JPH06318804A

JPH06318804A - 無反射終端器

Info

Publication number: JPH06318804A
Application number: JP5108202A
Authority: JP
Inventors: Kiyoharu Kiyono; 清春清野
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1993-05-10
Filing date: 1993-05-10
Publication date: 1994-11-15

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】広帯域にわたってＶＳＷＲの良好な無反射終
端器を得る。【構成】伝送線路２の一端を終端抵抗９により終端す
るとともに、その伝送線路に抵抗１０と先端開放線路１
１との直列回路を装荷する。また、誘電体基板上にマイ
クロストリップ線路を設け、その一端を薄膜抵抗で終端
するとともに、マイクロ波の伝ぱん方向に沿って、マイ
クロストリップ線路に接触する抵抗体を設ける。さらに
また、伝送線路の終端抵抗からほぼｎ／４波長（ｎは整
数）離れた伝送線路上の点に一端が短絡された抵抗を装
荷する。【効果】終端抵抗および接地導体に存在する寄生イン
ダクタ、寄生キャパシタの影響を打ち消すことができ、
広帯域化が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、結合器あるいはアイ
ソレータ等のアイソレーション端子に接続するマイクロ
波帯の無反射終端器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般にマイクロ波帯の増幅器等では結合
器あるいはアイソレータ等が用いられる。これらの結合
器、アイソレータのアイソレーション端子には通常、ア
イソレーション端子へ漏れ込んだ不要なマイクロ波を吸
収するための無反射終端器が接続される。図８（ａ）、
図８（ｂ）はそれぞれ例えばＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣ
ＴＩＯＮＳＯＮＭＩＣＲＯＷＡＶＥＴＨＥＯＲＹ
ＡＮＤＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ，ＡＰＲＩＬ１９７
２，ｐｐ．２９１に示された従来の無反射終端器の構造
図および等価回路図である。これらの図において、１は
誘電体基板、２は伝送線路、３は抵抗、４は接地導体、
５は入力端子、６，７は寄生インダクタ、８は寄生キャ
パシタである。この無反射終端器は図８（ａ）に示すよ
うに、伝送線路２としてマイクロストリップ線路が用い
られており、伝送線路２の一端には入力端子５が、ま
た、他端には窒化タンタル等からなる抵抗３の一端が接
続され、さらに、抵抗３の他端は接地導体４により接地
された回路構成となっており、これらの伝送線路２、抵
抗３および接地導体４はマイクロ波集積回路技術により
誘電体基板１上に一体形成された構造となっている。ま
た、伝送線路２の特性インピーダンスおよび抵抗３の値
はそれぞれ５０Ωに選ばれている。なお、公知資料では
抵抗３としてチップ抵抗を用いた場合について示してい
るが、ここでは薄膜抵抗を用いた場合について示してい
る。また、図中では示していないが、入力端子５は結合
器あるいはアイソレータ等のアイソレーション端子に接
続される。図８（ｂ）は図８（ａ）のマイクロ波帯での
等価回路図である。この図において寄生インダクタ６は
接地導体４に起因するものであり、また、抵抗３には寄
生インダクタ７、寄生キャパシタ８が存在する。これら
の寄生インダクタ６，７および寄生キャパシタ８は接地
導体４の長さおよび抵抗３の大きさに依存し、接地導体
４の長さ、抵抗３の大きさが波長に比べ十分小さい場
合、これらの寄生インダクタ６，７および寄生キャパシ
タ８は無視できる程度に小さな値となる。

【０００３】次に動作について説明する。接地導体４お
よび抵抗３の長さが波長に比べ無視できる低周波帯にお
いては寄生インダクタ６，７および寄生キャパシタ８は
非常に小さな値となる。このため図８（ｂ）の等価回路
において、伝送線路２の一端が抵抗３のみで終端された
回路とみなすことができる。ここで、伝送線路２の特性
インピーダンスおよび抵抗３を結合器あるいはアイソレ
ータ等のアイソレーション端子でのインピーダンスと同
じ値（通常５０Ω）に選んだ場合、入力端子５から入射
した不要なマイクロ波は伝送線路２を通り抵抗３ですべ
て吸収され、ＶＳＷＲの良好な無反射終端器が実現でき
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の無反射終端器は
以上のように構成されているので、低周波帯においては
良好な特性が得られる。しかし、接地導体４の長さおよ
び抵抗３の大きさが波長に比べ無視できなくなる高周波
数帯では寄生インダクタ６，７および寄生キャパシタ８
の影響が現れ、入力端子５から入射した不要なマイクロ
波は抵抗３ですべて吸収されることなく、一部は入力端
子５側へ反射され、無反射終端器のＶＳＷＲが劣化する
問題点があった。また、この種の無反射終端器の耐電力
は抵抗３の大きさによって決まり、耐電力向上を図るに
は抵抗３の大きさを大きくする必要がある。このような
場合、寄生インダクタ７、寄生キャパシタ８が大きくな
り、比較的低周波数帯においても無反射終端器のＶＳＷ
Ｒが劣化してしまう問題点もあった。

【０００５】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたもので、高周波数帯においてもＶＳＷＲの
良好な無反射終端器を得るとともに、所要周波数でＶＳ
ＷＲを劣化させることなく耐電力の大きな無反射終端器
を得ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る無反射終
端器は、伝送線路の一端を終端抵抗で終端するととも
に、終端抵抗に対して並列接続されるように抵抗と先端
開放線路との直列回路を伝送線路と接地間に装荷したも
のである。

【０００７】また、この発明の無反射終端器は、誘電体
基板上にマイクロストリップ線路を設け、マイクロスト
リップ線路の一端を薄膜抵抗で終端するとともに、マイ
クロ波の伝ぱん方向に沿ってマイクロストリップ線路に
接触する抵抗体を設けたものである。

【０００８】さらにこの発明の無反射終端器は、伝送線
路の一端を終端抵抗により終端するとともに、終端抵抗
からほぼｎ／４波長（ｎは整数）離れた伝送線路上の点
に一端が短絡された抵抗を装荷したものである。

【０００９】さらにまた、この発明の無反射終端器は、
一端が終端抵抗により終端された伝送線路に、一端短絡
の抵抗を接続するとともに抵抗および終端抵抗にそれぞ
れ並列に容量性素子を接続したものである。

【００１０】

【作用】この発明における無反射終端器は抵抗と先端開
放線路の直列回路を伝送線路に接続することにより、終
端抵抗の大きさが無視できなくなる高周波数帯で接地導
体および終端抵抗に起因する寄生インダクタ、寄生キャ
パシタの影響を打ち消すことができ、広帯域にわたって
ＶＳＷＲの良好な無反射終端器を実現することができ
る。

【００１１】また、この発明における無反射終端器は、
マイクロストリップ線路の一端を薄膜抵抗により終端す
るとともにマイクロストリップ線路に接触するような抵
抗体をマイクロ波の伝ぱん方向に沿って設けたものであ
り、単位長当たりのマイクロストリップ線路の損失を増
加させることにより、高周波数帯になるほど不要なマイ
クロ波を吸収させることができ、広帯域にわたってＶＳ
ＷＲの改善が図れる。

【００１２】さらに、この発明における無反射終端器
は、伝送線路の一端を終端抵抗により終端するととも
に、終端抵抗からｎ／４波長（ｎは整数）離れた伝送線
路上の点に一端短絡の抵抗を１個あるいは複数個接続す
ることにより、波長に比べ十分小さな大きさの複数個の
抵抗および終端抵抗で無反射終端器を構成することがで
き、ＶＳＷＲを劣化させることなく、無反射終端器の耐
電力向上を図ることができる。

【００１３】さらに、また、この発明における無反射終
端器は、一端が終端抵抗により終端された伝送線路に、
一端短絡の抵抗を接続し、かつ、抵抗および終端抵抗に
それぞれ並列に容量性素子を接続することにより、波長
に比べ十分小さな大きさの複数個の抵抗と終端抵抗とで
無反射終端器を構成することができ、しかも抵抗と終端
抵抗との間隔あるいは抵抗と抵抗との間隔を１／４波長
以下にできるため、ＶＳＷＲを劣化させることなく小形
な構成で耐電力向上が図れる。

【００１４】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１（ａ），（ｂ）はそれぞれこの発明の一つで
ある無反射終端器の構造図、等価回路図である。図１
（ａ）において９は終端抵抗、１０は抵抗、１１は先端
開放線路である。この無反射終端器はマイクロストリッ
プ線路からなる伝送線路２の一端を終端抵抗９、接地導
体４を介して接地するとともに、一端に先端開放線路１
１を接続した抵抗１０を伝送線路２に接続した回路構成
となっており、これらの伝送線路２、終端抵抗９、接地
導体４、抵抗１０および先端開放線路１１はマイクロ波
集積回路技術を用いて誘電体基板１上に一体形成された
構造のものである。なお、抵抗１０に存在する寄生イン
ダクタ、寄生キャパシタの影響が無視できるように、抵
抗１０の大きさは波長に比べ十分小さく選ばれている。

【００１５】図１（ｂ）は図１（ａ）のマイクロ波帯で
の等価回路である。この等価回路は図８（ｂ）に示した
従来の無反射終端器の伝送線路２に抵抗１０と先端開放
線路１１との直列回路を接続したものに等しい。なお、
抵抗１０を接続する伝送線路２の位置はこれらの接続点
即ちＡ点から終端抵抗９側をみたインピーダンスが低周
波帯では抵抗とインダクタの直列回路、高周波帯では抵
抗とキャパシタとの直列回路と見なせる位置に選ぶ。ま
た、先端開放線路１１の長さは抵抗１０と伝送線路２と
の接続点から終端抵抗９側をみたインピーダンスが抵抗
となる周波数、即ち、低周波と高周波との間の周波数で
１／４波長に選ぶ。これにより、先端開放線路１１は低
周波帯でキャパシタ、中間の周波数帯ではリアクタンス
が零、また、高周波帯ではインダクタとなる。このよう
に抵抗１０の接続位置、先端開放線路１１の長さを選ぶ
ことにより、図１（ｂ）は低周波帯、低周波と高周波と
の間の周波数帯および高周波帯でそれぞれ図２（ａ），
（ｂ），（ｃ）に示す簡易な等価回路で表すことができ
る。即ち、低周波帯ではＡ点から終端抵抗９側を見たイ
ンピーダンスは等価的な抵抗１２とインダクタ１３との
直列回路と表すことができ、また、Ａ点から抵抗１０側
を見たインピーダンスは抵抗１０とキャパシタ１４との
直列回路となる。また、中間の周波数帯ではＡ点から終
端抵抗９側を見たインピーダンスは等価的な抵抗１２と
なり、また，Ａ点から抵抗１０側を見たインピーダンス
は抵抗１０のみとなる。同様に高周波帯では図２（ｃ）
の等価回路で表すことができる。これらの等価回路にお
いて、接地導体４および無反射終端器９に寄生するイン
ダクタ６，７および寄生キャパシタ８の影響をなくすに
は伝送線路２の右端即ちＢ点から右側を見たインピーダ
ンスが周波数に関係なく抵抗となる条件を求めればよ
い。ここでは一例として、図２（ａ）に示す等価回路に
ついて、伝送線路２のＢ点より右側を見たインピーダン
スが抵抗となる抵抗１０およびキャパシタ１４の値を求
める。この図において、等価的な抵抗１２の値をＲ、イ
ンダクタ１３の値をＬとすればＢ点から右側を見たイン
ピーダンスが抵抗となる抵抗１０の値ｒおよびキャパシ
タ１４の値Ｃはそれぞれ次式で与えられる。ｒ＝ＲＣ＝Ｌ／Ｒ²

【００１６】このような値に選ぶことにより、Ｂ点から
右側を見たインピーダンスＺ_B は次式となる。Ｚ_B ＝Ｒ

【００１７】即ち、抵抗１０を等価的な抵抗１２と等し
く、また、先端開放線路１１のキャパシタ１４を数２の
ように選ぶことにより、Ｂ点より右側を見たインピーダ
ンスＺ_B は抵抗１２に等しくなる。また、図２（ｃ）に
示す高周波帯においても図２（ａ）と同様にＢ点から右
側を見たインピーダンスＺ_B が抵抗１２となる抵抗１０
および先端開放線路１１のインダクタ１６を求めること
ができる。このように低周波帯から高周波帯にわたっ
て、Ｂ点から右側を見たインピーダンスＺ_B を抵抗のみ
に保つことができる。従って、接地導体４および終端抵
抗９に存在する寄生インダクタ６，７および寄生キャパ
シタ８の影響が無視できなくなる周波数帯においても抵
抗１０と先端開放線路１１との直列回路を伝送線路２に
接続することにより、広帯域にわたって寄生インダクタ
６，７および寄生キャパシタ８の影響を打ち消すことが
できる。

