JPS5892272A - 負帰還型ＧａＡｓマイクロ波モノリシツク増幅回路装置 - Google Patents
負帰還型ＧａＡｓマイクロ波モノリシツク増幅回路装置Info
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- JPS5892272A JPS5892272A JP19116781A JP19116781A JPS5892272A JP S5892272 A JPS5892272 A JP S5892272A JP 19116781 A JP19116781 A JP 19116781A JP 19116781 A JP19116781 A JP 19116781A JP S5892272 A JPS5892272 A JP S5892272A
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- JP
- Japan
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- negative feedback
- amplifier circuit
- circuit device
- feedback type
- dielectric layer
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- Pending
Links
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＧａＡｓ集積回路装置、具体的にはＧａＡｓア
ナログ集積回路の一つとしてのモノリシック型ＲＣ負帰
還型増幅回路装置に関するものである。
ナログ集積回路の一つとしてのモノリシック型ＲＣ負帰
還型増幅回路装置に関するものである。
まず通常のＧａＡｓ ＦＥ’Ｔを用いた負帰還型増幅
回路の構造を図面によって説明する。
回路の構造を図面によって説明する。
第１図はＧａＡｓ ＦＥＴを用いたＲＣ負帰還型増幅
器の回路構成を示す。この図から負帰還増幅回路を半導
体素子としてモノリシックな形に形成するためにはＧａ
Ａｓ Ｆ ＥＴの他にシぢットキ容量や金属−誘電体
一金属容輩なとのＣとＧａＡｌ５ ｎ形層のエビ抵抗や
薄膜抵抗などのＲを直列に接続した回路をドレインＤ０
グートＧ電極間に形成する必要がある。
器の回路構成を示す。この図から負帰還増幅回路を半導
体素子としてモノリシックな形に形成するためにはＧａ
Ａｓ Ｆ ＥＴの他にシぢットキ容量や金属−誘電体
一金属容輩なとのＣとＧａＡｌ５ ｎ形層のエビ抵抗や
薄膜抵抗などのＲを直列に接続した回路をドレインＤ０
グートＧ電極間に形成する必要がある。
もしこの回路をＧａＡｓ ＦＥＴを形成した基板のＧ
ａＡｓ ＦＥＴ以外のスペースに形成しようとすると
必然的にチップ面積が大きくなる。
ａＡｓ ＦＥＴ以外のスペースに形成しようとすると
必然的にチップ面積が大きくなる。
本発明はこの点に鑑み、チップ面積を大きくすることな
く負帰還増幅回路遺 子構造を提案するものである。以下図面に従って本発明
の一実施例について説明する。
く負帰還増幅回路遺 子構造を提案するものである。以下図面に従って本発明
の一実施例について説明する。
まず第２図（ａ） （ｂ）は通常のＧａＡｓ ＦＥＴ
の構造を示す平面図および断面図で、図において半艶、
縁性ＧａＡｓ結晶（１）へイオン注入で形成したｎ形動
件部（２）上にソース（３）、ドレイン（４）、ゲート
（５）の各電極が形成されてＧａＡｓ ＦＥＴが構成
される。
の構造を示す平面図および断面図で、図において半艶、
縁性ＧａＡｓ結晶（１）へイオン注入で形成したｎ形動
件部（２）上にソース（３）、ドレイン（４）、ゲート
（５）の各電極が形成されてＧａＡｓ ＦＥＴが構成
される。
次に本発明による負帰還型増幅器の構造を第８図に基づ
いて説明する。第８図（ａ） （ｂ）はその平面図と断
面図を示すもので、その製法は以下の通りである。すな
わちまず第２図で説明したＧａＡｓＦＥＴまで製作した
のちに、誘電体層（６）をソース（３）、ドレイン（４
）、ゲート（５）の各電極の一部００ゆ−を除いて基板
全面をおおうように形成する。次にこの誘電体層（６）
上のドレイン（４）とゲート（５）の電極の一部に対向
する形で電極端子ｆｆ４１ （７５を形成し、それら端
子を結ぶ形で薄膜抵抗（８）を形成すれば本発明による
負帰還型ＧａＡｓモノリシックＲＣ増幅器が完成する。
いて説明する。第８図（ａ） （ｂ）はその平面図と断
面図を示すもので、その製法は以下の通りである。すな
わちまず第２図で説明したＧａＡｓＦＥＴまで製作した
のちに、誘電体層（６）をソース（３）、ドレイン（４
）、ゲート（５）の各電極の一部００ゆ−を除いて基板
全面をおおうように形成する。次にこの誘電体層（６）
上のドレイン（４）とゲート（５）の電極の一部に対向
する形で電極端子ｆｆ４１ （７５を形成し、それら端
子を結ぶ形で薄膜抵抗（８）を形成すれば本発明による
負帰還型ＧａＡｓモノリシックＲＣ増幅器が完成する。
それを等価回路構成を示すと第４図になるがこれは第１
図と本質的に同じである。
図と本質的に同じである。
本発明による増幅器において負帰還容量Ｃの値は誘電体
層（６）の厚みと誘電率および電極端子ｆ７４１ ｆ７
５の面積を選ぶことにより、また帰還抵抗Ｒの値は薄膜
抵抗率やパターン形状を選ぶと、とにより自在に選定で
きる。
層（６）の厚みと誘電率および電極端子ｆ７４１ ｆ７
５の面積を選ぶことにより、また帰還抵抗Ｒの値は薄膜
抵抗率やパターン形状を選ぶと、とにより自在に選定で
きる。
本発明による増幅器は一見して第２１のＧａＡｓＦＥＴ
のチップ面積と全く同じであることが判る。
のチップ面積と全く同じであることが判る。
すなわち負帰還回路を構成するための余分なチップ面積
が不要であるばかりでなく、ＧａＡｓ ＦＥＴのパッ
ジページ町ン工程をやや進めた程度のウェハプロセスの
追加で簡単にモノリシック形増幅器が実現できるという
大きな利点を有していることが判る。またアセンブリも
ＧａＡｓ Ｆ ＥＴのパッケージにＧａＡｓ ＦＥ
Ｔのアセンブリプロモスそのままに適用できることも明
らかである。
が不要であるばかりでなく、ＧａＡｓ ＦＥＴのパッ
ジページ町ン工程をやや進めた程度のウェハプロセスの
追加で簡単にモノリシック形増幅器が実現できるという
大きな利点を有していることが判る。またアセンブリも
