JPH05251907A - 同軸マイクロストリップライン変換器 - Google Patents
同軸マイクロストリップライン変換器Info
- Publication number
- JPH05251907A JPH05251907A JP4049558A JP4955892A JPH05251907A JP H05251907 A JPH05251907 A JP H05251907A JP 4049558 A JP4049558 A JP 4049558A JP 4955892 A JP4955892 A JP 4955892A JP H05251907 A JPH05251907 A JP H05251907A
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- JP
- Japan
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- case
- internal terminal
- converter
- coaxial
- microstrip line
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 インピーダンスの整合性を高めて入射信号を
正確に損失なく伝送できるようにする。 【構成】ケース２と、このケース２の上面から側面にか
けて形成された外部端子４と、ケース４の底面から側面
にかけて外部端子４と隔たる位置に形成された内部端子
１０とを備え、内部端子１０は狭幅部８を備えている同
軸マイクロストリップライン変換器。
正確に損失なく伝送できるようにする。 【構成】ケース２と、このケース２の上面から側面にか
けて形成された外部端子４と、ケース４の底面から側面
にかけて外部端子４と隔たる位置に形成された内部端子
１０とを備え、内部端子１０は狭幅部８を備えている同
軸マイクロストリップライン変換器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば同軸コネクタと
して用いられる同軸マイクロストリップライン変換器に
関する。
して用いられる同軸マイクロストリップライン変換器に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、同軸マイクロストリップライ
ン変換器として、図６に示すものがある。この同軸マイ
クロストリップライン変換器３０は、立方体からなる樹
脂ケース２を備えている。樹脂ケース２には外部端子
４、および内部端子５が設けられている。外部端子４
は、樹脂ケース２の上面２ａに設けられている。また、
外部端子４は、ケース上面２ａに設けられた凹部の内側
面、および樹脂ケース２の一方の対向側面２ｂ，２ｃか
ら底面２ｄまで延出形成されている。内部端子５はケー
ス２の底面２ｄの中央部に設けられており、その先端は
ケース２の他方の対向側面２ｅ，２ｆまで延出形成され
ている。
ン変換器として、図６に示すものがある。この同軸マイ
クロストリップライン変換器３０は、立方体からなる樹
脂ケース２を備えている。樹脂ケース２には外部端子
４、および内部端子５が設けられている。外部端子４
は、樹脂ケース２の上面２ａに設けられている。また、
外部端子４は、ケース上面２ａに設けられた凹部の内側
面、および樹脂ケース２の一方の対向側面２ｂ，２ｃか
ら底面２ｄまで延出形成されている。内部端子５はケー
ス２の底面２ｄの中央部に設けられており、その先端は
ケース２の他方の対向側面２ｅ，２ｆまで延出形成され
ている。
【０００３】なお、図中、符号６は、内部端子５に立設
されたパイプ状の中心導体であり、その先端は凹部３内
に突出している。
されたパイプ状の中心導体であり、その先端は凹部３内
に突出している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
構成された同軸マイクロストリップライン変換器３０に
おいては、外部端子４と内部端子５との間、特に凹部内
側面３ａに形成された外部端子４と内部端子５との間に
浮遊容量Ｆが発生しやすい構造となっている。このよう
な浮遊容量Ｆが発生すると、この浮遊容量Ｆ分だけ変換
器３０の容量成分が増加して、変換器３０の特性インピ
ーダンスを変動させることになる。特性インピーダンス
が変動すると、反射波が発生して電圧定在波比（ＶＳＷ
Ｒ）が悪化し、入射信号を正確にかつ損失なく伝送させ
ることが困難になるという問題が生ずる可能性があっ
た。
構成された同軸マイクロストリップライン変換器３０に
おいては、外部端子４と内部端子５との間、特に凹部内
側面３ａに形成された外部端子４と内部端子５との間に
浮遊容量Ｆが発生しやすい構造となっている。このよう
な浮遊容量Ｆが発生すると、この浮遊容量Ｆ分だけ変換
器３０の容量成分が増加して、変換器３０の特性インピ
ーダンスを変動させることになる。特性インピーダンス
が変動すると、反射波が発生して電圧定在波比（ＶＳＷ
Ｒ）が悪化し、入射信号を正確にかつ損失なく伝送させ
ることが困難になるという問題が生ずる可能性があっ
た。
【０００５】本発明は、このような問題に鑑みて為され
たものであって、インピーダンスの整合性を高めて入射
信号を正確に損失なく伝送できる同軸マイクロストリッ
プライン変換器を提供することを目的としている。
たものであって、インピーダンスの整合性を高めて入射
信号を正確に損失なく伝送できる同軸マイクロストリッ
プライン変換器を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の同軸マイクロストリップライン変換器は、
ケースと、このケースの上面から側面にかけて形成され
た外部端子と、ケースの底面から側面にかけて前記外部
端子と隔たる位置に形成された内部端子とを備えた同軸
クロストリップライン変換器であって、前記内部端子は
少なくともその一部に狭幅部を備えていることに特徴を
有している。
に、本発明の同軸マイクロストリップライン変換器は、
ケースと、このケースの上面から側面にかけて形成され
た外部端子と、ケースの底面から側面にかけて前記外部
端子と隔たる位置に形成された内部端子とを備えた同軸
クロストリップライン変換器であって、前記内部端子は
少なくともその一部に狭幅部を備えていることに特徴を
有している。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、内部端子は狭幅部を備えて
おり、高周波信号が流れるとこの部分にインダクタンス
成分が発生することになる。このインダクタンス成分
は、内部端子と外部端子との間に発生する浮遊容量を相
殺する働きをするので、この浮遊容量による特性インピ
ーダンスの変動は押さえられることになる。
おり、高周波信号が流れるとこの部分にインダクタンス
成分が発生することになる。このインダクタンス成分
は、内部端子と外部端子との間に発生する浮遊容量を相
殺する働きをするので、この浮遊容量による特性インピ
ーダンスの変動は押さえられることになる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は本発明の一実施例の斜視図、図
２はその底面図である。
詳細に説明する。図１は本発明の一実施例の斜視図、図
２はその底面図である。
【０００９】この同軸マイクロストリップライン変換器
１の基本的な構造は従来例と同様であり、同一ないし同
様の部分には同一の符号を付している。すなわち、この
同軸マイクロストリップライン変換器１は、略立方体か
らなる樹脂ケース２を備えている。ケース２の上面２ａ
には凹部３が形成されている。このケース２には、外部
端子４、および内部端子１０が備えられており、これら
端子４，１０はケース２表面において、互いに分離され
て設けられている。
１の基本的な構造は従来例と同様であり、同一ないし同
様の部分には同一の符号を付している。すなわち、この
同軸マイクロストリップライン変換器１は、略立方体か
らなる樹脂ケース２を備えている。ケース２の上面２ａ
には凹部３が形成されている。このケース２には、外部
端子４、および内部端子１０が備えられており、これら
端子４，１０はケース２表面において、互いに分離され
て設けられている。
【００１０】すなわち、ケース上面２ａに設けられた外
部端子４は、凹部内周面３ａまで延出形成されている一
方、樹脂ケース２の一方の対向側面２ｂ，２ｃにも延出
形成されており、さらに、その側面側延出部４ａの先端
はケース底面２ｄまで達している。一方、内部端子１０
はケース底面２ｄに設けられており、その先端１０ａ，
１０ａは、外部端子４とは異なりケース２の他方の対向
側面２ｅ，２ｆまで達している。
部端子４は、凹部内周面３ａまで延出形成されている一
方、樹脂ケース２の一方の対向側面２ｂ，２ｃにも延出
形成されており、さらに、その側面側延出部４ａの先端
はケース底面２ｄまで達している。一方、内部端子１０
はケース底面２ｄに設けられており、その先端１０ａ，
１０ａは、外部端子４とは異なりケース２の他方の対向
側面２ｅ，２ｆまで達している。
【００１１】さらに、内部端子１０はパイプ状の中心導