【００１８】以上のように一端が終端抵抗９と接地導体
４とを介して接地された伝送線路２に抵抗１０と先端開
放線路１１との直列回路を接続することにより、終端抵
抗９、接地導体４に存在する寄生インダクタ６，７およ
び寄生キャパシタ８を打ち消すことができ、低周波帯か
ら高周波帯にわたって抵抗１０と伝送線路２との接続点
から終端抵抗９側を見たインピーダンスを等価的な抵抗
１２に保つことができる。この抵抗１２の値を例えば５
０Ωとなるように抵抗１０、先端開放線路１１、終端抵
抗９および抵抗１０と先端開放線路１１との直列回路の
装荷位置を選ぶことにより、広帯域にわたってＶＳＷＲ
特性の良好な無反射終端器が実現できる。

【００１９】実施例２．図３（ａ），（ｂ）はこの発明
の他の実施例を示す無反射終端器の構造図および等価回
路図である。この無反射終端器は図３（ａ）に示すよう
にマイクロストリップ線路１７の一端を薄膜状の終端抵
抗９、接地導体４を介して接地するとともに、マイクロ
波の伝ぱん方向に沿ってマイクロストリップ線路１７に
接触するような抵抗体１８を設けたものである。抵抗体
１８は終端抵抗９と同様にチッ化タンタル等の材料で構
成されており、これらのマイクロストリップ線路１７、
終端抵抗９、接地導体４および抵抗体１８はマイクロ波
集積回路技術を用いて誘電体基板１上に一体形成されて
いる。このように、この発明の無反射終端器は、図８
（ａ）に示した従来の無反射終端器の伝送線路２に接触
する抵抗体１８をマイクロ波の伝ぱん方向に沿って設け
た構成のものである。

【００２０】図３（ｂ）は図３（ａ）の等価回路であ
り、マイクロストリップ線路１７は一般に図中、破線で
囲むように集中定数回路で表すことができる。マイクロ
ストリップ線路１７の両側に抵抗体１８を設けることに
より、この図の破線で囲んだ抵抗成分が増大することに
なる。この抵抗成分増大に伴い、マイクロストリップ線
路１７の損失が増加し、入力端子５から入射したマイク
ロ波は終端抵抗９に到達するまでに大きく減衰する。こ
の減衰量は周波数が高くなるほど増加するようになる。
従って、入力端子５から入射したマイクロ波はマイクロ
ストリップ線路１７で減衰され、残りが終端抵抗９に到
達する。終端抵抗９、接地導体４に寄生するインダクタ
６，７およびキャパシタ８の影響が無視できなくなる高
周波帯では終端抵抗９に到達したマイクロ波はそこであ
る程度吸収されるが、残りは入力端子５側へ反射される
ようになる。さらに反射されたマイクロ波は再びマイク
ロストリップ線路１７で吸収され、入力端子５に到達す
るが、その値は非常に小さなものとなる。

【００２１】以上のように、マイクロストリップ線路１
７に接触するような抵抗体１８をマイクロ波の伝ぱん方
向に沿って設けることにより、マイクロストリップ線路
１７を伝搬するマイクロ波を大きく減衰させることがで
き、その減衰量は周波数が高くなるほど増大する。即
ち、終端抵抗９、接地導体４に存在する寄生インダクタ
６，７および寄生キャパシタ８の影響を受けやすい高周
波帯では終端抵抗９で吸収されるマイクロ波の減衰量は
小さくなるが、マイクロストリップ線路１７での減衰量
が増加するようになる。これに対して、終端抵抗９、接
地導体４に存在する寄生インダクタ６，７および寄生キ
ャパシタの影響が無視できる低周波帯ではマイクロスト
リップ線路１７でのマイクロ波の減衰量は減少するが、
大部分を終端抵抗９で吸収させることができる。このよ
うに、低周波帯から高周波帯にわたって、この発明の無
反射終端器では大部分のマイクロ波を吸収させることが
できるためＶＳＷＲの良好な無反射終端器が実現でき
る。

【００２２】なお、ここでは抵抗体１８をマイクロ波の
伝ぱん方向に沿ってマイクロストリップ線路内１７の両
側に設けた場合について述べたが、この発明の無反射終
端器では抵抗体１８をマイクロストリップ線路１７の片
側に設けた場合であってもよい。また、この手法はトリ
プレート構造の無反射終端器にも適用可能である。

【００２３】以上の実施例１，２では高周波帯でのＶＳ
ＷＲ改善を図り、広帯域にわたって良好なＶＳＷＲ特性
を得ることができる無反射終端器について述べた。次の
実施例では所要周波数帯でＶＳＷＲ特性を劣化させるこ
となく、耐電力向上を図ることができる無反射終端器に
ついて述べる。

【００２４】実施例３．図４（ａ），（ｂ）はそれぞれ
この発明のもう１つの実施例を示す無反射終端器の構造
図、等価回路図である。この無反射終端器は図４（ａ）
に示すように伝送線路１９の一端を終端抵抗９と接地導
体４を介して接地するとともに、終端抵抗９から所要周
波数で１／４波長離れた伝送線路１９上の点に一端が接
地導体４により短絡された抵抗２０を装荷した構造のも
のであり、伝送線路２，１９、終端抵抗９、抵抗２０お
よび接地導体４はマイクロ波集積回路技術を用いて、誘
電体基板１上に一体形成されている。また、接地導体４
の長さは所要周波数で接地導体４に存在する寄生インダ
クタ６が無視できるように波長に比べ十分小さな値に選
ばれている。

【００２５】図４（ｂ）は図４（ａ）の等価回路であ
り、抵抗２０は伝送線路１９を介して終端抵抗９に並列
接続されたものとして表させる。この等価回路におい
て、Ｃ点から終端抵抗９側を見たインピーダンスは終端
抵抗９、抵抗２０および伝送線路１９の特性インピーダ
ンスによって決まる。例えば、終端抵抗９を５０Ω、抵
抗１８を１００Ω、伝送線路１９の特性インピーダンス
を７０．７ΩとすればＣ点から終端抵抗９側を見たイン
ピーダンスＺ_C は５０Ωとなる。このように、Ｚ_C を任
意に選ぶことができるため、入力端子５におけるインピ
ーダンスも任意に選ぶことができる。この入力端子５に
おけるインピーダンスを入力端子５に接続するアイソレ
ータ等のインピーダンスと等しくすればＶＳＷＲの良好
な無反射終端器が実現できる。このような構成の無反射
終端器では入力端子５から入射した不要なマイクロ波を
終端抵抗９と抵抗１８とで分散して吸収させることがで
きるため、各々の終端抵抗９、抵抗２０の面積が小さく
とも終端抵抗９と抵抗２０との総面積を大きくすること
ができ、耐電力向上を図ることができる。

【００２６】以上のように伝送線路１９の一端を終端抵
抗９で終端するとともに、終端抵抗９から所要周波数で
１／４波長離れた伝送線路１９上の点に一端短絡の抵抗
２０を装荷することにより、寄生インダクタおよび寄生
キャパシタの影響が問題とならない小さな面積の終端抵
抗９、抵抗２０で構成でき、また、これらの終端抵抗９
および抵抗２０を適当な値に選ぶことにより、所要周波
数で良好なＶＳＷＲ特性を得ることができる。しかも、
マイクロ波を終端抵抗９と抵抗２０とで分散して吸収さ
せることができ、等価的にマイクロ波を吸収する抵抗の
総面積を大きくできるため、耐電力向上を図ることが可
能となる。なお、終端抵抗９と抵抗２０との間隔を１／
４波長に選んだ場合について述べたが、１／２波長に選
んだ場合であってもよい。

【００２７】実施例４．図５（ａ），（ｂ）は所要周波
数で低ＶＳＷＲを保つとともに耐電力向上を図ることの
できる無反射終端器の他の実施例を示す構造図である。
図５（ａ）は伝送線路１９の一端を終端抵抗９と接地導
体４で終端するとともに終端抵抗９から所要周波数でそ
れぞれ１／４波長づつ離れた伝送線路１９上の点に接地
導体４で短絡された２個の抵抗２０を装荷したものであ
る。これにより、マイクロ波を吸収する抵抗の総面積を
さらに大きくでき、より大きな耐電力向上が図れる。ま
た、図中では終端抵抗９から１／４波長づつ離れた伝送
線路１９の上の点に２個の抵抗２０を装荷した場合につ
いて示したが、抵抗２０をそれ以上装荷した場合であっ
てもよい。さらに入力端子５で所望のインピーダンスを
得るために、終端抵抗９と抵抗２０間の伝送線路１９、
２個の抵抗２０間の伝送線路１９の特性インピーダンス
をそれぞれ異なる値に選んでもよく、２個の抵抗２０の
値をそれぞれ異なる値にしてもよい。図５（ｂ）は終端
抵抗９および抵抗２０の一端を接地導体４の代わりに先
端開放１／４波長線路２１を用いて接地した場合であ
る。接地導体４の長さは製作上、制約があるため非常に
高い周波数では接地導体４の寄生インダクタ６の影響が
現れ、無反射終端器のＶＳＷＲ特性が劣化してしまう。
これを避けるため、終端抵抗９および抵抗２０の一端を
先端開放１／４波長線路２１を用いることにより、確実
に短絡することができ、非常に高い周波数で低ＶＳＷＲ
特性を得ることができる。また、終端抵抗９あるいは抵
抗２０の一端をマイクロ波的に接地するため、誘電体基
板１上のどの位置にも容易に無反射終端器が構成でき、
設計の自由度が増える利点もある。

