JPH05129805A - 膜抵抗終端器 - Google Patents
膜抵抗終端器Info
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- JPH05129805A JPH05129805A JP29342791A JP29342791A JPH05129805A JP H05129805 A JPH05129805 A JP H05129805A JP 29342791 A JP29342791 A JP 29342791A JP 29342791 A JP29342791 A JP 29342791A JP H05129805 A JPH05129805 A JP H05129805A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】本発明は高周波帯において信号入力側から見た
膜抵抗手段側の入力インピーダンスの抵抗成分を所定の
抵抗値にし、かつリアクタンス成分をほぼ０又は０にす
ることによって大きなリターンロスが得られるように
し、これによって反射波を抑えることができる膜抵抗終
端器を提供することを目的とする。 【構成】第１誘電体基板２ａ上に形成され、入力信号を
伝搬するマイクロストリップ線路３と、第１誘電体基板
２ａに接合した第２誘電体基板２ｂ上に形成され、一端
が該マイクロストリップ線路３の端に接続され、他端が
接地された入力信号を終端するための膜抵抗手段５とを
有して成る膜抵抗終端器において、第２誘電体基板の高
さｈ２を、マイクロストリップ線路３側から見た膜抵抗
手段５側の入力インピーダンスの抵抗成分が所定の抵抗
値となり、且つリアクタンス成分がほぼ零又は零となる
ようにして構成する。
膜抵抗手段側の入力インピーダンスの抵抗成分を所定の
抵抗値にし、かつリアクタンス成分をほぼ０又は０にす
ることによって大きなリターンロスが得られるように
し、これによって反射波を抑えることができる膜抵抗終
端器を提供することを目的とする。 【構成】第１誘電体基板２ａ上に形成され、入力信号を
伝搬するマイクロストリップ線路３と、第１誘電体基板
２ａに接合した第２誘電体基板２ｂ上に形成され、一端
が該マイクロストリップ線路３の端に接続され、他端が
接地された入力信号を終端するための膜抵抗手段５とを
有して成る膜抵抗終端器において、第２誘電体基板の高
さｈ２を、マイクロストリップ線路３側から見た膜抵抗
手段５側の入力インピーダンスの抵抗成分が所定の抵抗
値となり、且つリアクタンス成分がほぼ零又は零となる
ようにして構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波、ミリ波帯等
の高周波信号を取り扱う無線装置に用いられる膜抵抗終
端器に関する。
の高周波信号を取り扱う無線装置に用いられる膜抵抗終
端器に関する。
【０００２】マイクロ波・ミリ波帯無線装置で用いられ
る電力分配器、電力合成器及びミキサ等では９０度ハイ
ブリッド回路を用いる場合が多く、その回路の終端回路
として膜抵抗終端器が多く用いられている。
る電力分配器、電力合成器及びミキサ等では９０度ハイ
ブリッド回路を用いる場合が多く、その回路の終端回路
として膜抵抗終端器が多く用いられている。
【０００３】ハイブリッド構成の回路を良好に作動させ
るためには、終端回路からの反射波を抑える必要があ
る。このため膜抵抗終端器には、高周波領域まで大きな
リターンロス（リターンロスとは、終端器で波が反射す
る際のロスのことであり、波のリターンするロスが大き
い程、波が帰ってこない。つまり反射波が少ない。）の
ものが要求されている。
るためには、終端回路からの反射波を抑える必要があ
る。このため膜抵抗終端器には、高周波領域まで大きな
リターンロス（リターンロスとは、終端器で波が反射す
る際のロスのことであり、波のリターンするロスが大き
い程、波が帰ってこない。つまり反射波が少ない。）の
ものが要求されている。
【０００４】
【従来の技術】図７に従来の膜抵抗終端器の概略斜視図
を示し、その説明を行う。この図において、１は金材料
による接地導体であり、その上面には１段の段差が形成
されている。接地導体１上には、セラミック材料による
誘電体基板２が形成されており、その一端は接地導体１
の段差部分に当接されている。
を示し、その説明を行う。この図において、１は金材料
による接地導体であり、その上面には１段の段差が形成
されている。接地導体１上には、セラミック材料による
誘電体基板２が形成されており、その一端は接地導体１
の段差部分に当接されている。
【０００５】誘電体基板２上には、マイクロストリップ
線路による信号入力側導体膜３と、導体膜４とが隔たっ
て形成されており、信号入力側導体膜３と導体膜４との
間には、窒化タンタル等の材料による膜抵抗器５が形成
されている。
線路による信号入力側導体膜３と、導体膜４とが隔たっ
て形成されており、信号入力側導体膜３と導体膜４との
間には、窒化タンタル等の材料による膜抵抗器５が形成
されている。
