JPH06309950A - 平行ストリップラインケーブル - Google Patents
平行ストリップラインケーブルInfo
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- JPH06309950A JPH06309950A JP5102797A JP10279793A JPH06309950A JP H06309950 A JPH06309950 A JP H06309950A JP 5102797 A JP5102797 A JP 5102797A JP 10279793 A JP10279793 A JP 10279793A JP H06309950 A JPH06309950 A JP H06309950A
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- insulator
- circuit element
- parallel
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- conductor
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- Waveguides (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高周波機器全体を大型化することなく高性能化
できる高周波伝送路の提供。 【構成】平行な一対のアース導体４，４の間に絶縁体２
を設けるとともに可塑性あるいは可撓性を有する絶縁体
２の内部に中心導体５を設け、かつ絶縁体２内に、スタ
ブ、インダクタンス機能部、レジスタンス機能部、キャ
パシタンス機能部等を有する回路素子部を配設した平行
ストリップラインケーブル。
できる高周波伝送路の提供。 【構成】平行な一対のアース導体４，４の間に絶縁体２
を設けるとともに可塑性あるいは可撓性を有する絶縁体
２の内部に中心導体５を設け、かつ絶縁体２内に、スタ
ブ、インダクタンス機能部、レジスタンス機能部、キャ
パシタンス機能部等を有する回路素子部を配設した平行
ストリップラインケーブル。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波伝送線路に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、図４に示すように、携帯電話
等の小型高周波機器５０の装置内において、アンテナ５
１と回路基板５２との間といったように、構成部品間で
高周波信号のやり取りを行う伝送線路には小型の同軸ケ
ーブル５３が用いられていた。なお、図４中、符号５４
は同軸ケーブル５３と回路基板５２とを接続するコネク
タ、５５は装置全体を覆うケース体である。
等の小型高周波機器５０の装置内において、アンテナ５
１と回路基板５２との間といったように、構成部品間で
高周波信号のやり取りを行う伝送線路には小型の同軸ケ
ーブル５３が用いられていた。なお、図４中、符号５４
は同軸ケーブル５３と回路基板５２とを接続するコネク
タ、５５は装置全体を覆うケース体である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、昨今の小型
高周波機器の高性能化に伴い、小型高周波機器の構成部
品内で発生するノイズの影響や、構成部品間で発生する
インピーダンスの不整合等による反射損失等の影響をい
かに小さくするかが問題となってきている。このような
問題を解決するためには、ノイズフィルタ回路やインピ
ーダンス整合回路等を装置内に組み込むことが考えられ
るが、そうすると、これら回路を組み込んだ分だけ装置
が大型化するという新たな問題が発生するので、特に、
小型高周波機器においては採用しがたかった。
高周波機器の高性能化に伴い、小型高周波機器の構成部
品内で発生するノイズの影響や、構成部品間で発生する
インピーダンスの不整合等による反射損失等の影響をい
かに小さくするかが問題となってきている。このような
問題を解決するためには、ノイズフィルタ回路やインピ
ーダンス整合回路等を装置内に組み込むことが考えられ
るが、そうすると、これら回路を組み込んだ分だけ装置
が大型化するという新たな問題が発生するので、特に、
小型高周波機器においては採用しがたかった。
【０００４】本発明は、このような問題を鑑みてなされ
たものであって、平行ストリップラインケーブルから同
軸ケーブルと同等の高周波伝送線路が構成できることに
着目し、かつ、この平行ストリップラインケーブルを可
塑性あるいは可撓性を有する材質で構成することによ
り、この平行ストリップラインケーブルを用いて、機器
内部を比較的自由に配線でき、高周波機器全体を大型化
することなく高性能化することを目的としている。
たものであって、平行ストリップラインケーブルから同
軸ケーブルと同等の高周波伝送線路が構成できることに
着目し、かつ、この平行ストリップラインケーブルを可
塑性あるいは可撓性を有する材質で構成することによ
り、この平行ストリップラインケーブルを用いて、機器
内部を比較的自由に配線でき、高周波機器全体を大型化
することなく高性能化することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、平行な一対のアース導体の間に可塑性あ
るいは可撓性を有する絶縁体を設けるとともに該絶縁体
の内部に中心導体を設け、かつ前記絶縁体内に回路素子
部を配設し、可塑性あるいは可撓性を有する構造として
平行ストリップラインケーブルを構成した。
成するために、平行な一対のアース導体の間に可塑性あ
るいは可撓性を有する絶縁体を設けるとともに該絶縁体
の内部に中心導体を設け、かつ前記絶縁体内に回路素子
部を配設し、可塑性あるいは可撓性を有する構造として
平行ストリップラインケーブルを構成した。
【０００６】また、平行な一対のアース導体の間に可塑
性あるいは可撓性を有する主絶縁体を設けるとともに該
主絶縁体の内部に中心導体を設けており、かつ、前記主
絶縁体に可塑性あるいは可撓性を有する副絶縁体を積層
するとともに該副絶縁体内に回路素子部を配設し、可塑