【００２８】実施例５．図６（ａ），（ｂ）はそれぞれ
この発明のさらにもう１つの実施例を示す無反射終端器
の構造図、等価回路図である。この無反射終端器は図６
（ａ）に示すように伝送線路１９の一端を終端抵抗９と
接地導体４を介して接地するとともに、一端が接地導体
４により短絡された抵抗２０を伝送線路１９に装荷し、
さらに終端抵抗９および抵抗２０にそれぞれ並列に容量
性素子２２を装荷したものである。ここでは容量性素子
２２として、所要周波数で１／４波長より短い先端開放
線路を用い、容量性素子２２、伝送線路２，１９、終端
抵抗９、抵抗２０および接地導体４が誘電体基板１上に
一体形成されている。また、終端抵抗９、抵抗２０の大
きさおよび接地導体４の長さは所要周波数で波長に比べ
十分小さな値に選ばれている。

【００２９】図６（ｂ）は図６（ａ）の等価回路図であ
る。容量性素子２２は終端抵抗９と抵抗２０とにそれぞ
れ並列に装荷されるため、図中、破線で囲むように伝送
線路１９の両端に容量性素子２２が装荷されたものと見
なすことができる。一般に１／４波長の伝送線路は１／
４波長より短い伝送線路（例えば１／８波長の伝送線
路）の両端に容量を装荷したものと中心周波数ではほぼ
等価であることが知られている。このため、この図に示
すように伝送線路１９の両端に容量性素子２２を装荷す
ることにより、終端抵抗９と抵抗２０との間隔を所要周
波数で１／４波長以下にしても、電気的には１／４波長
の間隔に選んだ場合とほぼ等しい。従って、図６と図４
とは電気的にほぼ等価である。

【００３０】以上のようにこの発明の無反射終端器で
は、終端抵抗９と抵抗２０にそれぞれ並列に容量性素子
２２を装荷することにより、終端抵抗９と抵抗２０間の
伝送線路１９長を所要周波数で１／４波長以下に選ぶこ
とができ、電気的には容量性素子２２を用いず終端抵抗
９と抵抗２０間の伝送線路１９の長さを１／４波長に選
んだ場合とほぼ等価にすることができる。従って、実施
例４で示したように所要周波数で低ＶＳＷＲ特性を得る
とともに耐電力向上が図れ、しかも実施例４よりは著し
く小形化が図れる利点がある。

【００３１】実施例６．図７（ａ），（ｂ）は小形な構
成で低ＶＳＷＲ特性が得られ、しかも耐電力向上が図れ
る無反射終端器の他の実施例を示す構造図である。図７
（ａ）は伝送線路１９の一端を終端抵抗９を介して終端
するとともに終端抵抗９から所要周波数で１／４波長以
下の間隔で２個の抵抗２０を伝送線路１９に装荷し、さ
らに終端抵抗９および各抵抗２０にそれぞれ容量性素子
２２を並列に装荷したものである。このように伝送線路
１９に装荷する抵抗２０を増加させることにより、より
耐電力向上が図れる。

【００３２】図６（ａ）、図７（ａ）では、容量性素子
２２として先端開放線路を用いた場合について示した
が、図７（ｂ）のように一端が接地導体４により接地さ
れたチップ状のキャパシタを用いた場合であってもよ
い。なお、実施例１〜６では終端抵抗９および抵抗２０
を接地するために接地導体４、先端開放１／４波長線路
２１を用いた場合について述べたが、この発明の無反射
終端器はバイアホールを用いた場合であってもよい。

