JPH06310969A - 移相器 - Google Patents
移相器Info
- Publication number
- JPH06310969A JPH06310969A JP11761993A JP11761993A JPH06310969A JP H06310969 A JPH06310969 A JP H06310969A JP 11761993 A JP11761993 A JP 11761993A JP 11761993 A JP11761993 A JP 11761993A JP H06310969 A JPH06310969 A JP H06310969A
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- JP
- Japan
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- phase
- phase shifter
- circuit
- input
- phase change
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で且つ半導体チップに作製可能な移相器
を提供する。 【構成】 抵抗器と可変容量素子とからなる遅延回路
と、直流信号を遮断するための容量素子とを有し、前記
遅延回路を所望段数だけ縦続接続し、且つ前記容量素子
を前記縦続接続された遅延回路を挟んで入力側及び出力
側の双方に設ける。前記可変容量素子は直流信号によっ
て容量を変化させることができるもので、望ましくは可
変容量ダイオードである。この可変容量素子の容量を変
化させることで遅延回路の位相遅れ量を変化させること
ができ、正確な移相量を得ることができるとともに、移
相器を広帯域化できる。
を提供する。 【構成】 抵抗器と可変容量素子とからなる遅延回路
と、直流信号を遮断するための容量素子とを有し、前記
遅延回路を所望段数だけ縦続接続し、且つ前記容量素子
を前記縦続接続された遅延回路を挟んで入力側及び出力
側の双方に設ける。前記可変容量素子は直流信号によっ
て容量を変化させることができるもので、望ましくは可
変容量ダイオードである。この可変容量素子の容量を変
化させることで遅延回路の位相遅れ量を変化させること
ができ、正確な移相量を得ることができるとともに、移
相器を広帯域化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は入力波の位相を変化させ
る移相器に係り、例えばマイクロ波帯の位相変調回路な
どで使用される移相器に関する。
る移相器に係り、例えばマイクロ波帯の位相変調回路な
どで使用される移相器に関する。
【０００２】
【従来の技術】２相位相変調や４相位相変調などを実現
する位相変調回路では、移相器を用いて、１つの発振器
から位相の異なる搬送波を生成している。
する位相変調回路では、移相器を用いて、１つの発振器
から位相の異なる搬送波を生成している。
【０００３】図４は、マイクロ波帯における４相位相変
調回路のブロック構成図である。
調回路のブロック構成図である。
【０００４】同図において、局部発振器１０１から出力
された搬送波の一方を９０゜移相器１０２に入力させる
ことで、互いに位相が直交する搬送波が得られる。これ
らの搬送波を０−１８０゜変調器１０３及び１０４に入
力し、変調信号で変調し、それらの出力を合成すること
により、所望の４相位相変調出力を得ることができる。
された搬送波の一方を９０゜移相器１０２に入力させる
ことで、互いに位相が直交する搬送波が得られる。これ
らの搬送波を０−１８０゜変調器１０３及び１０４に入
力し、変調信号で変調し、それらの出力を合成すること
により、所望の４相位相変調出力を得ることができる。
【０００５】このような９０゜移相器１０２は、従来、
１／４波長の分布定数線路を基本として構成されてい
た。
１／４波長の分布定数線路を基本として構成されてい
た。
【０００６】図５は、従来の９０゜移相器の一例を示す
基本構成図である。
基本構成図である。
【０００７】この従来の移相器は、入力端１１１、終端
器１１２、出力端１１３及び１１４、及び４本の１／４
波長分布定数線路１１５、１１６、１１７、及び１１８
から構成されている。
器１１２、出力端１１３及び１１４、及び４本の１／４
波長分布定数線路１１５、１１６、１１７、及び１１８
から構成されている。
【０００８】同図において、入力端１１１から搬送波を
入力した場合、分布定数線路１１５を伝搬して出力端１
１３に現れる出力搬送波は入力搬送波の位相から９０゜
遅れ、分布定数線路１１５及び１１７と分布定数線路１
１６及び１１８とを伝搬して出力端１１４に現れる出力
搬送波は入力搬送波の位相から１８０゜遅れる。
入力した場合、分布定数線路１１５を伝搬して出力端１
１３に現れる出力搬送波は入力搬送波の位相から９０゜
遅れ、分布定数線路１１５及び１１７と分布定数線路１
１６及び１１８とを伝搬して出力端１１４に現れる出力
搬送波は入力搬送波の位相から１８０゜遅れる。
【０００９】このために、出力端１１３及び１１４に現
れる２つの出力搬送波の位相差は９０゜となり、互いに
直交した搬送波が得られる。
れる２つの出力搬送波の位相差は９０゜となり、互いに
直交した搬送波が得られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の移相器は、１／４波長の分布定数線路を基本として
構成されているために、例えば４相位相変調回路に適用
しようとすると、１／４波長の長さの線路領域を確保す
る必要があり、回路の小型化およびモノリシックＩＣ化
の点で不利であった。
来の移相器は、１／４波長の分布定数線路を基本として
構成されているために、例えば４相位相変調回路に適用
しようとすると、１／４波長の長さの線路領域を確保す
る必要があり、回路の小型化およびモノリシックＩＣ化
の点で不利であった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、より小
型で且つ半導体チップに作製可能な移相器を提供するこ
とにある。
型で且つ半導体チップに作製可能な移相器を提供するこ
とにある。
【００１２】本発明による移相器は、抵抗器と可変容量
素子とからなる位相変化回路と、直流信号を遮断するた
めの容量素子とを有し、前記位相変化回路を所望段数だ
け縦続接続し、且つ前記容量素子を前記縦続接続された
位相変化回路を挟んで入力側及び出力側の双方に設けた
ことを特徴とする。
素子とからなる位相変化回路と、直流信号を遮断するた
めの容量素子とを有し、前記位相変化回路を所望段数だ
け縦続接続し、且つ前記容量素子を前記縦続接続された
位相変化回路を挟んで入力側及び出力側の双方に設けた
ことを特徴とする。
【００１３】前記可変容量素子は直流信号によって容量
を変化させることができるもので、望ましくは可変容量
ダイオードである。
を変化させることができるもので、望ましくは可変容量
ダイオードである。
【００１４】
【作用】可変容量素子の容量を変化させることで位相変
化回路の位相差量を変化させることができ、正確な移相
量を得ることができるとともに、移相器を広帯域化でき
る。
化回路の位相差量を変化させることができ、正確な移相
量を得ることができるとともに、移相器を広帯域化でき
る。
【００１５】直流を遮断する容量素子により、位相変化
回路の可変容量素子への直流信号の印加が可能となる。
回路の可変容量素子への直流信号の印加が可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１７】図１は、本発明による移相器の一実施例を
示す回路図である。
示す回路図である。
【００１８】本実施例では、入力端子１から搬送波が入
力し、出力端子２から９０゜移相が遅れた搬送波が出力
する。また、容量制御端子３には後述する可変容量素子
の容量を変化させるための直流信号が与えられる。
力し、出力端子２から９０゜移相が遅れた搬送波が出力
する。また、容量制御端子３には後述する可変容量素子
の容量を変化させるための直流信号が与えられる。
【００１９】本実施例は、位相変化回路としてのＲＣ遅
延回路４が３段縦続接続され、それを挟んで入力側及び
出力側にコンデンサＣ1及びＣ2がそれぞれ直列接続され
た構成を有する。ＲＣ遅延回路４は搬送波の位相を所定
量だけ遅らせ、コンデンサＣ1及びＣ2は直流を遮断す
る。
延回路４が３段縦続接続され、それを挟んで入力側及び
出力側にコンデンサＣ1及びＣ2がそれぞれ直列接続され
た構成を有する。ＲＣ遅延回路４は搬送波の位相を所定
量だけ遅らせ、コンデンサＣ1及びＣ2は直流を遮断す
る。
【００２０】ＲＣ遅延回路４は１個の抵抗器Ｒと１個の
可変容量素子Ｄとから構成され、可変容量素子Ｄは逆バ
イアス電圧によってｐｎ接合間容量を変化させることが
できる可変容量ダイオードである。
可変容量素子Ｄとから構成され、可変容量素子Ｄは逆バ
イアス電圧によってｐｎ接合間容量を変化させることが
できる可変容量ダイオードである。
【００２１】ＲＣ遅延回路４において、抵抗器Ｒは入出
力間に直列接続され、その抵抗器Ｒの一方の端子に可変
容量素子Ｄのｎ側端子が接続されｐ側端子は接地されて
いる。ＲＣ遅延回路４の位相変化量は抵抗器Ｒ及び可変
容量素子Ｄの各値によって決定される。ここでは３段縦
続接続で９０゜の位相変化量を達成したいから、１つの
ＲＣ遅延回路４で３０゜の位相変化量が得られるように
抵抗器Ｒの抵抗値及び可変容量素子Ｄの制御電圧値を決
定すればよい。
力間に直列接続され、その抵抗器Ｒの一方の端子に可変
容量素子Ｄのｎ側端子が接続されｐ側端子は接地されて
いる。ＲＣ遅延回路４の位相変化量は抵抗器Ｒ及び可変
容量素子Ｄの各値によって決定される。ここでは３段縦
続接続で９０゜の位相変化量を達成したいから、１つの
ＲＣ遅延回路４で３０゜の位相変化量が得られるように
抵抗器Ｒの抵抗値及び可変容量素子Ｄの制御電圧値を決
定すればよい。
【００２２】なお、ＲＣ遅延回路４の縦続段数は３段に
限定されるものではないが、１段又は２段で構成すると
１段あたりの位相変化量を大きくする必要があり好まし
くない。
限定されるものではないが、１段又は２段で構成すると
１段あたりの位相変化量を大きくする必要があり好まし
くない。
【００２３】可変容量素子Ｄの容量は容量制御端子３か
ら入力する直流電圧によって制御される。ここでは、２
段目の可変容量素子Ｄ2に容量制御端子３が接続されて
いるが、コンデンサＣ1及びＣ2によって直流が遮断され
ているために、容量制御端子３からの直流電圧は各ＲＣ
遅延回路４の可変容量素子Ｄ1〜Ｄ3に共通に印加され
る。
ら入力する直流電圧によって制御される。ここでは、２
段目の可変容量素子Ｄ2に容量制御端子３が接続されて
いるが、コンデンサＣ1及びＣ2によって直流が遮断され
ているために、容量制御端子３からの直流電圧は各ＲＣ
遅延回路４の可変容量素子Ｄ1〜Ｄ3に共通に印加され
る。
【００２４】このように、本実施例は、抵抗器、コンデ
ンサ、及びダイオードのみから構成された９０゜移相器
であるから、通常の半導体技術によって容易に半導体チ
ップ上に作製することができる。
ンサ、及びダイオードのみから構成された９０゜移相器
であるから、通常の半導体技術によって容易に半導体チ
ップ上に作製することができる。
【００２５】次に、本実施例の適用例について説明す
る。
る。
【００２６】図２は、本実施例を用いた４相位相変調回
路のブロック図である。
路のブロック図である。
【００２７】同図において、搬送波入力端子１０に入力
した搬送波は分波器１１によって同相の２波に分波さ
れ、一方の搬送波は可変減衰器１２に、他方の搬送波は
本実施例の９０゜移相器１３に、それぞれ入力する。
した搬送波は分波器１１によって同相の２波に分波さ
れ、一方の搬送波は可変減衰器１２に、他方の搬送波は
本実施例の９０゜移相器１３に、それぞれ入力する。
【００２８】可変減衰器１２は、外部からの減衰量制御
電圧によって搬送波の通過減衰量を変化させることがで
き、例えば図３に示すようにＰＩＮダイオードと抵抗器
を用いて実現することができる。
電圧によって搬送波の通過減衰量を変化させることがで
き、例えば図３に示すようにＰＩＮダイオードと抵抗器
を用いて実現することができる。
【００２９】９０゜移相器１３は、上述したように容量
制御端子３からの直流電圧によって可変容量素子の容量
値を変化させることができ、それによって移相器として
の移相量を調整することができる。
制御端子３からの直流電圧によって可変容量素子の容量
値を変化させることができ、それによって移相器として
の移相量を調整することができる。
【００３０】可変減衰器１２によって減衰量を調整され
た一方の搬送波は０−１８０゜変調器１４へ入力し、９
０゜移相器１３によって９０゜移相された他方の搬送波
は０−１８０゜変調器１５へ入力する。
た一方の搬送波は０−１８０゜変調器１４へ入力し、９
０゜移相器１３によって９０゜移相された他方の搬送波
は０−１８０゜変調器１５へ入力する。
【００３１】０−１８０゜変調器１４及び１５では各搬
送波が変調信号によって２相位相変調され、それら出力
が出力合成器１６によって合成され、４相移相変調され
た出力として出力端子１７から出力される。
送波が変調信号によって２相位相変調され、それら出力
が出力合成器１６によって合成され、４相移相変調され
た出力として出力端子１７から出力される。
【００３２】次に、上記４相位相変調回路の動作を説明
する。
する。
【００３３】分波器１１によって分波された同相の搬送
波は可変減衰器１２と９０゜位相器１３とに入力する。
この時、可変減衰器１２と移相器１３とは若干の調整が
必要である。
波は可変減衰器１２と９０゜位相器１３とに入力する。
この時、可変減衰器１２と移相器１３とは若干の調整が
必要である。
【００３４】移相器１３の側は、可変減衰器１２を通過
する搬送波に対して位相差が９０゜になるように、容量
制御端子３に印加される直流電圧を調整する。また、可
変減衰器１２の側は、移相器１３を通過する搬送波が減
衰するために、その減衰量と等しくなるように減衰量制
御信号により減衰量を調整する。
する搬送波に対して位相差が９０゜になるように、容量
制御端子３に印加される直流電圧を調整する。また、可
変減衰器１２の側は、移相器１３を通過する搬送波が減
衰するために、その減衰量と等しくなるように減衰量制
御信号により減衰量を調整する。
【００３５】こうして、減衰量が等しく位相差が９０゜
の２つの搬送波が変調器１４及び１５に入力する。
の２つの搬送波が変調器１４及び１５に入力する。
【００３６】なお、本実施例では９０゜移相器について
説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
他の位相差を生じさせる移相器であっても本発明が適用
できることは明白である。
説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
他の位相差を生じさせる移相器であっても本発明が適用
できることは明白である。
【００３７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
る移相器は抵抗器及び容量素子などで移相器を構成でき
るために、移相器を半導体チップ上に形成することが可
能となり、例えば４相位相変調回路において０−１８０
゜変調器とともにモノリシックＩＣ化することで回路の
小型化が達成される。
る移相器は抵抗器及び容量素子などで移相器を構成でき
るために、移相器を半導体チップ上に形成することが可
能となり、例えば４相位相変調回路において０−１８０
゜変調器とともにモノリシックＩＣ化することで回路の
小型化が達成される。
【図１】本発明による移相器の一実施例を示す回路図で
ある。
ある。
【図２】本実施例を用いた４相位相変調回路のブロック
図である。
図である。
【図３】可変減衰器の一例を示す回路図である。
【図４】マイクロ波帯における４相位相変調回路のブロ
ック構成図である。
ック構成図である。
【図５】従来の９０゜移相器の一例を示す基本構成図で
ある。
ある。
１ 入力端子 ２ 出力端子 ３ 容量制御端子 ４ ＲＣ遅延回路 Ｒ1 抵抗器 Ｒ2 抵抗器 Ｒ3 抵抗器 Ｃ1 直流遮断コンデンサ Ｃ2 直流遮断コンデンサ Ｄ1 可変容量ダイオード Ｄ2 可変容量ダイオード Ｄ3 可変容量ダイオード
Claims (7)
- 【請求項１】 入力波の位相を所望量だけ変化させる移
相器において、 抵抗器と、直流信号により容量を変化させることができ
る可変容量素子と、からなる位相変化回路が所望段数だ
け縦続接続され、 前記縦続接続された位相変化回路を挟んで入力側及び出
力側の双方に直流信号を遮断するための容量素子を設け
た、 ことを特徴とする移相器。 - 【請求項２】 前記可変容量素子はｐ型半導体とｎ型半
導体との間の接合容量を利用した素子であることを特徴
とする請求項１記載の移相器。 - 【請求項３】 前記可変容量素子は直流逆バイアス電圧
により前記接合容量を変化させる素子であることを特徴
とする請求項２記載の移相器。 - 【請求項４】 前記移相変化回路は遅延回路であること
を特徴とする請求項１記載の移相器。 - 【請求項５】 搬送波の位相を９０゜変化させる移相器
において、 抵抗器と、直流信号により容量を変化させることができ
る可変容量素子と、からなる位相変化回路がｎ段（ｎは
正整数）縦続接続され、 前記ｎ段の位相変化回路を挟んで入力側及び出力側の双
方に直流信号を遮断するための容量素子を設けた、 ことを特徴とする移相器。 - 【請求項６】 前記位相変化回路の１段の位相変化量は
９０／ｎ（゜）であることを特徴とする請求項５記載の
移相器。 - 【請求項７】 前記搬送波はマイクロ波帯周波数を有す
ることを特徴とする請求項５記載の移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11761993A JPH06310969A (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11761993A JPH06310969A (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310969A true JPH06310969A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14716240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11761993A Pending JPH06310969A (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310969A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005104364A1 (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 群遅延調整回路、群遅延調整システムおよび群遅延調整方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673916A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-19 | Sony Corp | Phase shifter |
| JPH0232611A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Nec Corp | 抵抗減衰器 |
-
1993
- 1993-04-22 JP JP11761993A patent/JPH06310969A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673916A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-19 | Sony Corp | Phase shifter |
| JPH0232611A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Nec Corp | 抵抗減衰器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005104364A1 (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 群遅延調整回路、群遅延調整システムおよび群遅延調整方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960702 |