JPH06101652B2 - バイアス回路 - Google Patents

バイアス回路

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JPH06101652B2
JPH06101652B2 JP62030553A JP3055387A JPH06101652B2 JP H06101652 B2 JPH06101652 B2 JP H06101652B2 JP 62030553 A JP62030553 A JP 62030553A JP 3055387 A JP3055387 A JP 3055387A JP H06101652 B2 JPH06101652 B2 JP H06101652B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、マイクロ波通信等に用いる広帯域増幅器，
発振器に所望のバイアス電圧を供給するためのバイアス
回路に関するものである。
〔従来の技術〕
第５図は特開昭60-233912号公報の分布増幅器に用いら
れている従来のバイアス回路の等価回路である。図にお
いて、1,2は分布定数線路、３は抵抗、4,5,6はキャパシ
タ、７はバイアス電源端子、８は入力端子である。
このバイアス回路は、バイアス電源端子７と入力端子８
との間に２個の分布定数線路1,2を配置し、分布定数線
路１の入力端子８側の端子を抵抗３とキャパシタ４との
直列接続回路で接地するとともに、分布定数線路１の他
の端子および分布定数線路２のバイアス電源端子７側の
端子をそれぞれキャパシタ5,6で接地して構成してい
る。このように構成されているため、分布定数線路1,2
とキャパシタ5,6とで構成される低域通過フィルタの入
力端子８側の一端を抵抗３とキャパシタ４との直列接続
回路で接地した回路構成と見なすことができる。なお、
図中では示していないが、バイアス電源端子７にはバイ
アス電源が、入力端子８には分布型増幅器等の広帯域増
幅器がそれぞれ接続されている。
低域通過フィルタを構成する分布定数線路1,2およびキ
ャパシタ5,6の各定数は低域通過フィルタの遮断周波数
が所要周波数帯よりも低い周波数となるように選ばれて
おり、またキャパシタ４は所要周波数帯で十分小さなイ
ンピーダンスとなるように選ばれている。このため、Ａ
点からバイアス電源端子７側を見たインピーダンスは所
要周波数帯でほぼ無限大となり、また入力端子８からバ
イアス電源端子７側を見たインピーダンスは抵抗３の値
にほぼ等しくなる。
従って、入力端子８が所要周波数帯で抵抗３で終端され
るため、広帯域増幅器の安定化を図ることができるとと
もに、バイアス電源端子７に所望の直流バイアス電圧を
印加することにより、電圧降下されることなく分布定数
線路1,2を介して入力端子８から広帯域増幅器にバイア
ス電圧を供給することもできる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし従来のバイアス回路は以上のように構成されてい
るので、低域通過フィルタの段数が十分に多く、所要周
波数においてＡ点からバイアス電源端子７側を見たイン
ピーダンスが無限大とならないかぎり、該インピーダン
スはバイアス電源端子７に接続されるバイアス電源のイ
ンピーダンスに大きく依存することとなる。従って入力
端子８からバイアス電源端子７側を見たインピーダンス
はバイアス電源のインピーダンスによって変化するた
め、使用するバイアス電源によって増幅器特性が変化し
たり、広帯域増幅器が不安定になるなどの問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、入力端子からバイアス電源端子側を見たイン
ピーダンスを、バイアス電源のインピーダンスに関係な
く常に一定にすることができるバイアス回路を得ること
を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るバイアス回路は、バイアス電源端子から
バイアス電圧が印加され、入力端子から増幅器等に所望
のバイアス電圧を供給する回路において、一方の端子が
キャパシタを介して接地され、かつ上記バイアス電源端
子に接続された第１の分布定数線路と、一方の端子が開
放され、他方の端子が上記第１の分布定数線路の他方の
端子と接続され、かつ上記入力端子に接続された第２の
分布定数線路とを備え、上記第1,第２の分布定数線路は
一箇所または数箇所で抵抗を含む回路を介して互いに接
続されるように回路を構成したものである。
また、この発明に係るバイアス回路は、バイアス電源端
子からバイアス電圧が印加され、入力端子から増幅器等
に所望のバイアス電圧を供給する回路において、インダ
クタとキャパシタとから構成さ、一方の端子がキャパシ
タを介して接地され、かつ上記バイアス電源端子に接続
された第１の集中定数回路と、インダクタとキャパシタ
とから構成され、一方の端子が開放され、他方の端子が
上記第１の集中定数回路の他方の端子と接続され、かつ
上記入力端子に接続された第２の集中定数回路とを備
え、上記第1,第２の集中定数回路は一箇所または数箇所
で抵抗を含む回路を介して互いに接続されるように回路
を構成したものである。
〔作用〕
この発明においては、入力端子に接続された増幅器等か
らバイアス回路側へ漏れ込んだマイクロ波は第1,第２の
分布定数線路間を接続する，抵抗を含む回路により吸収
