JPH02260705A - 広帯域増幅装置 - Google Patents
広帯域増幅装置Info
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- JPH02260705A JPH02260705A JP1080325A JP8032589A JPH02260705A JP H02260705 A JPH02260705 A JP H02260705A JP 1080325 A JP1080325 A JP 1080325A JP 8032589 A JP8032589 A JP 8032589A JP H02260705 A JPH02260705 A JP H02260705A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3205—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in field-effect transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Ｕ）ＩＦ 、Ｖｌ（Ｆ帯で特に２次歪を低減
した広帯域増幅装置に係る。
した広帯域増幅装置に係る。
従来の技術
広帯域にわたって多数のチャンネルの周波数の信号を受
信するとき、それらの信号が互いに干渉し合って、歪を
生じるという問題がある。この歪は、信号処理回路にお
ける能動デバイスの非直線性により生じる。多くの高次
歪が存在するが、実用上特に問題になるのは、２次歪お
よび３次歪である。特にＶＨＦ−ＵＨＦ帯を受信するよ
うなシステム例工ば、ＣＡ Ｔ Ｖコンバータのフロン
トエンドアンプあるいはＶＴＲのブースタ付ＲＦモジュ
レータなどでは、２次歪が大きな問題となる。
信するとき、それらの信号が互いに干渉し合って、歪を
生じるという問題がある。この歪は、信号処理回路にお
ける能動デバイスの非直線性により生じる。多くの高次
歪が存在するが、実用上特に問題になるのは、２次歪お
よび３次歪である。特にＶＨＦ−ＵＨＦ帯を受信するよ
うなシステム例工ば、ＣＡ Ｔ Ｖコンバータのフロン
トエンドアンプあるいはＶＴＲのブースタ付ＲＦモジュ
レータなどでは、２次歪が大きな問題となる。
このような広帯域信号処理回路の一例として、ＶＨＦか
らＵＨＦまでをカバーする広帯域増幅器として、化合物
半導体例えばＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔを用いた負帰還アン
プを例にとって説明する。第６図はこのようなＧａＡｓ
広帯域アンプの等価回路、第６図は利得の周波数特性の
一例を示す。ここで帰還抵抗Ｒｆ１２の値は３００Ω、
ゲートバイアス抵抗Ｒｃ１３の値は１０にΩである。Ｆ
ＥＴ１１のゲート幅はＳＯＯμｍ 、ゲート長１μｍ
、相互コンダクタンス５ｏｎｓである。消費電流はＩＤ
Ｄ〜３０１０人位である。１４はバイアス供給用のチョ
ークコイル、Ｃｆ１５は直流阻止用の帰還コンデンサで
ある。
らＵＨＦまでをカバーする広帯域増幅器として、化合物
半導体例えばＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔを用いた負帰還アン
プを例にとって説明する。第６図はこのようなＧａＡｓ
広帯域アンプの等価回路、第６図は利得の周波数特性の
一例を示す。ここで帰還抵抗Ｒｆ１２の値は３００Ω、
ゲートバイアス抵抗Ｒｃ１３の値は１０にΩである。Ｆ
ＥＴ１１のゲート幅はＳＯＯμｍ 、ゲート長１μｍ
、相互コンダクタンス５ｏｎｓである。消費電流はＩＤ
Ｄ〜３０１０人位である。１４はバイアス供給用のチョ
ークコイル、Ｃｆ１５は直流阻止用の帰還コンデンサで
ある。
発明が解決しようとする課題
このような広帯域アンプに、０ＡＴＶで使われるＶＨＦ
からＵＨＦ帯にわたる６４〜８Ｑチヤンネルといった多
数の信号を入力端子ＩＮに入力した場合、素子自身の持
つ非線形性の故に２次歪。
からＵＨＦ帯にわたる６４〜８Ｑチヤンネルといった多
数の信号を入力端子ＩＮに入力した場合、素子自身の持
つ非線形性の故に２次歪。
３次歪信号が発生する。前述のように０ＡＴＶコンバー
タに用いる広帯域アンプでは、このような歪を厳しく抑
える必要がある。ＧａＡｓＦＩＣＴは、本来、３次歪が
小さいという特長を持つが、２次歪が大きく、低雑音と
いう優れた特長を有するにもかかわらずこのような目的
に使用できる性能を満足することができなかった。
タに用いる広帯域アンプでは、このような歪を厳しく抑
える必要がある。ＧａＡｓＦＩＣＴは、本来、３次歪が
小さいという特長を持つが、２次歪が大きく、低雑音と
いう優れた特長を有するにもかかわらずこのような目的
に使用できる性能を満足することができなかった。