【０００６】導体膜４と接地導体１が当接する上面部分
には、金材料による接続リボン６が形成されており、導
体膜４と接地導体１とを接続している。但し、膜抵抗器
５は、信号入力側導体膜３の幅とほぼ同じ幅であり、信
号入力側導体膜３の特性インピーダンス（例えば５０
Ω）に直流抵抗値が一致したものである。
には、金材料による接続リボン６が形成されており、導
体膜４と接地導体１とを接続している。但し、膜抵抗器
５は、信号入力側導体膜３の幅とほぼ同じ幅であり、信
号入力側導体膜３の特性インピーダンス（例えば５０
Ω）に直流抵抗値が一致したものである。
【０００７】このような膜抵抗終端器におけるリターン
ロス、即ち入力信号に対してどの程度の反射波が現れる
かの割合を図８に破線１０で示す。このグラフは図７に
示す膜抵抗終端器において、各主要部の寸法を入力し、
入力信号の周波数を変化させてシミュレーションにより
リターンロスを計算した結果である。
ロス、即ち入力信号に対してどの程度の反射波が現れる
かの割合を図８に破線１０で示す。このグラフは図７に
示す膜抵抗終端器において、各主要部の寸法を入力し、
入力信号の周波数を変化させてシミュレーションにより
リターンロスを計算した結果である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した膜
抵抗終端器においては、図８に破線１０で示すグラフか
ら分かるように、低周波帯では比較的大きいリターンロ
スを得ることができるので反射波を抑えることができる
が、高周波帯になるにつれてリターンロスが減少し、反
射波を抑えることができないと言った問題があった。
抵抗終端器においては、図８に破線１０で示すグラフか
ら分かるように、低周波帯では比較的大きいリターンロ
スを得ることができるので反射波を抑えることができる
が、高周波帯になるにつれてリターンロスが減少し、反
射波を抑えることができないと言った問題があった。
【０００９】この高周波帯になるにつれてリターンロス
が減少する原因を述べる。その原因としては周波数の影
響を受けやすい膜抵抗器５が考えられる。そこで、膜抵
抗器５の特性を調べるため、以下に図９の負荷短絡の損
失のある伝送路の入力インピーダンスの求め方を示す。
が減少する原因を述べる。その原因としては周波数の影
響を受けやすい膜抵抗器５が考えられる。そこで、膜抵
抗器５の特性を調べるため、以下に図９の負荷短絡の損
失のある伝送路の入力インピーダンスの求め方を示す。
【００１０】 α；減衰定数 β；位相定数 ＺR ；特性インピーダンス〔Ω〕 としたときに、その伝送路の入力インピーダンスＺinは
次式で表される。
次式で表される。
【００１１】 ここで、Ｋ＝ｅｘｐ（２αｌ） また、特性インピーダンスＺR は次式で表される。
【００１２】 ＺR ＝〔（Ｒ0 ＋ｊωＬ0 ）／（Ｇ0 ＋ｊωＣ0 ）〕1/2 但し、Ｒ0 ；単位長当たりの抵抗 Ｇ0 ；単位長当たりのコンダクタンス Ｌ0 ；単位長当たりのインダクタンス Ｃ0 ；単位長当たりのキャパシタンス ここで、Ｇ0 ≫ωＣ0 とすれば、 ＺR ＝Ｚ0 （１−ｊ・Ｒ0 ／ωＬ0 ）1/2 但し、Ｚ0 ＝（Ｌ0 ／Ｃ0 ）1/2 で無損失伝送路の特性インピーダンスである。
【００１３】ＺR ＝ＲR −ｊＸR とすると、入力インピ
ーダンスＺinは以下のようになる。 Ｚin＝（Ｒ＋ｊＸ）／（Ｋ2 ＋１＋２Ｋｃｏｓ２βｌ） 式 但し、Ｒ＝ＲR （Ｋ2 −１）＋２ＫＸR ｓｉｎ２βｌ Ｘ＝２ＫＲR ｓｉｎ２βｌ−ＸR （Ｋ2 −１） とする。
ーダンスＺinは以下のようになる。 Ｚin＝（Ｒ＋ｊＸ）／（Ｋ2 ＋１＋２Ｋｃｏｓ２βｌ） 式 但し、Ｒ＝ＲR （Ｋ2 −１）＋２ＫＸR ｓｉｎ２βｌ Ｘ＝２ＫＲR ｓｉｎ２βｌ−ＸR （Ｋ2 −１） とする。
【００１４】以上の如く入力インピーダンスは求められ
る。つまり、上記方法により膜抵抗器５の入力インピー
ダンスを求めると、同じ条件のもとでは周波数が１〜２
０ＧＨｚと高くなるにつれて式の虚数項が大きくな
る。つまり膜抵抗器５を見込んだ入力インピーダンスの
誘導性リアクタンスが大きくなる。更に同様の原因によ
りマイクロストリップ線路、即ち導体膜４の持つ誘導性
リアクタンス成分も大きくなる。
る。つまり、上記方法により膜抵抗器５の入力インピー
ダンスを求めると、同じ条件のもとでは周波数が１〜２
０ＧＨｚと高くなるにつれて式の虚数項が大きくな
る。つまり膜抵抗器５を見込んだ入力インピーダンスの
誘導性リアクタンスが大きくなる。更に同様の原因によ
りマイクロストリップ線路、即ち導体膜４の持つ誘導性
リアクタンス成分も大きくなる。
【００１５】誘導性リアクタンスが大きくなると、信号
入力側導体膜３から膜抵抗器５側を見たインピーダンス
特性が劣化することになる。以上のように、従来の膜抵
抗終端器では、周波数が高くなるにつれて誘導性リアク
タンス成分が大きくなり、これによってリターンロスが
減少していた。
入力側導体膜３から膜抵抗器５側を見たインピーダンス
特性が劣化することになる。以上のように、従来の膜抵
抗終端器では、周波数が高くなるにつれて誘導性リアク
タンス成分が大きくなり、これによってリターンロスが
減少していた。
【００１６】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、高周波帯において信号入力側から見た膜抵
抗手段側の入力インピーダンスの抵抗成分を所定の抵抗
値にし、かつリアクタンス成分をほぼ０又は０にするこ
とによって大きなリターンロスが得られるようにし、こ
れによって反射波を抑えることができる膜抵抗終端器を
提供することを目的としている。
ものであり、高周波帯において信号入力側から見た膜抵
抗手段側の入力インピーダンスの抵抗成分を所定の抵抗
値にし、かつリアクタンス成分をほぼ０又は０にするこ
とによって大きなリターンロスが得られるようにし、こ
れによって反射波を抑えることができる膜抵抗終端器を
提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】図１に本発明の膜抵抗終
端器の原理図を示す。この膜抵抗終端器は、前述で説明
した式の虚数項を０、即ち入力インピーダンスのリア
クタンス成分をほぼ０又は０にし、このときの実数項を
所定の抵抗値とした場合に、高周波帯でも大きなリター
ンロスが得れることに着目して構成したものである。
端器の原理図を示す。この膜抵抗終端器は、前述で説明
した式の虚数項を０、即ち入力インピーダンスのリア
クタンス成分をほぼ０又は０にし、このときの実数項を
所定の抵抗値とした場合に、高周波帯でも大きなリター
ンロスが得れることに着目して構成したものである。
【００１８】即ち、この膜抵抗終端器は、第１誘電体基
板２ａ上に形成され、入力信号を伝搬するマイクロスト
リップ線路３と、第１誘電体基板２ａに接合した第２誘
電体基板２ｂ上に形成され、一端がマイクロストリップ
線路３の端に接続され、他端が接地された入力信号を終
端するための膜抵抗手段５とを有して成る膜抵抗終端器
において、第２誘電体基板２ｂの高さを、マイクロスト
リップ線路３側から見た膜抵抗手段５側の入力インピー
ダンスの抵抗成分が所定の抵抗値となり、且つリアクタ
ンス成分がほぼ零又は零となるように構成されている。
板２ａ上に形成され、入力信号を伝搬するマイクロスト
リップ線路３と、第１誘電体基板２ａに接合した第２誘
電体基板２ｂ上に形成され、一端がマイクロストリップ
線路３の端に接続され、他端が接地された入力信号を終
端するための膜抵抗手段５とを有して成る膜抵抗終端器
において、第２誘電体基板２ｂの高さを、マイクロスト
リップ線路３側から見た膜抵抗手段５側の入力インピー
ダンスの抵抗成分が所定の抵抗値となり、且つリアクタ
ンス成分がほぼ零又は零となるように構成されている。
【００１９】但し、マイクロストリップ線路３側から見
た膜抵抗手段５側の入力インピーダンスの抵抗成分はマ
イクロストリップ線路３の抵抗値とほぼ等しいか又は等
しくするのが好ましい。
た膜抵抗手段５側の入力インピーダンスの抵抗成分はマ
イクロストリップ線路３の抵抗値とほぼ等しいか又は等
しくするのが好ましい。
【００２０】また、他の手段として、誘電体部の外周に
形成され、かつ一端が信号導体に接合され、他端が接地
された膜抵抗手段から成る同軸線路構造の内軸と、該膜
抵抗器被覆部分の直径が、該信号導体から見た該膜抵抗
手段側の入力インピーダンスの抵抗成分を所定の抵抗値
となり、且つリアクタンス成分がほぼ零又は零となるよ
うに形成された誘電体被覆部とを具備して膜抵抗終端器
を構成してもよい。
形成され、かつ一端が信号導体に接合され、他端が接地
された膜抵抗手段から成る同軸線路構造の内軸と、該膜
抵抗器被覆部分の直径が、該信号導体から見た該膜抵抗
手段側の入力インピーダンスの抵抗成分を所定の抵抗値
となり、且つリアクタンス成分がほぼ零又は零となるよ
うに形成された誘電体被覆部とを具備して膜抵抗終端器
を構成してもよい。
【００２１】
【作用】上述した本発明の膜抵抗終端器によれば、第２
誘電体基板２ｂの高さを調整することによって、マイク
ロストリップ線路３側から見た膜抵抗手段５側の入力イ
ンピーダンスの抵抗成分を変化させ、且つリアクタンス
成分を容量性、誘導性何れにも変化させることができる
ので、入力インピーダンスをマイクロストリップ線路３
の抵抗値とほぼ等しいか又は等しくし、且つリアクタン
ス成分をほぼ零又は零とすることができる。このように
した場合、高周波帯でもリターンロスを大きくすること
ができ、反射波を抑えることができる。
誘電体基板２ｂの高さを調整することによって、マイク
ロストリップ線路３側から見た膜抵抗手段５側の入力イ
ンピーダンスの抵抗成分を変化させ、且つリアクタンス
成分を容量性、誘導性何れにも変化させることができる
ので、入力インピーダンスをマイクロストリップ線路３
の抵抗値とほぼ等しいか又は等しくし、且つリアクタン
ス成分をほぼ零又は零とすることができる。このように
した場合、高周波帯でもリターンロスを大きくすること
ができ、反射波を抑えることができる。
【００２２】また、同軸線路構造の膜抵抗終端器におい
