JPH02281810A - 高周波可変減衰器 - Google Patents
高周波可変減衰器Info
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- JPH02281810A JPH02281810A JP10277889A JP10277889A JPH02281810A JP H02281810 A JPH02281810 A JP H02281810A JP 10277889 A JP10277889 A JP 10277889A JP 10277889 A JP10277889 A JP 10277889A JP H02281810 A JPH02281810 A JP H02281810A
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- impedance
- diode
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- variable attenuator
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Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 241000252233 Cyprinus carpio Species 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Attenuators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、直流バイアス電流値により高周波抵抗値が変
化する特性をもつダイオードを使用した高周波可変減衰
器に関する。
化する特性をもつダイオードを使用した高周波可変減衰
器に関する。
従来、高周波回路において信号のレベルを可変させる場
合、直流バイアス電流値により高周波抵抗値が変化する
特性をもつダイオードを使用した高周波可変減衰器の回
路例として、橋絡Ｔ形回路が広く用いられている。
合、直流バイアス電流値により高周波抵抗値が変化する
特性をもつダイオードを使用した高周波可変減衰器の回
路例として、橋絡Ｔ形回路が広く用いられている。
第５図はこの従来例の基本回路構成を示す図である。た
だしこの第５図では原理説明のため上記ダイオードのバ
イアス回路は省略しである。第５図において、１．２は
抵抗で直列に接続されている。３はこの直列回路に並列
に接続した第１ダイオードで、直流バイアス電流値によ
り高周波抵抗値が変化する特性をもっている。４は抵抗
１．２の接続点に接続した第２ダイオードで、上記第１
ダイオード３と同様の特性をもっている。
だしこの第５図では原理説明のため上記ダイオードのバ
イアス回路は省略しである。第５図において、１．２は
抵抗で直列に接続されている。３はこの直列回路に並列
に接続した第１ダイオードで、直流バイアス電流値によ
り高周波抵抗値が変化する特性をもっている。４は抵抗
１．２の接続点に接続した第２ダイオードで、上記第１
ダイオード３と同様の特性をもっている。
抵抗１のインピーダンスをＺ（ＩＩ抵抗２のインピーダ
ンスをＺ、、第１ダイオード３のインピーダンスをＺＩ
＋第２ダイオード４のインピーダンスを２２とした場合
、上記従来減衰器が特性インピーダンスＺ０を有する伝
送路に挿入された時、この減衰器が与える減衰量は ｅ ２０ ｌｏｇ （１＋ ） （ｄＢ） −−
−−一−（１１で示されることは良く知られている。
ンスをＺ、、第１ダイオード３のインピーダンスをＺＩ
＋第２ダイオード４のインピーダンスを２２とした場合
、上記従来減衰器が特性インピーダンスＺ０を有する伝
送路に挿入された時、この減衰器が与える減衰量は ｅ ２０ ｌｏｇ （１＋ ） （ｄＢ） −−
−−一−（１１で示されることは良く知られている。
ただし条件として、
７： ＝ Ｚ 、 ｘ Ｚ ！−−−−−−−−−−−
−（２）の関係を必要とし、この関係が満足される周波
数範囲では、上記減衰器の入出力インピーダンスは特性
インピーダンスＺ、に等しい。
−（２）の関係を必要とし、この関係が満足される周波
数範囲では、上記減衰器の入出力インピーダンスは特性
インピーダンスＺ、に等しい。
＋１）式及び（２）弐から、Ｚ＋ ＝Ｚｚ ＝Ｚｏすな
わち６ （ｄＢ）の減衰量を与える場合を除いて、他の
減衰量の場合には、Ｚｌ ≠２１となり、このことは、
２個の第１ 、第２ダイオード３，４のバイアス電流は
各々異なることを意味し、換言すれば、バイアス電流を
供給するバイアス回路として、当該第１、第２ダイオー
ド３，４に対応して、２系統のバイアス回路を必要とす
ることになり、所要の減衰量を設定するには、２系統の
バイアス回路を調整する必要が生じ、またバイアス回路
を含めた回路構成が複雑になるという課題があった。
わち６ （ｄＢ）の減衰量を与える場合を除いて、他の
減衰量の場合には、Ｚｌ ≠２１となり、このことは、
２個の第１ 、第２ダイオード３，４のバイアス電流は
各々異なることを意味し、換言すれば、バイアス電流を
供給するバイアス回路として、当該第１、第２ダイオー
ド３，４に対応して、２系統のバイアス回路を必要とす
ることになり、所要の減衰量を設定するには、２系統の
バイアス回路を調整する必要が生じ、またバイアス回路
を含めた回路構成が複雑になるという課題があった。
本発明は前記課題を解決するためになされたもので、減
衰器の使用周波数帯を狭帯域に限った場合（例えば、通
常の無線周波数送受信機では使用周波数帯が限定される
）、前記橋絡Ｔ形回路構成の高周波可変減衰器を一部変
更することにより、２個の第１．第２ダイオード３，４
に対し所要減衰量を得る時のバイアス電流を同一にして
構成できる高周波可変減衰器を提供することを目的とす
るものである。
衰器の使用周波数帯を狭帯域に限った場合（例えば、通
常の無線周波数送受信機では使用周波数帯が限定される
）、前記橋絡Ｔ形回路構成の高周波可変減衰器を一部変
更することにより、２個の第１．第２ダイオード３，４
に対し所要減衰量を得る時のバイアス電流を同一にして
構成できる高周波可変減衰器を提供することを目的とす
るものである。
即ち、本発明の第１高周波可変減衰器は、上記目的を達
成するため、第１図示のようにインピーダンスＺｏの回
路素子１．２を直列に接続し、この直列回路に、直流バ
イアス電流値により高周波抵抗値が変化する特性をもつ
インピーダンスＺ１の第１ダイオード３を並列に接続し
、前記回路素子１．２の接続点に、直流バイアス電流値
により高周波抵抗値が変化する特性をもつインピーダン
スＺｔの第２ダイオード４を接続してなる高周波可変減
衰器において、前記第２ダイオード４に、特性インピー
ダンスＺ、を有する×波長の分布定数回路５を直列に接
続してなる構成としたものである。
成するため、第１図示のようにインピーダンスＺｏの回
路素子１．２を直列に接続し、この直列回路に、直流バ
イアス電流値により高周波抵抗値が変化する特性をもつ
インピーダンスＺ１の第１ダイオード３を並列に接続し
、前記回路素子１．２の接続点に、直流バイアス電流値
により高周波抵抗値が変化する特性をもつインピーダン
スＺｔの第２ダイオード４を接続してなる高周波可変減
衰器において、前記第２ダイオード４に、特性インピー
ダンスＺ、を有する×波長の分布定数回路５を直列に接
続してなる構成としたものである。
本発明の第２高周波可変減衰器は同じ目的を達成するた
め、第２図示のようにインピーダンスＺ０の回路素子１
．２を直列に接続し、この直列回路に、直流バイアス電
流値により高周波抵抗値が変化する特性をもつインピー
ダンスｚＩの第１ダイオード３を並列に接続し、前記回
路素子１．２の接続点に、直流バイアス電流値により高
周波抵抗値が変化する特性をもつインピーダンスＺ２の
第２ダイオード４を接続してなる高周波可変減衰器にお
いて、回路素子１．２の接続点と、第２ダイオード４と
の間に、インピーダンス反転回路９を接続してなる構成
としたものである。
め、第２図示のようにインピーダンスＺ０の回路素子１
．２を直列に接続し、この直列回路に、直流バイアス電
流値により高周波抵抗値が変化する特性をもつインピー
ダンスｚＩの第１ダイオード３を並列に接続し、前記回
路素子１．２の接続点に、直流バイアス電流値により高
周波抵抗値が変化する特性をもつインピーダンスＺ２の
第２ダイオード４を接続してなる高周波可変減衰器にお
いて、回路素子１．２の接続点と、第２ダイオード４と
の間に、インピーダンス反転回路９を接続してなる構成
としたものである。
第１高周波可変減衰器において、第３図の矢印方向から
見たインピーダンスをＺｉｎ 、第２ダイオード４のイ
ンピーダンスをＺＪとするとき、Ｚｉｎは次の（３）式
で示される。
見たインピーダンスをＺｉｎ 、第２ダイオード４のイ
ンピーダンスをＺＪとするとき、Ｚｉｎは次の（３）式
で示される。
’Ｚ： ＝Ｚｉｎ Ｘ Ｚｊ−−−−−−−−−−（３
）また、Ｚｌが第１ダイオード３のインピーダンス２、
に等しいときには（３）式は Ｚ；＝ＺｉｎＸ Ｚ＋ −−−−−−−−−（４）とな
り、（４）式を前記（２）式と比較すると、Ｚｉｎ”’
Ｚｚとなり、このことはＡ波長の分布定数回路５によっ
て第２ダイオード４のインピーダンスが見かけ上、Ｚｌ
から２２へと変換されることに等しい。
）また、Ｚｌが第１ダイオード３のインピーダンス２、
に等しいときには（３）式は Ｚ；＝ＺｉｎＸ Ｚ＋ −−−−−−−−−（４）とな
り、（４）式を前記（２）式と比較すると、Ｚｉｎ”’
Ｚｚとなり、このことはＡ波長の分布定数回路５によっ
て第２ダイオード４のインピーダンスが見かけ上、Ｚｌ
から２２へと変換されることに等しい。
換言すると、第１図において第１．第２ダイオ−ド３，
４のインピーダンスを共にＺＩとすると、第１図の回路
は第５図の回路と等価となり、同一の減衰量を与える回
路構成であることが解る。このことは２個の第１．第２
ダイオード３．４のバイアス電流は同一でよいことを示
しており、バイアス回路を１個にすることができる。
４のインピーダンスを共にＺＩとすると、第１図の回路
は第５図の回路と等価となり、同一の減衰量を与える回
路構成であることが解る。このことは２個の第１．第２
ダイオード３．４のバイアス電流は同一でよいことを示
しており、バイアス回路を１個にすることができる。
第２高周波可変減衰器において第４図の矢印方向から見
たインピーダンスをＺｉｎ、第２ダイオード４のインピ
ーダンスをＺｌとするとき、Ｘｃ＋ ＝ＸＣ２＝ ＸＩ
＝Ｚ６−−−−−−−−＋５）の関係を与えれば第４
図の回路は上記第１高周波可変減衰器の原理説明用の第
３図の回路と同様な性質を有する回路であり、通常イン
ピーダンス反転回路９と呼ばれている。
たインピーダンスをＺｉｎ、第２ダイオード４のインピ
ーダンスをＺｌとするとき、Ｘｃ＋ ＝ＸＣ２＝ ＸＩ
＝Ｚ６−−−−−−−−＋５）の関係を与えれば第４
図の回路は上記第１高周波可変減衰器の原理説明用の第
３図の回路と同様な性質を有する回路であり、通常イン
ピーダンス反転回路９と呼ばれている。
ここでＸｃ、は第１コンデンサ７のリアクタンス。
Ｘｃｚは第２コンデンサ８のリアクタンス、 Ｘｅはコ
イル６のリアクタンスである。
イル６のリアクタンスである。
従って第２図の回路は前記第１図と同様に第５図の回路
に等価となり、やはり第１．第２ダイオード３，４のバ
イアス電流は同一のバイアス回路で供給できることにな
る。
に等価となり、やはり第１．第２ダイオード３，４のバ
イアス電流は同一のバイアス回路で供給できることにな
る。
以下図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明減衰器の第１実施例の構成を示す回路図
である。第１図中、１．２は抵抗で直列に接続されてい
る。３はこの直列回路に並列に接続した第１ダイオード
でミ直流バイアス電流値により高周波抵抗値が変化する
特性をもっている。
である。第１図中、１．２は抵抗で直列に接続されてい
る。３はこの直列回路に並列に接続した第１ダイオード
でミ直流バイアス電流値により高周波抵抗値が変化する
特性をもっている。
４．５はそれぞれ抵抗１，２の接続点に直列に接続され
た第２ダイオードと気波長の分布定数回路である。第２
ダイオード４は直流バイアス電流値により高周波抵抗値
が変化する特性をもっている。
た第２ダイオードと気波長の分布定数回路である。第２
ダイオード４は直流バイアス電流値により高周波抵抗値
が変化する特性をもっている。
ここでいう波長とは、減衰させる信号の周波数に対応し
た電気長を示す。
た電気長を示す。
第１図の第１実施例は第５図と同様に原理説明のため第
１．第２ダイオード３．４に対するバイアス回路は省略
しである。
１．第２ダイオード３．４に対するバイアス回路は省略
しである。
第３図は特性インピーダンスＺ０を有する４分の１波長
の分布定数回路５の性質を説明する図であり、同図にお
いて、Ｚｉｎはこの４分の１波長の分布定数回路５と第
２ダイオード４を直列に接続して構成される回路を、矢
印の方向からみたインピーダンスを表わす。このときＺ
ｉｎは広く知られている様に下記（３）式で示される。
の分布定数回路５の性質を説明する図であり、同図にお
いて、Ｚｉｎはこの４分の１波長の分布定数回路５と第
２ダイオード４を直列に接続して構成される回路を、矢
印の方向からみたインピーダンスを表わす。このときＺ
ｉｎは広く知られている様に下記（３）式で示される。
Ｚ： ＝Ｚｉｎ Ｘ ２ａ−−−−−−−−（３）こ
こでＺｌは第２ダイオード４のインピーダンスである。
こでＺｌは第２ダイオード４のインピーダンスである。
さらに、Ｚｌが第１図及び第５図における第１ダイオー
ド３のインピーダンスＺ１に等しい時には、（３）式は
、 Ｚ；＝Ｚｉｎ Ｘ Ｚ、 −−−−−−−−（４１とな
り、（４）式を前記（２）式と比較すると、Ｚｉｎ＝Ｚ
ｚとなり、このことは、４分の１波長の分布定数回路５
によって、第２ダイオード４のインピーダンスが見かけ
上２１から２２へと変換されることに等しい。換言する
と、第１図において第１．第２ダイオード３．４のイン
ピーダンスを共にＺ、とすると、第１図の回路は、第５
図のそれと等価となり、同一の減衰量を与える回路構成
であることがわかる。このことは、２個の第１゜第２ダ
イオード３．４のバイアス電流は同一で良いことを示し
ており、同一のバイアス回路を使用できることを示して
いる。
ド３のインピーダンスＺ１に等しい時には、（３）式は
、 Ｚ；＝Ｚｉｎ Ｘ Ｚ、 −−−−−−−−（４１とな
り、（４）式を前記（２）式と比較すると、Ｚｉｎ＝Ｚ
ｚとなり、このことは、４分の１波長の分布定数回路５
によって、第２ダイオード４のインピーダンスが見かけ
上２１から２２へと変換されることに等しい。換言する
と、第１図において第１．第２ダイオード３．４のイン
ピーダンスを共にＺ、とすると、第１図の回路は、第５
図のそれと等価となり、同一の減衰量を与える回路構成
であることがわかる。このことは、２個の第１゜第２ダ
イオード３．４のバイアス電流は同一で良いことを示し
ており、同一のバイアス回路を使用できることを示して
いる。
第２図は本発明減衰器の第２実施例の構成を示す回路図
である。第１図と同一符号を付した部品は同様の機能を
果たすものである。この第２実施例においても第１図及
び第５図と同様に原理説明のため、第１．第２ダイオー
ド３．４に対するバイアス回路は省略しである。
である。第１図と同一符号を付した部品は同様の機能を
果たすものである。この第２実施例においても第１図及
び第５図と同様に原理説明のため、第１．第２ダイオー
ド３．４に対するバイアス回路は省略しである。
この第２図の第２実施例は第１図の第１実施例における
Ａ波長の分布定数回路５の代わりにインピーダンス反転
回路９を用いた構成になっている。
Ａ波長の分布定数回路５の代わりにインピーダンス反転
回路９を用いた構成になっている。
このインピーダンス反転回路９は第１．第２コンデンサ
７．８とコイル６よりなるπ形回路を構成している。
７．８とコイル６よりなるπ形回路を構成している。
第４図は前記第３図と同様な性質を有する回路であり、
Ｘｃ、＝Ｘｃ、−Ｘｇ＝Ｌ−−−−−−−−（５）の関
係を与えれば、（３）式と同様な性質をもつ回路であり
、通常、インピーダンス反転回路と呼ばれている。
係を与えれば、（３）式と同様な性質をもつ回路であり
、通常、インピーダンス反転回路と呼ばれている。
ここでＸｃ、は第１コンデンサ７のりアクタンス。
Ｘｃｚは第２コンデンサ８のリアクタンス、 Ｘｓはコ
イル６のリアクタンスである。
イル６のリアクタンスである。
したがって第２図の回路は前記第１図と同様に、第５図
の回路に等価となり、やはり第１．第２ダイオード３．
４のバイアス電流は同一のバイアス回路で供給できるこ
とになる。
の回路に等価となり、やはり第１．第２ダイオード３．
４のバイアス電流は同一のバイアス回路で供給できるこ
とになる。
上述のように本発明によれば、２個の第１．第２ダイオ
ード３，４を使用した橋絡Ｔ形の高周波可変減衰器を一
部変更することにより２個の第１゜第２ダイオード３，
４のバイアス電流を同一のものとして回路を構成できる
ので、バイアス回路を１個とすることができ、回路構成
を簡易化し信頼性の向上、調整の容易さ及び価格低減化
を図ることができる。
ード３，４を使用した橋絡Ｔ形の高周波可変減衰器を一
部変更することにより２個の第１゜第２ダイオード３，
４のバイアス電流を同一のものとして回路を構成できる
ので、バイアス回路を１個とすることができ、回路構成
を簡易化し信頼性の向上、調整の容易さ及び価格低減化
を図ることができる。
第１図は本発明減衰器の第１実施例の構成を示す回路図
、第２図は本発明減衰器の第２実施例の構成を示す回路
図、第３図は第１図の第１実施例の原理説明用回路図、
第４図は第２図の第２実施例の原理説明用回路図、第５
図は従来減衰器の一例の構成を示す回路図である。 １．２・・・・・・回路素子（抵抗）、３．４・・・・
・・第１゜第２ダイオード、５・・・・・幅波長の分布
定数回路、６・・・・・・コイ）Ｌｔ、７ 、８・旧・
・第１ 、第２コンデンサ、９・・・・・・インピーダ
ンス反転回路。 箋１０ 答、９薗 箋９目 θ 箋２０ 箋５目
、第２図は本発明減衰器の第２実施例の構成を示す回路
図、第３図は第１図の第１実施例の原理説明用回路図、
第４図は第２図の第２実施例の原理説明用回路図、第５
図は従来減衰器の一例の構成を示す回路図である。 １．２・・・・・・回路素子（抵抗）、３．４・・・・
・・第１゜第２ダイオード、５・・・・・幅波長の分布
定数回路、６・・・・・・コイ）Ｌｔ、７ 、８・旧・
・第１ 、第２コンデンサ、９・・・・・・インピーダ
ンス反転回路。 箋１０ 答、９薗 箋９目 θ 箋２０ 箋５目
Claims (2)
- （１）インピーダンスＺ＿０の回路素子１、２を直列に
接続し、この直列回路に、直流バイアス電流値により高
周波抵抗値が変化する特性をもつインピーダンスＺ＿１
の第１ダイオード３を並列に接続し、前記回路素子１、
２の接続点に、直流バイアス電流値により高周波抵抗値
が変化する特性をもつインピーダンスＺ＿２の第２ダイ
オード４を接続してなる高周波可変減衰器において、前
記第２ダイオード４に、特性インピーダンスＺ＿０を有
する１／４波長の分布定数回路５を直列に接続してなる
高周波可変減衰器。 - （２）インピーダンスＺ＿０の回路素子１、２を直列に
接続し、この直列回路に、直流バイアス電流値により高
周波抵抗値が変化する特性をもつインピーダンスＺ＿１
の第１ダイオード３を並列に接続し、前記回路素子１、
２の接続点に、直流バイアス電流値により高周波抵抗値
が変化する特性をもつインピーダンスＺ＿２の第２ダイ
オード４を接続してなる高周波可変減衰器において、回
路素子１、２の接続点と、第２ダイオード４との間に、
インピーダンス反転回路９を接続してなる高周波可変減
衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10277889A JPH02281810A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 高周波可変減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10277889A JPH02281810A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 高周波可変減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281810A true JPH02281810A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=14336608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10277889A Pending JPH02281810A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 高周波可変減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02281810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011055181A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | New Japan Radio Co Ltd | 温度可変減衰器 |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP10277889A patent/JPH02281810A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011055181A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | New Japan Radio Co Ltd | 温度可変減衰器 |
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