また、たとえ実現できたとしても、高周波を使った２次
歪検査を自動化することが難しいため、−個一個、手動
でＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔの高周波検査をする必要があり
、極めて検査コストが高くなり実用化できなかった。
歪検査を自動化することが難しいため、−個一個、手動
でＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔの高周波検査をする必要があり
、極めて検査コストが高くなり実用化できなかった。
本発明は、２次歪特性に優れた広帯域アンプを与えると
同時に、低周波数の自動検査で、簡単に、ＶＨＦ、ＵＨ
Ｆ帯における２次歪特性を保証できる検査方法を与える
ものである。
同時に、低周波数の自動検査で、簡単に、ＶＨＦ、ＵＨ
Ｆ帯における２次歪特性を保証できる検査方法を与える
ものである。
課題を解決するための手段
本発明では、動作バイアス点を中心として、ゲート・ソ
ース間電圧ＶＣＳに対し、相互コンダクタンスが平坦な
特性を有する電界効果トランジスタを使用することによ
り、２次歪特性にすぐれた広帯域増幅装置を与えるもの
である。
ース間電圧ＶＣＳに対し、相互コンダクタンスが平坦な
特性を有する電界効果トランジスタを使用することによ
り、２次歪特性にすぐれた広帯域増幅装置を与えるもの
である。
すなわち、本発明は、ＵＨＦ 、ＶＨＦ等の広い周波数
範囲にわたる多数の信号が同時に入力され、これを増幅
する増幅器において、増幅半導体素子として、動作バイ
アス点を中心にゲート・ソース間電圧に対し、相互コン
ダクタンスが平坦な特性を有する電界効果トランジスタ
を使用し、出力における２次歪成分を抑圧した広帯域増
幅装置である。
範囲にわたる多数の信号が同時に入力され、これを増幅
する増幅器において、増幅半導体素子として、動作バイ
アス点を中心にゲート・ソース間電圧に対し、相互コン
ダクタンスが平坦な特性を有する電界効果トランジスタ
を使用し、出力における２次歪成分を抑圧した広帯域増
幅装置である。
また、電界効果トランジスタの検査に際し、入力端にお
ける一定電圧差の印加電圧に対する相互コンダクタンス
の差が一定の値以下であるものを合格とすることによシ
、高周波における２次歪の値を一定値以下に保証する広
帯域増幅装置を提供するものである。
ける一定電圧差の印加電圧に対する相互コンダクタンス
の差が一定の値以下であるものを合格とすることによシ
、高周波における２次歪の値を一定値以下に保証する広
帯域増幅装置を提供するものである。
作用
本発明の原理は、本発明者らが実際に広帯域増幅器を構
成するＦＥＴの特性と２次歪特性を解析することにより
実験的に見い出したものに基づくものである。通常広帯
域増幅器に使われている化合物半導体電界効果トランジ
スタ（ＦＥＴ）の相互コンダクタンスｇｍとＶＢ２の関
係を第７図に示す。様々なＦＩＴをＹＧｓ ＝ Ｏｖを
動作バイアス点として使用した広帯域アンプにおいて、
ＶＧ＝ω、３Ｔにおけるｇｍの差Δ１ｍと、０ＡＴＶコ
ンバータにおける２次歪ＩＭ２の関係を調べた結果を第
４図に示す。
成するＦＥＴの特性と２次歪特性を解析することにより
実験的に見い出したものに基づくものである。通常広帯
域増幅器に使われている化合物半導体電界効果トランジ
スタ（ＦＥＴ）の相互コンダクタンスｇｍとＶＢ２の関
係を第７図に示す。様々なＦＩＴをＹＧｓ ＝ Ｏｖを
動作バイアス点として使用した広帯域アンプにおいて、
ＶＧ＝ω、３Ｔにおけるｇｍの差Δ１ｍと、０ＡＴＶコ
ンバータにおける２次歪ＩＭ２の関係を調べた結果を第
４図に示す。
第４図よシΔｇｍが小さい程ＩＭ２が良いことが分る。
この結果よシ、３ｇｍが小さい程つまり、動作バイアス
点を中心として、相互コンダクタンスが平坦な特性のＦ
Ｆ、Ｔを用いる程、良好な工Ｍ２が得られることが分る
。
点を中心として、相互コンダクタンスが平坦な特性のＦ
Ｆ、Ｔを用いる程、良好な工Ｍ２が得られることが分る
。
実施例
以下に、ＧａＡｓＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を用
いた本発明の一実施例の広帯域増幅器を例にとって説明
する。増幅器の回路構成は、第５図と同じである。ｖｃ
、ｓ＝０マを動作バイアス点としている。本発明で、従
来と大きく異なるのは、第１図に示すｇｍ （相互コ
ンダクタンス）対ｖＧ ８ （ゲート・ソース間電圧）
特性において、動作バイアスＶ、、＝○Ｖを中心に、ｇ
ｍが平坦な領域を有するＦＩＴを使用している点である
。３ｇｍの値は、ｖ、ｓ＝＋０１５ｖの範囲で、８ｍＳ
以下と、Ｖ、＝Ｏｖにおけるｇｍの値ｇｍ ｏ＝７０
ｍＳの２０％以下の値に抑えられている。
いた本発明の一実施例の広帯域増幅器を例にとって説明
する。増幅器の回路構成は、第５図と同じである。ｖｃ
、ｓ＝０マを動作バイアス点としている。本発明で、従
来と大きく異なるのは、第１図に示すｇｍ （相互コ
ンダクタンス）対ｖＧ ８ （ゲート・ソース間電圧）
特性において、動作バイアスＶ、、＝○Ｖを中心に、ｇ
ｍが平坦な領域を有するＦＩＴを使用している点である
。３ｇｍの値は、ｖ、ｓ＝＋０１５ｖの範囲で、８ｍＳ
以下と、Ｖ、＝Ｏｖにおけるｇｍの値ｇｍ ｏ＝７０
ｍＳの２０％以下の値に抑えられている。
このようなＦＥＴは、活性層１の厚み方向のキャリア濃
度プロファイルを、第２図に示すようにショットキーゲ
ート電極２０表面付近でキャリア濃度が従来のものより
も小さく、深い所で濃度が従来のものよシ高くなるよう
に構成することにより得られた。１００は本発明に用い
るＦＦ、Ｔのキャリアプロファイル、２００は従来のＦ
ＥＴのそれである。３は半絶縁性ＧａＡＳ基板、４，５
はソース、ドレイン電極である。
度プロファイルを、第２図に示すようにショットキーゲ
ート電極２０表面付近でキャリア濃度が従来のものより
も小さく、深い所で濃度が従来のものよシ高くなるよう
に構成することにより得られた。１００は本発明に用い
るＦＦ、Ｔのキャリアプロファイル、２００は従来のＦ
ＥＴのそれである。３は半絶縁性ＧａＡＳ基板、４，５
はソース、ドレイン電極である。
このような濃度プロファイル１００は、活性層１を形成
するための８１の注入条件をたとえば、加速電圧１２０
に６Ｖ、ドーズ量３×１ｏ１２ＣＩＩｔ３トシ、ゲート
幅８００μｍのＦＩＴで、ドレイン飽和電流Ｉ ｔｌｓ
ｓを３Ｑ〜５０ｍＡ とするように活性層１の厚さを調
整エッチすることにより実現できだ。
するための８１の注入条件をたとえば、加速電圧１２０
に６Ｖ、ドーズ量３×１ｏ１２ＣＩＩｔ３トシ、ゲート
幅８００μｍのＦＩＴで、ドレイン飽和電流Ｉ ｔｌｓ
ｓを３Ｑ〜５０ｍＡ とするように活性層１の厚さを調
整エッチすることにより実現できだ。
これは、従来のＦＥＴに比べより大きな加速電圧で、ド
ーズ量を従来よシ少なくして、調整エッチ量を少なくし
ている。
ーズ量を従来よシ少なくして、調整エッチ量を少なくし
ている。
このようなＦＩＴは、また、ソース抵抗を従来よりも大
きく設計することによっても得られる。
きく設計することによっても得られる。
しかし、この場合あまシ大きくするとｇｍの値が小さく
なり、他の特性すなわち、雑音特性や利得が劣化するの
で最適値がある。
なり、他の特性すなわち、雑音特性や利得が劣化するの
で最適値がある。
このようにして構成した広帯域増幅器（構成は第５図と
同じ）を０ＡＴＶコンバータのフロントエンドアンプと
して使用したとき、良好なＸＭ２特性が得られた。この
ときの入力信号レベルは、−ｓ ｄＢｍで、０ＡＴＶバ
ンドにおいて８７チヤンネルの信号が入力されたとき、
ＩＭ２は６０ｄＢ以上が確保された。
同じ）を０ＡＴＶコンバータのフロントエンドアンプと
して使用したとき、良好なＸＭ２特性が得られた。この
ときの入力信号レベルは、−ｓ ｄＢｍで、０ＡＴＶバ
ンドにおいて８７チヤンネルの信号が入力されたとき、
ＩＭ２は６０ｄＢ以上が確保された。
また、広帯域アンプの工Ｍ２特性を安定に良好にするた
め、使用するＦＥＴは、Ｗｅ ｓ ＝ ０．−１６ ｖ
と−０，１５マにおけるｇｍの差Δｇｍが、ｖＧｓ＝Ｏ
ｖにおけるｇｍすなわちｇｍｏの値の３０％以内、具体
的には８ ｍｓ以下であるものを合格とする検査を施し
た。この検査は自動でできるため、高周波におけるＩＭ
２検査を抜き取シで行うだけで工Ｍ２特性を一定値以上
に保証でき、大幅なコストダウンが可能になった。この
方法も、本発明者が見い出したもので、２次歪成分を抑
圧した広帯域増幅装置の容易な実現に大きく寄与する。
め、使用するＦＥＴは、Ｗｅ ｓ ＝ ０．−１６ ｖ
と−０，１５マにおけるｇｍの差Δｇｍが、ｖＧｓ＝Ｏ
ｖにおけるｇｍすなわちｇｍｏの値の３０％以内、具体
的には８ ｍｓ以下であるものを合格とする検査を施し
た。この検査は自動でできるため、高周波におけるＩＭ
２検査を抜き取シで行うだけで工Ｍ２特性を一定値以上
に保証でき、大幅なコストダウンが可能になった。この
方法も、本発明者が見い出したもので、２次歪成分を抑
圧した広帯域増幅装置の容易な実現に大きく寄与する。
発明の効果
本発明の結果、ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔを用いた低歪、低
雑音の広帯域増幅装置が可能になった。また、本発明は
、２次歪を低周波での自動検査で保証することができる
ため、検査コストを大幅に削減でき低コストで、２次歪
特性に優れた広帯域増幅器を容易に実現することが可能
になり、高性能な広帯域増幅装置の実現に犬きく寄与す
るものである。
雑音の広帯域増幅装置が可能になった。また、本発明は
、２次歪を低周波での自動検査で保証することができる
ため、検査コストを大幅に削減でき低コストで、２次歪
特性に優れた広帯域増幅器を容易に実現することが可能
になり、高性能な広帯域増幅装置の実現に犬きく寄与す
るものである。
第１図は本発明の一実施例のＧａｐｓ Ｆ ＨＴのｇｍ
”Ｇ５特性図、第２図、第３図は本発明の一実施例のＦ
ＥＴの濃度プロファイル、断面図、第４図はＦＥＴの３
ｇｍ −ＩＭ２相関図、第６図はＧａＡｓ広帯域アンプ
等価回路図、第６図は第６図の広帯域アンプの利得の周
波数特性図、第７図は従来のＧａＡｓＦ Ｆ、 Ｔのｇ
ｍ Ｖｃｓ特性図である。 １１・・・・・・ＧａＡｓＦＥＴ、１２・・・・・・帰
還抵抗、１３・・・・・バイアス抵抗、１４・・・・チ
ョークコイル、１６・・・・・・直流阻止用コンデンサ
。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名簿
１ 図 Ｖａｓ −Ｖ６ ０ ＶＧ ＋ Ｖａｓ 鴎 幽 表面 →深さ方向（＋８牲層） 第 図 第 図 Ｇ（ＬＡｓ広昂虱アワブ可陽回路 第 図 萌；２アフブのキ’Ｊ ｉｌ！周波ぢ特性用）皮 豐Ｖ
”Ｇ５特性図、第２図、第３図は本発明の一実施例のＦ
ＥＴの濃度プロファイル、断面図、第４図はＦＥＴの３
ｇｍ −ＩＭ２相関図、第６図はＧａＡｓ広帯域アンプ
等価回路図、第６図は第６図の広帯域アンプの利得の周
波数特性図、第７図は従来のＧａＡｓＦ Ｆ、 Ｔのｇ
ｍ Ｖｃｓ特性図である。 １１・・・・・・ＧａＡｓＦＥＴ、１２・・・・・・帰
還抵抗、１３・・・・・バイアス抵抗、１４・・・・チ
ョークコイル、１６・・・・・・直流阻止用コンデンサ
。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名簿
１ 図 Ｖａｓ −Ｖ６ ０ ＶＧ ＋ Ｖａｓ 鴎 幽 表面 →深さ方向（＋８牲層） 第 図 第 図 Ｇ（ＬＡｓ広昂虱アワブ可陽回路 第 図 萌；２アフブのキ’Ｊ ｉｌ！周波ぢ特性用）皮 豐Ｖ
Claims (2)
- （１）所定の周波数範囲にわたる多数の信号が同時に入
力され、これを増幅する広帯域増幅装置において、増幅
器を構成する半導体素子に、動作バイアス点を中心にゲ
ート・ソース間電圧に対し、相互コンダクタンスが平坦
な特性を有する電界効果トランジスタを使用し、出力に
おける２次歪成分を抑圧したことを特徴とする広帯域増
幅装置。 - （２）入力端における一定電圧差の印加電圧に対する相
互コンダクタンス差が、一定の値以下である電界効果ト
ランジスタを合格とする検査で、高周波における２次歪
の値を保証することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の広帯域増幅装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080325A JPH02260705A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 広帯域増幅装置 |
| US07/498,901 US5041796A (en) | 1989-03-30 | 1990-03-26 | Wideband amplifier using FET |
| DE69020209T DE69020209T2 (de) | 1989-03-30 | 1990-03-27 | Breitbandverstärker mit FET. |
| EP90303245A EP0390494B1 (en) | 1989-03-30 | 1990-03-27 | Wideband amplifier using fet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080325A JPH02260705A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 広帯域増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260705A true JPH02260705A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13715109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1080325A Pending JPH02260705A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 広帯域増幅装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5041796A (ja) |
| EP (1) | EP0390494B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02260705A (ja) |
| DE (1) | DE69020209T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012054685A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 広帯域増幅器 |
| JP2012099914A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 広帯域増幅器 |
| JP2012099915A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 広帯域増幅器 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69322934T2 (de) * | 1992-11-04 | 1999-07-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Vorrichtung mit einer Schaltung zum Verarbeiten eines Wechselsignals |
| US5498997A (en) * | 1994-12-23 | 1996-03-12 | Schiebold; Cristopher F. | Transformerless audio amplifier |
| US6356147B1 (en) | 2000-12-19 | 2002-03-12 | International Business Machines Corporation | Wideband dual amplifier circuits |
| US8050649B2 (en) * | 2005-08-30 | 2011-11-01 | Qualcomm Incorporated | Downconversion mixer with IM2 cancellation |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6085610A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 広帯域増幅回路 |
| JPH06101652B2 (ja) * | 1987-02-12 | 1994-12-12 | 三菱電機株式会社 | バイアス回路 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1080325A patent/JPH02260705A/ja active Pending
-
1990
- 1990-03-26 US US07/498,901 patent/US5041796A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-27 DE DE69020209T patent/DE69020209T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-27 EP EP90303245A patent/EP0390494B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012054685A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 広帯域増幅器 |
| JP2012099914A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 広帯域増幅器 |
| JP2012099915A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 広帯域増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0390494A3 (en) | 1991-06-12 |
| US5041796A (en) | 1991-08-20 |
| EP0390494A2 (en) | 1990-10-03 |
| DE69020209D1 (de) | 1995-07-27 |
| DE69020209T2 (de) | 1996-02-01 |
| EP0390494B1 (en) | 1995-06-21 |
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