【００３３】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば一端が
終端抵抗と接地導体を介して終端された伝送線路に、抵
抗と先端開放線路との直列回路を装荷することにより、
高周波体で問題となる終端抵抗および接地導体の寄生イ
ンダクタ、寄生キャパシタの影響を打ち消すことがで
き、広帯域にわたって良好なＶＳＷＲ特性を得ることが
できる。

【００３４】また、この発明の無反射終端器は誘電体基
板上に設けたマイクロストリップ線路の一端を薄膜状の
終端抵抗で終端するとともに、マイクロ波の伝ぱん方向
に沿って、マイクロストリップ線路に接触するように抵
抗体を設けたものであり、終端抵抗の寄生インダクタ、
寄生キャパシタの影響が大きく現れる高周波体で周波数
が高くなるほどマイクロストリップ線路の減衰量を大き
くすることができ、非常に広帯域にわたって良好なＶＳ
ＷＲ特性を得ることができる。

【００３５】さらに、この発明の無反射終端器は伝送線
路の一端を終端抵抗で終端するとともに、終端抵抗から
所要周波数でｎ／４波長（ｎは整数）離れた伝送線路上
の点に一端が短絡された抵抗を装荷したものであり、終
端抵抗と抵抗とでそれぞれ分散してマイクロ波を吸収す
ることができ、耐電力向上を図ることができる。

【００３６】さらにまた、この発明の無反射終端器は伝
送線路の一端を終端抵抗で終端するとともに、一端が短
絡された抵抗を伝送線路に接続し、さらに終端抵抗およ
び抵抗にそれぞれ容量性素子を並列に装荷したものであ
り、終端抵抗と抵抗とでそれぞれ分散してマイクロ波を
吸収することができ、また、抵抗と終端抵抗の間隔を所
要周波数で１／４波長以下にできるため、小形な構成で
耐電力向上を図ることができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】広帯域化が図れるこの発明の一実施例による無
反射終端器の構造および等価回路図である。

【図２】図１に示すこの発明の無反射終端器の簡易な等
価回路図である。

【図３】広帯域化が図れるこの発明の他の実施例を示す
無反射終端器の構造および等価回路図である。

【図４】耐電力向上が図れるこの発明の一実施例を示す
無反射終端器の構造および等価回路図である。

【図５】耐電力向上が図れるこの発明の他の実施例を示
す無反射終端器の構造および等価回路図である。

【図６】小形な構成で耐電力向上が図れるこの発明の一
実施例を示す無反射終端器の構造および等価回路図であ
る。

【図７】小形な構成で耐電力向上が図れるこの発明の他
の実施例を示す無反射終端器の構造および等価回路図で
ある。

【図８】従来の無反射終端器の構造および等価回路図で
ある。

【符号の説明】

１誘電体基板２伝送線路４接地導体５入力端子６寄生インダクタ７寄生インダクタ８寄生キャパシタ９終端抵抗１０抵抗１１先端開放線路１２抵抗１３インダクタ１４キャパシタ１５キャパシタ１６インダクタ１７マイクロストリップ線路１８抵抗体１９伝送線路２０抵抗２１先端開放１／４波長線路２２容量性素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】伝送線路の一端を終端抵抗を介して接地
するとともに、上記伝送線路と接地間に抵抗と先端開放
線路との直列回路を装荷したことを特徴とする無反射終
端器。
【請求項２】誘電体基板上にマイクロストリップ線路
を設け、上記マイクロストリップ線路の一端を薄膜状の
終端抵抗を介して終端するとともに、マイクロ波の伝ぱ
ん方向に沿って、上記マイクロストリップ線路に接触す
るような抵抗体を設けたことを特徴とする無反射終端
器。
【請求項３】伝送線路の一端を終端抵抗により終端す
るとともに、上記終端抵抗からほぼｎ／４波長（ｎは整
数）離れた上記、伝送線路の点に一端が短絡された抵抗
を装荷していることを特徴とする無反射終端器。
【請求項４】一端が終端抵抗により終端された伝送線
路に、少なくとも１個の一端短絡の抵抗を接続するとと
もに、上記終端抵抗および抵抗に並列にそれぞれ容量性
素子を装荷していることを特徴とする無反射終端器。