され、また、第１の分布定数線路のバイアス電源端子側
の端子はキャパシタによりマイクロ波的に短絡されてい
るため、入力端子からバイアス電源端子側を見たインピ
ーダンスは、バイアス電源のインピーダンスに関係なく
常に一定になる。また、この発明においては、入力端子
に接続された増幅器等からバイアス回路側へ漏れ込んだ
マイクロ波は第1,第２の集中定数回路間を接続する，抵
抗を含む回路により吸収され、また、第１の集中定数回
路のバイアス電源端子側の端子はキャパシタによりマイ
クロ波的に短絡されているため、入力端子からバイアス
電源端子側を見たインピーダンスは、バイアス電源のイ
ンピーダンスに関係なく常に一定になる。また、上記第
１の発明における第1,第２の分布定数線路に相当するも
のがこれと等価な第1,第２の集中定数回路により実現さ
れているため回路が小型になる。
〔実施例〕 以下、この発明の実施例を図に基づいて説明する。
第１図はこの発明の第１実施例によるバイアス回路の等
価回路を示す。図において、9,10はそれぞれ第1,第２の
分布定数線路、11,12は抵抗、13はキャパシタ、14はＴ
分岐回路、ａ点,b点およびａ′点,b′点はそれぞれ第１
の分布定数線路９と第２の分布定数線路10との所定の位
置を示す。このバイアス回路は、第１の分布定数線路9,
第２の分布定数線路10,抵抗11,12およびキャパシタ13と
で構成されており、第１の分布定数線路９の一方の端子
はキャパシタ13を介して接地されるとともに、バイアス
電源端子７に接続されており、他方の端子はＴ分岐回路
14を介してバイアス電圧を必要とするデバイスのバイア
ス端子に接続するための入力端子８へ接続されている。
また、第２の分布定数線路10の一方の端子は開放となっ
ており、他方の端子はＴ分岐回路14を介して入力端子８
に接続されている。さらに、第１の分布定数線路９の所
定の位置ａ点と第２の分布定数線路10の所定の位置ａ′
点、及び第１の分布定数線路９の所定の位置ｂ点と第２
の分布定数線路10の所定の位置ｂ′点はそれぞれ抵抗1
1,12で接続されている。さらに、第１の分布定数線路９
と第２の分布定数線路10とは同じ長さに選ばれており、
入力端子８からａ点までの電気長とａ′点までの電気
長、及びｂ点までの電気長とｂ′点までの電気長もそれ
ぞれ同じに選ばれている。また、キャパシタ13は所要周
波数帯で十分小さなインピーダンスとなるように選ばれ
ている。
このような構成になるバイアス回路では、入力端子８か
ら入射したマイクロ波はＴ分岐回路14で等分され、等分
されたマイクロ波は第１の分布定数線路９と第２の分布
定数線路10とをそれぞれ同振幅，同位相でバイアス電源
端子７方向に向かって抵抗11,12で消費されることなく
進む。これらのマイクロ波は第１の分布定数線路９およ
び第２の分布定数線路10のバイアス電源端子７側の各端
子でそれぞれ全反射され、逆に入力端子８側へ向かって
進むようになる。しかし、第１の分布定数線路９のバイ
アス電源端子７側の端子はキャパシタ13により短絡さ
れ、第２の分布定数線路10の端子は開放となっているた
め、反射されたマイクロ波はそれぞれ同振幅，逆位相の
関係となる。このため、ａ点とａ′点,b点とｂ′点にお
ける反射されたマイクロ波の位相は180°異なり、反射
されたマイクロ波は抵抗11,12に消費され、入力端子８
へはもどらない。従って、入力端子８からバイアス電源
端子７側を見たインピーダンスは所要周波数帯で抵抗1
1,12,第１の分布定数線路９および第２の分布定数線路1
0とで決まる等価的な抵抗に等しくなる。また、このイ
ンピーダンスは第１の分布定数線路９のバイアス電源端
子７側の端子がキャパシタ13でマイクロ波的に短絡され
るため、バイアス電源端子７に接続されるバイアス電源
のインピーダンスに関係なく常に一定となる。さらに、
バイアス電源端子７から直流バイアス電圧を印加するこ
とにより、電圧降下されることなく、第１の分布定数線
路９を介して入力端子８から広帯域増幅器へバイアス電
源を供給することもできる。
このようにこのバイアス回路では、使用するバイアス電
源の影響を受けることなく、入力端子からバイアス電源
端子側を見たインピーダンスを常に一定とでき、かつ従
来のバイアス回路と同様の働きを行うことができる。
第２図はこの発明の第２実施例によるバイアス回路を示
す等価回路図である。本実施例は、長さの異なる第１の
分布定数線路９と第２の分布定数線路10を用いたもので
あり、入力端子８からｂ点までの電気長とｂ′点までの
電気長、ａ点までの電気長とａ′点までの電気長とがそ
れぞれ異なる。
このようなバイアス回路では、入力端子８から入射した
マイクロ波はＴ分岐回路14で等分され、等分されたマイ
クロ波は第１の分布定数線路９と第２の分布定数線路10
とをそれぞれバイアス電源端子７方向へ向かって進む。
これらのマイクロ波はｂ点とｂ′点,a点とａ′点で位相
が異なるため、一部が抵抗11,12で消費され、残りが第
１の分布定数線路９と第２の分布定数線路10のバイアス
電源端子７側の端子までそれぞれ進む。そこでそれぞれ
のマイクロ波は全反射され、再び入力端子８側へ向かっ
て進む。反射されたそれぞれのマイクロ波は位相が180
°異なるため、抵抗11,12でそれぞれ消費され、入力端
子８へは到達しない。
このように、入力端子８から入射したマイクロ波はバイ
アス電源端子７へ向かって進む間に一部が抵抗11,12で