ても、誘電体被覆部の膜抵抗器被覆部分の直径を調整す
ることによって、信号導体から見た膜抵抗手段側の入力
インピーダンスの抵抗成分を変化させ、且つリアクタン
ス成分を容量性、誘導性何れにも変化させることができ
るので、抵抗成分を所定の抵抗値とし、且つリアクタン
ス成分をほぼ零又は零にすることができる。
ても、誘電体被覆部の膜抵抗器被覆部分の直径を調整す
ることによって、信号導体から見た膜抵抗手段側の入力
インピーダンスの抵抗成分を変化させ、且つリアクタン
ス成分を容量性、誘導性何れにも変化させることができ
るので、抵抗成分を所定の抵抗値とし、且つリアクタン
ス成分をほぼ零又は零にすることができる。
【００２３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図２は本発明の第１実施例による膜抵抗終
端器の構成を示す概略斜視図である。この図において図
７に示す従来例の各部に対応する部分には同一符号を付
す。
て説明する。図２は本発明の第１実施例による膜抵抗終
端器の構成を示す概略斜視図である。この図において図
７に示す従来例の各部に対応する部分には同一符号を付
す。
【００２４】図２において、１は金材料による接地導体
であり、その上面には２段の段差が形成されている。そ
の２段の段差により形成される接地導体１の１段目の平
面に１ａ、２段目の平面に１ｂ、３段目の平面に１ｃの
符号を付し、以降、１段目平面１ａ、２段目平面１ｂ、
３段目平面１ｃと呼ぶ。
であり、その上面には２段の段差が形成されている。そ
の２段の段差により形成される接地導体１の１段目の平
面に１ａ、２段目の平面に１ｂ、３段目の平面に１ｃの
符号を付し、以降、１段目平面１ａ、２段目平面１ｂ、
３段目平面１ｃと呼ぶ。
【００２５】接地導体１の１段目平面１ａ上には、セラ
ミック材料による比誘電率εr ＝９．８、高さｈ１＝
０．３８ｍｍの第１誘電体基板２ａが形成されており、
その第１誘電体基板２ａ上には幅ｗ１＝０．３５ｍｍの
マイクロストリップ線路による信号入力側導体膜３が形
成されている。この場合の信号入力側導体膜３の特性イ
ンピーダンスは５０Ωとなる。
ミック材料による比誘電率εr ＝９．８、高さｈ１＝
０．３８ｍｍの第１誘電体基板２ａが形成されており、
その第１誘電体基板２ａ上には幅ｗ１＝０．３５ｍｍの
マイクロストリップ線路による信号入力側導体膜３が形
成されている。この場合の信号入力側導体膜３の特性イ
ンピーダンスは５０Ωとなる。
【００２６】接地導体１の２段目平面１ｂ上には、セラ
ミック材料による比誘電率εr ＝９．８、高さｈ２＝
０．１２ｍｍの第２誘電体基板２ｂが形成されている。
接地導体１の底面からの第２誘電体基板２ｂの高さは、
第１誘電体基板２ａの高さよりも低くなっている。
ミック材料による比誘電率εr ＝９．８、高さｈ２＝
０．１２ｍｍの第２誘電体基板２ｂが形成されている。
接地導体１の底面からの第２誘電体基板２ｂの高さは、
第１誘電体基板２ａの高さよりも低くなっている。
【００２７】第２誘電体基板２ｂ上には幅ｗ２＝０．３
ｍｍ、長さＬ＝０．３ｍｍの窒化タンタル材料による膜
抵抗器５が形成されている。膜抵抗器５の面積抵抗率は
５０Ω／□である。
ｍｍ、長さＬ＝０．３ｍｍの窒化タンタル材料による膜
抵抗器５が形成されている。膜抵抗器５の面積抵抗率は
５０Ω／□である。
【００２８】また、第２誘電体基板２ｂ上には、膜抵抗
器５の両端に金材料による導体膜４ａ，４ｂが形成され
ており、導体膜４ａが金材料による接続リボン６ａによ
り信号入力側導体膜３に接続され、導体膜４ｂが接続リ
ボン６ｂにより接地導体１の３段目平面１ｃに接続され
ることによって、膜抵抗器５の一端が信号入力側導体膜
３に接続され、他端が接地されている。
器５の両端に金材料による導体膜４ａ，４ｂが形成され
ており、導体膜４ａが金材料による接続リボン６ａによ
り信号入力側導体膜３に接続され、導体膜４ｂが接続リ
ボン６ｂにより接地導体１の３段目平面１ｃに接続され
ることによって、膜抵抗器５の一端が信号入力側導体膜
３に接続され、他端が接地されている。
【００２９】図３は、上述した構成の膜抵抗終端器にお
いて、信号入力側導体膜３に入力される信号の周波数ｆ
を高周波数の２０ＧＨｚとし、かつ第２誘電体基板２ｂ
の高さｈ２を０．０２ｍｍ〜０．５ｍｍまで変化させた
場合に、信号入力側導体膜３側からみた膜抵抗器５側の
入力インピーダンスＺinの抵抗成分（Ω）及びリアクタ
ンス成分（Ω）をシュミレーションによって求めたグラ
フである。
いて、信号入力側導体膜３に入力される信号の周波数ｆ
を高周波数の２０ＧＨｚとし、かつ第２誘電体基板２ｂ
の高さｈ２を０．０２ｍｍ〜０．５ｍｍまで変化させた
場合に、信号入力側導体膜３側からみた膜抵抗器５側の
入力インピーダンスＺinの抵抗成分（Ω）及びリアクタ
ンス成分（Ω）をシュミレーションによって求めたグラ
フである。
【００３０】但し、図２に示す導体膜４ａ及び接続リボ
ン６ａを考慮せず、信号入力側導体膜３と膜抵抗終端器
５とが直接接続されているものとしてシュミレーション
を行ったものである。また、第２誘電体基板２ｂの高さ
ｈ２は、曲線２０に点でしめすように０．０２ｍｍ間隔
で変化させた。
ン６ａを考慮せず、信号入力側導体膜３と膜抵抗終端器
５とが直接接続されているものとしてシュミレーション
を行ったものである。また、第２誘電体基板２ｂの高さ
ｈ２は、曲線２０に点でしめすように０．０２ｍｍ間隔
で変化させた。
【００３１】この図３から分かるように、高さｈ２を高
くするに従ってリアクタンス成分が容量性（−ｊＸ）か
ら誘導性（ｊＸ）に変化している。図３の曲線２０に矢
印２１で示す位置が、第２誘電体基板２ｂの高さｈ２を
上述したように０．１２ｍｍとした場合であり、この場
合の膜抵抗器５の入力インピーダンスＺinは、抵抗成分
が５１．４７Ω、リアクタンス成分が−ｊ０．４２Ωと
なる。
くするに従ってリアクタンス成分が容量性（−ｊＸ）か
ら誘導性（ｊＸ）に変化している。図３の曲線２０に矢
印２１で示す位置が、第２誘電体基板２ｂの高さｈ２を
上述したように０．１２ｍｍとした場合であり、この場
合の膜抵抗器５の入力インピーダンスＺinは、抵抗成分
が５１．４７Ω、リアクタンス成分が−ｊ０．４２Ωと
なる。
【００３２】即ち、入力インピーダンスＺinが、信号入
力側導体膜３の特性インピーダンス５０Ωとほぼ同じで
あり、且つリアクタンス成分がほぼ０となっている。従
って、第１実施例の膜抵抗終端器では、高周波帯でもリ
ターンロスを大きくすることができるので、反射波を吸
収して抑えることができる。従来の膜抵抗終端器におい
ては、リアクタンス成分が大きくなるためにリターンロ
スが減少し、反射波が生じていた。なお、参考として、
図８に第１実施例の膜抵抗終端器におけるリターンロ
ス、即ち入力信号に対してどの程度の反射波が現れるか
の割合を実線２２で示す。
力側導体膜３の特性インピーダンス５０Ωとほぼ同じで
あり、且つリアクタンス成分がほぼ０となっている。従
って、第１実施例の膜抵抗終端器では、高周波帯でもリ
ターンロスを大きくすることができるので、反射波を吸
収して抑えることができる。従来の膜抵抗終端器におい
ては、リアクタンス成分が大きくなるためにリターンロ
スが減少し、反射波が生じていた。なお、参考として、
図８に第１実施例の膜抵抗終端器におけるリターンロ
ス、即ち入力信号に対してどの程度の反射波が現れるか
の割合を実線２２で示す。
【００３３】また、図２に示す膜抵抗終端器の第２誘電
体基板２ｂの比誘電率εr は前述したように９．８であ
るが、その比誘電率εr を変化させることによっても信
号入力側導体膜３側からみた膜抵抗器５側の入力インピ
ーダンスＺinの抵抗成分（Ω）及びリアクタンス成分
（Ω）を変化させることができる。
体基板２ｂの比誘電率εr は前述したように９．８であ
るが、その比誘電率εr を変化させることによっても信
号入力側導体膜３側からみた膜抵抗器５側の入力インピ
ーダンスＺinの抵抗成分（Ω）及びリアクタンス成分
（Ω）を変化させることができる。
【００３４】これは、比誘電率εr が大きいとリアクタ
ンス成分は誘導性（ｊＸ）となるが、比誘電率εr が小
さくなる程に、リアクタンス成分が容量性（−ｊＸ）と
なるからである。この様子は、図３に示す曲線２０を参
照することができる。
ンス成分は誘導性（ｊＸ）となるが、比誘電率εr が小
さくなる程に、リアクタンス成分が容量性（−ｊＸ）と
なるからである。この様子は、図３に示す曲線２０を参
照することができる。
【００３５】従って、第２誘電体基板２ｂの比誘電率ε
r を変えることによっても、リアクタンス成分をほぼ０
又は０とすることができるので、高周波帯でもリターン
ロスを大きくして反射波を抑えることができる。
r を変えることによっても、リアクタンス成分をほぼ０
又は０とすることができるので、高周波帯でもリターン
ロスを大きくして反射波を抑えることができる。
【００３６】次に、第２実施例による膜抵抗終端器を図
４を参照して説明する。図４において、１は上面に１段
の段差が形成された接地導体であり、接地導体１上に
は、比誘電率εr ＝９．８、高さｈ１＝０．３８ｍｍの
誘電体基板２が形成されている。
４を参照して説明する。図４において、１は上面に１段
の段差が形成された接地導体であり、接地導体１上に
は、比誘電率εr ＝９．８、高さｈ１＝０．３８ｍｍの
誘電体基板２が形成されている。
【００３７】誘電体基板２上には、信号入力側導体膜３
と、導体膜４とが隔たって形成されており、信号入力側
導体膜３と導体膜４との間には、膜抵抗器５が形成され
ている。但し、膜抵抗器５は、長さＬが０．３ｍｍ、幅
ｗ２が０．９ｍｍ、面積抵抗率が１５０Ω／□であり、
信号入力側導体膜３の特性インピーダンスは５０Ωであ
るとする。
と、導体膜４とが隔たって形成されており、信号入力側
導体膜３と導体膜４との間には、膜抵抗器５が形成され
ている。但し、膜抵抗器５は、長さＬが０．３ｍｍ、幅
ｗ２が０．９ｍｍ、面積抵抗率が１５０Ω／□であり、
信号入力側導体膜３の特性インピーダンスは５０Ωであ
