JP3365255B2 - 高周波信号受信回路 - Google Patents
高周波信号受信回路Info
- Publication number
- JP3365255B2 JP3365255B2 JP14885697A JP14885697A JP3365255B2 JP 3365255 B2 JP3365255 B2 JP 3365255B2 JP 14885697 A JP14885697 A JP 14885697A JP 14885697 A JP14885697 A JP 14885697A JP 3365255 B2 JP3365255 B2 JP 3365255B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- effect transistor
- field
- frequency signal
- receiving circuit
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器、
特に携帯電話における高周波信号の増幅および周波数変
換を行うための半導体回路に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、携帯電話をはじめとする移動体通
信機器の普及にともない、移動体通信機器の高性能化、
特に、待ち受け時間の延長が要求されている。待ち受け
時間は、主に、高周波信号受信回路（フロントエンドＩ
Ｃ）の消費電力によって決まるため、この高周波信号受
信回路の低消費電力化が要望されている。 【０００３】まず、従来の携帯電話の高周波信号受信回
路について説明する。図２は、３つの能動素子を有する
高周波信号受信回路のブロック図である。図２におい
て、互いに並列に接続された低雑音アンプ１およびロー
カルアンプ２がミキサー３にそれぞれ直列に接続されて
おり、これら３つの能動素子はそれぞれ定電圧源から直
接給電されている。これらの３つの能動素子は、高周波
特性を向上させる目的で、ガリウム砒素電界効果トラン
ジスタを用いて構成されている。 【０００４】次に、この高周波受信回路の動作について
説明する。携帯電話のアンテナで受信された微弱な高周
波信号（周波数ｆ１）が入力端子１ａから低雑音アンプ
１に入力され、増幅された後、ミキサー３に入力され
る。また、局部発振器（図示せず）から発せられる定周
波信号（周波数ｆ２）が入力端子２ａからローカルアン
プ２に入力され、増幅された後、ミキサー３に入力され
る。そして、ミキサー３の出力端子３ａからは中間周波
数ｆ１−ｆ２を有する合成信号が出力される。 【０００５】この高周波信号受信回路の構成についてさ
らに詳しく説明する。図３は、図２においてブロック図
により示した従来の高周波信号受信回路の詳細な回路図
である。図３において、低雑音アンプ１は、ガリウム砒
素を用いた第１の電界効果トランジスタ４のゲート電極
４ｇがゲートバイアス抵抗５を介して接地され、ソース
電極４ｓが、互いに並列に接続されたバイパス容量素子
６と、第１の電界効果トランジスタ４のしきい値電圧の
ばらつきに起因するドレイン電流の不安定性を低減する
目的で設けられた自己バイアス抵抗７とを介して接地さ
れることにより構成されている。 【０００６】ローカルアンプ２は、低雑音アンプ１と同
様に、第２の電界効果トランジスタ９のゲート電極９ｇ
がゲートバイアス抵抗１０を介して接地され、ソース電
極９ｓが、互いに並列に接続されたバイパス容量素子１
１と自己バイアス抵抗１２とを介して接地されることに
より構成されている。 【０００７】ミキサー３は、第３の電界効果トランジス
タ１４のゲート電極１４ｇ1およびゲート電極１４ｇ2が
それぞれゲートバイアス抵抗１５または抵抗１６を介し
て接地され、ソース電極１４ｓが、互いに並列に接続さ
れたバイパス容量素子１７および自己バイアス抵抗１８
を介して接地されることにより構成されている。 【０００８】また、ドレイン電極４ｄが結合容量素子８
を介してゲート電極１４ｇ1に接続され、ドレイン電極
９ｄが結合容量素子１３を介してゲート電極１４ｇ2に
接続されている。 【０００９】入力端子１ａ、２ａおよび出力端子３ａは
それぞれゲート電極４ｇ、９ｇおよびドレイン電極１４
ｄに接続されている。 【００１０】電源には電圧が３Ｖのリチウム電池１９が
用いられ、ドレイン電極４ｄ、９ｄ、１４ｄには、それ
ぞれ３Ｖの電圧が直接印加されている。 【００１１】従来、高周波信号受信回路を低消費電力化
する手段としては、電界効果トランジスタ４、９、１４
のゲート長を０．６ミクロンまで短縮してドレイン電流
を低減させる方法が知られている。 【００１２】 【発明が解決しようとする課題】電界効果トランジスタ
の電流特性を示す一例として、図４に、第１の電界効果
トランジスタ４のソース・ドレイン間電圧（ソース電極
４ｓとドレイン電極４ｄとの電位差）とドレイン電流と
の関係を示す。図４からわかるように、ソース・ドレイ
ン間電圧がピンチオフ電圧Ｖｐ以上のとき、ドレイン電
流は一定となる。ドレイン電流が一定であれば、電界効
果トランジスタの増幅率は一定である。したがって、ソ
ース・ドレイン間電圧がピンチオフ電圧Ｖｐ以上の範囲
で増減しても、電界効果トランジスタの増幅率は一定と
なる。 【００１３】ところで、ソース・ドレイン間電圧が増加
すると、電界効果トランジスタの消費電力は増加してし
まう。したがって、その増幅率を変化させずに、すなわ
ちドレイン電流を変化させないで消費電力を低減するた
めには、ピンチオフ電圧Ｖｐを下回らない範囲でソース
・ドレイン間電圧を減少させればよい。 【００１４】しかしながら、従来の携帯電話の高周波信
号受信回路には、リチウム電池３Ｖ、あるいは１．２Ｖ
のニッケル水素電池を３つ直列に接続して３．６Ｖとし
たものが電源として用いられているため、第１の電界効
果トランジスタ４は、図４中に示した点Ａ、すなわち、
ピンチオフ電圧Ｖｐよりもかなり高い電圧で動作してい
る。このように、従来の携帯電話の高周波信号受信回路
に用いられている電源は、その電界効果トランジスタ用
の電源電圧としては高すぎるために、電力の浪費となっ
ている。 【００１５】なお、ゲート長０．６ミクロン未満の電界
効果トランジスタは、耐圧性が低いため、ソース・ドレ
イン間に３Ｖの電圧を印加すると正常な動作をしなくな
ることがある。 【００１６】本発明は、消費電力が低い半導体回路を提
供することを目的とする。 【００１７】 【課題を解決するための手段】本発明の高周波受信回路
は、第１、及び第２の入力信号を増幅する電界効果トラ
ンジスタからなる第１、及び第２の増幅回路と、前記各
増幅回路からの出力信号を入力し合成信号を出力するミ
キサとを有する高周波信号受信回路において、前記第
１、及び第２の増幅回路は電源と接地との間に直列に接
続されており、前記各増幅回路のゲ−ト電極は、電源と
接地との間に複数の抵抗を直列に接続して形成されたゲ
−ト電圧供給回路に接続されていることを特徴とするも
のであり、これにより、各々の電界効果トランジスタの
ソース電極およびドレイン電極間に印加される電圧が減
少するため、高周波受信回路全体の消費電力が低減され
る。 【００１８】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。 【００１９】図１は、本発明の一実施の形態における高
周波信号受信回路を示す図である。なお、図１中、従来
の高周波信号受信回路と同一の構成要素には同一の符号
を付した。図１において、第１の電界効果トランジスタ
４のドレイン電極４ｄは、電圧３Ｖのリチウム電池１９
に接続され、ソース電極４ｓはバイパス容量素子６を介
して接地され、かつ電流の交流成分を遮断する目的で設
けられたチョークコイル２０を介して第２の電界効果ト
ランジスタ９のドレイン電極９ｄに接続されている。 【００２０】第２の電界効果トランジスタ９のソース電
極９ｓはバイパス容量素子１１を介して接地され、電流
の交流成分を遮断する目的で設けられたチョークコイル
２１を介して第３の電界効果トランジスタ１４のドレイ
ン電極１４ｄに接続されている。第３の電界効果トラン
ジスタ１４のソース電極１４ｓは、バイパス容量素子１
７と自己バイアス抵抗１８との並列接続体を介して接地
されている。 【００２１】第１の電界効果トランジスタ４のドレイン
電極４ｄは、結合容量素子８を介して第３の電界効果ト
ランジスタ１４のゲート電極１４ｇ1に接続されてい
る。また、第２の電界効果トランジスタ９のドレイン電
極９ｄは、結合容量素子１３を介して第３の電界効果ト
ランジスタ１４のゲート電極１４ｇ2に接続されてい
る。さらに、第３の電界効果トランジスタ１４のゲート