ＧａＡｓ Ｆ ＥＴのパッケージにＧａＡｓ ＦＥ
Ｔのアセンブリプロモスそのままに適用できることも明
らかである。
第１図はＧａＡｓ ＦＥＴのＲＣ負帰還型増幅回路の
回路図、第２図（ａ） （ｂ）はＧａＡｓ ＦＥＴの
構造を示す平面図および断面図、また第８図（ａ） （
ｂ）は本発明による負帰還型ＧａＡｓモノリシックＲＣ
増幅器の構造を示す平面図および断面図、第４図はその
等価回路図である。図において（１）は半絶縁性基板、
（２）は動作層、（３） （４） （５）はソース、ド
レイン。 ゲート電極、（６）は誘電体層、四ｑ６は電極端子、（
８）は薄膜抵抗である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 第２図 第３１！１ 第４図 ６４．丁ＥＴ −
回路図、第２図（ａ） （ｂ）はＧａＡｓ ＦＥＴの
構造を示す平面図および断面図、また第８図（ａ） （
ｂ）は本発明による負帰還型ＧａＡｓモノリシックＲＣ
増幅器の構造を示す平面図および断面図、第４図はその
等価回路図である。図において（１）は半絶縁性基板、
（２）は動作層、（３） （４） （５）はソース、ド
レイン。 ゲート電極、（６）は誘電体層、四ｑ６は電極端子、（
８）は薄膜抵抗である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 第２図 第３１！１ 第４図 ６４．丁ＥＴ −
Claims (1)
- 半絶縁性ＧａＡｓ基板表面の一部にあるｎ形の動作層上
に形成したＦＥＴなどの能動素子と、該能動素子の出力
側から入力側へ負帰還としての働きをする抵抗と容量の
直列要素を形成した負帰還型Ｇａ Ａｓマイクロ波モノ
リシック増幅回路装置において前記負帰還回路要素を前
記能動素子表面をおおう様に形成した誘電体層上に形成
したことを特徴とする負帰還型ＧａＡｓマイクロ波モノ
リシック増幅回路装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19116781A JPS5892272A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 負帰還型ＧａＡｓマイクロ波モノリシツク増幅回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19116781A JPS5892272A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 負帰還型ＧａＡｓマイクロ波モノリシツク増幅回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892272A true JPS5892272A (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=16270009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19116781A Pending JPS5892272A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 負帰還型ＧａＡｓマイクロ波モノリシツク増幅回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892272A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59112645A (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS62111475A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS62111476A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| US5160984A (en) * | 1989-03-17 | 1992-11-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplifying feedback FET semiconductor element |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024230A (ja) * | 1973-02-16 | 1975-03-15 | ||
| JPS5345676A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-24 | Gen Atomic Co | Apparatus for coating granules |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP19116781A patent/JPS5892272A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024230A (ja) * | 1973-02-16 | 1975-03-15 | ||
| JPS5345676A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-24 | Gen Atomic Co | Apparatus for coating granules |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59112645A (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS62111475A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS62111476A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| US5160984A (en) * | 1989-03-17 | 1992-11-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplifying feedback FET semiconductor element |
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