性あるいは可撓性を有する構造として平行ストリップラ
インケーブルを構成してもよい。
性あるいは可撓性を有する主絶縁体を設けるとともに該
主絶縁体の内部に中心導体を設けており、かつ、前記主
絶縁体に可塑性あるいは可撓性を有する副絶縁体を積層
するとともに該副絶縁体内に回路素子部を配設し、可塑
性あるいは可撓性を有する構造として平行ストリップラ
インケーブルを構成してもよい。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、高周波伝送線路である平行
ストリップラインケーブルに回路素子部が組み込まれ、
機器内部を配線されるので、これら回路素子部を別部品
にして高周波機器内に配設する必要がなくなる。
ストリップラインケーブルに回路素子部が組み込まれ、
機器内部を配線されるので、これら回路素子部を別部品
にして高周波機器内に配設する必要がなくなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を図面に示す各実施例に基づい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【０００９】第１実施例 図１は本発明の第１実施例の平行ストリップラインケー
ブルの分解斜視図である。この平行ストリップラインケ
ーブル１は可塑性あるいは可撓性を有する材質の絶縁体
２を備えている。絶縁体２は積層一体化された上下一対
の絶縁層３Ａ，３Ｂからなっており、これら絶縁層３
Ａ，３Ｂの対向方向外側面３ａ，３ｂには薄膜状のアー
ス導体４が設けられている。アース導体４はこれら外側
側面３ａ，３ｂの全面に形成されている。また、下側絶
縁層３Ａの対向面３ｃには同じく薄膜状の中心導体５が
形成されている。中心導体５はアース導体４より狭幅で
あって、下側絶縁層３Ａの対向面３ｃの幅方向中央部に
下側絶縁層３Ａの延出方向に沿って配設されている。絶
縁体２はこのように形成された上下絶縁層３Ａ，３Ｂを
積層一体化することによって構成されている。なお、ア
ース導体４や中心導体５は真空蒸着等の技法によって各
絶縁層３Ａ，３Ｂに形成されており、絶縁体２と同様に
可塑性あるいは可撓性を有している。
ブルの分解斜視図である。この平行ストリップラインケ
ーブル１は可塑性あるいは可撓性を有する材質の絶縁体
２を備えている。絶縁体２は積層一体化された上下一対
の絶縁層３Ａ，３Ｂからなっており、これら絶縁層３
Ａ，３Ｂの対向方向外側面３ａ，３ｂには薄膜状のアー
ス導体４が設けられている。アース導体４はこれら外側
側面３ａ，３ｂの全面に形成されている。また、下側絶
縁層３Ａの対向面３ｃには同じく薄膜状の中心導体５が
形成されている。中心導体５はアース導体４より狭幅で
あって、下側絶縁層３Ａの対向面３ｃの幅方向中央部に
下側絶縁層３Ａの延出方向に沿って配設されている。絶
縁体２はこのように形成された上下絶縁層３Ａ，３Ｂを
積層一体化することによって構成されている。なお、ア
ース導体４や中心導体５は真空蒸着等の技法によって各
絶縁層３Ａ，３Ｂに形成されており、絶縁体２と同様に
可塑性あるいは可撓性を有している。
【００１０】この平行ストリップラインケーブル１はそ
の内部にインピーダンス整合回路素子部を備えている。
すなわち、中心導体５の図中左端側には並列スタブ７か
らなるインピーダンス整合素子部が設けられている。こ
の並列スタブ７は中心導体５本体から直交する方向に分
岐しかつその先端が短路された伝送側路から構成されて
いる。このように構成された並列スタブ７は主伝送路で
ある中心導体５に対してリアクタンスとして機能し、こ
の並列スタブ７を設けたことによって平行ストリップラ
インケーブル１と、該平行ストリップラインケーブル１
に接続される部品（例えば高周波送受信用のアンテナ）
との間や、該平行ストリップラインケーブル１によって
接続される部品間のインピーダンスを整合することがで
きる。
の内部にインピーダンス整合回路素子部を備えている。
すなわち、中心導体５の図中左端側には並列スタブ７か
らなるインピーダンス整合素子部が設けられている。こ
の並列スタブ７は中心導体５本体から直交する方向に分
岐しかつその先端が短路された伝送側路から構成されて
いる。このように構成された並列スタブ７は主伝送路で
ある中心導体５に対してリアクタンスとして機能し、こ
の並列スタブ７を設けたことによって平行ストリップラ
インケーブル１と、該平行ストリップラインケーブル１
に接続される部品（例えば高周波送受信用のアンテナ）
との間や、該平行ストリップラインケーブル１によって
接続される部品間のインピーダンスを整合することがで
きる。
【００１１】第２実施例 図２は本発明の第２実施例の平行ストリップラインケー
ブルの分解斜視図である。この平行ストリップラインケ
ーブル１０は積層一体化された上下一対の絶縁層３Ａ，
３Ｂからなる可塑性あるいは可撓性を有する材質の絶縁
体２を備えるとともに、これら絶縁層３Ａ，３Ｂの対向
方向外側面３ａ，３ｂには薄膜状のアース導体４が、ま
た、下側絶縁層３Ａの対向面３ｃには同じく薄膜状の中
心導体５が形成されており、以上の構造は第１実施例と
同様である。
ブルの分解斜視図である。この平行ストリップラインケ
ーブル１０は積層一体化された上下一対の絶縁層３Ａ，
３Ｂからなる可塑性あるいは可撓性を有する材質の絶縁
体２を備えるとともに、これら絶縁層３Ａ，３Ｂの対向
方向外側面３ａ，３ｂには薄膜状のアース導体４が、ま
た、下側絶縁層３Ａの対向面３ｃには同じく薄膜状の中
心導体５が形成されており、以上の構造は第１実施例と
同様である。
【００１２】この平行ストリップラインケーブル１０は
その内部にローパスフィルタ回路素子部を備えている。
すなわち、中心導体５の図中左端側にはこの中心導体５
を拡幅して形成された一対の容量電極パッド１２Ａ，１
２Ｂと、中心導体５を狭幅化して形成された計３つの狭
幅部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃとが形成されている。狭幅
部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃはそれぞれ容量電極パッド１
２Ａ，１２Ｂの間、および容量電極パッド１２Ａ，１２
Ｂそれぞれと中心導体５との間に配設されており、これ
ら狭幅部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃによって容量電極パッ
ド１２Ａ，１２Ｂと中心導体５と間、および両容量電極
パッド１２Ａ，１２Ｂの間はそれぞれ接続されている。
そのため、各容量電極パッド１２Ａ，１２Ｂとアース導
体４，４との間には絶縁層３Ａ，３Ｂを誘電層としたコ
ンデンサが形成される。また、中心導体５より狭幅化さ
れた狭幅部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃはインダクタンスコ
イルとして機能する。したがって、これらＬＣ回路素子
によってローパスフィルタ回路素子部が構成されること
になり、このローパスフィルタ回路素子部によって平行
ストリップラインケーブル１０内を伝送する高周波信号
の高調波や高周波ノイズがカットされる。
その内部にローパスフィルタ回路素子部を備えている。
すなわち、中心導体５の図中左端側にはこの中心導体５
を拡幅して形成された一対の容量電極パッド１２Ａ，１
２Ｂと、中心導体５を狭幅化して形成された計３つの狭
幅部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃとが形成されている。狭幅
部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃはそれぞれ容量電極パッド１
２Ａ，１２Ｂの間、および容量電極パッド１２Ａ，１２
Ｂそれぞれと中心導体５との間に配設されており、これ
ら狭幅部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃによって容量電極パッ
ド１２Ａ，１２Ｂと中心導体５と間、および両容量電極
パッド１２Ａ，１２Ｂの間はそれぞれ接続されている。
そのため、各容量電極パッド１２Ａ，１２Ｂとアース導
体４，４との間には絶縁層３Ａ，３Ｂを誘電層としたコ
ンデンサが形成される。また、中心導体５より狭幅化さ
れた狭幅部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃはインダクタンスコ
イルとして機能する。したがって、これらＬＣ回路素子
によってローパスフィルタ回路素子部が構成されること
になり、このローパスフィルタ回路素子部によって平行
ストリップラインケーブル１０内を伝送する高周波信号
の高調波や高周波ノイズがカットされる。
【００１３】第３実施例 図３は本発明の第３実施例の平行ストリップラインケー
ブルの分解斜視図である。この平行ストリップラインケ
ーブル２０は積層一体化された上下一対の絶縁層３Ａ，
３Ｂからなる可塑性あるいは可撓性を有する材質の主絶
縁体２を備えるとともに、これら絶縁層３Ａ，３Ｂの対
向方向外側面３ａ，３ｂには薄膜状のアース導体４が、
また、下側絶縁層３Ａの対向面３ｃには同じく薄膜状の
中心導体５が形成されており、以上の構造は第１，第２
の実施例と同様である。
ブルの分解斜視図である。この平行ストリップラインケ
ーブル２０は積層一体化された上下一対の絶縁層３Ａ，
３Ｂからなる可塑性あるいは可撓性を有する材質の主絶
縁体２を備えるとともに、これら絶縁層３Ａ，３Ｂの対
向方向外側面３ａ，３ｂには薄膜状のアース導体４が、
また、下側絶縁層３Ａの対向面３ｃには同じく薄膜状の
中心導体５が形成されており、以上の構造は第１，第２
の実施例と同様である。
【００１４】この平行ストリップラインケーブル２０は
アッテネータ回路素子部形成用の可塑性あるいは可撓性
を有する材質の副絶縁体２１を備えており、さらには、
中心導体５の中途部が分断されて中心導体無形成部２２
が形成されている。すなわち、副絶縁体２１は主絶縁体
２と同様、積層一体化された上下一対の絶縁層２３Ａ，
２３Ｂからなっており、下側絶縁層２３Ａの上面２３ａ
には回路素子パターン２４が、また、上側絶縁層２３Ｂ
の上面２３ｂ全面には薄膜状のアース導体２５がそれぞ
れ形成されている。
アッテネータ回路素子部形成用の可塑性あるいは可撓性
を有する材質の副絶縁体２１を備えており、さらには、
中心導体５の中途部が分断されて中心導体無形成部２２
が形成されている。すなわち、副絶縁体２１は主絶縁体
２と同様、積層一体化された上下一対の絶縁層２３Ａ，
２３Ｂからなっており、下側絶縁層２３Ａの上面２３ａ
には回路素子パターン２４が、また、上側絶縁層２３Ｂ
の上面２３ｂ全面には薄膜状のアース導体２５がそれぞ
れ形成されている。
【００１５】回路素子パターン２４は一対の抵抗パッド
２６Ｃ，２６Ｄと狭幅部２７Ｄとからなっている。そし
て、狭幅部２７Ｄは抵抗パッド２６Ｃ，２６Ｄの間に配
設されてこれらを接続し、抵抗部を兼ねている。そし
て、抵抗パッド２６Ｃ，２６Ｄは中心導体５より広幅
に、狭幅部２７Ｄは中心導体５より狭幅に形成されてい
る。このように構成された回路素子パターン２４は中心
導体無形成部２２とほぼ同じ長さに形成されている。
２６Ｃ，２６Ｄと狭幅部２７Ｄとからなっている。そし
て、狭幅部２７Ｄは抵抗パッド２６Ｃ，２６Ｄの間に配
設されてこれらを接続し、抵抗部を兼ねている。そし
て、抵抗パッド２６Ｃ，２６Ｄは中心導体５より広幅
に、狭幅部２７Ｄは中心導体５より狭幅に形成されてい
る。このように構成された回路素子パターン２４は中心
導体無形成部２２とほぼ同じ長さに形成されている。
【００１６】そして、回路素子パターン２４が中心導体
無形成部２２上に位置するようにして、副絶縁体２１が
主絶縁体２の上側絶縁層３Ｂ上に積層一体化されてい
る。さらには、このようにして積層一体化された主、副
の両絶縁体２，２１にはこれら絶縁体２，２１を貫通し
てスルーホール２８Ａ，２８Ｂが形成されている。すな
わち、主、副の絶縁体２，２１が積層一体化された状態
では、狭幅部２７Ｄの両端にある抵抗パッド２６Ｃ，２
６Ｄは中心導体５の各開放端５ａ，５ｂの上方に配置さ
れることになる。そこで、両抵抗パッド２６Ｃ，２６Ｄ
と両開放端５ａ，５ｂとにわたるスルーホール２８Ａ，
２８Ｂにスルーホールメッキを施すことにより中心導体
５の各開放端５ａ，５ｂと抵抗パッド２６Ｃ，２６Ｄと
を接続する。また、同様な構造でスルーホール３１，３
２は、抵抗パッド２６Ｃ，２６Ｄを貫通してアース導体
４，４，２５に接続される。なお、スルーホール２８
Ａ，２８Ｂは、絶縁層３Ａ，３Ｂ，２３Ｂのアース導体
４，４，２５を貫通して配設されることになるが、アー
ス導体４，４，２５はそのスルーホール配置位置に切欠
部３０が形成されており、スルーホール２８Ａ，２８Ｂ
に施されたメッキ等によって中心導体５とアース導体
４，４，２５とが短絡されることはない。
無形成部２２上に位置するようにして、副絶縁体２１が
主絶縁体２の上側絶縁層３Ｂ上に積層一体化されてい
る。さらには、このようにして積層一体化された主、副
の両絶縁体２，２１にはこれら絶縁体２，２１を貫通し
てスルーホール２８Ａ，２８Ｂが形成されている。すな
わち、主、副の絶縁体２，２１が積層一体化された状態
では、狭幅部２７Ｄの両端にある抵抗パッド２６Ｃ，２
６Ｄは中心導体５の各開放端５ａ，５ｂの上方に配置さ
れることになる。そこで、両抵抗パッド２６Ｃ，２６Ｄ
と両開放端５ａ，５ｂとにわたるスルーホール２８Ａ，
２８Ｂにスルーホールメッキを施すことにより中心導体
５の各開放端５ａ，５ｂと抵抗パッド２６Ｃ，２６Ｄと
を接続する。また、同様な構造でスルーホール３１，３
２は、抵抗パッド２６Ｃ，２６Ｄを貫通してアース導体
４，４，２５に接続される。なお、スルーホール２８
Ａ，２８Ｂは、絶縁層３Ａ，３Ｂ，２３Ｂのアース導体
４，４，２５を貫通して配設されることになるが、アー
ス導体４，４，２５はそのスルーホール配置位置に切欠
部３０が形成されており、スルーホール２８Ａ，２８Ｂ
に施されたメッキ等によって中心導体５とアース導体
４，４，２５とが短絡されることはない。
【００１７】このようにしてスルーホール２８Ａ，２８
Ｂが形成されると、回路素子パターン２４は中心導体５
に直列に接続されることになる。そして、抵抗パッド２
６Ｃ，２６Ｄおよび狭幅部２７Ｄからなるレジスタンス
素子によってアッテネータ回路素子部が構成されること
になる。
Ｂが形成されると、回路素子パターン２４は中心導体５
に直列に接続されることになる。そして、抵抗パッド２
６Ｃ，２６Ｄおよび狭幅部２７Ｄからなるレジスタンス
素子によってアッテネータ回路素子部が構成されること
になる。
【００１８】第４実施例 図４は本発明の第４実施例の平行ストリップラインケー
ブルの分解斜視図である。この平行ストリップラインケ
ーブル４０は積層一体化された上下一対の絶縁層３Ａ，
３Ｂからなる可塑性あるいは可撓性を有する材質の主絶
縁体２を備えるとともに、これら絶縁層３Ａ，３Ｂの対
向方向外側面３ａ，３ｂには薄膜状のアース導体４が、
また、下側絶縁層３Ａの対向面３ｃには同じく薄膜状の
中心導体５が形成されており、以上の構造は第１，２の
実施例と同様である。
ブルの分解斜視図である。この平行ストリップラインケ
ーブル４０は積層一体化された上下一対の絶縁層３Ａ，
３Ｂからなる可塑性あるいは可撓性を有する材質の主絶
縁体２を備えるとともに、これら絶縁層３Ａ，３Ｂの対
向方向外側面３ａ，３ｂには薄膜状のアース導体４が、
また、下側絶縁層３Ａの対向面３ｃには同じく薄膜状の
中心導体５が形成されており、以上の構造は第１，２の
実施例と同様である。
【００１９】この平行ストリップラインケーブル４０は
ローパスフィルタ回路素子部形成用の可塑性あるいは可
撓性を有する材質の副絶縁体２１を備えており、さらに
は、中心導体５の中途部が分断されて中心導体無形成部
２２が形成されている。すなわち、副絶縁体２１は主絶
縁体２と同様、積層一体化された上下一対の絶縁層２３
Ａ，２３Ｂからなっており、下側絶縁層２３Ａの上面２
３ａには回路素子パターン２４が、また、上側絶縁層２
３Ｂの上面２３ｂ全面には薄膜状のアース導体２５がそ
れぞれ形成されている。
ローパスフィルタ回路素子部形成用の可塑性あるいは可
撓性を有する材質の副絶縁体２１を備えており、さらに
は、中心導体５の中途部が分断されて中心導体無形成部
２２が形成されている。すなわち、副絶縁体２１は主絶
縁体２と同様、積層一体化された上下一対の絶縁層２３
Ａ，２３Ｂからなっており、下側絶縁層２３Ａの上面２
３ａには回路素子パターン２４が、また、上側絶縁層２
３Ｂの上面２３ｂ全面には薄膜状のアース導体２５がそ
れぞれ形成されている。
【００２０】回路素子パターン２４は一対の容量電極パ
ッド２６Ａ，２６Ｂと計３つの狭幅部２７Ａ，２７Ｂ，
２７Ｃとからなっている。そして、狭幅部２７Ａ，２７
Ｂ，２７Ｃのひとつである中間狭幅部２７Ｂは容量電極
パッド２６Ａ，２６Ｂの間に配設されてこれらを接続し
ている。また、他の二つ両端狭幅部２７Ａ，２７Ｃは各
容量電極パッド２６Ａ，２６Ｂの外側にあって容量電極
パッド２６Ａ，２６Ｂに連通されている。そして、容量
電極パッド２６Ａ，２６Ｂは中心導体５より広幅に、各
狭幅部２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃは中心導体５より狭幅に
形成されている。このように構成された回路素子パター
ン２４は中心導体無形成部２２とほぼ同じ長さに形成さ
れている。
ッド２６Ａ，２６Ｂと計３つの狭幅部２７Ａ，２７Ｂ，
２７Ｃとからなっている。そして、狭幅部２７Ａ，２７
Ｂ，２７Ｃのひとつである中間狭幅部２７Ｂは容量電極
パッド２６Ａ，２６Ｂの間に配設されてこれらを接続し
ている。また、他の二つ両端狭幅部２７Ａ，２７Ｃは各
容量電極パッド２６Ａ，２６Ｂの外側にあって容量電極
パッド２６Ａ，２６Ｂに連通されている。そして、容量
電極パッド２６Ａ，２６Ｂは中心導体５より広幅に、各
狭幅部２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃは中心導体５より狭幅に
形成されている。このように構成された回路素子パター
ン２４は中心導体無形成部２２とほぼ同じ長さに形成さ
れている。
【００２１】そして、回路素子パターン２４が中心導体
無形成部２２上に位置するようにして、副絶縁体２１が
主絶縁体２の上側絶縁層３Ｂ上に積層一体化されてい
る。さらに、このようにして積層一体化された主、副の
両絶縁体２，２１にはこれら絶縁体２，２１を貫通して
スルーホール２８Ａ，２８Ｂが形成されている。すなわ
ち、主、副の絶縁体２，２１が積層一体化された状態で
は、両端狭幅部２７Ａ，２７Ｂの先端にある接続パッド
２９Ａ，２９Ｂは中心導体５の各開放端５ａ，５ｂの上
方に配置されることになる。そこで両接続パッド２９
Ａ，２９Ｂと両開放端５ａ，５ｂとにわたるスルーホー
ル２８Ａ，２８Ｂを両絶縁体２，２１に貫通形成し、こ
のスルーホール２８Ａ，２８Ｂにスルーホールメッキを
施すことにより中心導体５の各開放端５ａ，５ｂと両接
続パッド２９Ａ，２９Ｂとを接続する。なお、スルーホ
ール２８Ａ，２８Ｂは絶縁層３Ａ，３Ｂ，２３Ｂのアー
ス導体４，４，２５を貫通して配設されることになる
が、アース導体４，４，２５はそのスルーホール配設位
置に切欠部３０が形成されており、スルーホール２８
Ａ，２８Ｂに施されたメッキ等によって中心導体５とア
ース導体４，４，２５とが短絡されることはない。
無形成部２２上に位置するようにして、副絶縁体２１が
主絶縁体２の上側絶縁層３Ｂ上に積層一体化されてい
る。さらに、このようにして積層一体化された主、副の
両絶縁体２，２１にはこれら絶縁体２，２１を貫通して
スルーホール２８Ａ，２８Ｂが形成されている。すなわ
ち、主、副の絶縁体２，２１が積層一体化された状態で
は、両端狭幅部２７Ａ，２７Ｂの先端にある接続パッド
２９Ａ，２９Ｂは中心導体５の各開放端５ａ，５ｂの上
方に配置されることになる。そこで両接続パッド２９
Ａ，２９Ｂと両開放端５ａ，５ｂとにわたるスルーホー
ル２８Ａ，２８Ｂを両絶縁体２，２１に貫通形成し、こ
のスルーホール２８Ａ，２８Ｂにスルーホールメッキを
施すことにより中心導体５の各開放端５ａ，５ｂと両接
続パッド２９Ａ，２９Ｂとを接続する。なお、スルーホ
ール２８Ａ，２８Ｂは絶縁層３Ａ，３Ｂ，２３Ｂのアー
ス導体４，４，２５を貫通して配設されることになる
が、アース導体４，４，２５はそのスルーホール配設位
置に切欠部３０が形成されており、スルーホール２８
Ａ，２８Ｂに施されたメッキ等によって中心導体５とア
ース導体４，４，２５とが短絡されることはない。
【００２２】このようにしてスルーホール２８Ａ，２８
Ｂが形成されると、回路素子パターン２４は中心導体５
に直列に接続されることになる。そして、各容量電極パ
ッド２６Ａ，２６Ｂと各アース導体４，２５との間に
は、絶縁層２３Ａ，２３Ｂを誘電層としたコンデンサが
形成され、さらには各狭幅部２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃは
インダクタンスコイルとして機能する。そのため、これ
らＬＣ回路素子によってローパスフィルタ回路素子部が
構成されることになる。
Ｂが形成されると、回路素子パターン２４は中心導体５
に直列に接続されることになる。そして、各容量電極パ
ッド２６Ａ，２６Ｂと各アース導体４，２５との間に
は、絶縁層２３Ａ，２３Ｂを誘電層としたコンデンサが
形成され、さらには各狭幅部２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃは
インダクタンスコイルとして機能する。そのため、これ
らＬＣ回路素子によってローパスフィルタ回路素子部が
構成されることになる。
【００２３】なお、各コンデンサの誘電層を構成する絶
縁層のうち、主絶縁体２の上側絶縁層３Ｂは主伝送路を
構成するためにその誘電率や厚みを任意に設定すること
が困難である。しかしながら、副絶縁体２１を構成する
各絶縁層２３Ａ，２３Ｂは直接には主伝送路を構成する
ものではないので、その誘電率や厚みは比較的任意に設
定することができる。そのため、これら絶縁層２３Ａ，
２３Ｂの誘電率や厚みを変動させればローパスフィルタ
回路素子部の特性を比較的任意に設計することができ
る。
縁層のうち、主絶縁体２の上側絶縁層３Ｂは主伝送路を
構成するためにその誘電率や厚みを任意に設定すること
が困難である。しかしながら、副絶縁体２１を構成する
各絶縁層２３Ａ，２３Ｂは直接には主伝送路を構成する
ものではないので、その誘電率や厚みは比較的任意に設
定することができる。そのため、これら絶縁層２３Ａ，
２３Ｂの誘電率や厚みを変動させればローパスフィルタ
回路素子部の特性を比較的任意に設計することができ
る。
【００２４】ところで、上記各実施例を構成する平行ス
トリップラインケーブル１，１０，２０，４０は以下の
ような理由により、小形化、特に低背化が可能であると
いう特徴を有している。
トリップラインケーブル１，１０，２０，４０は以下の
ような理由により、小形化、特に低背化が可能であると
いう特徴を有している。
【００２５】すなわち、平行ストリップラインケーブル
１，１０，２０，４０の特性インピーダンスＺ0は、Ｗ
／（ｂ−ｔ）≧０．３５の場合は数１により、また、Ｗ
／（ｂ−ｔ）＜０．３５、ｔ／ｂ≦０．２５、ｔ／Ｗ≦
０．１１の場合は数２により求められる。なお、数１中
の値Ｃｆは数３によって、また、数３中の値αは数４に
よって求められる。
１，１０，２０，４０の特性インピーダンスＺ0は、Ｗ
／（ｂ−ｔ）≧０．３５の場合は数１により、また、Ｗ
／（ｂ−ｔ）＜０．３５、ｔ／ｂ≦０．２５、ｔ／Ｗ≦
０．１１の場合は数２により求められる。なお、数１中
の値Ｃｆは数３によって、また、数３中の値αは数４に
よって求められる。
【００２６】
【数１】
【００２７】
【数２】
【００２８】
【数３】
【００２９】
【数４】
【００３０】Ｚ0：特性インピーダンス Ｗ：中心導体５の幅 ｔ：中心導体５の厚み εｒ：絶縁体（主絶縁体）２の比誘電率 ｂ：絶縁体（主絶縁体）２の厚み これら式により明らかなように、特性インピーダンスＺ
0を一定とした場合、中心導体５の厚みｔを薄くすれ
ば、絶縁体（主絶縁体）２の厚みｂは可及的に薄くな
る。平行ストリップライン１，１０，２０，４０を構成
する中心導体５はスパッタリング膜、蒸着膜といった薄
膜から構成することができるので、その厚みｔを薄くす
ることは容易である。そのため、中心導体５の厚みを薄
く設定することにより全体の低背化ができるのである。
例えば、絶縁体（主絶縁体）２としてフッ素樹脂（εｒ
＝２．０４）を用いて、特性インピーダンス５０Ωの平
行ストリップラインケーブル１，１０，２０，４０を設
計すると、中心導体５の幅Ｗを０．２ｍｍ、厚みｔを
０．００５ｍｍ、絶縁体（主絶縁体）５の厚みｂを０．
２５ｍｍとすることができる。そして、アース導体４の
厚さを中心導体５と同様に０．００５ｍｍとすると、平
行ストリップラインケーブル１，１０，２０，４０全体
の厚みはおおよそ０．３４ｍｍとなる。これは同等の性
能を有する同軸ケーブルの外径のほぼ半分である。
0を一定とした場合、中心導体５の厚みｔを薄くすれ
ば、絶縁体（主絶縁体）２の厚みｂは可及的に薄くな
る。平行ストリップライン１，１０，２０，４０を構成
する中心導体５はスパッタリング膜、蒸着膜といった薄
膜から構成することができるので、その厚みｔを薄くす
ることは容易である。そのため、中心導体５の厚みを薄
く設定することにより全体の低背化ができるのである。
例えば、絶縁体（主絶縁体）２としてフッ素樹脂（εｒ
＝２．０４）を用いて、特性インピーダンス５０Ωの平
行ストリップラインケーブル１，１０，２０，４０を設
計すると、中心導体５の幅Ｗを０．２ｍｍ、厚みｔを
０．００５ｍｍ、絶縁体（主絶縁体）５の厚みｂを０．
２５ｍｍとすることができる。そして、アース導体４の
厚さを中心導体５と同様に０．００５ｍｍとすると、平
行ストリップラインケーブル１，１０，２０，４０全体
の厚みはおおよそ０．３４ｍｍとなる。これは同等の性
能を有する同軸ケーブルの外径のほぼ半分である。
【００３１】このように理由で低背化が可能な平行スト
リップラインケーブル内に、前述したインピーダンス調
整回路素子部やアッテネータ回路素子部やローパスフィ
ルタ素子回路部といった回路素子部を配設しているの
で、この平行ストリップラインケーブルを組み込めば、
高性能でかつ小型の高周波機器が得られるようになる。
リップラインケーブル内に、前述したインピーダンス調
整回路素子部やアッテネータ回路素子部やローパスフィ
ルタ素子回路部といった回路素子部を配設しているの
で、この平行ストリップラインケーブルを組み込めば、
高性能でかつ小型の高周波機器が得られるようになる。
【００３２】また、平行ストリップラインケーブルとし
ては、各実施例に示したものだけではなく、電磁波リー
クを防止する目的から絶縁体全体の周面全体をアース導
体で覆ってシールドしたものや、平行ストリップライン
ケーブル全体をさらに、絶縁体皮膜で覆って他の部材と
の間の絶縁を確保したものでもよい。
ては、各実施例に示したものだけではなく、電磁波リー
クを防止する目的から絶縁体全体の周面全体をアース導
体で覆ってシールドしたものや、平行ストリップライン
ケーブル全体をさらに、絶縁体皮膜で覆って他の部材と
の間の絶縁を確保したものでもよい。
【００３３】さらには、平行ストリップラインケーブル
に設ける回路素子部としては、上記実施例のようなイン
ピーダンス調整回路素子部やアッテネータ回路素子部や
ローパスフィルタ回路素子部に限定されるものではな
く、位相調整回路素子部といった他の回路素子部でもよ
いのはいうまでもない。
に設ける回路素子部としては、上記実施例のようなイン
ピーダンス調整回路素子部やアッテネータ回路素子部や
ローパスフィルタ回路素子部に限定されるものではな
く、位相調整回路素子部といった他の回路素子部でもよ
いのはいうまでもない。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高周波
伝送線路である平行ストリップラインケーブルに回路素
子部と可塑性あるいは可撓性とを備えさせたので、この
回路素子部が有する電気的付加機能によって平行ストリ
ップラインケーブルやこの平行ストリップラインケーブ
ルが組み込まれる高周波機器の高性能化が可能になっ
た。また、このような高性能化に際して、回路素子部を
平行ストリップラインケーブルに組み込んでいる。その
ため、この平行ストリップラインケーブルを機器内に配
線するだけで良く、回路素子部を別部品として高周波装
置内に配設する必要がなくなり、その分、高周波機器の
小型化が図れた。つまり、この平行ストリップラインケ
ーブルは、高周波機器全体構造を大型化することなく高
性能化が図れるという優れた効果を有している。
伝送線路である平行ストリップラインケーブルに回路素
子部と可塑性あるいは可撓性とを備えさせたので、この
回路素子部が有する電気的付加機能によって平行ストリ
ップラインケーブルやこの平行ストリップラインケーブ
ルが組み込まれる高周波機器の高性能化が可能になっ
た。また、このような高性能化に際して、回路素子部を
平行ストリップラインケーブルに組み込んでいる。その
ため、この平行ストリップラインケーブルを機器内に配
線するだけで良く、回路素子部を別部品として高周波装
置内に配設する必要がなくなり、その分、高周波機器の
小型化が図れた。つまり、この平行ストリップラインケ
ーブルは、高周波機器全体構造を大型化することなく高
性能化が図れるという優れた効果を有している。
【図１】本発明の第１実施例の平行ストリップラインケ
ーブルの構造を示す分解斜視図である。
ーブルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の第２実施例の平行ストリップラインケ
ーブルの構造を示す分解斜視図である。
ーブルの構造を示す分解斜視図である。
【図３】本発明の第３実施例の平行ストリップラインケ
ーブルの構造を示す分解斜視図である。
ーブルの構造を示す分解斜視図である。
【図４】本発明の第４実施例の平行ストリップラインケ
ーブルの構造を示す分解斜視図である。
ーブルの構造を示す分解斜視図である。
【図５】従来例の同軸ケーブルを用いた小型高周波機器
の断面図である。
の断面図である。
２ 絶縁体（主絶縁体） ４ アース導体 ５ 中心導体 ７ 並列スタブ １３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ 狭幅部 ２１ 副絶縁体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中西 清史 神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目３番１ 号 松下通信工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】平行な一対のアース導体の間に可塑性ある
いは可撓性を有する絶縁体を設けるとともに該絶縁体の
内部に中心導体を設け、かつ前記絶縁体内に回路素子部
を配設し、可塑性あるいは可撓性を有する構造としたこ
とを特徴とする平行ストリップラインケーブル。 - 【請求項２】前記回路素子部が前記中心導体から分岐さ
れたスタブを備えていることを特徴とする請求項１記載
の平行ストリップラインケーブル。 - 【請求項３】前記回路素子部がインダクタンス機能部を
備えていることを特徴とする請求項１記載の平行ストリ
ップラインケーブル。 - 【請求項４】前記回路素子部がレジスタンス機能部を備
えていることを特徴とする請求項１記載の平行ストリッ
プラインケーブル。 - 【請求項５】前記回路素子部がキャパシタンス機能部を
備えていることを特徴とする請求項１記載の平行ストリ
ップラインケーブル。 - 【請求項６】平行な一対のアース導体の間に可塑性ある
いは可撓性を有する主絶縁体を設けるとともに該主絶縁
体の内部に中心導体を設けており、かつ、前記主絶縁体
に可塑性あるいは可撓性を有する副絶縁体を積層すると
ともに該副絶縁体内に回路素子部を配設し、可塑性ある
いは可撓性を有する構造としたことを特徴とする平行ス
トリップラインケーブル。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10279793A JP3350792B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 平行ストリップラインケーブル |
| CN 94104655 CN1097082A (zh) | 1993-04-28 | 1994-04-28 | 多层型高频平行带状线电缆 |
| US08/440,887 US5525953A (en) | 1993-04-28 | 1995-05-15 | Multi-plate type high frequency parallel strip-line cable comprising circuit device part integratedly formed in dielectric body of the cable |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10279793A JP3350792B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 平行ストリップラインケーブル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309950A true JPH06309950A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3350792B2 JP3350792B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=14337078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10279793A Expired - Lifetime JP3350792B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 平行ストリップラインケーブル |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3350792B2 (ja) |
| CN (1) | CN1097082A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002019461A1 (fr) * | 2000-08-30 | 2002-03-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ligne haute frequence et circuit haute frequence |
| JP2008186857A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
| KR101350107B1 (ko) * | 2012-10-08 | 2014-01-10 | (주)인터플렉스 | 고속신호 전송 통신선로 |
| WO2014119362A1 (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | 株式会社村田製作所 | フラットケーブル型高周波フィルタ、フラットケーブル型高周波ダイプレクサ、および電子機器 |
| WO2014185231A1 (ja) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | 株式会社村田製作所 | 信号伝送ケーブル、および通信機器モジュール |
| JP2015156513A (ja) * | 2013-02-19 | 2015-08-27 | 株式会社村田製作所 | インダクタブリッジおよび電子機器 |
| JP2016015740A (ja) * | 2012-08-10 | 2016-01-28 | 株式会社村田製作所 | 積層体および通信装置 |
| US9728459B2 (en) | 2012-11-23 | 2017-08-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for singulating an assemblage into semiconductor chips, and semiconductor chip |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7566952B2 (en) * | 2005-01-05 | 2009-07-28 | International Business Machines Corporation | On-chip circuit pad structure |
| EP1909354A1 (en) | 2006-10-05 | 2008-04-09 | Fujikura Ltd. | Reflection-type bandpass filter |
| JP2008098702A (ja) | 2006-10-05 | 2008-04-24 | Fujikura Ltd | 反射型バンドパスフィルター |
| JP2008098705A (ja) | 2006-10-05 | 2008-04-24 | Fujikura Ltd | 反射型バンドパスフィルター |
| EP1909352B1 (en) | 2006-10-05 | 2013-05-15 | Fujikura Ltd. | Reflection-type bandpass filter |
| JP2008098701A (ja) | 2006-10-05 | 2008-04-24 | Fujikura Ltd | 反射型バンドパスフィルター |
| JP4993037B2 (ja) * | 2009-08-11 | 2012-08-08 | 株式会社村田製作所 | 信号線路 |
| CN102117948B (zh) * | 2010-12-28 | 2014-07-16 | 中国兵器工业第二0六研究所 | 复合材料带状线波导 |
| CN110011010B (zh) * | 2019-04-28 | 2024-05-10 | 重庆思睿创瓷电科技有限公司 | 用于低通滤波器的带状线结构、低通滤波器、通信装置及系统 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP10279793A patent/JP3350792B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-04-28 CN CN 94104655 patent/CN1097082A/zh active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002019461A1 (fr) * | 2000-08-30 | 2002-03-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ligne haute frequence et circuit haute frequence |
| JP2008186857A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
| US8227699B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-07-24 | Nitto Denko Corporation | Printed circuit board |
| JP2016015740A (ja) * | 2012-08-10 | 2016-01-28 | 株式会社村田製作所 | 積層体および通信装置 |
| KR101350107B1 (ko) * | 2012-10-08 | 2014-01-10 | (주)인터플렉스 | 고속신호 전송 통신선로 |
| US9728459B2 (en) | 2012-11-23 | 2017-08-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for singulating an assemblage into semiconductor chips, and semiconductor chip |
| US9570784B2 (en) | 2013-02-01 | 2017-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Flat cable high-frequency filter, flat cable high-frequency diplexer, and electronic device |
| WO2014119362A1 (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | 株式会社村田製作所 | フラットケーブル型高周波フィルタ、フラットケーブル型高周波ダイプレクサ、および電子機器 |
| JP2015156513A (ja) * | 2013-02-19 | 2015-08-27 | 株式会社村田製作所 | インダクタブリッジおよび電子機器 |
| JP2018029191A (ja) * | 2013-02-19 | 2018-02-22 | 株式会社村田製作所 | インダクタブリッジおよび電子機器 |
| JP2019212924A (ja) * | 2013-02-19 | 2019-12-12 | 株式会社村田製作所 | インダクタブリッジおよび電子機器 |
| WO2014185231A1 (ja) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | 株式会社村田製作所 | 信号伝送ケーブル、および通信機器モジュール |
| US9887446B2 (en) | 2013-05-15 | 2018-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Signal transmission cable and communication device module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1097082A (zh) | 1995-01-04 |
| JP3350792B2 (ja) | 2002-11-25 |
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