体６を備えている。中心導体６は内部端子１０の中央部
に立設されており、その先端は凹部３内に突出してい
る。
体６を備えている。中心導体６は内部端子１０の中央部
に立設されており、その先端は凹部３内に突出してい
る。
【００１２】なお、図１中、符号２０はこの同軸マイク
ロストリップライン変換器１が接続されるマイクロスト
リップラインであり、２１はマイクロストリップライン
２０に形成されたホットライン、２２は同じくマイクロ
ストリップライン２０に形成されたアースラインであ
る。また、２３はスルーホールであり、その内周面に形
成された導体（図示せず）により裏面のアースライン
（図示せず）に接続されている。
ロストリップライン変換器１が接続されるマイクロスト
リップラインであり、２１はマイクロストリップライン
２０に形成されたホットライン、２２は同じくマイクロ
ストリップライン２０に形成されたアースラインであ
る。また、２３はスルーホールであり、その内周面に形
成された導体（図示せず）により裏面のアースライン
（図示せず）に接続されている。
【００１３】次に本実施例の特徴となる構成を述べる。
図２の底面図に示すように、内部端子１０は全長に渡っ
て同幅Ｃとはなっておらず、中途部に２箇所、幅Ｃより
狭い幅Ｄに設定された狭幅部８が設けられている。この
狭幅部８を設けることにより、そこにインダクタンス成
分が発生し、同軸マイクロストリップライン変換器１は
内部に発生する浮遊容量Ｆが補償されて特性インピーダ
ンスの変動が防止される。以下、このことを説明する。
図２の底面図に示すように、内部端子１０は全長に渡っ
て同幅Ｃとはなっておらず、中途部に２箇所、幅Ｃより
狭い幅Ｄに設定された狭幅部８が設けられている。この
狭幅部８を設けることにより、そこにインダクタンス成
分が発生し、同軸マイクロストリップライン変換器１は
内部に発生する浮遊容量Ｆが補償されて特性インピーダ
ンスの変動が防止される。以下、このことを説明する。
【００１４】この同軸マイクロストリップライン変換器
１においても、高周波信号を入射すると、外部端子４と
内部端子１０との間に浮遊容量Ｆが発生することは否め
ない。この浮遊容量Ｆは図３の等価回路図に示すよう
に、回路中に並列に挿入されることになって本来の容量
を増加させ、さらには変換器１における特性インピーダ
ンスを減少させてしまうことになる。
１においても、高周波信号を入射すると、外部端子４と
内部端子１０との間に浮遊容量Ｆが発生することは否め
ない。この浮遊容量Ｆは図３の等価回路図に示すよう
に、回路中に並列に挿入されることになって本来の容量
を増加させ、さらには変換器１における特性インピーダ
ンスを減少させてしまうことになる。
【００１５】すなわち、通常、特性インピーダンスＺ
0は、 Ｚ0＝√（Ｌ／Ｃ） Ｚ0：特性インピーダンス Ｌ：単位長あたりのインダクタンス値 Ｃ：単位長あたりのキャパシタンス値 という関係を有している。この式で、キャパシタンス値
Ｃが浮遊容量Ｆの発生によって増加すると、その分特性
インピーダンスＺ0は減少することになる。つまり、変
換器１が挿入された地点における特性インピーダンスは
伝送回路網内の特性インピーダンス（通常は５０Ω）よ
り小さくなってしまうことになる。
0は、 Ｚ0＝√（Ｌ／Ｃ） Ｚ0：特性インピーダンス Ｌ：単位長あたりのインダクタンス値 Ｃ：単位長あたりのキャパシタンス値 という関係を有している。この式で、キャパシタンス値
Ｃが浮遊容量Ｆの発生によって増加すると、その分特性
インピーダンスＺ0は減少することになる。つまり、変
換器１が挿入された地点における特性インピーダンスは
伝送回路網内の特性インピーダンス（通常は５０Ω）よ
り小さくなってしまうことになる。
【００１６】ところが、この同軸マイクロストリップラ
イン変換器１には、内部端子１０に狭幅部８が設けられ
ており、このような構造の変換器１に高周波信号を入射
すると、狭幅部８にインダクタンスＬ1が発生する。こ
のインダクタンスＬ1は伝送回路に並列に接続されるこ
とになり、そのために上述した式におけるＬ値も上昇す
ることになる。このインダクタンス値上昇分は浮遊容量
Ｆによるキャパシタンス値上昇分を相殺するので特性イ
ンピーダンスＺ0は減少しない。つまり、狭幅部８に生
じるインダクタンス値Ｌ1によって浮遊容量Ｆが補償さ
れ、変換器１において特性インピーダンスＺ0は変動せ
ず、伝送回路網との整合は保たれることになる。
イン変換器１には、内部端子１０に狭幅部８が設けられ
ており、このような構造の変換器１に高周波信号を入射
