‧第一金屬導線

772、872‧‧‧第一金屬導線

E1‧‧‧支撐元件之上表面

E2‧‧‧支撐元件之上表面

X、Y、Z‧‧‧座標軸

第1A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之正面圖

第1B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之側面圖；第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之正面圖；第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之正面圖；第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之正面圖；第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之正面圖；第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之正面圖；第7A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之正面圖；第7B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之底面圖； 第8A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之正面圖；第8B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之底面圖；第9圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之正面圖；以及第10圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之正面圖。

為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

第1A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之正面圖。第1B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之側面圖。請一併參考第1A、1B圖。天線結構100可以應用於一行動裝置中，例如：一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。在一些實施例中，天線結構100係操作於一近場通訊(Near Field Communication，NFC)頻帶。天線結構100可包括一支撐元件110、一第一線圈結構131、一第二線圈結構132、一第三線圈結構133，以及一第四線圈結構134。在第1A、1B圖之實施例中，支撐元件110大致為一矩形薄平板或一正方形薄平板。在其他實施例中，支撐元件110亦可大致為一梯形薄平板、一平行四邊形薄平板，或是一圓形薄平板。若支撐元件 110之厚度大於或等於3mm，則支撐元件110可由一非導體材料所製成；而若支撐元件110之厚度小於3mm，則支撐元件可由一導磁性材料所製成。例如，前述導磁性材料可為一鐵氧體(Ferrite)。天線結構100更可包括一第一饋入墊141和一第二饋入墊142，其中第一饋入墊141可作為天線結構100之一第一端點，而第二饋入墊142可作為天線結構100之一第二端點。天線結構100之第一端點和第二端點可以分別耦接至一信號源之一正極和一負極(未顯示)，使得天線結構100可由此信號源所激發。另外，第一饋入墊141或第二饋入墊142更可經由一匹配電路連接至信號源，其中前述匹配電路可包括一或複數個電容器或電感器(未顯示)，以提供合適之等效共振長度給天線結構100。

支撐元件110具有一上表面E1、一下表面E2，以及複數側邊緣121、122、123、124，其中該等側邊緣121、122、123、124皆位於上表面E1和下表面E2之間。第一線圈結構131係鄰近於支撐元件110之第一側邊緣121處，第二線圈結構132係鄰近於支撐元件110之第二側邊緣122處，第三線圈結構133係鄰近於支撐元件110之第三側邊緣123處，而第四線圈結構134係鄰近於支撐元件110之第四側邊緣124處。第一線圈結構131、第二線圈結構132、第三線圈結構133，以及第四線圈結構134之每一者可分別具有大於或等於1之線圈匝數。必須理解的是，各圖式中之實線可代表位於支撐元件110之上表面E1處之金屬導線，而虛線可代表位於支撐元件110之下表面E2處之金屬導線。在此設計下，第一線圈結構131之主波束(Main Beam)可朝向+Y軸方向，第二線圈結構132之主波束可朝向-X軸方向， 第三線圈結構133之主波束可朝向-Y軸方向，而第四線圈結構134之主波束可朝向+X軸方向。因此，天線結構100之第一線圈結構131、第二線圈結構132、第三線圈結構133，以及第四線圈結構134可用於產生多方向側邊輻射，使得天線結構100能支援多點偵測。

在第1A、1B圖之實施例中，第一線圈結構131、第二線圈結構132、第三線圈結構133，以及第四線圈結構134係串聯耦接於第一饋入墊141和第二饋入墊142之間。亦即，一電流路徑可由第一饋入墊141經過第一線圈結構131、第二線圈結構132、第三線圈結構133，以及第四線圈結構134再至第二饋入墊142。惟本發明並不僅限於此。第2圖係顯示根據本發明另一實施例所述之天線結構200之正面圖。在第2圖之實施例中，第一線圈結構131、第二線圈結構132、第三線圈結構133，以及第四線圈結構134係改為並聯耦接於第一饋入墊141和第二饋入墊142之間。換言之，第一線圈結構131、第二線圈結構132、第三線圈結構133，以及第四線圈結構134之每一者之二末端皆分別耦接至第一饋入墊141和第二饋入墊142。

本發明之天線結構可分為串列型(如第1A圖所示)及陣列型(如第2圖所示)兩種不同實施樣態，而無論是那一種，皆可使得天線結構支援多方向側邊輻射。本發明克服了傳統近場通訊天線通常僅能侷限於針對正、背面方向(如第1B圖中之+Z軸、-Z軸方向)進行信號傳輸之缺點，其並可達成近似全向性輻射以及多點偵測等較優越之天線設計功效。

第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結 構300之正面圖。第3圖和第1A圖近似(串列型)。在第3圖之實施例中，天線結構300包括一支撐元件110、一第一線圈結構331、一第二線圈結構332、一第三線圈結構333、一第四線圈結構334、一第一饋入墊141，以及一第二饋入墊142。圖中之空心圓圈符號係代表穿透支撐元件110之複數個金屬連接件361。該等金屬連接件361係用於連接支撐元件110之上、下表面上之複數條金屬導線(用實直線和虛直線表示)，以形成前述各線圈結構。前述各線圈結構皆具有大於2之線圈匝數，故將能更增加各側邊輻射之強度。第3圖之天線結構300之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線結構100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構400之正面圖。第4圖和第2圖近似(陣列型)。在第4圖之實施例中，天線結構400包括一支撐元件110、一第一線圈結構431、一第二線圈結構432、一第三線圈結構433、一第四線圈結構434、一第一饋入墊141，以及一第二饋入墊142。前述各線圈結構皆具有大於2之線圈匝數，故將能更增加各側邊輻射之強度。第4圖之天線結構400之其餘特徵皆與第2圖之天線結構200類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構500之正面圖。第5圖和第1A圖近似(串列型)。在第5圖之實施例中，天線結構500包括一支撐元件110、一第一線圈結構531、一第二線圈結構532、一第三線圈結構533、一第四線圈結構534、一第一饋入墊141、一第二饋入墊142，以及一中央線圈結構550。 圖中之空心圓圈符號係代表穿透支撐元件110之複數個金屬連接件561。該等金屬連接件561係用於連接支撐元件110之上、下表面上之複數條金屬導線(用實直線和虛直線表示)，以形成前述各線圈結構。中央線圈結構550可以耦接於第一饋入墊141、第一線圈結構531、第二線圈結構532、第三線圈結構533、第四線圈結構534，以及第二饋入墊142之任二者之間(串聯耦接)。第一線圈結構531、第二線圈結構532、第三線圈結構533、第四線圈結構534係用於產生側邊輻射。中央線圈結構550係設置於支撐元件110之中央區域，並可具有大於或等於1之線圈匝數。中央線圈結構550係用於產生正向輻射和背向輻射。在此組合式設計下，天線結構500可產生正面、背面，以及側邊之多重方向輻射，其將可達成近似全向性輻射之功效。第5圖之天線結構500之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線結構100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構600之正面圖。第6圖和第2圖近似(陣列型)。在第6圖之實施例中，天線結構600包括一支撐元件110、一第一線圈結構631、一第二線圈結構632、一第三線圈結構633、一第四線圈結構634、一第一饋入墊141、一第二饋入墊142、以及一中央線圈結構650。第一線圈結構631、第二線圈結構632、第三線圈結構633、第四線圈結構634係用於產生側邊輻射。中央線圈結構650之二末端係分別耦接至一第一饋入墊141和一第二饋入墊142(並聯耦接)。中央線圈結構650係設置於支撐元件110之中央區域，其可具有大於或等於1之線圈匝數。中央線圈結構650係用於產生 正向輻射和背向輻射。在此組合式設計下，天線結構600可產生正面、背面，以及側邊之多重方向輻射，將可達成近似全向性輻射之功效。第6圖之天線結構600之其餘特徵皆與第2圖之天線結構200類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第7A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構700之正面圖。第7B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構700之底面圖。請一併參考第7A、7B圖。第7A、7B圖和第1A圖近似(串列型)。在第7A、7B圖之實施例中，天線結構700包括一支撐元件110、一第一線圈結構731、一第二線圈結構732、一第三線圈結構733、一第四線圈結構734、一第一饋入墊141、一第二饋入墊142，以及一中央線圈結構750。第一線圈結構731、第二線圈結構732、第三線圈結構733、第四線圈結構734，以及中央線圈結構750之每一者分別包括一或複數條第一金屬導線771、一或複數條第二金屬導線772，以及複數個金屬連接件761，其中該等第一金屬導線771係設置於支撐元件110之一上表面E1處，該等第二金屬導線772係設置於支撐元件110之一下表面E2處，而每一該等第二金屬導線772之寬度約為每一該等第一金屬導線771之寬度之二倍。在一些實施例中，該等第一金屬導線771和該等第二金屬導線772各自為等寬之直條形。在另一些實施例中，該等第一金屬導線771和該等第二金屬導線772可改為各自不等寬之直條形。該等第一金屬導線771之任相鄰二者之間距係至少為0.05mm，而該等第二金屬導線772之任相鄰二者之間距亦至少為0.05mm。該等金屬連接件761係穿透支撐元件110。舉例而言，支撐元件110可具有複數個貫孔(Via Hole)，而該等金屬連接件761可分別形成於該等貫孔當中。該等金屬連接件761更將該等第一金屬導線771分別連接至該等第二金屬導線772，使得該等第一金屬導線771、該等金屬連接件761，以及該等第二金屬導線772可共同形成圍繞住支撐元件110之各個線圈結構。第一線圈結構731、第二線圈結構732、第三線圈結構733、第四線圈結構734係用於產生側邊輻射。中央線圈結構750係用於產生正向輻射和背向輻射。在此組合式設計下，天線結構700可產生正面、背面，以及側邊之多重方向輻射，將可達成近似全向性輻射之功效。第7圖之天線結構700之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線結構100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第8A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構800之正面圖。第8B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構800之底面圖。請一併參考第8A、8B圖。第8A、8B圖和第2圖近似(陣列型)。在第8A、8B圖之實施例中，天線結構800包括一支撐元件110、一第一線圈結構831、一第二線圈結構832、一第三線圈結構833、一第四線圈結構834、一第一饋入墊141，以及一第二饋入墊142。第一線圈結構831、第二線圈結構832、第三線圈結構833，以及第四線圈結構834之每一者分別包括一或複數條第一金屬導線871、一或複數條第二金屬導線872，以及複數個金屬連接件861，其中該等第一金屬導線871係設置於支撐元件110之一上表面E1處，而該等第二金屬導線872係設置於支撐元件110之一下表面E2處。該等第一金屬導線871之任相鄰二者之間距係至少為0.05mm，而該等第二金屬導線872之任 相鄰二者之間距亦至少為0.05mm。該等金屬連接件861係穿透支撐元件110。支撐元件110可具有複數個貫孔，而該等金屬連接件861可分別形成於該等貫孔當中。該等金屬連接件861更將該等第一金屬導線871分別連接至該等第二金屬導線872，使得該等第一金屬導線871、該等金屬連接件861，以及該等第二金屬導線872可共同形成圍繞住支撐元件110之各個線圈結構。更詳細而言，該等第一金屬導線871於支撐元件110之下表面E2上具有複數個垂直投影，而該等垂直投影與該等第二金屬導線872之至少一部份不互相平行，以利於交錯形成前述之線圈結構。例如，該等第一金屬導線871之該等垂直投影與該等第二金屬導線872之至少一部份之夾角θ可係介於0度至45度之間。在一些實施例中，夾角θ係介於10度至15度之間。在此設計下，天線結構800可產生側邊之多重方向輻射。在另一些實施例中，天線結構800更包括一中央線圈結構，如此其將可達成近似全向性輻射之功效。第8圖之天線結構800之其餘特徵皆與第2圖之天線結構200類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第9圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構900之正面圖。第9圖和第1A圖近似(串列型)。在第9圖之實施例中，天線結構900包括一支撐元件110、一第一線圈結構931、一第二線圈結構932、一第一饋入墊141，以及一第二饋入墊142。天線結構900可視為第1A、1B圖之天線結構100之簡化版，其僅包括至少二個線圈結構，即可產生至少二方向之側邊輻射。第9圖之天線結構900之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線結構 100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第10圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構990之正面圖。第10圖和第2圖近似(陣列型)。在第10圖之實施例中，天線結構990包括一支撐元件110、一第一線圈結構981、一第二線圈結構982、一第一饋入墊141，以及一第二饋入墊142。天線結構990可視為第2圖之天線結構200之簡化版，其僅包括至少二個線圈結構，即可產生至少二方向之側邊輻射。第10圖之天線結構990之其餘特徵皆與第2圖之天線結構200類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

與傳統技術相比，本發明至少具有下列優點：(1)可提供接近全向性之輻射場型；(2)藉由將天線結構與支撐元件整合為一，可降低其整體厚度；以及(3)可降低天線結構之整體製造成本。因此，本發明非常適合應用於各種小型化之行動通訊裝置當中。

在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。本發明說明書中「耦接」一詞係泛指各種直接或間接之電性連接方式。

本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧天線結構

110‧‧‧支撐元件

121‧‧‧支撐元件之第一側邊緣

122‧‧‧支撐元件之第二側邊緣

123‧‧‧支撐元件之第三側邊緣

124‧‧‧支撐元件之第四側邊緣

131‧‧‧第一線圈結構

132‧‧‧第二線圈結構

133‧‧‧第三線圈結構

134‧‧‧第四線圈結構

141‧‧‧第一饋入墊

142‧‧‧第二饋入墊

X、Y、Z‧‧‧座標軸

Claims (19)

1. 一種天線結構，包括：一支撐元件，具有一上表面、一下表面，以及複數側邊緣，其中該等側邊緣係位於該上表面和該下表面之間；一第一線圈結構，鄰近於該支撐元件之一第一側邊緣處；以及一第二線圈結構，鄰近於該支撐元件之一第二側邊緣處；其中該第一線圈結構和該第二線圈結構係用於產生多方向側邊輻射；其中該支撐元件大致為一矩形薄平板或一正方形薄平板；其中該第一線圈結構和該第二線圈結構皆有一部份位於該支撐元件之該上表面，且有另一部份位於該支撐元件之該下表面。
2. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該支撐元件之厚度大於或等於3mm，且該支撐元件係由一非導體材料所製成。
3. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該支撐元件之厚度小於3mm，且該支撐元件係由一導磁性材料所製成。
4. 如申請專利範圍第3項所述之天線結構，其中該導磁性材料為一鐵氧體。
5. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，更包括：一第一饋入墊，作為該天線結構之一第一端點；以及一第二饋入墊，作為該天線結構之一第二端點。
6. 如申請專利範圍第5項所述之天線結構，更包括： 一第三線圈結構，鄰近於該支撐元件之一第三側邊緣處；以及一第四線圈結構，鄰近於該支撐元件之一第四側邊緣處；其中該第三線圈結構和該第四線圈結構亦用於產生多方向側邊輻射。
7. 如申請專利範圍第6項所述之天線結構，其中該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構係串聯耦接於該第一饋入墊和該第二饋入墊之間。
8. 如申請專利範圍第7項所述之天線結構，其中一電流路徑係由該第一饋入墊經過該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構再至該第二饋入墊。
9. 如申請專利範圍第6項所述之天線結構，其中該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構係並聯耦接於該第一饋入墊和該第二饋入墊之間。
10. 如申請專利範圍第9項所述之天線結構，其中該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構之每一者之二末端皆分別耦接至該第一饋入墊和該第二饋入墊。
11. 如申請專利範圍第6項所述之天線結構，更包括：一中央線圈結構，設置於該支撐元件之中央區域，其中該中央線圈結構係用於產生正向輻射和背向輻射。
12. 如申請專利範圍第11項所述之天線結構，其中該中央線圈結構係耦接於該第一饋入墊、該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構、該第四線圈結構，以及該第二饋入 墊之任二者之間。
13. 如申請專利範圍第11項所述之天線結構，其中該中央線圈結構之二末端係分別耦接至該第一饋入墊和該第二饋入墊。
14. 如申請專利範圍第6項所述之天線結構，其中該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構之每一者分別具有大於或等於1之線圈匝數。
15. 如申請專利範圍第6項所述之天線結構，其中該第一線圈結構、該第二線圈結構、該第三線圈結構，以及該第四線圈結構之每一者分別包括：一或複數第一金屬導線，設置於該支撐元件之該上表面處；一或複數第二金屬導線，設置於該支撐元件之該下表面處；以及複數金屬連接件，穿透該支撐元件，其中該等金屬連接件將該等第一金屬導線分別連接至該等第二金屬導線。
16. 如申請專利範圍第15項所述之天線結構，其中該等第一金屬導線和該等第二金屬導線皆大致為直條形。
17. 如申請專利範圍第15項所述之天線結構，其中該等第一金屬導線於該支撐元件之該下表面上具有一或複數垂直投影，而該等垂直投影與該等第二金屬導線之至少一部份不互相平行。
18. 如申請專利範圍第17項所述之天線結構，其中該等垂直投影與該等第二金屬導線之該部份之夾角係介於0度至45度之間。
19. 如申請專利範圍第15項所述之天線結構，其中該等第一金屬導線之任相鄰二者之間距係至少為0.05mm，而該等第二金屬導線之任相鄰二者之間距係至少為0.05mm。