るとする。
【００３８】導体膜４と接地導体１が当接する上面部分
には、３つの接続リボン６が形成されており、導体膜４
と接地導体１とを接続している。膜抵抗器５の長さＬ、
幅ｗ２、及び面積抵抗率を変化させることによって、信
号入力側導体膜３側からみた膜抵抗器５側の入力インピ
ーダンスＺinの抵抗成分（Ω）及びリアクタンス成分
（Ω）は変化するので、第２実施例の膜抵抗終端器は、
膜抵抗器５の長さＬ、幅ｗ２、及び面積抵抗率を前記の
ように定めることによって、信号入力側導体膜３側から
みた膜抵抗器５側の入力インピーダンスＺinの抵抗値を
ほぼ５０Ω、リアクタンスをほぼ０にしている。
には、３つの接続リボン６が形成されており、導体膜４
と接地導体１とを接続している。膜抵抗器５の長さＬ、
幅ｗ２、及び面積抵抗率を変化させることによって、信
号入力側導体膜３側からみた膜抵抗器５側の入力インピ
ーダンスＺinの抵抗成分（Ω）及びリアクタンス成分
（Ω）は変化するので、第２実施例の膜抵抗終端器は、
膜抵抗器５の長さＬ、幅ｗ２、及び面積抵抗率を前記の
ように定めることによって、信号入力側導体膜３側から
みた膜抵抗器５側の入力インピーダンスＺinの抵抗値を
ほぼ５０Ω、リアクタンスをほぼ０にしている。
【００３９】従って、第２実施例の膜抵抗終端器におい
ても、高周波帯におけるリターンロスを大きくして反射
波を抑えることができる。その他に第２実施例において
は、膜抵抗器５の面積を大きくしたので、大電力信号の
終端に耐え得るメリットがある。
ても、高周波帯におけるリターンロスを大きくして反射
波を抑えることができる。その他に第２実施例において
は、膜抵抗器５の面積を大きくしたので、大電力信号の
終端に耐え得るメリットがある。
【００４０】次に、第３実施例による膜抵抗終端器を図
５及び図６を参照して説明する。図５は同軸線路型の膜
抵抗終端器を信号波が伝達する方向で切断した場合の断
面図、図６は膜抵抗終端器を図５に示す一点鎖線Ｙ−
Ｙ′で切断した場合の断面図である。但し、これらの図
において図４に示す第２実施例の各部に相当する部分に
は同一符号が付してある。
５及び図６を参照して説明する。図５は同軸線路型の膜
抵抗終端器を信号波が伝達する方向で切断した場合の断
面図、図６は膜抵抗終端器を図５に示す一点鎖線Ｙ−
Ｙ′で切断した場合の断面図である。但し、これらの図
において図４に示す第２実施例の各部に相当する部分に
は同一符号が付してある。
【００４１】図５及び図６に示す第３実施例の膜抵抗終
端器は、信号入力側導体３と導体４との間に内部誘電体
２′を介装し、内部誘電体２′の外周に膜抵抗器５を形
成し、この形成された内軸の外周に外部誘電体２を形成
し、その外周に接地導体１を形成して構成したものであ
る。
端器は、信号入力側導体３と導体４との間に内部誘電体
２′を介装し、内部誘電体２′の外周に膜抵抗器５を形
成し、この形成された内軸の外周に外部誘電体２を形成
し、その外周に接地導体１を形成して構成したものであ
る。
【００４２】即ち、膜抵抗器５の一端は信号入力側導体
３に接続され、他端は導体４を介して接地されている。
また、膜抵抗器５で被覆された内部誘電体２′及び導体
４を被覆する外部誘電体２の直径Ｄは、信号入力側導体
３を被覆する部分の直径よりも小さく形成されている。
３に接続され、他端は導体４を介して接地されている。
また、膜抵抗器５で被覆された内部誘電体２′及び導体
４を被覆する外部誘電体２の直径Ｄは、信号入力側導体
３を被覆する部分の直径よりも小さく形成されている。
【００４３】その外部誘電体２の直径Ｄの部分は、前述
した第１実施例の図２に示す第２誘電体基板２ｂに相当
するものであって、直径Ｄを変化させることによって、
第１実施例で第２誘電体基板２ｂの高さｈ２を変化させ
たと同様な効果を得ることができる。
した第１実施例の図２に示す第２誘電体基板２ｂに相当
するものであって、直径Ｄを変化させることによって、
第１実施例で第２誘電体基板２ｂの高さｈ２を変化させ
たと同様な効果を得ることができる。
【００４４】即ち、直径Ｄを大きくするに従って信号入
力側導体３側からみた膜抵抗器５側の入力インピーダン
スＺinのリアクタンス成分が容量性（ｊＸ）から誘導性
（−ｊＸ）に変化する。
力側導体３側からみた膜抵抗器５側の入力インピーダン
スＺinのリアクタンス成分が容量性（ｊＸ）から誘導性
（−ｊＸ）に変化する。
【００４５】従って、外部誘電体２の直径Ｄを所定の大
きさにすることによって、入力インピーダンスＺinを、
信号入力側導体３の特性インピーダンスとほぼ同じに
し、且つリアクタンス成分をほぼ０とすることができ、
これによって、高周波帯でもリターンロスを大きくする
ことができるので、反射波を吸収して抑えることができ
る。
きさにすることによって、入力インピーダンスＺinを、
信号入力側導体３の特性インピーダンスとほぼ同じに
し、且つリアクタンス成分をほぼ０とすることができ、
これによって、高周波帯でもリターンロスを大きくする
ことができるので、反射波を吸収して抑えることができ
る。
【００４６】また、第１実施例で第２誘電体基板２ｂの
比誘電率εr を変化させたと同様に、直径Ｄを変化させ
る外部誘電体２の部分の比誘電率εr を変化させること
によっても信号入力側導体３側からみた膜抵抗器５側の
入力インピーダンスＺinの抵抗成分（Ω）及びリアクタ
ンス成分（Ω）を変化させることができ、第１実施例と
同様な効果を得ることができる。
比誘電率εr を変化させたと同様に、直径Ｄを変化させ
る外部誘電体２の部分の比誘電率εr を変化させること
によっても信号入力側導体３側からみた膜抵抗器５側の
入力インピーダンスＺinの抵抗成分（Ω）及びリアクタ
ンス成分（Ω）を変化させることができ、第１実施例と
同様な効果を得ることができる。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の膜抵抗終
端器によれば、高周波帯において信号入力側から見た膜
抵抗手段側の入力インピーダンスの抵抗成分を所定の抵
抗値にし、かつリアクタンス成分をほぼ０又は０にする
ことができるので、これによって、大きなリターンロス
を得ることができ、反射波を抑えることができる効果が
ある。
端器によれば、高周波帯において信号入力側から見た膜
抵抗手段側の入力インピーダンスの抵抗成分を所定の抵
抗値にし、かつリアクタンス成分をほぼ０又は０にする
ことができるので、これによって、大きなリターンロス
を得ることができ、反射波を抑えることができる効果が
ある。
【図１】本発明の原理図である。
【図２】本発明の第１実施例による膜抵抗終端器の構成
を示す概略斜視図である。
を示す概略斜視図である。
【図３】図２に示す第２誘電体基板の高さを変化させた
場合に、信号入力側から見た膜抵抗器側の入力インピー
ダンスの抵抗成分及びリアクタンス成分の変化を示す図
である。
場合に、信号入力側から見た膜抵抗器側の入力インピー
ダンスの抵抗成分及びリアクタンス成分の変化を示す図
である。
【図４】本発明の第２実施例による膜抵抗終端器の構成
を示す概略斜視図である。
を示す概略斜視図である。
【図５】本発明の第３実施例による同軸線路型の膜抵抗
終端器を信号波が伝達する方向で切断した場合の断面図
である。
終端器を信号波が伝達する方向で切断した場合の断面図
である。
【図６】同軸線路型の膜抵抗終端器を図５に示す一点鎖
線Ｙ−Ｙ′で切断した場合の断面図である。
線Ｙ−Ｙ′で切断した場合の断面図である。
【図７】従来の膜抵抗終端器の構成を示す概略斜視図で
ある。
ある。
【図８】従来と実施例との膜抵抗終端器におけるリター
ンロスと入力信号の周波数との関係を示す図である。
ンロスと入力信号の周波数との関係を示す図である。
【図９】負荷短絡の損失のある伝送路の入力インピーダ
ンスを説明するための図である。
ンスを説明するための図である。
１ 接地導体 ２ａ 第１誘電体基板 ２ｂ 第２誘電体基板 ３ 入力側のマイクロストリップ線路 ４ マイクロストリップ線路 ５ 膜抵抗手段 ６ 接続リボン ｈ１ 第１誘電体基板の高さ ｈ２ 第２誘電体基板の高さ ｗ１ 入力側のマイクロストリップ線路の幅 Ｌ 膜抵抗手段の長さ ｗ２ 膜抵抗手段の幅
Claims (8)
- 【請求項１】 第１誘電体基板(2a)上に形成され、入力
信号を伝搬するマイクロストリップ線路(3) と、該第１
誘電体基板(2a)に接合した第２誘電体基板(2b)上に形成
され、一端が該マイクロストリップ線路(3) の端に接続
され、他端が接地された該入力信号を終端するための膜
抵抗手段(5) とを有して成る膜抵抗終端器において、 前記第２誘電体基板(2b)の高さを、前記マイクロストリ
ップ線路(3) 側から見た前記膜抵抗手段(5) 側の入力イ
ンピーダンスの抵抗成分が所定の抵抗値となり、且つリ
アクタンス成分が実質上零となるように構成したことを
特徴とする膜抵抗終端器。 - 【請求項２】 前記第２誘電体基板(2b)の比誘電率を、
前記マイクロストリップ線路(3) 側から見た前記膜抵抗
手段(5) 側の入力インピーダンスの抵抗成分が所定の抵
抗値となり、且つリアクタンス成分が実質上零となるよ
うに構成したことを特徴とする請求項１記載の膜抵抗終
端器。 - 【請求項３】 前記マイクロストリップ線路(3) 側から
見た前記膜抵抗手段(5) 側の入力インピーダンスの抵抗
成分がマイクロストリップ線路(3) の特性インピーダン
ス値と実質上等しくなり、且つリアクタンス成分が実質
上零となるようにするために、前記第２誘電体基板(2b)
の高さを調整するか、或いは前記第２誘電体基板(2b)の
比誘電率を調整するようにしたことを特徴とする請求項
１又は２記載の膜抵抗終端器。 - 【請求項４】 前記膜抵抗手段(5) の抵抗成分が前記マ
イクロストリップ線路(3) の特性インピーダンス値に実
質上等しくなるように、該膜抵抗手段(5) の長さ(L) 、
幅(W2)、及び面積抵抗率を定めたことを特徴とする請求
項１又は２記載の膜抵抗終端器。 - 【請求項５】 前記膜抵抗手段(5) の幅(W2)を、前記マ
