JPH036040Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、UHF・VHFチユーナに関し、受信
信号のバンドによらず出力信号レベルが一定にな
ると共に、汎用性の高いIC回路を提供するもの
である。

〔従来の技術〕 UHF・VHFチユーナは第３図に示すように構
成されている。図においてVHFアンテナ１から
の信号がVHF帯の高周波アンプ２を通じてIC１
０のVHF入力端子１０ａに供給される。このIC
１０には周波数混合−増幅器３とVHF帯の局部
発振器４が内蔵され、ここで局部発振信号と混合
されたVHFの中間周波信号が出力端子１０ｂに
取り出される。

またUHFアンテナ５からの信号がUHF帯の高
周波アンプ６を通じて周波数混合器７に供給さ
れ、UHF帯の局部発振回路８からの局部発振信
号と混合されてUHFの中間周波信号が形成され、
その信号がIC１０の入力端子１０ｃを通じて周
波数混合−増幅器３に供給される。そしてこのと
きは回路３は中間周波増幅器として動作し、増幅
されたUHFの中間周波信号が出力端子１０ｂに
取り出される。

このような回路において、高周波アンプ２，６
のアンテナ入力から、IC１０の中間周波出力１
０ｂまでの利得は、各バンドで略一定であること
が望ましく、これらの利得偏差が大きくなると歪
特性などに問題を生じることになる。そこで上述
の回路において、UHF〜VHFの全帯域に亘つて
利得が略一定になるように回路設計がなされてい
る。

ところで上述の回路において、UHF帯の高周
波アンプ６は従来はMOSFETを用いた回路が多
く用いられていた。これに対して近年、ガリウム
ヒ素（GaAs）系のFETを用いた高感度の回路が
提案されている。すなわちGaAsFETは、旧来の
MOSFETよりも雑音指数に優れ、電力利得も３
〜4dB高いので、受信回路に用いた場合に受信感
度の向上が計られる。そしてこのような受信感度
の向上は特にUHF帯の受信回路に多く望まれる
ため、UHF帯の高周波アンプ６にGaAsFETを
用いる回路が提案された。

ところが上述の回路において、UHF帯の高周
波アンプ６の利得が高くなると、チユーナ全体の
利得が高くなつてしまい、VHF帯とで利得が一
致しなくなる。そこで上述のGaAsFETの回路に
合せて回路を設計した場合には、旧来の
MOSFETの回路を用いた場合に利得が低下し
て、やはりVHF帯との利得が一致しなくなつて
しまう。このため従来はMOSFET用と、
GaAsFET用とで別のICを設計しなければなら
ず、製造上の問題となつていた。

〔考案が解決しようとする時題点〕

従来の装置は上述のように構成されていた。こ
のため高周波アンプの構成によつて利得が一致し
なくなつたり、構成に応じて多種のICを用意し
なければならないなどの問題点があつた。

〔問題点を解決するための手段〕

本考案は、平衡出力端子を有する第１の周波数
混合器３１と、この平衡出力を増幅する差動型中
間周波増幅器３４とが縦続接続され、上記第１の
周波数混合器３１の平衡出力の一方の端子には後
段からの負帰還成分が加えられ、他方の端子には
第２の周波数混合器７からの中間周波信号が加え
られると共に、上記負帰還成分が加えられる端子
とアースとの間にスイツチング素子１１とインピ
ーダンス素子１２の直列回路が接続され、上記ス
イツチング素子１１は上記第２の周波数混合器７
の動作時に導通状態となつて上記差動型中間周波
増幅器３４の負帰還を減少させ利得を高めること
ができるようにされたUHF・VHFチユーナであ
る。

〔作用〕

この装置によれば、高周波アンプの構成に応じ
て利得を調整することができるので、利得を常に
一致させることができると共に、これによつて
ICの汎用性も高めることができる。

〔実施例〕

第１図において、高周波アンプ２からの信号の
供給される端子１０ａが第１の周波数混合器３１
に接続される。この混合器３１は平衡出力端子を
有し、これらの出力端子が抵抗器３２ａ，３２ｂ
を介してIC電源ラインに接続されると共に、コ
ンデンサ３３ａ，３３ｂを介して差動型中間周波
増幅器３４に接続される。この増幅器３４の出力
端が出力アンプ３５を介して出力端子１０ｂに接
続されると共に、この出力端子１０ｂが負帰還回
路３６を介して混合器３１の一方の出力端に接続
される。

また第２の周波数混合器７からの信号の供給さ
れる端子１０ｃがアンプ３７を介して混合器３１
の他方の出力端に接続される。

さらに混合器３１の一方の出力端が端子１０ｄ
に接続される。そしてこの端子１０ｄとアース間
にスイツチング素子となるダイオード１１とイン
ピーダンス素子となるコンデンサ１２の直列回路
が接続され、このダイオード１１のアノードに抵
抗器１３を介してUHF系の回路の電源の供給さ
れる端子１４が接続される。

この回路において、IC電源の電圧は例えば5V
であり、端子１４に供給されるUHF系の回路の
電源は9Vである。従つてこの回路で端子１４に
電源が供給されるとダイオード１１が順方向にバ
イアスされ、増幅器３４の負帰還路とアース間に
コンデンサ１２が接続されることになる。これに
よつて負帰還量が減少し、増幅器３４の利得が上
昇する。

そこでこの回路において、GaAs素子の高周波
アンプ６が用いられたときに、端子１０ｄを無接
続として、UHF帯とVHF帯の利得が一致するよ
うに回路設計を行い、さらに上述のコンデンサ１
２を接続したときにMOSFETの高周波アンプ６
を用いた場合の利得の低下が補償されるように、
コンデンサ１２の値を定めることにより、
MOSFETの高周波アンプ６を用いる場合に上述
のダイオード１１、コンデンサ１２、抵抗器１３
の回路を設けて端子１４にUHF系の回路の電源
を供給することによつて、UHF帯とVHF帯の利
得を一致させることができる。

すなわち高周波アンプの構成によらず、常に利
得を一致させることができる。

なお例えばCX−20155と呼ばれる出願人製造の
ICを用いる場合に、上述のコンデンサ１２の容
量を1000pFとなることによつて、4dBの利得の
上昇を得ることができる。また第２図は
MOSFETの高周波アンプ６を用いた場合の利得
を示し、上述の回路を実施しない場合を破線、実
施した場合を実線で示している。

こうして上述の装置によれば、高周波アンプの
構成に応じて利得を調整することができるので、
利得を常に一致させることができると共に、これ
によつてICの汎用性も高めることができる。

また上述の装置は、MOSFETとGaAsFETの
場合に限らず、他の設計の高周波アンプを用いる
場合にもコンデンサ１２の選定により適用でき
る。

〔考案の効果〕

本考案によれば、高周波アンプの構成に応じて
利得を調整することができるので、利得を常に一
致させることができると共に、これによつてIC
の汎用性も高めることができるようになつた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一例の構成図、第２図はその
説明のための図、第３図は従来の装置の説明のた
めの図である。 ７は第２の周波数混合器、１０はIC、１１は
ダイオード、１２はコンデンサ、３１は第１の周
波数混合器、３４は差動型中間周波増幅器、３６
は負帰還回路である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 平衡出力端子を有するVHF帯の周波数混合器
   と、この平衡出力を増幅する差動形中間周波増幅
   器とが縦続接続され、上記VHF帯の周波数混合
   器の平衡出力の一方の端子には後段からの負帰還
   成分が加えられ、他方の端子にはUHF帯の周波
   数混合器からの中間周波信号が加えられると共
   に、上記負帰還成分が加えられる端子とアースと
   の間にスイツチング素子とインピーダンス素子の
   直列回路が接続され、上記スイツチング素子は上
   記UHF帯の周波数混合器の動作時に導通状態と
   なつて、上記差動型中間周波増幅器の負帰還量を
   減少させ利得を高めることができると共にUHF
   帯の高周波アンプの増幅素子にGaAsFET等の高
   利得素子を用いる場合には上記インピーダンス素
   子のインピーダンス値を高く選定するか又は、上
   記スイツチング素子を含む上記直列回路を除いて
   UHF帯とVHF帯の利得をほぼ一致するようにし
   たUHF・VHFチユーナ。