JPS62247602A - 固定抵抗減衰器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 固定抵抗減衰器において、第１の伝送線路と第２の伝送
線路及び第２の伝送線路と第３の伝送線路とをそれぞれ
第１及び第２の抵抗器及び第２の伝送線路は第１及び第
２の伝送線路（３２）とを、それぞれ所定の周波数で純
抵抗と見える位置の間隔がλｇ／４（λｇは短縮波長を
示す）となる様な電気長を存すると共に、特性インピー
ダンスを第１及び第３の伝送線路のそれと同じにして、
低価格で比較的良好な周波数特性が得られる様にしたも
のである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は固定抵抗減衰器、特にマイクロ波帯で使用され
る固定抵抗減衰器の改良に関するものである。

固定抵抗減衰器は、例えばマイクロ波回路の殆んど全て
の回路に使用されているが、低価格でしかも比較的良好
な周波数特性を持つことが必要である。

〔従来の技術〕

第３図は従来例の構成図、第４図は別の従来例の構成図
、第５図は更に別の従来例の構成図を示す。以下、第３
図〜第５図により固定抵抗減衰器の従来例の構成等を説
明する。

第３図（ａ）は平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の
Ａ−Ａ′断面図を示すが、第３図に示す様に接地導体５
の上に固定されたアルミナ基板４の上に形成された抵抗
膜２でストリップ線路ｌが切断され、この抵抗膜の両端
は接地金具３，３°を介して接地される。この様な構成
の固定抵抗減衰器は直流から例えば１０ＧＨｚ程度まで
使用可能であり、測定器等にも用られるが■アルミナ基
板を使用する　■抵抗膜を所定の値に調整しなければな
らないので高価であり接地金具が必要となる。

第４図はπ形の固定抵抗減衰器で第４図（ａｌはアルミ
ナ基板上にｇＪ膜抵抗器６，７．８で形成し、この抵抗
器７．８の一端はλｇ／４オープンスタブ９．１０に接
続される。この様な構成のものは抵抗器７，８の一端が
短絡と見なされる帯域においては減衰量、特性インピー
ダンス等について問題なく使用可能である。尚、１はス
トリップ線路である。

第４図（ｂｌはフローグラス基板又はエポキシ基板（ア
ルミナ基板よりも低価格）等の上に形成されたストリッ
プ線路１１．１２にチップ抵抗器１３．１４゜１５を接
続したもので、第４図（ａ）と同じくπ型の固定抵抗減
衰器である。尚、チップ抵抗器１３．１５の一端がスル
ーホール１６．１６“を介して接地されるが、チップ抵
抗器は低価格で、又半田付は作業で接続が可能なことか
ら数１００ＭＨｚ〜２　ＧＨｚ程度まで使用可能である
。

第５図（ａ）、第５図（ｂ）は第４図（ａ）、第４図（
ｂ）のπ型の固定抵抗減衰器の代りにＴ型で構成したも
ので、１６．１７．１８は薄膜抵抗器、１９はλｇ／４
オープンスタブ、２０〜２２はストリップ線路、２３〜
２５はチップ抵抗器で使用可能な周波数範囲は第４図（
ａｌと同じである。第５図（Ｃ１は第５図（ｂ）のスル
ーホールＢｔ　、　１６　”を介しての接地でなく、λ
ｇ　／４オープンスタブにより高周波的に接地する。し
かし、使用周波数が４　ＧＨｚ以上になると、抵抗器の
寸法により抵抗膜の外に虚成分が現れて減衰量、特性イ
ンピーダンスが所望の値より劣化する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記で説明した様に、周波数特性が良好な固定抵抗減衰
器は高価で、低価格のものは周波数特性が悪く、低価格
で、比較的周波数特性の良好な固定抵抗減衰器を得るこ
とが困難であると云う問題点がある。

〔問題点を解決する為の手段〕

上記の問題点は第１図に示す如く、第１の伝送線路３０
と第２の伝送線路３１及び該第２の伝送線路と第３の伝
送線路３２とを、それぞれ所定の周波数でλｇ／８以下
の寸法を持つ第１の抵抗器３３及び第２の抵抗器３４及
び該第２の伝送線路３１と第３の伝送線路（３２）とを
、それぞれ所定の周波数で純抵抗と見える位置の間隔が
λｇ／４となる様な電気長を有すると共に、該第１及び
第３の伝送線路３０．３２の特性インピーダンスと同じ
特性インピーダンスを持つ本発明の固定抵抗減衰器によ
り解決される。

〔作用〕

本発明は第１の伝送線路３０と第２の伝送線路３１及び
この第２の伝送線路と第３の伝送線路３２とを第１の抵
抗器３３及び第２の抵抗器３４及び前記第２の伝送線路
は抵抗器３３．３４を見たインピーダンスが所要の周波
数で純抵抗と見える位置の間隔がλｇ／４となる様な電
気長を有し、抵抗器３３の抵抗値Ｒ１，第２の伝送線路
のインピーダンスＺ１．抵抗器３４の抵抗値Ｒ２と負荷
インピーダンスｚＬとで電圧分配を行うことにより減衰
特性を得る様にした。

様にした。

即ち１周波数が高くなるにつれて抵抗器の寸法による純
抵抗と見える位相のずれ（電気長のずれ）が大きくなり
周波数特性が劣化するが、抵抗器３３、３４の純抵抗と
見える位置をλｇ／４離れに配置することで解決できる
。但し、抵抗器３３．３４の寸法が合わせてλｇ／４以
上になる周波数では上記の構成は出来ない。

そこで、低価格、簡単な構成で比較的周波数特性の良好
な固定抵抗減衰器が得られる。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例の構成図、第２図（ａｌは第１
図の等価回路、第２図（ｂｌは反射損失及び通過損失の
計算値と実測値を示す。

先ず、第１図に示す本発明の実施例の等価回路を求める
と、第２図（ａｌに示す様になる。

ここで、Ｒ１，ｈは抵抗器３３．３４の抵抗値、Ｚｌは
第２の伝送線路のインピーダンス、に、Ｚｓは負荷。

信号源インピーダンスをそれぞれ示す。

第２図（ａ）に示す回路の特性は公知の様にＦ行列であ
り、 中心周波数では 挿入損失−２０１ｏｇ　’Ａ　ＣＡ＋（Ｂ／ＺＬ）　　
＋Ｃ−Ｚｔ＋Ｄ　〕但し、計算値は抵抗器のみとして計
算しているが、実１５にはチップ抵抗器の寸法による位
相ずれ及びλｇの周波数特性により虚数部が入ってくる
ので、中心周波数から離れるに従って特性も変化する。

例えば、Ｒ，＝Ｒ２＝１０Ω又は２０Ω又は３０Ω、第
２の伝送線路のインピーダンスＺｌ、信号源インピーダ
ンスＺｓ及びｆｔ荷インピーダンスｚＬが共に５０Ωと
して挿入損失１反射損失を計算で求めると第２図（ｂ）
の実線の様な値が得られ、５ＧＩＩｚでλｇ／４になる
間隔にしであるのでこの周波数で反射損失は大きくなっ
て反射される電力は小さくなるが、周波数がこれよりも
ずれると虚数部が生じて反射損失が劣化する。又、挿入
損失は４〜６　ＧＨｚでほぼ一定の値が得られる。

一方、Ｒ，＝Ｒ２＝２０Ω、　ｚ、＝　５０Ωで挿入損
失。

反射損失を実測すると点線の様な値が得られ、約４〜６
　ＧＨｚ程度で挿入損先約３．５ｄＢ　、反射損失約２
０ｄＢ以上が得られ、前記の第５図（Ｃ）の４ＧＩＩｚ
程度よりも高い６　ＧＨｚ程度でも十分に使用可能であ
り、抵抗器とてチップ抵抗器を、誘電体基板としてフロ
ーグラス基板を用いるので低価格である。

〔発明の効果〕

上記で詳細に説明した様に本発明によれば、チップ抵抗
器と例えばフローグラス基板を用いて低価格で比較的周
波数特性の良好な固定抵抗減衰器が得られると云う効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第３図は従来例の構成図、 第４図は別の従来例の構成図、 第５図は更に別の従来例の構成図を示す。 図において、 ３０は第１の伝送線路、 ３１は第２の伝送線路、 ３２は第３の伝送線路、 ３３は第１の抵抗器、 ３４は第２の抵抗器を示す。 栄（ご別の従ネぴ・１の転回 革５囚

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　第１の伝送線路（３０）と第２の伝送線路（３１）及
   び該第２の伝送線路（３１）と第３の伝送線路（３２）
   とを、それぞれ所定の周波数でλｇ／８以下の寸法を持
   つ第１の抵抗器（３３）及び第２の抵抗器（３４）を介
   して接続し、 該第２の伝送線路（３１）は該第１及び第２の抵抗器を
   見たインピーダンスが所定の周波数で純抵抗と見える位
   置の間隔がλｇ／４となる様な電気長を有すると共に、 該第１及び第３の伝送線路（３０、３２）の特性インピ
   ーダンスと同じ特性インピーダンスを持つことを特徴と
   する固定抵抗減衰器。