消費され、さらに第１の分布定数線路９と第２の分布定
数線路10のバイアス電源端子７側の各端子でそれぞれ反
射された残りのマイクロ波は再び抵抗11,12で消費され
るので、本実施例回路は、第１図のバイアス回路と同じ
働きをする。
第３図はこの発明の第３実施例によるバイアス回路を示
す。本実施例は、第１図に示すバイアス回路にて抵抗11
にキャパシタ15を、抵抗12にキャパシタ16を、それぞれ
直列に接続した回路構成になっている。
本実施例では、抵抗11とキャパシタ15とで構成される直
列回路のインピーダンスは使用するキャパシタ15の値に
より決まり、また抵抗12とキャパシタ16の直列回路につ
いても同じである。従って、使用するキャパシタ15,16
を適当に選ぶことにより抵抗11,12で消費されるマイク
ロ波の量を変えることができ、このため、入力端子８か
らバイアス電源端子７側を見たインピーダンスを所定の
値に設定することができる。
第４図はこの発明の第４実施例によるバイアス回路を示
す。
本実施例は第１図のバイアス回路における第１の分布定
数線路９と等価な第１の集中定数回路29を、インダクタ
17とキャパシタ18とで構成し、かつ第２の分布定数線路
10と等価な第２の集中定数回路30を、インダクタ19とキ
ャパシタ20とで構成するようにしたものである。このよ
うに、第１の分布定数線路9,第２の分布定数線路10を、
インダクタ17,19およびキャパシタ18,20を用いて第１の
集中定数回路29,第２の集中定数回路30で構成すること
により、バイアス回路の小形化を図ることができる。
なお、上記実施例では、分布定数線路間の接続に２個の
抵抗を用いた場合について説明したが、１個あるいは３
個以上の抵抗を用いてもよく、同様の効果を奏する。
また、本発明は広帯域増幅器のみでなく、高出力増幅
器，発振器等のバイアス回路として用いてもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係るバイアス回路によれば、
バイアス電源端子からバイアス電圧が印加され、入力端
子から増幅器等に所望のバイアス電圧を供給する回路に
おいて、一方の端子がキャパシタを介して接地され、か
つ上記バイアス電源端子に接続された第１の分布定数線
路と、一方の端子が開放され、他方の端子が上記第１の
分布定数線路の他方の端子と接続され、かつ上記入力端
子に接続された数箇所で抵抗を含む回路を介して互いに
接続されるように回路を構成したので、使用するバイア
ス電源のインピーダンスに関係なく、入力端子からバイ
アス電源側を見たインピーダンスを常に一定とすること
ができ、バイアス電源により増幅器特性が変化してしま
うのを防止して増幅器の安定化を図ることができる効果
がある。
また、この発明に係るバイアス回路によれば、バイアス
電源端子からバイアス電圧が印加れ、入力端子から増幅
器等に所望のバイアス電圧を供給する回路において、イ
ンダクタとキャパシタとから構成され、一方の端子がキ
ャパシタを介して接地され、かつ上記バイアス電源端子
に接続された第１の集中定数回路と、インダクタとキャ
パシタとから構成され、一方の端子が開放され、他方の
端子が上記第１の集中定数回路の他方の端子と接続さ
れ、かつ上記入力端子に接続された第２の集中定数回路
とを備え、上記第1,第２の集中定数回路は一箇所または
数箇所で抵抗を含む回路を介して互いに接続されるよう
に回路を構成したので、使用するバイアス電源のインピ
ーダンスに関係なく、入力端子からバイアス電源側を見
たインピーダンスを常に一定とすることができ、バイア
ス電源により増幅器特性が変化してしまうのを防止して
増幅器の安定化を図ることができるとともに、バイアス
回路を小型に構成できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の第１実施例によるバイアス回路を示
す等価回路図、第２図はこの発明の第２実施例によるバ
イアス回路を示す等価回路図、第３図はこの発明の第３
実施例によるバイアス回路を示す等価回路図、第４図は
この発明の第４実施例によるバイアス回路を示す等価回
路図、第５図は従来のバイアス回路を示す等価回路図で
ある。 図において、７はバイアス電源端子、８は入力端子、9,
10は第1,第２の分布定数線路、11,12は抵抗、13,15,16,
18,20はキャパシタ、14はＴ分岐回路、17,19はインダク
タ、29,30は第1,第２の集中定数回路である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】バイアス電源端子からバイアス電圧が印加
    され、入力端子から増幅器等に所望のバイアス電圧を供
    給するバイアス回路において、 一方の端子がキャパシタを介して接地され、かつ上記バ
    イアス電源端子に接続された第１の分布定数線路と、 一方の端子が開放され、他方の端子が上記第１の分布定
    数線路の他方の端子と接続され、かつ上記入力端子に接
    続された第２の分布定数線路とを備え、 上記第1,第２の分布定数線路は一箇所または数箇所で抵
    抗を含む回路を介して接続されていることを特徴とする
    バイアス回路。
  2. 【請求項２】上記第1,第２の分布定数線路は、同じ長さ
    を有し、上記入力端子から同じ電気長の位置にて接続さ
    れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    バイアス回路。
  3. 【請求項３】上記抵抗を含む回路は、抵抗にキャパシタ
    を直列接続したものであることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項または第２項記載のバイアス回路。
  4. 【請求項４】バイアス電源端子からバイアス電圧が印加
    され、入力端子から増幅器等に所望のバイアス電圧を供
    給するバイアス回路において、 インダクタとキャパシタとから構成され、一方の端子が
    キャパシタを介して接地され、かつ上記バイアス電源端
    子に接続された第１の集中定数回路と、 インダクタとキャパシタとから構成され、一方の端子が
    開放され、他方の端子が上記第１の集中定数回路の他方
    の端子と接続され、かつ上記入力端子に接続された第２
    の集中定数回路とを備え、 上記第1,第２の集中定数回路は一箇所または数箇所で抵
    抗を含む回路を介して接続されていることを特徴とする
    バイアス回路。
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JP62030553A JPH06101652B2 (ja) 1987-02-12 1987-02-12 バイアス回路
DE19873726743 DE3726743A1 (de) 1986-09-01 1987-08-07 Fet-kettenverstaerker
DE19873744782 DE3744782C2 (de) 1986-09-01 1987-08-07 Betriebsspannungszuf}hrungsschaltung
FR8711373A FR2604574B1 (fr) 1986-09-01 1987-08-10 Amplificateur a transistors a effet de champ a constantes reparties et son alimentation de tension de polarisation
US07/151,625 US4853649A (en) 1987-02-12 1988-02-02 Distributed fet amplifier and bias voltage supply circuit therefor
GB8802792A GB2202401B (en) 1987-02-12 1988-02-08 Distributed fet amplifier and bias voltage supply circuit therefor
GB8901992A GB2213989B (en) 1987-02-12 1989-01-30 Integrated semiconductor structure for a distributed fet amplifier
GB8901993A GB2211688B (en) 1987-02-12 1989-01-30 Bias voltage supply circuit
GB9027392A GB2239364B (en) 1987-02-12 1990-12-18 Distributed fet amplifier

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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2625052A1 (fr) * 1987-12-18 1989-06-23 Labo Electronique Physique Circuit hyperfrequences comprenant au moins un transistor a effet de champ charge
JPH02260705A (ja) * 1989-03-30 1990-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 広帯域増幅装置
FR2697698A1 (fr) * 1992-11-04 1994-05-06 Philips Electronique Lab Dispositif semiconducteur comprenant un circuit amplificateur distribué monolithiquement intégré, à large bande et fort gain.
DE69321921T2 (de) * 1992-12-03 1999-05-27 Koninkl Philips Electronics Nv In Kaskadenschaltung verwendbare kompakte Mikrowellenverstärkerschaltung
US5485118A (en) * 1994-06-03 1996-01-16 Massachusetts Institute Of Technology Non-uniformly distributed power amplifier
US5627389A (en) * 1994-07-15 1997-05-06 Schary; Alison High-frequency traveling wave field-effect transistor
JP3594775B2 (ja) * 1997-09-19 2004-12-02 三菱電機株式会社 電力増幅器
US6268777B1 (en) 1997-11-20 2001-07-31 Applied Micro Circuits Corporation Single inductor fully integrated differential voltage controlled oscillator with automatic amplitude adjustment and on-chip varactor
US6198352B1 (en) * 1997-11-20 2001-03-06 Applied Micro Circuits Corporation Radio frequency low noise amplifier fabricated in complementary metal oxide semiconductor technology
US6201443B1 (en) 1997-11-20 2001-03-13 Applied Micro Circuits Corporation Radio frequency variable gain amplifier fabricated in complementary metal oxide semiconductor technology
US5959357A (en) * 1998-02-17 1999-09-28 General Electric Company Fet array for operation at different power levels
US6008694A (en) * 1998-07-10 1999-12-28 National Scientific Corp. Distributed amplifier and method therefor
US6081006A (en) * 1998-08-13 2000-06-27 Cisco Systems, Inc. Reduced size field effect transistor
US6275111B1 (en) 2000-06-06 2001-08-14 Motorola, Inc. Power amplifier having two-dimensional FET array
US6563150B1 (en) 2000-07-25 2003-05-13 Alison Schary High frequency field effect transistor
US6788148B2 (en) * 2002-03-11 2004-09-07 Centellax, Inc. Voltage-limited distributed current source for ultra-broadband impedance termination
US7400200B2 (en) * 2006-03-17 2008-07-15 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Linear variable gain traveling wave amplifier
US7397308B2 (en) * 2006-09-21 2008-07-08 William Mordarski Traveling wave amplifier with distributed regenerative feedback between drain-to-drain transmission lines and gate-to-gate transmission lines for enhanced high frequency bandwidth
JP6700417B2 (ja) * 2016-04-11 2020-05-27 テレフオンアクチーボラゲット エルエム エリクソン（パブル） モジュール式でスケーラブルな電力増幅器システム
JP6776709B2 (ja) * 2016-08-04 2020-10-28 富士通株式会社 電力増幅装置、半導体集積回路および電力増幅装置の制御方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4291286A (en) * 1979-12-17 1981-09-22 Ford Aerospace & Communications Corporation High bandwidth transversal filter
US4327342A (en) * 1980-07-10 1982-04-27 U.S. Philips Corporation Bandstop filter for very high frequency transmission lines and biassing circuit for a very high frequency transistor comprising this filter

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Publication number Publication date
GB2211688A (en) 1989-07-05
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