電極１４ｇ1、１４ｇ2はゲートバイアス抵抗１５、１６
を介してそれぞれ接地されている。 【００２２】第１の電界効果トランジスタ４のゲート電
極４ｇおよび第２の電界効果トランジスタ９のゲート電
極９ｇは、入力端子１ａ、２ａにそれぞれ接続されてお
り、第３の電界効果トランジスタ１４のドレイン電極１
４ｄは出力端子３ａに接続されている。 【００２３】また、抵抗２２、抵抗２３および抵抗２４
が直列に接続されている。抵抗２２の一端は、リチウム
電池１９、他端はゲート電極４ｇにそれぞれ接続され、
抵抗２３の一端がゲート電極４ｇ、他端はゲート電極９
ｇに接続されている。抵抗２４の一端はゲート電極９ｇ
に接続され、他端は接地されている。なお、抵抗２２、
２３、２４の各抵抗値は、第１の電界効果トランジスタ
４のソース・ドレイン間電圧および第２の電界効果トラ
ンジスタ９のソース・ドレイン間電圧がそれぞれの電界
効果トランジスタのピンチオフ電圧よりも高くなるよう
に設定されている。 【００２４】次に、この高周波信号受信回路の動作につ
いて説明する。基本的な動作は、従来の高周波信号受信
回路と同様であり、携帯電話のアンテナで受信された微
弱な高周波信号（周波数ｆ１）が入力端子１ａからゲー
ト電極４ｇに入力され、第１の電界効果トランジスタ４
で増幅された後、結合容量素子８を通してゲート電極１
４ｇ1に入力される。また、局部発振器（図示せず）か
ら発せられる定周波信号（周波数ｆ２）が入力端子２ａ
からゲート電極９ｇに入力され、第２の電界効果トラン
ジスタ９で増幅された後、結合容量素子１３を通過して
ゲート電極１４ｇ2に入力される。そして、中間周波数
ｆ１−ｆ２を有する合成信号が、第３の電界効果トラン
ジスタ１４のドレイン電極１４ｄを経由して出力端子３
ａから出力される。 【００２５】本発明の実施の形態における高周波信号受
信回路では、第３の電界効果トランジスタ１４のゲート
電極１４ｇ1、１４ｇ2の電位は、それぞれゲートバイア
ス抵抗１５、１６によりグランド電位に固定されている
ために、ソース・ドレイン間電圧がピンチオフ電圧以上
となる。したがって、第３の電界効果トランジスタ１４
のドレイン電流はソース・ドレイン間電圧に依存せずほ
ぼ一定値になる。 【００２６】また、第２の電界効果トランジスタ９のソ
ース電極９ｓの電位に対するゲート電極９ｇの電位は、
ゲートバイアス抵抗２２、２３、２４により、ピンチオ
フ電圧以上となるように固定されているので、第３の電
界効果トランジスタ１４のドレイン電流と同量のドレイ
ン電流が流れるように、第２の電界効果トランジスタ９
のソース電極９ｓの電位が決まる。 【００２７】同様に、第１の電界効果トランジスタ４の
ソース電極４ｓの電位に対するゲート電極４ｇの電位
は、ゲートバイアス抵抗２２、２３、２４により、ピン
チオフ電圧以上となるように固定されているので、第２
の電界効果トランジスタ９を流れるドレイン電流と同量
のドレイン電流が流れるように、第１の電界効果トラン
ジスタ４のソース電極４ｓの電位が決まる。 【００２８】第１の電界効果トランジスタ４、第２の電
界効果トランジスタ９および第３の電界効果トランジス
タ１４の各々のソース・ドレイン間に印加される電圧の
和は、電源１９が供給する電圧３Ｖに等しく、また、本
実施の形態における３つの電界効果トランジスタの特性
は全てほぼ等しいため、電源１９の電圧３Ｖは、３つの
電界効果トランジスタのソース・ドレイン間にほぼ１Ｖ
ずつ均等に印加されている。すなわち、一つの電界効果
トランジスタのソース・ドレイン間電圧が従来の３Ｖか
ら約１Ｖに低減されるため、電界効果トランジスタにお
ける消費電力は従来に比して大幅に低減される。なお、
ソース・ドレイン間電圧がピンチオフ電圧以下とはなら
ないように設定されているため、従来の高周波信号受信
回路に比して電界効果トランジスタの増幅率が低下する
こともなく、したがって高周波特性も良好に保たれる。 【００２９】 【発明の効果】以上のように、本発明は、一つの電界効
果トランジスタのソース・ドレイン間に印加される電圧
を減少させることができるため、電界効果トランジスタ
における消費電力が低減され、回路全体の消費電力も低
減される。
特に携帯電話における高周波信号の増幅および周波数変
換を行うための半導体回路に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、携帯電話をはじめとする移動体通