イクロストリップ線路(3) の幅(W1)よりも大きくしたこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の膜抵抗終端器。 - 【請求項６】 誘電体の外周に形成され、かつ一端が信
号導体に接合され、他端が接地された膜抵抗手段から成
る同軸線路構造の内軸と、 該膜抵抗手段被覆部分の直径が、該信号導体から見た該
膜抵抗手段側の入力インピーダンスの抵抗成分が該信号
導体の特性インピーダンス値と実質上等しく、且つリア
クタンス成分が実質上零となるように形成された誘電体
被覆部とを具備して構成されたことを特徴とする膜抵抗
終端器。 - 【請求項７】 前記誘電体被覆部の膜抵抗手段被覆部分
の比誘電率を、該信号導体から見た該膜抵抗手段側の入
力インピーダンスの抵抗成分が所定の抵抗値となり、且
つリアクタンス成分が実質上零になるように構成したこ
とを特徴とする請求項６記載の膜抵抗終端器。 - 【請求項８】 前記信号導体側から見た前記膜抵抗手段
側の入力インピーダンスの抵抗成分が該信号導体の特性
インピーダンス値と実質上等しく、且つリアクタンス成
分が実質上零となるようにするために、前記誘電体被覆
部の膜抵抗手段被覆部分の直径を調整するか、或いは前
記誘電体被覆部の膜抵抗手段被覆部分の比誘電率を調整
するようにしたことを特徴とする請求項６又は７記載の
膜抵抗終端器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29342791A JPH05129805A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 膜抵抗終端器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29342791A JPH05129805A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 膜抵抗終端器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129805A true JPH05129805A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17794622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29342791A Withdrawn JPH05129805A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 膜抵抗終端器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129805A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7631422B2 (en) | 2001-03-01 | 2009-12-15 | Kanji Otsuka | Method of manufacturing wiring substrate having terminated buses |
| JP2013187839A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波終端器 |
| EP4096014A4 (en) * | 2020-01-22 | 2024-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | HIGH FREQUENCY TERMINATOR |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP29342791A patent/JPH05129805A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7631422B2 (en) | 2001-03-01 | 2009-12-15 | Kanji Otsuka | Method of manufacturing wiring substrate having terminated buses |
| JP2013187839A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波終端器 |
| EP4096014A4 (en) * | 2020-01-22 | 2024-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | HIGH FREQUENCY TERMINATOR |
| US11990662B2 (en) | 2020-01-22 | 2024-05-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency terminator |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |