KR920009100A - 고주파전력 증폭회로 및 그것을 이용한 이동체 무선통신장치 - Google Patents

고주파전력 증폭회로 및 그것을 이용한 이동체 무선통신장치 Download PDF

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데쯔아끼 아다찌
아끼라 마스다
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마모루 이또
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야마모또 마사유끼
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Abstract

내용 없음

Description

고주파전력 증폭회로 및 그것을 이용한 이동체 무선통신장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 이실시예에 의한 이동 무선통신장치의 개략적인 구성도,
제2도는 출력신호의 파형도,
제3도는 바이어스조건에 따른 증폭기의 분류를 설명하기 위한 모식도.

Claims (25)

  1. 저전력 변조된 고주파 입력신호(Pin, Rin)을 받는 입력단자(EXI)). 전력증폭된 고주파 출력신호(Pout, Rout)를 공급하는 출력단자(EXO), 제어신호(APC)에 의해서 바이어스조건이 가변으로 되는 제1의 증폭소자 (P3, PM3, M1)을 갖고, 상기 입력단자(EX)에 전기적으로 결합되며, 상기 고주파 입력신호(Pin, Rin)을 상기 제1의 증폭소자의 이득으로 결정되는 소정의 전력까지 증폭하는 구동회로(3)과 바이어스조건이 일정하게 되는 제2의 증폭소자(P3, PM3, G1)을 갖고 상기 구동회로(3)에 전기적으로 결합되며, 상기 소정의 전력으로 증폭된 신호에 응답하여 상기 고주파출력신호(Pout)를 출력하는 종단회로(1)을 포함하는 고주파전력 증폭회로.
  2. 특허정구의 범위 제1항에 있어서, 또 상기 제어신호(APC)에 응답해서 상기 제1의 증폭소자의 바이어스 조건을 변화시키는 가변바이어스수단(5)와 상기 제2의 증폭소자의 바이어스조건을 일정하게 하는 바이어스수단(4)를 포함하는 고주파전력 증폭회로.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 제2의 증폭소자에는 AB급 동작하도륵 상기 바이어스수단(4)에 의해서 게이트바이어스가 공급되는 고주파전력 증폭회로.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 증폭소자는 GaAs FET인 고주파전력 증폭회로.
  5. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 증폭소자는 MOSFET인 고주파전력 증폭회로.
  6. 특허청구의 범위 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 고주파전력 증폭회로 (100)은 협대역 증폭회로인 고주파 전력 증폭회로.
  7. 특허청구의 범위 제3항에 있어서. 또 상기 구동회로의 입력레벨을 외부에서의 제어신호에 의해서 증감시키는 가변아테네이터를 갖고, 상기 가변바이어스수단과 상기 가변아테네이터에 의해서 고주파출력전력의 가변제어를 실행시키는 고주파전력 증폭회로.
  8. 특허청구의 범위 제3항에 있어서. 또 상기 구동회로의 동작전원전압을 제어신호에 따라서 감쇠시키는 가변전압전원회로를 갖고, 상기 가변바이어스수단과 상기 가변전원전압회로에 의해서 고주파출력전력의 가변제어를 실행시키는 고주파전력 증폭회로.
  9. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 가변바이어스수단의 제어신호와 상기 가변아테네이터의 제어신호는 각각에 독립해서 부여되는 고주파전력 증폭 회로.
  10. 안테나(900), 상기 안테나에 결합된 수신유닛(800), 상기 수신유닛에 결합되는 스피커(801). 마이크(501), 상기 마이크에 결합된 베이스 밴드유닛(500)과 상기 베이스 밴드유닛에 그의 입력단자가 결합되고, 상기 안테나에 그외 출력단자가 결합된 특허청구의 범위 제2항에 따르는 고주파전력 증폭회로 (100)을 포함하는 이동무선통신장치.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 또 가변바이어스수단(5)에 제어신호를 송출하는 마이크로 컴퓨터를 포함하는 이동무선통신장치.
  12. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 제1의 증폭소자는 엔한스먼트형의 MOSFET이고, 제2의 증폭소자는 GaAs FET인 고주파전력 증폭회로.
  13. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 고주파전력 증폭회로는 세라믹기판상에 혼성 집적된 모듈인 고주파전력 증폭회로.
  14. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 가변바이어스수단은 정의 바이어스전압을 발생하고, 상기 바이어스수단은 부의 바이어스전압을 발생하는 고주파전력 증폭회로.
  15. 특허청구의 범위 제12항에 따르는 고주파전력 증폭회로를 포함하는 무선통신장치.
  16. 종단회로와 구동회로로 이루어지는 다단구성의 고주파전력 증폭회로에 있어서, 상기 종단회로의 증폭소자는 GaAs FET이고, 상기 구동회로의 증폭수자가 엔한스먼트형의 실리콘 FET인 것을 특징으로 하는 고주파전력 증폭회로.
  17. 정의 동작전원전압과 부의 바이어스전압에 의해서 증폭동자기켜지는 제 1의 종류의 증폭소자를 사용한 종단회로, 정의 동작전원전압과 정의 바이어스전압에 의해서 증폭동작시켜지는 제2의 종류의 증폭소자를 사용한 구동회로, 상기 제1의 종류의 증폭소자에 소경의 부바이어스전압을 부여하는 부바이어스회로, 상기 제2의 종류의 증폭소자에 외부에서의 신호에 따라서 변화하는 정바이어스전압을 부여하는 정바이어스회로를 포함하는 고주파전력 증폭회로.
  18. 특허청구의 범위 제17항에 있어서, 상기 부바이어스회로는 일정한 부바이어스전압 종단회로의 증폭소자에 부여하는 고정바이어스회로인 것을 특징으로 하는 고주파전력 증폭회로.
  19. 종단회로의 증폭소자가 GaAs FET로, 구동회로의 증폭소자가 엔한스먼트형의 실리콘 FET로 구성된 고주파전력 증폭회로를 갖고. 상기 구동회로의 실리콘 FET의 게이트 바이어스전압을 가변하는 것에 의해 무선송신전력을 가변제어하는 것을 특징으로 하는 무선통신기.
  20. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 수신전파의 강도에 따라서 상기 구동회로의 실리콘FET의 게이트 바이어스전압을 가변하는 것에 의해 무선송신전력을 최적화 제어하는 것을 특징으로 하는 무선통신기.
  21. 특허청구의 범위 제20항에 있어서, 실리콘 FET의 게이크 바이어스전압을 DA변환기에 의해서 부여하는 것을 특징으로 하는 무선통신기.
  22. 특허청구 범위 제19항 내지 제21항중의 어느한항에 있어서, 종단회로의 동작조건이 일정한 동작전원전압 및 바이어스전압에 의해서 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 무선통신기.
  23. 특허청구의 범위 제19항 내지 제21항중의 어느한항에 있어서, 종단회로와 구동회로가 리니어동작시켜지는 것을 특징으로 하는 무선통신기.
  24. 특허청구의 범위 제22항에 있어서. 종단회로와 구동회로가 리니어동작시켜지는 것을 특징으로 하는 무선통신기.
  25. GaAs FET를 증폭소자로 하는 종단회로와 엔한스먼트형 실리콘 FET를 증폭소자로 하는 구동회로를 다단 접속한 것에 의해서 저전력 변조된 고주파신호를 리니어증폭하는 고주파전력 증폭회로, 상기 고주파전력 증폭회로의 입력신호의 출력레벨을 가변하는 것에 의해 송신전력을 제어하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선통신기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3365428B2 (ja) * 1992-12-09 2003-01-14 ソニー株式会社 高周波パワーアンプのバイアス制御回路
JP3158776B2 (ja) * 1993-04-28 2001-04-23 ソニー株式会社 通信機
DE4339526A1 (de) * 1993-11-19 1995-05-24 Philips Patentverwaltung Funkgerät mit Sendeleistungsregelung
US5568094A (en) * 1994-12-15 1996-10-22 At&T Corp. Rf power amplifier with increased efficiency at low power
EP0829131A1 (de) * 1995-05-29 1998-03-18 Siemens Aktiengesellschaft Verstärker mit minimaler leistungsaufnahme
JP3508401B2 (ja) * 1996-07-12 2004-03-22 富士通株式会社 増幅回路および多段増幅回路
EP0854569B1 (en) * 1997-01-21 2003-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-frequency power amplifier
SE520227C2 (sv) * 1997-04-18 2003-06-10 Ericsson Telefon Ab L M Effektförstärkarkrets, samt förfarande för reglering och användning av en sådan krets
DE19804199A1 (de) * 1998-02-03 1999-08-05 Rohde & Schwarz Hochfrequenz-Sender
EP0940910A1 (en) * 1998-03-03 1999-09-08 Robert Bosch Gmbh Power amplifier for a radio transmitter and mobile telephone with a radio transmitter
US6522197B2 (en) * 2000-04-21 2003-02-18 Paradigm Wireless Systems, Inc. Method and apparatus for optimum biasing of cascaded MOSFET radio-frequency devices
TWI465116B (zh) * 2008-06-20 2014-12-11 Chi Mei Comm Systems Inc 具有一揚聲器之電子裝置
US8514016B2 (en) 2011-01-18 2013-08-20 Skyworks Solutions, Inc. Single die power amplifier with closed loop power control
JPWO2013061679A1 (ja) * 2011-10-27 2015-04-02 三菱電機株式会社 高周波増幅器モジュール及び高周波増幅器モジュールユニット
US11159134B2 (en) 2019-12-19 2021-10-26 Nxp Usa, Inc. Multiple-stage power amplifiers and amplifier arrays configured to operate using the same output bias voltage
CN114614840B (zh) * 2022-03-08 2023-08-25 福耀玻璃工业集团股份有限公司 车用信号放大器、系统及信号传输方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6110327Y2 (ko) * 1980-01-10 1986-04-03
JPS57211835A (en) * 1981-06-23 1982-12-25 Kokusai Electric Co Ltd Automatic electric power controlling circuit for transmitter
US4636741A (en) * 1985-11-01 1987-01-13 Motorola, Inc. Multi-level power amplifying circuitry for portable radio transceivers
JPH01239916A (ja) * 1988-03-22 1989-09-25 Seiko Epson Corp 半導体装置
FI80815C (fi) * 1988-09-13 1990-07-10 Nokia Mobira Oy Linearisation av en foerstaerkning i en rf-foerstaerkare.
JP2609310B2 (ja) * 1988-12-22 1997-05-14 株式会社日立製作所 送信回路

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