JPH0636483B2 - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
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- JPH0636483B2 JPH0636483B2 JP63258508A JP25850888A JPH0636483B2 JP H0636483 B2 JPH0636483 B2 JP H0636483B2 JP 63258508 A JP63258508 A JP 63258508A JP 25850888 A JP25850888 A JP 25850888A JP H0636483 B2 JPH0636483 B2 JP H0636483B2
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- JP
- Japan
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- level shift
- circuit
- integrated circuit
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- transistor
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路に関し、特にＤＣ直結型のレベルシフ
ト回路を有するