JPH07118666B2 - 携帯無線装置 - Google Patents
携帯無線装置Info
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- JPH07118666B2 JPH07118666B2 JP5125513A JP12551393A JPH07118666B2 JP H07118666 B2 JPH07118666 B2 JP H07118666B2 JP 5125513 A JP5125513 A JP 5125513A JP 12551393 A JP12551393 A JP 12551393A JP H07118666 B2 JPH07118666 B2 JP H07118666B2
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- frequency switch
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、送受信が同時には行わ
れない携帯無線装置に係り、特に通話時間の増大や軽量
化を図った携帯無線装置に関する。
れない携帯無線装置に係り、特に通話時間の増大や軽量
化を図った携帯無線装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】無線装置では、高周波電力増幅装置から
アンテナに至る経路の途中に高周波信号のパスを切り換
える高周波スイッチが挿入されるが、良く知られている
ようにこの種の高周波スイッチは、軽量化や短小化の観
点から、トランジスタやダイオードなどの半導体素子の
組み合わせで構成される。図３に２入力１出力の高周波
スイッチの一例を示す。
アンテナに至る経路の途中に高周波信号のパスを切り換
える高周波スイッチが挿入されるが、良く知られている
ようにこの種の高周波スイッチは、軽量化や短小化の観
点から、トランジスタやダイオードなどの半導体素子の
組み合わせで構成される。図３に２入力１出力の高周波
スイッチの一例を示す。
【０００３】図３において、２０１と２０２は高周波信
号の入力端子、２０３は高周波信号の出力端子、２０４
〜２０７はＧａＡｓＦＥＴ、２０８と２０９は切換制御
信号が印加される制御端子である。
号の入力端子、２０３は高周波信号の出力端子、２０４
〜２０７はＧａＡｓＦＥＴ、２０８と２０９は切換制御
信号が印加される制御端子である。
【０００４】制御端子２０８に低電圧（負電圧）を印加
し、制御端子２０９に高電圧（０電圧）を印加すると、
２０４と２０７のＦＥＴがオフとなり、２０５と２０６
のＦＥＴがオンするので、入力端子２０１と出力端子２
０３との間がＦＥＴ２０５を介して導通する。
し、制御端子２０９に高電圧（０電圧）を印加すると、
２０４と２０７のＦＥＴがオフとなり、２０５と２０６
のＦＥＴがオンするので、入力端子２０１と出力端子２
０３との間がＦＥＴ２０５を介して導通する。
【０００５】逆に、制御端子２０８に高電圧（０電圧）
を印加し、制御端子２０９に低電圧（負電圧）を印加す
ると、２０５と２０６のＦＥＴがオフとなり、２０４と
２０７のＦＥＴがオンするので、入力端子２０２と出力
端子２０３との間がＦＥＴ２０７を介して導通する。
を印加し、制御端子２０９に低電圧（負電圧）を印加す
ると、２０５と２０６のＦＥＴがオフとなり、２０４と
２０７のＦＥＴがオンするので、入力端子２０２と出力
端子２０３との間がＦＥＴ２０７を介して導通する。
【０００６】なお、この種の高周波スイッチでは、挿入
損失が少なくアイソレーションが良好であることが望ま
れるが、２０５と２０７のＦＥＴのゲートに更に直流的
には導通しないが交流的には導通するＧａＡｓＦＥＴを
挿入すれば改善できることが知られている（例えば特開
昭５９−８０９７４号公報）。
損失が少なくアイソレーションが良好であることが望ま
れるが、２０５と２０７のＦＥＴのゲートに更に直流的
には導通しないが交流的には導通するＧａＡｓＦＥＴを
挿入すれば改善できることが知られている（例えば特開
昭５９−８０９７４号公報）。
【０００７】ところで、図３に示した高周波スイッチ
は、負電圧を用いるが、携帯無線装置では、実装上の制
約等から高周波スイッチ専用の負電圧発生手段を特別に
設けることは困難である。そのため従来では、２０４と
２０６のＦＥＴのソースを直流的には接地しないで正電
圧を印加し交流的にバイパスコンデンサを介して接地す
ることとし、前記高電圧を正電圧、低電圧を０電圧とし
てスイッチ動作を行わせるのが一般的である。
は、負電圧を用いるが、携帯無線装置では、実装上の制
約等から高周波スイッチ専用の負電圧発生手段を特別に
設けることは困難である。そのため従来では、２０４と
２０６のＦＥＴのソースを直流的には接地しないで正電
圧を印加し交流的にバイパスコンデンサを介して接地す
ることとし、前記高電圧を正電圧、低電圧を０電圧とし
てスイッチ動作を行わせるのが一般的である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ここに携帯無線装置で
は、長時間の使用を可能にすることや装置の軽量化を図
るため送信用パワーアンプ（高周波電力増幅装置）以降
で生ずる損失の低減が重要な課題の１つであり、従っ
て、高周波電力増幅装置からアンテナに至る経路の途中
に挿入される高周波スイッチの挿入損失は最小限に抑制
することが必要である。
は、長時間の使用を可能にすることや装置の軽量化を図
るため送信用パワーアンプ（高周波電力増幅装置）以降
で生ずる損失の低減が重要な課題の１つであり、従っ
て、高周波電力増幅装置からアンテナに至る経路の途中
に挿入される高周波スイッチの挿入損失は最小限に抑制
することが必要である。
【０００９】高周波スイッチの挿入損失を低減しアイソ
レーションを良好にする方策として前述した公報掲載の
方法もあるが、部品点数が増加する難点がある。従っ
て、部品点数を増加させずに実現する方法、即ち、切換
制御の高電圧と低電圧のレベル差を大きくする方法を考
慮すべきである。
レーションを良好にする方策として前述した公報掲載の
方法もあるが、部品点数が増加する難点がある。従っ
て、部品点数を増加させずに実現する方法、即ち、切換
制御の高電圧と低電圧のレベル差を大きくする方法を考
慮すべきである。
【００１０】しかし、従来の携帯無線装置の送信段で使
用される高周波スイッチは、上述したように切換制御の
高電圧は正電圧を、低電圧は０電圧を使用するので、レ
ベル差を大きくすることは、正電圧を大きくすることで
あるから軽量化の趣旨に反する結果となる。また正電圧
の大きさを従来と同程度としコンバータで変換するとし
ても事情は同じであり、挿入損失の低減等が困難である
という問題がある。
用される高周波スイッチは、上述したように切換制御の
高電圧は正電圧を、低電圧は０電圧を使用するので、レ
ベル差を大きくすることは、正電圧を大きくすることで
あるから軽量化の趣旨に反する結果となる。また正電圧
の大きさを従来と同程度としコンバータで変換するとし
ても事情は同じであり、挿入損失の低減等が困難である
という問題がある。
【００１１】一方、ＧａＡｓＦＥＴを用いた高周波スイ
ッチでは、前述したように本来的に高電圧は０電圧を、
低電圧は負電圧を使用するので、この点に着目し切換制
御電圧として正電圧と負電圧を用いれば容易に大きなレ
ベル差が得られる。しかし、この場合には、前述したよ
うに高周波スイッチ専用の負電圧発生手段を特別に設け
ることができないので実現が困難であるという問題があ
る。
ッチでは、前述したように本来的に高電圧は０電圧を、
低電圧は負電圧を使用するので、この点に着目し切換制
御電圧として正電圧と負電圧を用いれば容易に大きなレ
ベル差が得られる。しかし、この場合には、前述したよ
うに高周波スイッチ専用の負電圧発生手段を特別に設け
ることができないので実現が困難であるという問題があ
る。
【００１２】本発明は、このような従来の問題に鑑みな
されたもので、その目的は、専用の負電圧発生手段を特
別に設けることなく高周波スイッチに正電圧と負電圧を
印加できるようにし、以て挿入損失の低減等により通話
時間の増大や軽量化が図れる携帯無線装置を提供するこ
とにある。
されたもので、その目的は、専用の負電圧発生手段を特
別に設けることなく高周波スイッチに正電圧と負電圧を
印加できるようにし、以て挿入損失の低減等により通話
時間の増大や軽量化が図れる携帯無線装置を提供するこ
とにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の携帯無線装置は次の如き構成を有する。即
ち、第１発明の携帯無線装置は、トランジスタを用いた
少なくとも１つの高周波電力増幅装置と； 前記高周波
電力増幅装置の出力を複数の系へ切り換えて出力する、
又は、複数の高周波電力増幅装置の出力を１つの系へ切
り換えて出力することを半導体素子の組み合わせにより
実現する少なくとも１つの高周波スイッチと； 前記高
周波電力増幅装置と前記高周波スイッチとに直接または
電圧変換手段を介して接続される少なくとも１つの正電
圧発生手段及び少なくとも１つの負電圧発生手段と；
を備えたことを特徴とするものである。
め、本発明の携帯無線装置は次の如き構成を有する。即
ち、第１発明の携帯無線装置は、トランジスタを用いた
少なくとも１つの高周波電力増幅装置と； 前記高周波
電力増幅装置の出力を複数の系へ切り換えて出力する、
又は、複数の高周波電力増幅装置の出力を１つの系へ切
り換えて出力することを半導体素子の組み合わせにより
実現する少なくとも１つの高周波スイッチと； 前記高
周波電力増幅装置と前記高周波スイッチとに直接または
電圧変換手段を介して接続される少なくとも１つの正電
圧発生手段及び少なくとも１つの負電圧発生手段と；
を備えたことを特徴とするものである。
【００１４】第２発明の携帯無線装置は、第１発明の携
帯無線装置において； 前記負電圧発生手段と前記高周
波スイッチとの間に、両者を接続して高周波スイッチに
負電圧を印加するか、両者の接続を解除して高周波スイ
ッチに０電圧を印加するか、の制御を行うコントロール
回路； を設けたことを特徴とするものである。
帯無線装置において； 前記負電圧発生手段と前記高周
波スイッチとの間に、両者を接続して高周波スイッチに
負電圧を印加するか、両者の接続を解除して高周波スイ
ッチに０電圧を印加するか、の制御を行うコントロール
回路； を設けたことを特徴とするものである。
【００１５】第３発明の携帯無線装置は、第２発明の携
帯無線装置において； 前記コントロール回路は、当該
無線装置が送信状態にあるとき高周波スイッチに負電圧
を印加し、それ以外の状態では高周波スイッチに０電圧
を印加する； ことを特徴とする携帯無線装置。
帯無線装置において； 前記コントロール回路は、当該
無線装置が送信状態にあるとき高周波スイッチに負電圧
を印加し、それ以外の状態では高周波スイッチに０電圧
を印加する； ことを特徴とする携帯無線装置。
【００１６】第４発明の携帯無線装置は、第２発明の携
帯無線装置において； 前記コントロール回路は、当該
無線装置が通話状態及び送信時の待ち受け状態にあると
き高周波スイッチに負電圧を印加し、それ以外の状態で
は高周波スイッチに０電圧を印加する； ことを特徴と
するものである。
帯無線装置において； 前記コントロール回路は、当該
無線装置が通話状態及び送信時の待ち受け状態にあると
き高周波スイッチに負電圧を印加し、それ以外の状態で
は高周波スイッチに０電圧を印加する； ことを特徴と
するものである。
【００１７】第５発明の携帯無線装置は、第１発明の携
帯無線装置において； 前記負電圧発生手段は、当該無
線装置が送信状態にあるとき負電圧を発生し、それ以外
の状態では０電圧を発生する； ことを特徴とするもの
である。
帯無線装置において； 前記負電圧発生手段は、当該無
線装置が送信状態にあるとき負電圧を発生し、それ以外
の状態では０電圧を発生する； ことを特徴とするもの
である。
【００１８】第６発明の携帯無線装置は、第１発明の携
帯無線装置において； 前記負電圧発生手段は、当該無
線装置が通話状態及び送信時の待ち受け状態にあるとき
負電圧を発生し、それ以外の状態では０電圧を発生す
る； ことを特徴とするものである。
帯無線装置において； 前記負電圧発生手段は、当該無
線装置が通話状態及び送信時の待ち受け状態にあるとき
負電圧を発生し、それ以外の状態では０電圧を発生す
る； ことを特徴とするものである。
【００１９】第７発明の携帯無線装置は、第１発明乃至
第６発明の何れかに記載の携帯無線装置において； 前
記高周波電力増幅装置に用いるトランジスタは、ＧａＡ
ｓＦＥＴである； ことを特徴とするものである。
第６発明の何れかに記載の携帯無線装置において； 前
記高周波電力増幅装置に用いるトランジスタは、ＧａＡ
ｓＦＥＴである； ことを特徴とするものである。
【００２０】第８発明の携帯無線装置は、第１発明乃至
第７発明の何れかに記載の携帯無線装置において； 前
記高周波スイッチを構成する半導体素子は、ＧａＡｓＦ
ＥＴである； ことを特徴とするものである。
第７発明の何れかに記載の携帯無線装置において； 前
記高周波スイッチを構成する半導体素子は、ＧａＡｓＦ
ＥＴである； ことを特徴とするものである。
【００２１】
【作用】次に、前記の如くに構成される本発明の携帯無
線装置の作用を説明する。本発明では、高周波電力増幅
装置がＧａＡｓＦＥＴを用いたもの（第７発明）となる
ことがあることに鑑み、負電圧発生手段を備えるので、
この高周波電力増幅装置用の負電圧発生手段から高周波
スイッチに負電圧を供給するようにしてある（第１発
明）。
線装置の作用を説明する。本発明では、高周波電力増幅
装置がＧａＡｓＦＥＴを用いたもの（第７発明）となる
ことがあることに鑑み、負電圧発生手段を備えるので、
この高周波電力増幅装置用の負電圧発生手段から高周波
スイッチに負電圧を供給するようにしてある（第１発
明）。
【００２２】従って、高周波スイッチ専用の負電圧発生
手段を特別に設けることなく高周波スイッチに切換制御
電圧として正電圧と負電圧を印加できるので、大きなレ
ベル差が容易に得られ、以て挿入損失の一層の低減等が
可能となり、通話時間の増大や軽量化が図れる携帯無線
装置を提供することができることになる。
手段を特別に設けることなく高周波スイッチに切換制御
電圧として正電圧と負電圧を印加できるので、大きなレ
ベル差が容易に得られ、以て挿入損失の一層の低減等が
可能となり、通話時間の増大や軽量化が図れる携帯無線
装置を提供することができることになる。
【００２３】ここに、高周波スイッチには、負電圧を常
時印加しても良いが、高周波スイッチの挿入損失が問題
となるのは、通話時を含む送信時であるので、コントロ
ール回路を設け（第２発明）、負電圧の印加態様を第３
発明や第４発明のように設定しても良い。
時印加しても良いが、高周波スイッチの挿入損失が問題
となるのは、通話時を含む送信時であるので、コントロ
ール回路を設け（第２発明）、負電圧の印加態様を第３
発明や第４発明のように設定しても良い。
【００２４】また、同様の観点から負電圧発生手段の負
電圧発生態様を第５発明や第６発明のように設定しても
良い。この場合には負電圧発生手段の消費電流の低減も
図れる。
電圧発生態様を第５発明や第６発明のように設定しても
良い。この場合には負電圧発生手段の消費電流の低減も
図れる。
【００２５】さらに、ＧａＡｓＦＥＴを用いた高周波電
力増幅装置（第７発明）では、当該装置の効率向上が図
れる。またＧａＡｓＦＥＴを用いた高周波スイッチ（第
８発明）では、その低消費電流と低オン抵抗のため、通
話時間の増大や軽量化に大きく寄与する利点がある。
力増幅装置（第７発明）では、当該装置の効率向上が図
れる。またＧａＡｓＦＥＴを用いた高周波スイッチ（第
８発明）では、その低消費電流と低オン抵抗のため、通
話時間の増大や軽量化に大きく寄与する利点がある。
【００２６】なお、携帯無線装置は、通常１個の高周波
電力増幅装置を備えるが、場合によっては複数の高周波
電力増幅装置を備えることがある。かかる場合は、高周
波スイッチは、複数入力１出力となり、また両電圧発生
手段も対応した個数となるが支障なく本発明を適用でき
ることは言うまでもない。
電力増幅装置を備えるが、場合によっては複数の高周波
電力増幅装置を備えることがある。かかる場合は、高周
波スイッチは、複数入力１出力となり、また両電圧発生
手段も対応した個数となるが支障なく本発明を適用でき
ることは言うまでもない。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明の一実施例に係る携帯無線装置を
示す。本実施例装置は、高周波電力増幅装置１０７と、
１入力２出力の高周波スイッチ（１０８〜１１１）と、
コントロール回路１１２と、各種の端子（１０１〜１０
６）とを備える。
する。図１は、本発明の一実施例に係る携帯無線装置を
示す。本実施例装置は、高周波電力増幅装置１０７と、
１入力２出力の高周波スイッチ（１０８〜１１１）と、
コントロール回路１１２と、各種の端子（１０１〜１０
６）とを備える。
【００２８】正電圧端子１０４には、図外の正電圧発生
手段の出力が直接、又は、電圧変換手段を介して印加さ
れる。負電圧端子１０５にも同様に、図外の負電圧発生
手段の出力が直接、又は、電圧変換手段を介して印加さ
れる。
手段の出力が直接、又は、電圧変換手段を介して印加さ
れる。負電圧端子１０５にも同様に、図外の負電圧発生
手段の出力が直接、又は、電圧変換手段を介して印加さ
れる。
【００２９】高周波電力増幅装置１０７は、本実施例で
はＧａＡｓＦＥＴを用いて構成されるが、正電圧端子１
０４及び負電圧端子１０５から電源供給を受けて入力端
子１０１に印加される高周波送信信号を適宜レベルまで
電力増幅して高周波スイッチに出力する。
はＧａＡｓＦＥＴを用いて構成されるが、正電圧端子１
０４及び負電圧端子１０５から電源供給を受けて入力端
子１０１に印加される高周波送信信号を適宜レベルまで
電力増幅して高周波スイッチに出力する。
【００３０】高周波スイッチは、１０８〜１１１のトラ
ンジスタがＧａＡｓＦＥＴである。つまり、図３に示し
たものと同一構成であり、前述したように１０９（１１
１）のＦＥＴのソースは、直接接地するのではなく正電
圧を印加し１２０（１２１）のコンデンサを介して接地
してある。
ンジスタがＧａＡｓＦＥＴである。つまり、図３に示し
たものと同一構成であり、前述したように１０９（１１
１）のＦＥＴのソースは、直接接地するのではなく正電
圧を印加し１２０（１２１）のコンデンサを介して接地
してある。
【００３１】コントロール回路１１２は、切換スイッチ
を備え、制御端子１０６に印加される切換制御信号に従
って正電圧端子１０４と負電圧端子１０５に接続する高
周波スイッチ（１０８〜１１１）のＦＥＴゲートを切り
換える。つまり、高周波スイッチでは、１０８と１１１
の共通接続ＦＥＴゲートと１０９と１１０の共通接続Ｆ
ＥＴゲートにおいて、一方に正電圧端子１０４が接続さ
れ、他方に負電圧端子１０５が接続されるように切り換
えられる。
を備え、制御端子１０６に印加される切換制御信号に従
って正電圧端子１０４と負電圧端子１０５に接続する高
周波スイッチ（１０８〜１１１）のＦＥＴゲートを切り
換える。つまり、高周波スイッチでは、１０８と１１１
の共通接続ＦＥＴゲートと１０９と１１０の共通接続Ｆ
ＥＴゲートにおいて、一方に正電圧端子１０４が接続さ
れ、他方に負電圧端子１０５が接続されるように切り換
えられる。
【００３２】今、コントロール回路１１２の切換スイッ
チが図示の状態にあると、高周波スイッチの１０８と１
１１の共通接続ＦＥＴゲートに正電圧が印加されてＦＥ
Ｔ１０８及びＦＥＴ１１１がオフし、１０９と１１０の
ＦＥＴは共通接続ゲートに負電圧が印加されてオンする
ので、高周波電力増幅装置１０７の出力はＦＥＴ１１０
を通って出力端子１０３に送出される。
チが図示の状態にあると、高周波スイッチの１０８と１
１１の共通接続ＦＥＴゲートに正電圧が印加されてＦＥ
Ｔ１０８及びＦＥＴ１１１がオフし、１０９と１１０の
ＦＥＴは共通接続ゲートに負電圧が印加されてオンする
ので、高周波電力増幅装置１０７の出力はＦＥＴ１１０
を通って出力端子１０３に送出される。
【００３３】そして、制御端子１０６に印加する切換制
御信号の極性を反転させると、コントロール回路１１２
の切換スイッチが切り換わり、今度は、高周波電力増幅
装置１０７の出力はＦＥＴ１０８を通って出力端子１０
２に送出される。
御信号の極性を反転させると、コントロール回路１１２
の切換スイッチが切り換わり、今度は、高周波電力増幅
装置１０７の出力はＦＥＴ１０８を通って出力端子１０
２に送出される。
【００３４】ここに、送信タイミングは図２（ａ）で斜
線を施した時間領域で発生するとすれば、図外の負電圧
発生手段は、送信タイミングの時間領域において負電圧
（−Ｖ）を発生し、その他の時間領域では０Ｖを発生す
るが、負電圧端子１０５と接地間にはプルダウン抵抗１
２２を設けてあるので、負電圧端子１０５に印加される
電圧は、図２（ｂ）に示すように、送信タイミングの時
間領域において負電圧（−Ｖ）となり、その他の時間領
域では０Ｖとなる。
線を施した時間領域で発生するとすれば、図外の負電圧
発生手段は、送信タイミングの時間領域において負電圧
（−Ｖ）を発生し、その他の時間領域では０Ｖを発生す
るが、負電圧端子１０５と接地間にはプルダウン抵抗１
２２を設けてあるので、負電圧端子１０５に印加される