すると、狭幅部８にインダクタンスＬ1が発生する。こ
のインダクタンスＬ1は伝送回路に並列に接続されるこ
とになり、そのために上述した式におけるＬ値も上昇す
ることになる。このインダクタンス値上昇分は浮遊容量
Ｆによるキャパシタンス値上昇分を相殺するので特性イ
ンピーダンスＺ0は減少しない。つまり、狭幅部８に生
じるインダクタンス値Ｌ1によって浮遊容量Ｆが補償さ
れ、変換器１において特性インピーダンスＺ0は変動せ
ず、伝送回路網との整合は保たれることになる。
【００１７】なお、変換器１内に発生する浮遊容量Ｆ
は、ケース２の形状や誘電率、および両端子４，１０の
形状によって微妙に変わる。そのため、浮遊容量Ｆを補
償する狭幅部８の形状や個数もそれに応じて変化させる
ようにすればよい。つまり、上記実施例においては、計
２個の狭幅部８を形成してしたが、発生する浮遊容量Ｆ
の値に応じて、狭幅部８の個数をもっと増やしたり、反
対に単一にしたり、さらには、端子１０全幅を所定の幅
より狭することによって、内部端子１０全体を狭幅部８
にしてもよい。
は、ケース２の形状や誘電率、および両端子４，１０の
形状によって微妙に変わる。そのため、浮遊容量Ｆを補
償する狭幅部８の形状や個数もそれに応じて変化させる
ようにすればよい。つまり、上記実施例においては、計
２個の狭幅部８を形成してしたが、発生する浮遊容量Ｆ
の値に応じて、狭幅部８の個数をもっと増やしたり、反
対に単一にしたり、さらには、端子１０全幅を所定の幅
より狭することによって、内部端子１０全体を狭幅部８
にしてもよい。
【００１８】このようにして構成した本実施例の同軸マ
イクロストリップライン変換器１の電圧定在波比（ＶＳ
ＷＲ）を図４に、さらには、従来の同軸マイクロストリ
ップライン変換器３０の電圧定在波比（ＶＳＷＲ）を図
５に示す。これらの図から明らかのように、本発明の同
軸マイクロストリップライン変換器では、電圧定在波比
（ＶＳＷＲ）が向上（低減）していることがわかる。
イクロストリップライン変換器１の電圧定在波比（ＶＳ
ＷＲ）を図４に、さらには、従来の同軸マイクロストリ
ップライン変換器３０の電圧定在波比（ＶＳＷＲ）を図
５に示す。これらの図から明らかのように、本発明の同
軸マイクロストリップライン変換器では、電圧定在波比
（ＶＳＷＲ）が向上（低減）していることがわかる。
【００１９】さらに、本実施例では、同軸マイクロスト
リップライン変換器１に、本発明を適用していたが、こ
れに限らず、同軸コプレナー変換器においても本発明の
構造を適用できることはいうまでもない。
リップライン変換器１に、本発明を適用していたが、こ
れに限らず、同軸コプレナー変換器においても本発明の
構造を適用できることはいうまでもない。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、内部端子
に狭幅部を設け、この狭幅部に生じるインダクタンス成
分によって、変換器内に発生する浮遊容量を補償するよ
うにした。そのため、変換器内の特性インピーダンスが
減少することがなくなってインピーダンスの整合性がよ
くなった。したがって、同軸マイクロストリップライン
変換器が低反射、低電圧定在波比（ＶＳＷＲ）になり、
入射信号を損失なく正確に伝送することができるように
なった。
に狭幅部を設け、この狭幅部に生じるインダクタンス成
分によって、変換器内に発生する浮遊容量を補償するよ
うにした。そのため、変換器内の特性インピーダンスが
減少することがなくなってインピーダンスの整合性がよ
くなった。したがって、同軸マイクロストリップライン
変換器が低反射、低電圧定在波比（ＶＳＷＲ）になり、
入射信号を損失なく正確に伝送することができるように
なった。
【図１】本発明の一実施例の同軸マイクロストリップラ
イン変換器の構造を示す斜視図である。
イン変換器の構造を示す斜視図である。
【図２】実施例の同軸マイクロストリップライン変換器
の底面図である。
の底面図である。
【図３】上記実施例の同軸マイクロストリップライン変
換器を接続した伝送回路網の等価回路図ある。
換器を接続した伝送回路網の等価回路図ある。
【図４】実施例の同軸マイクロストリップライン変換器
の電圧定在波比（ＶＳＷＲ）を示す線図である。
の電圧定在波比（ＶＳＷＲ）を示す線図である。
【図５】従来例の同軸マイクロストリップライン変換器
の電圧定在波比（ＶＳＷＲ）を示す線図である。
の電圧定在波比（ＶＳＷＲ）を示す線図である。
【図６】従来例の同軸マイクロストリップライン変換器
の構造を示す一部切欠斜視図である。
の構造を示す一部切欠斜視図である。
２ ケース ４ 外部端子 ８ 狭幅部 １０ 内部端子
Claims (1)
- 【請求項１】 ケース（２）と、このケース（２）の上
面から側面にかけて形成された外部端子（４）と、ケー
ス（４）の底面から側面にかけて前記外部端子（４）と
隔たる位置に形成された内部端子（１０）とを備えた同
軸マイクロストリップライン変換器であって、 前記内部端子（１０）は少なくともその一部に狭幅部
（８）を備えていることを特徴とする同軸マイクロスト
リップライン変換器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04955892A JP3203744B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 同軸マイクロストリップライン変換器 |
| DE69217848T DE69217848T2 (de) | 1991-11-30 | 1992-11-26 | Koaxialleiter/Mikrostreifenleitungsübergang |
| EP92120204A EP0545289B1 (en) | 1991-11-30 | 1992-11-26 | Coaxial microstrip line transducer |
| US07/985,189 US5336112A (en) | 1991-11-30 | 1992-11-30 | Coaxial microstrip line transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04955892A JP3203744B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 同軸マイクロストリップライン変換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251907A true JPH05251907A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3203744B2 JP3203744B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=12834535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04955892A Expired - Lifetime JP3203744B2 (ja) | 1991-11-30 | 1992-03-06 | 同軸マイクロストリップライン変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3203744B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011129264A1 (ja) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | 株式会社フジクラ | ケーブルアセンブリ、及び、それを用いたアンテナシステム |
| JP2015095326A (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-18 | 第一精工株式会社 | リセプタクルコネクタ |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP04955892A patent/JP3203744B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011129264A1 (ja) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | 株式会社フジクラ | ケーブルアセンブリ、及び、それを用いたアンテナシステム |
| JP2015095326A (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-18 | 第一精工株式会社 | リセプタクルコネクタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3203744B2 (ja) | 2001-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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