JP3846558B2 - 無反射終端器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、マイクロ波帯のレーダあるいは通信装置に使用され、広帯域にわたってリターンロス特性の優れた無反射終端器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
マイクロ波、ミリ波帯のレーダ装置あるいは通信装置では一般にアイソレータ、カップラ等のコンポーネントが使用され、これらのコンポーネントには無反射終端器が必要となる。
【0003】
図6は例えば昭和51年度電子通信学会総合全国大会、講演番号597に示された従来の無反射終端器の構成を示すもので、図中、1は誘電体基板、2は入力端子、3は伝送線路、4は第1の抵抗、5は先端開放線路である。
この無反射終端器はこの図に示すように、伝送線路3の一端には第1の抵抗4と先端開放線路5とからなる直列回路が接続されるように配置されており、これらの伝送線路3、第1の抵抗4及び先端開放線路5はマイクロ波集積回路技術により誘電体基板1上に一体形成されている。また、伝送線路3の他端には入力端子2が設けられており、この入力端子2はアイソレータ、カップラ等のコンポーネントに接続される。
【0004】
図7(a)、(b)はそれぞれ従来の無反射終端器の等価回路及び特性例を示すものである。ここで、伝送線路3の特性インピーダンスをZ0,第1の抵抗4の値をR1,先端開放線路5の特性インピーダンスおよび長さをそれぞれZ1,Θ1とすると図6に示す無反射終端器は図7(a)のように表すことができる。
この等価回路において、伝送線路3の一端から第1の抵抗4側をみたインピーダンスZL、反射係数ΓおよびVSWRはそれぞれ次式で与えられる。
【0005】
【数1】
【0006】
【数2】
【0007】
【数3】
【0008】
通常、先端開放線路5の長さは所望の周波数f0で1/4波長すなわちΘ1=90°に選ばれる。このような長さに選ぶことにより、第1の抵抗4の一端が高周波的に短絡され、数1から明らかなようにZL=R1となる。また、第1の抵抗4の値R1は伝送線路3の特性インピーダンスZ0および入力端子2に接続されるコンポーネントのインピーダンスに等しく、通常、50Ωに選ばれる。このような値に選ぶことにより、無反射終端器のVSWRは数2,数3から明らかなように1となる。
【0009】
従って、無反射終端器のVSWR特性は図7(b)に示すように所望の周波数f0で最少となり、f0から離れるに従って、徐々に劣化する特性となる。通常、無反射終端器として問題なく使用できるVSWRは1.2以下であり、帯域は先端開放線路5の特性インピーダンスZ1に依存する。例えば、Z1=50Ωでは比帯域で22%、25Ωでは45%が得られ、Z1が低いほど広帯域化が図れる。
【0010】
次に動作原理について説明する。図6において、アイソレータあるいはカップラ等のコンポーネントから漏洩した不要なマイクロ波は入力端子2から入力され、伝送線路3を介して第1の抵抗4で吸収される。特に周波数f0の不要なマイクロ波は完全に吸収され、それ以外のf0近傍の周波数帯でも大部分が吸収される。従って、入力端子2における不要なマイクロ波の反射波をほとんど無くすことができる。
【0011】
以上のように、伝送線路3の一端に第1の抵抗4と先端開放線路5との直列回路を接続する事により、無反射終端器からの不要なマイクロ波の反射波がほとんど存在しないため、入力端子2に接続されるアイソレータ、カップラ等のコンポーネントの高性能化を図ることができる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
従来の無反射終端器では帯域は先端開放線路の特性インピーダンスZ1に依存する。これは誘電体基板の誘電率、厚さおよび先端開放線路の幅により決まり、実現上、10Ω程度が限界である。この場合、比帯域は100%となる。このように、この種の無反射終端器では比帯域が比較的狭いため、通常、コンポーネントの周波数に応じて無反射終端器を設計する必要があり、設計時間がかかるとともに、品種も増えてしまう問題点があった。また、ある種のレーダ装置においては2〜3オクターブの超広帯域化が要求される場合があり、このような装置には使用できない問題点もあった。
【0013】
この発明は上記のような課題を解消するためになされたもので、周波数に依存せず広帯域にわたってVSWRの良好な無反射終端器を得ることを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】
この発明による無反射終端器は、特性インピーダンスZ0を有する伝送線路の一端に接続された第1の抵抗(抵抗値:R1)と先端開放線路(特性インピーダンス:Z1、長さ:θ1)との直列回路と、
上記直列回路に並列に接続され、第2の抵抗(抵抗値:R2)と先端短絡線路(特性インピーダンス:Z2、長さ:θ2)との直列回路とを有し、
R1=R2=Z0、θ1=θ2、Z1*Z2=Z0*Z0
の条件下で成立するものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は実施の形態1の無反射終端器の構成を示すものであり、図中、6は第2の抵抗、7は先端短絡線路、8は金属ブロックである。
この無反射終端器はこの図に示すように、第1の抵抗4が接続されている伝送線路3の先端に、第2の抵抗6と金属ブロック8により先端短絡された先端短絡線路7との直列回路を接続したものであり、誘電体基板1上にマイクロ波集積回路を用いて一体形成されている。
なお、ここでは先端短絡線路7を実現するのに金属ブロック8を用いた場合について示しているが、メッキを施したスルホール、誘電体基板1の側面メタライズを用いても良い。
【0017】
図2(a)はこの発明の無反射終端器の等価回路を表すものである。この図から明らかなように従来の無反射終端器を構成する第1の抵抗4と先端開放線路5との直列回路に、並列に、第2の抵抗6と先端短絡線路7との直列回路が接続されたものと見なすことができる。
ここで先端短絡線路7の長さは先端開放線路5の長さとほぼ同じく所望の周波数f0で1/4波長に選ばれている。このような長さに選ぶことにより、f0の奇数倍の周波数に対して、図2(a)は図2(b)の等価回路となる。即ち、伝送線路3の先端には第1の抵抗4のみが接続されたものと見なすことができる。また、直流およびf0の偶数倍の周波数に対しては図2(c)の等価回路となり、伝送線路3の先端には第2の抵抗6のみが接続されたものと見なすことができる。
【0018】
図3はこの発明の無反射終端器のVSWR特性の一例である。第2の抵抗6の抵抗値を第1の抵抗4と同様に伝送線路3の特性インピーダンスZ0にほぼ等しく選ぶことにより、この図に示すように広帯域にわたって良好な特性が得られる。
【0019】
次に動作原理について説明する。図1おいて、アイソレータあるいはカップラ等のコンポーネントから漏洩した不要なマイクロ波は入力端子2から入力され、伝送線路3を通って第1の抵抗4と第2の抵抗6に到達する。ここでf0の奇数倍の周波数成分のマイクロ波は第1の抵抗4で、偶数倍の周波数成分のマイクロ波は第2の抵抗6で吸収され、それ以外のマイクロ波は両者で大部分吸収される。従って、広帯域にわたって入力端子2における不要なマイクロ波の反射波を無くすことができる。
【0020】
以上のように、この発明の無反射終端器では従来の無反射終端器を構成する第1の抵抗4と先端開放線路5との直列回路に並列接続されるように、第2の抵抗6と先端短絡線路7との直列回路を設けることにより、数オクターブ以上の広帯域にわたって良好なVSWRを得ることができる。
従って、従来のようにコンポーネントの周波数に応じて無反射終端器の設計をする必要が無く設計時間の短縮が図れるとともに、品種も削減できるため低価格化を図ることができる利点がある。
また、2〜3オクターブの超広帯域が要求されるレーダ装置にも使用可能である。
【0021】
実施の形態2.
実施の形態2の無反射終端器は実施の形態1と基本構成は同じであるが、実施の形態1では先端開放線路5と先端短絡線路7の長さをそれぞれ所望の周波数で1/4波長に選んだ場合について示したが、実施の形態2ではこれらの長さに限定するものではない。
ここで第1の抵抗4の抵抗値をR 1,先端開放線路5の特性インピーダンス、長さをそれぞれZ1,Θ1とし、第2の抵抗6の抵抗値をR2,先端短絡線路7の特性インピーダンス、長さをそれぞれZ2、Θ2とすると、実施の形態2の無反射終端器の等価回路は図4で表せる。この等価回路において、伝送線路3の先端から第1の抵抗4側を見たインピーダンスZLは数4で表すことができる。
【0022】
【数4】
【0023】
この式において、虚数部が零になる条件を求めると、R1=R2=Z0, Θ1=Θ2,
Z1*Z2=Z0*Z0となる。
即ち、第1の抵抗4と第2の抵抗6とがそれぞれ伝送線路3の特性インピーダンスZ0に、また、先端開放線路5の長さと先端短絡線路7との長さが等しく、さらに、先端開放線路5と先端短絡線路7との特性インピーダンスの積が伝送線路3の特性インピーダンスZ0の2乗に等しい。この場合、所望の周波数f0でΘ1=Θ2=90°に選ぶ必要がなく、任意の長さで良い。このような条件では実数部は数5となる。
【0024】
【数5】
【0025】
即ち、伝送線路3の先端から第1の抵抗4側を見たインピーダンスZLは伝送線路3の特性インピーダンスZ0に等しい。従って、図4(b)に示すように周波数に関系なく、VSWR=1の非常に良好な特性が得られ、この無反射終端器を使用することで、よりコンポーネントの高性能化、広帯域化が図れる。
【0026】
図5はこの発明の実施の形態2の無反射終端器の構成を示すものである。先端開放線路5の特性インピーダンスZ1と先端短絡線路7の特性インピーダンスZ2をそれぞれ50Ωにするか、この図のようにZ1とZ2が異なる、即ち、幅が異なっても良い。例えば、Z1=10Ωの場合、Z2=250Ωに選べば良く、その逆であっても同じである。
【0027】
このように、この無反射終端器の第1の抵抗4、第2の抵抗6、先端開放線路5および先端短絡線路7の長さと特性インピーダンスをこのような値に選ぶことにより、周波数に関係なく常にVSWR=1が得られ、この無反射終端器を使用することで、よりコンポーネントの高性能化、広帯域化が図れる。
【0028】
以上に示した無反射終端器では誘電体基板1上にマイクロ波集積回路技術により構成した場合について述べたが、半導体基板上にモノリシック集積回路技術を用いて構成した場合であっても良く、また、第2の抵抗6と先端短絡線路7とを構成する基板が他と異なっても良い。さらに、第1の抵抗4および第2の抵抗6はチップ抵抗を用いた場合であっても良い。
【0029】
【発明の効果】
この発明によれば、第1の抵抗と先端開放線路との直列回路に、第2の抵抗と先端短絡線路との直列回路を並列に接続することにより、広帯域にわたって良好な特性の無反射終端器が得られ、第1の抵抗と第2の抵抗がそれぞれ特性インピーダンス Z0 に、また、先端開放線路の長さと先端短絡線路の長さが等しく、かつ、先端開放線路の特性インピーダンスと先端短絡線路の特性インピーダンスとの積が特性インピーダンス Z0 の2乗に等しいくすることにより、周波数に関系なく、常に、 VSWR= 1の特性が得られる。このため、周波数の異なる多品種の無反射終端器を設計、製作する必要がなく、設計時間の短縮および低価格化が図れるとともに、コンポーネントのより高性能化が図れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明による実施の形態1の無反射終端器の構成を示す図である。
【図2】 この発明による実施の形態1の無反射終端器の等価回路を示す図である。
【図3】 この発明による実施の形態1の無反射終端器のVSWR特性の一例を示す図である。
【図4】 この発明による実施の形態2の無反射終端器の等価回路およびVSWR特性を示す図である。
【図5】 この発明による実施の形態2の無反射終端器の構成を示す図である。
【図6】 従来の無反射終端器の構成を示す図である。
【図7】 従来の無反射終端器の等価回路およびVSWR特性を示す図である。
【符号の説明】
1 誘電体基板
2 入力端子
3 伝送線路
4 第1の抵抗
5 先端開放線路
6 第2の抵抗
7 先端短絡線路
8 金属ブロック
Claims (1)
- 特性インピーダンスZ0を有する伝送線路の一端に接続された第1の抵抗(抵抗値:R1)と先端開放線路(特性インピーダンス:Z1、長さ:θ1)との直列回路と、
上記直列回路に並列に接続され、第2の抵抗(抵抗値:R2)と先端短絡線路(特性インピーダンス:Z2、長さ:θ2)との直列回路とを有し、
R1=R2=Z0、θ1=θ2、Z1*Z2=Z0*Z0
の条件下で成立することを特徴とする無反射終端器。
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