電圧は、図２（ｂ）に示すように、送信タイミングの時
間領域において負電圧（−Ｖ）となり、その他の時間領
域では０Ｖとなる。
【００３５】要するに、コントロール回路１１２の切換
スイッチが例えば図示の状態にあるときは、１０９と１
１０のＦＥＴのゲートには、送信時は負電圧（−Ｖ）が
印加され、その他の場合は０Ｖが印加されるようにし、
送信時の切換制御電圧のレベル差を大きくして挿入損失
の低減を図る（図２（ｃ））と同時に、負電圧発生手段
の消費電流の低減を図ったものである。
スイッチが例えば図示の状態にあるときは、１０９と１
１０のＦＥＴのゲートには、送信時は負電圧（−Ｖ）が
印加され、その他の場合は０Ｖが印加されるようにし、
送信時の切換制御電圧のレベル差を大きくして挿入損失
の低減を図る（図２（ｃ））と同時に、負電圧発生手段
の消費電流の低減を図ったものである。
【００３６】例えば、正電圧を５Ｖ、負電圧を−４Ｖ、
扱う周波数を１ＧHZとしたとき、市販のＧａＡｓＦＥＴ
スイッチを用いた場合、挿入損失は０．２〜０．３ｄＢ
程度改善される。
扱う周波数を１ＧHZとしたとき、市販のＧａＡｓＦＥＴ
スイッチを用いた場合、挿入損失は０．２〜０．３ｄＢ
程度改善される。
【００３７】なお、負電圧発生手段の負電圧発生態様と
して、図２（ｂ）は送信状態のとき負電圧を発生する
が、消費電流の低減を図る観点から、更に限定して通話
状態時及び送信時の待ち受け時（更に回線制御信号の授
受が行われる時のみとしても良い）にのみ負電圧を発生
するようにしても良い。
して、図２（ｂ）は送信状態のとき負電圧を発生する
が、消費電流の低減を図る観点から、更に限定して通話
状態時及び送信時の待ち受け時（更に回線制御信号の授
受が行われる時のみとしても良い）にのみ負電圧を発生
するようにしても良い。
【００３８】負電圧発生手段の負電圧発生が上述した態
様となる結果、高周波スイッチに印加する切換制御電圧
は、受信時では従来と同様に正電圧と０電圧である。従
って受信時の挿入損失は送信時よりも劣化することにな
るが、後段の回路で吸収できるので、大きな問題にはな
らない。
様となる結果、高周波スイッチに印加する切換制御電圧
は、受信時では従来と同様に正電圧と０電圧である。従
って受信時の挿入損失は送信時よりも劣化することにな
るが、後段の回路で吸収できるので、大きな問題にはな
らない。
【００３９】以上は、負電圧発生手段の負電圧発生を変
化させる場合であるが、負電圧発生手段は、常時一定電
圧を発生するようにし、コントロール回路１１２が高周
波スイッチに印加する電圧を変化させるようにしても良
い。挿入損失の低減に関しては同様の効果が得られ、通
話時間の増大等を可能にする。
化させる場合であるが、負電圧発生手段は、常時一定電
圧を発生するようにし、コントロール回路１１２が高周
波スイッチに印加する電圧を変化させるようにしても良
い。挿入損失の低減に関しては同様の効果が得られ、通
話時間の増大等を可能にする。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の携帯無線
装置では、高周波電力増幅装置がＧａＡｓＦＥＴを用い
たもの（第７発明）となることがあることに鑑み、負電
圧発生手段を備えるので、この高周波電力増幅装置用の
負電圧発生手段から高周波スイッチに負電圧を供給する
ようにしてある（第１発明）。従って、高周波スイッチ
専用の負電圧発生手段を特別に設けることなく高周波ス
イッチに切換制御電圧として正電圧と負電圧を印加でき
るので、大きなレベル差が容易に得られ、以て挿入損失
の一層の低減等が可能となり、通話時間の増大や軽量化
が図れる携帯無線装置を提供できる効果がある。
装置では、高周波電力増幅装置がＧａＡｓＦＥＴを用い
たもの（第７発明）となることがあることに鑑み、負電
圧発生手段を備えるので、この高周波電力増幅装置用の
負電圧発生手段から高周波スイッチに負電圧を供給する
ようにしてある（第１発明）。従って、高周波スイッチ
専用の負電圧発生手段を特別に設けることなく高周波ス
イッチに切換制御電圧として正電圧と負電圧を印加でき
るので、大きなレベル差が容易に得られ、以て挿入損失
の一層の低減等が可能となり、通話時間の増大や軽量化
が図れる携帯無線装置を提供できる効果がある。
【００４１】ここに、高周波スイッチには、負電圧を常
時印加しても良いが、高周波スイッチの挿入損失が問題
となるのは、通話時を含む送信時であるので、コントロ
ール回路を設け（第２発明）、負電圧の印加態様を第３
発明や第４発明のように設定しても良い。一層の低減効
果が得られる。同様の観点から負電圧発生手段の負電圧
発生態様を第５発明や第６発明のように設定しても良
い。この場合には負電圧発生手段の消費電流の低減も図
れる効果がある。
時印加しても良いが、高周波スイッチの挿入損失が問題
となるのは、通話時を含む送信時であるので、コントロ
ール回路を設け（第２発明）、負電圧の印加態様を第３
発明や第４発明のように設定しても良い。一層の低減効
果が得られる。同様の観点から負電圧発生手段の負電圧
発生態様を第５発明や第６発明のように設定しても良
い。この場合には負電圧発生手段の消費電流の低減も図
れる効果がある。
【００４２】さらに、ＧａＡｓＦＥＴを用いた高周波電
力増幅装置（第７発明）では、当該装置の効率向上が図
れる。またＧａＡｓＦＥＴを用いた高周波スイッチ（第
８発明）では、その低消費電流と低オン抵抗のため、通
話時間の増大や軽量化に大きく寄与する利点がある。
力増幅装置（第７発明）では、当該装置の効率向上が図
れる。またＧａＡｓＦＥＴを用いた高周波スイッチ（第
８発明）では、その低消費電流と低オン抵抗のため、通
話時間の増大や軽量化に大きく寄与する利点がある。
【図１】本発明の一実施例に係る携帯無線装置の要部の
構成ブロック図である。
構成ブロック図である。
【図２】挿入損失の低減が行われる場合のタイムチャー
トである。
トである。
【図３】一般的な高周波スイッチの回路図である。
１０１ 入力端子 １０２，１０３ 出力端子 １０４ 正電圧端子 １０５ 負電圧端子 １０６ 制御端子 １０７ 高周波電力増幅装置 １０８〜１１１ 高周波スイッチを構成するＦＥＴ １１２ コントロール回路 １２０，１２１ コンデンサ １２２ 抵抗
Claims (8)
- 【請求項１】 トランジスタを用いた少なくとも１つの
高周波電力増幅装置と； 前記高周波電力増幅装置の出
力を複数の系へ切り換えて出力する、又は、複数の高周
波電力増幅装置の出力を１つの系へ切り換えて出力する
ことを半導体素子の組み合わせにより実現する少なくと
も１つの高周波スイッチと； 前記高周波電力増幅装置
と前記高周波スイッチとに直接または電圧変換手段を介
して接続される少なくとも１つの正電圧発生手段及び少
なくとも１つの負電圧発生手段と； を備えたことを特
徴とする携帯無線装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の携帯無線装置におい
て； 前記負電圧発生手段と前記高周波スイッチとの間
に、両者を接続して高周波スイッチに負電圧を印加する
か、両者の接続を解除して高周波スイッチに０電圧を印
加するか、の制御を行うコントロール回路； を設けた
ことを特徴とする携帯無線装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の携帯無線装置におい
て； 前記コントロール回路は、当該無線装置が送信状
態にあるとき高周波スイッチに負電圧を印加し、それ以
外の状態では高周波スイッチに０電圧を印加する； こ
とを特徴とする携帯無線装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の携帯無線装置におい
て； 前記コントロール回路は、当該無線装置が通話状
態及び送信時の待ち受け状態にあるとき高周波スイッチ
に負電圧を印加し、それ以外の状態では高周波スイッチ
に０電圧を印加する； ことを特徴とする携帯無線装
置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の携帯無線装置におい
て； 前記負電圧発生手段は、当該無線装置が送信状態
にあるとき負電圧を発生し、それ以外の状態では０電圧
を発生する； ことを特徴とする携帯無線装置。 - 【請求項６】 請求項１に記載の携帯無線装置におい
て； 前記負電圧発生手段は、当該無線装置が通話状態
及び送信時の待ち受け状態にあるとき負電圧を発生し、
それ以外の状態では０電圧を発生する； ことを特徴と
する携帯無線装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６の何れかに記載の
携帯無線装置において； 前記高周波電力増幅装置に用
いるトランジスタは、ＧａＡｓＦＥＴである； ことを
特徴とする携帯無線装置。 - 【請求項８】 請求項１乃至請求項７の何れかに記載の
携帯無線装置において； 前記高周波スイッチを構成す
る半導体素子は、ＧａＡｓＦＥＴである；ことを特徴と
する携帯無線装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP5125513A JPH07118666B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 携帯無線装置 |
| EP94106478A EP0622901B1 (en) | 1993-04-28 | 1994-04-26 | Signal processing circuit and control method with switch capable of reducing insertion loss |
| DE69416338T DE69416338T2 (de) | 1993-04-28 | 1994-04-26 | Schaltung und Kontrollverfahren zur Signalverarbeitung mit einem Schalter zur Reduzierung von Einfügungsverlusten |
| US08/233,942 US5554892A (en) | 1993-04-28 | 1994-04-28 | Signal processing circuit for switch capable of reducing insertion loss |
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|---|---|---|---|
| JP5125513A JPH07118666B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 携帯無線装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314985A JPH06314985A (ja) | 1994-11-08 |
| JPH07118666B2 true JPH07118666B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=14912004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5125513A Expired - Fee Related JPH07118666B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 携帯無線装置 |
Country Status (4)
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|---|---|
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| EP (1) | EP0622901B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07118666B2 (ja) |
| DE (1) | DE69416338T2 (ja) |
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1994
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- 1994-04-26 DE DE69416338T patent/DE69416338T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-28 US US08/233,942 patent/US5554892A/en not_active Expired - Fee Related
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