信機器の普及にともない、移動体通信機器の高性能化、
特に、待ち受け時間の延長が要求されている。待ち受け
時間は、主に、高周波信号受信回路（フロントエンドＩ
Ｃ）の消費電力によって決まるため、この高周波信号受
信回路の低消費電力化が要望されている。 【０００３】まず、従来の携帯電話の高周波信号受信回
路について説明する。図２は、３つの能動素子を有する
高周波信号受信回路のブロック図である。図２におい
て、互いに並列に接続された低雑音アンプ１およびロー
カルアンプ２がミキサー３にそれぞれ直列に接続されて
おり、これら３つの能動素子はそれぞれ定電圧源から直
接給電されている。これらの３つの能動素子は、高周波
特性を向上させる目的で、ガリウム砒素電界効果トラン
ジスタを用いて構成されている。 【０００４】次に、この高周波受信回路の動作について
説明する。携帯電話のアンテナで受信された微弱な高周
波信号（周波数ｆ１）が入力端子１ａから低雑音アンプ
１に入力され、増幅された後、ミキサー３に入力され
る。また、局部発振器（図示せず）から発せられる定周
波信号（周波数ｆ２）が入力端子２ａからローカルアン
プ２に入力され、増幅された後、ミキサー３に入力され
る。そして、ミキサー３の出力端子３ａからは中間周波
数ｆ１−ｆ２を有する合成信号が出力される。 【０００５】この高周波信号受信回路の構成についてさ
らに詳しく説明する。図３は、図２においてブロック図
により示した従来の高周波信号受信回路の詳細な回路図
である。図３において、低雑音アンプ１は、ガリウム砒
素を用いた第１の電界効果トランジスタ４のゲート電極
４ｇがゲートバイアス抵抗５を介して接地され、ソース
電極４ｓが、互いに並列に接続されたバイパス容量素子
６と、第１の電界効果トランジスタ４のしきい値電圧の
ばらつきに起因するドレイン電流の不安定性を低減する
目的で設けられた自己バイアス抵抗７とを介して接地さ
れることにより構成されている。 【０００６】ローカルアンプ２は、低雑音アンプ１と同
様に、第２の電界効果トランジスタ９のゲート電極９ｇ
がゲートバイアス抵抗１０を介して接地され、ソース電
極９ｓが、互いに並列に接続されたバイパス容量素子１
１と自己バイアス抵抗１２とを介して接地されることに
より構成されている。 【０００７】ミキサー３は、第３の電界効果トランジス
タ１４のゲート電極１４ｇ1およびゲート電極１４ｇ2が
それぞれゲートバイアス抵抗１５または抵抗１６を介し
て接地され、ソース電極１４ｓが、互いに並列に接続さ
れたバイパス容量素子１７および自己バイアス抵抗１８
を介して接地されることにより構成されている。 【０００８】また、ドレイン電極４ｄが結合容量素子８
を介してゲート電極１４ｇ1に接続され、ドレイン電極
９ｄが結合容量素子１３を介してゲート電極１４ｇ2に
接続されている。 【０００９】入力端子１ａ、２ａおよび出力端子３ａは
それぞれゲート電極４ｇ、９ｇおよびドレイン電極１４
ｄに接続されている。 【００１０】電源には電圧が３Ｖのリチウム電池１９が
用いられ、ドレイン電極４ｄ、９ｄ、１４ｄには、それ
ぞれ３Ｖの電圧が直接印加されている。 【００１１】従来、高周波信号受信回路を低消費電力化
する手段としては、電界効果トランジスタ４、９、１４
のゲート長を０．６ミクロンまで短縮してドレイン電流
を低減させる方法が知られている。 【００１２】 【発明が解決しようとする課題】電界効果トランジスタ
の電流特性を示す一例として、図４に、第１の電界効果
トランジスタ４のソース・ドレイン間電圧（ソース電極
４ｓとドレイン電極４ｄとの電位差）とドレイン電流と
の関係を示す。図４からわかるように、ソース・ドレイ
ン間電圧がピンチオフ電圧Ｖｐ以上のとき、ドレイン電
流は一定となる。ドレイン電流が一定であれば、電界効
果トランジスタの増幅率は一定である。したがって、ソ
ース・ドレイン間電圧がピンチオフ電圧Ｖｐ以上の範囲
で増減しても、電界効果トランジスタの増幅率は一定と
なる。 【００１３】ところで、ソース・ドレイン間電圧が増加
すると、電界効果トランジスタの消費電力は増加してし
まう。したがって、その増幅率を変化させずに、すなわ
ちドレイン電流を変化させないで消費電力を低減するた
めには、ピンチオフ電圧Ｖｐを下回らない範囲でソース
・ドレイン間電圧を減少させればよい。 【００１４】しかしながら、従来の携帯電話の高周波信
号受信回路には、リチウム電池３Ｖ、あるいは１．２Ｖ
のニッケル水素電池を３つ直列に接続して３．６Ｖとし
たものが電源として用いられているため、第１の電界効
果トランジスタ４は、図４中に示した点Ａ、すなわち、
ピンチオフ電圧Ｖｐよりもかなり高い電圧で動作してい
る。このように、従来の携帯電話の高周波信号受信回路
に用いられている電源は、その電界効果トランジスタ用
の電源電圧としては高すぎるために、電力の浪費となっ
ている。 【００１５】なお、ゲート長０．６ミクロン未満の電界
効果トランジスタは、耐圧性が低いため、ソース・ドレ
イン間に３Ｖの電圧を印加すると正常な動作をしなくな
ることがある。 【００１６】本発明は、消費電力が低い半導体回路を提
供することを目的とする。 【００１７】 【課題を解決するための手段】本発明の高周波受信回路
は、第１、及び第２の入力信号を増幅する電界効果トラ
ンジスタからなる第１、及び第２の増幅回路と、前記各
増幅回路からの出力信号を入力し合成信号を出力するミ
キサとを有する高周波信号受信回路において、前記第
１、及び第２の増幅回路は電源と接地との間に直列に接
続されており、前記各増幅回路のゲ−ト電極は、電源と
接地との間に複数の抵抗を直列に接続して形成されたゲ
−ト電圧供給回路に接続されていることを特徴とするも
のであり、これにより、各々の電界効果トランジスタの
ソース電極およびドレイン電極間に印加される電圧が減
少するため、高周波受信回路全体の消費電力が低減され
る。 【００１８】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。 【００１９】図１は、本発明の一実施の形態における高
周波信号受信回路を示す図である。なお、図１中、従来
の高周波信号受信回路と同一の構成要素には同一の符号
を付した。図１において、第１の電界効果トランジスタ
４のドレイン電極４ｄは、電圧３Ｖのリチウム電池１９
に接続され、ソース電極４ｓはバイパス容量素子６を介
して接地され、かつ電流の交流成分を遮断する目的で設
けられたチョークコイル２０を介して第２の電界効果ト
ランジスタ９のドレイン電極９ｄに接続されている。 【００２０】第２の電界効果トランジスタ９のソース電
極９ｓはバイパス容量素子１１を介して接地され、電流
の交流成分を遮断する目的で設けられたチョークコイル
２１を介して第３の電界効果トランジスタ１４のドレイ
ン電極１４ｄに接続されている。第３の電界効果トラン
ジスタ１４のソース電極１４ｓは、バイパス容量素子１
７と自己バイアス抵抗１８との並列接続体を介して接地
されている。 【００２１】第１の電界効果トランジスタ４のドレイン
電極４ｄは、結合容量素子８を介して第３の電界効果ト
ランジスタ１４のゲート電極１４ｇ1に接続されてい
る。また、第２の電界効果トランジスタ９のドレイン電
極９ｄは、結合容量素子１３を介して第３の電界効果ト
ランジスタ１４のゲート電極１４ｇ2に接続されてい
る。さらに、第３の電界効果トランジスタ１４のゲート
電極１４ｇ1、１４ｇ2はゲートバイアス抵抗１５、１６
を介してそれぞれ接地されている。 【００２２】第１の電界効果トランジスタ４のゲート電
極４ｇおよび第２の電界効果トランジスタ９のゲート電
極９ｇは、入力端子１ａ、２ａにそれぞれ接続されてお
り、第３の電界効果トランジスタ１４のドレイン電極１
４ｄは出力端子３ａに接続されている。 【００２３】また、抵抗２２、抵抗２３および抵抗２４
が直列に接続されている。抵抗２２の一端は、リチウム
電池１９、他端はゲート電極４ｇにそれぞれ接続され、
抵抗２３の一端がゲート電極４ｇ、他端はゲート電極９
ｇに接続されている。抵抗２４の一端はゲート電極９ｇ
に接続され、他端は接地されている。なお、抵抗２２、
２３、２４の各抵抗値は、第１の電界効果トランジスタ
４のソース・ドレイン間電圧および第２の電界効果トラ
ンジスタ９のソース・ドレイン間電圧がそれぞれの電界
効果トランジスタのピンチオフ電圧よりも高くなるよう
に設定されている。 【００２４】次に、この高周波信号受信回路の動作につ
いて説明する。基本的な動作は、従来の高周波信号受信
回路と同様であり、携帯電話のアンテナで受信された微
弱な高周波信号（周波数ｆ１）が入力端子１ａからゲー
ト電極４ｇに入力され、第１の電界効果トランジスタ４
で増幅された後、結合容量素子８を通してゲート電極１
４ｇ1に入力される。また、局部発振器（図示せず）か
ら発せられる定周波信号（周波数ｆ２）が入力端子２ａ
からゲート電極９ｇに入力され、第２の電界効果トラン
ジスタ９で増幅された後、結合容量素子１３を通過して
ゲート電極１４ｇ2に入力される。そして、中間周波数
ｆ１−ｆ２を有する合成信号が、第３の電界効果トラン
ジスタ１４のドレイン電極１４ｄを経由して出力端子３
ａから出力される。 【００２５】本発明の実施の形態における高周波信号受
信回路では、第３の電界効果トランジスタ１４のゲート
電極１４ｇ1、１４ｇ2の電位は、それぞれゲートバイア
ス抵抗１５、１６によりグランド電位に固定されている
ために、ソース・ドレイン間電圧がピンチオフ電圧以上
となる。したがって、第３の電界効果トランジスタ１４
のドレイン電流はソース・ドレイン間電圧に依存せずほ
ぼ一定値になる。 【００２６】また、第２の電界効果トランジスタ９のソ
ース電極９ｓの電位に対するゲート電極９ｇの電位は、
ゲートバイアス抵抗２２、２３、２４により、ピンチオ
フ電圧以上となるように固定されているので、第３の電
界効果トランジスタ１４のドレイン電流と同量のドレイ
ン電流が流れるように、第２の電界効果トランジスタ９
のソース電極９ｓの電位が決まる。 【００２７】同様に、第１の電界効果トランジスタ４の
ソース電極４ｓの電位に対するゲート電極４ｇの電位
は、ゲートバイアス抵抗２２、２３、２４により、ピン
チオフ電圧以上となるように固定されているので、第２
の電界効果トランジスタ９を流れるドレイン電流と同量
のドレイン電流が流れるように、第１の電界効果トラン
ジスタ４のソース電極４ｓの電位が決まる。 【００２８】第１の電界効果トランジスタ４、第２の電
界効果トランジスタ９および第３の電界効果トランジス
タ１４の各々のソース・ドレイン間に印加される電圧の
和は、電源１９が供給する電圧３Ｖに等しく、また、本
実施の形態における３つの電界効果トランジスタの特性
は全てほぼ等しいため、電源１９の電圧３Ｖは、３つの
電界効果トランジスタのソース・ドレイン間にほぼ１Ｖ
ずつ均等に印加されている。すなわち、一つの電界効果
トランジスタのソース・ドレイン間電圧が従来の３Ｖか
ら約１Ｖに低減されるため、電界効果トランジスタにお
ける消費電力は従来に比して大幅に低減される。なお、
ソース・ドレイン間電圧がピンチオフ電圧以下とはなら
ないように設定されているため、従来の高周波信号受信
回路に比して電界効果トランジスタの増幅率が低下する
こともなく、したがって高周波特性も良好に保たれる。 【００２９】 【発明の効果】以上のように、本発明は、一つの電界効
果トランジスタのソース・ドレイン間に印加される電圧
を減少させることができるため、電界効果トランジスタ
における消費電力が低減され、回路全体の消費電力も低
減される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における高周波信号受信
回路を示す図 【図２】従来の高周波信号受信回路のブロック図 【図３】従来の高周波信号受信回路を示す図 【図４】電界効果トランジスタの電流特性を示す図 【符号の説明】 １ 低雑音アンプ １ａ、２ａ 入力端子 ２ ローカルアンプ ３ ミキサー ３ａ 出力端子 ４ 第１の電界効果トランジスタ ５、１０、１５、１６ ゲートバイアス抵抗 ６、１１、１７ バイパス容量素子 ７、１２、１８ 自己バイアス抵抗 ８、１３ 結合容量素子 ９ 第２の電界効果トランジスタ １４ 第３の電界効果トランジスタ １９ 電源 ２０、２１ チョークコイル ２２、２３、２４ 抵抗
回路を示す図 【図２】従来の高周波信号受信回路のブロック図 【図３】従来の高周波信号受信回路を示す図 【図４】電界効果トランジスタの電流特性を示す図 【符号の説明】 １ 低雑音アンプ １ａ、２ａ 入力端子 ２ ローカルアンプ ３ ミキサー ３ａ 出力端子 ４ 第１の電界効果トランジスタ ５、１０、１５、１６ ゲートバイアス抵抗 ６、１１、１７ バイパス容量素子 ７、１２、１８ 自己バイアス抵抗 ８、１３ 結合容量素子 ９ 第２の電界効果トランジスタ １４ 第３の電界効果トランジスタ １９ 電源 ２０、２１ チョークコイル ２２、２３、２４ 抵抗
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03F 1/00 - 3/72
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１、及び第２の入力信号を増幅する電
界効果トランジスタからなる第１、及び第２の増幅回路
と、前記各増幅回路からの出力信号を入力し合成信号を
出力するミキサとを有する高周波信号受信回路におい
て、前記第１、及び第２の増幅回路は電源と接地との間
に直列に接続されており、前記各増幅回路のゲ−ト電極
は、電源と接地との間に複数の抵抗を直列に接続して形
成されたゲ−ト電圧供給回路に接続されていることを特
徴とする高周波信号受信回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14885697A JP3365255B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 高周波信号受信回路 |
| US09/092,438 US6219535B1 (en) | 1997-06-06 | 1998-06-05 | Semiconductor amplifier and frequency converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14885697A JP3365255B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 高周波信号受信回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10341118A JPH10341118A (ja) | 1998-12-22 |
| JP3365255B2 true JP3365255B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=15462279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14885697A Expired - Fee Related JP3365255B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 高周波信号受信回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6219535B1 (ja) |
| JP (1) | JP3365255B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3853604B2 (ja) | 2001-04-04 | 2006-12-06 | 松下電器産業株式会社 | 周波数変換回路 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4334324A (en) * | 1980-10-31 | 1982-06-08 | Rca Corporation | Complementary symmetry FET frequency converter circuits |
| JPS6115426A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ミキサ装置 |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP14885697A patent/JP3365255B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-05 US US09/092,438 patent/US6219535B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10341118A (ja) | 1998-12-22 |
| US6219535B1 (en) | 2001-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5892400A (en) | Amplifier using a single polarity power supply and including depletion mode FET and negative voltage generator | |
| US7271663B2 (en) | Operational amplifier output stage and method | |
| JP5064224B2 (ja) | デュアルバイアス制御回路 | |
| EP0854569A1 (en) | High-frequency power amplifier | |
| KR960027257A (ko) | 아날로그 및 디지털 휴대용 전화기 겸용 전력증폭기 | |
| US7560992B2 (en) | Dynamically biased amplifier | |
| US5757237A (en) | Method for dynamically biasing an amplifier and circuit therefor | |
| US7030685B1 (en) | Frequency boosting circuit for high swing cascode biasing circuits | |
| Wong et al. | An efficient CMOS buffer for driving large capacitive loads | |
| EP0601888B1 (en) | Variable gain RF amplifier with linear gain control | |
| Shi et al. | A 0.1-3.4 GHz LNA with multiple feedback and current-reuse technique based on 0.13-μm SOI CMOS | |
| WO2004049555B1 (en) | Radio frequency power amplifier active self-bias compensation circuit | |
| US6255885B1 (en) | Low voltage transistor biasing | |
| JP3158776B2 (ja) | 通信機 | |
| JP3365255B2 (ja) | 高周波信号受信回路 | |
| US5532650A (en) | High-frequency amplifier | |
| JP3853604B2 (ja) | 周波数変換回路 | |
| JP3105489B2 (ja) | 増幅器 | |
| JPH06244651A (ja) | 交流信号処理回路を具える装置 | |
| Estreich | A monolithic wide-band GaAs IC amplifier | |
| JP4389360B2 (ja) | 利得制御装置 | |
| US6542036B2 (en) | Low current amplifier circuit with protection against static electricity | |
| US7205837B2 (en) | Body effect amplifier | |
| JPH07283659A (ja) | 高周波電流のおよび広帯域電流の増幅法 | |
| JP2007201698A (ja) | 高周波電力増幅器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081101 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091101 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091101 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101101 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111101 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121101 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131101 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |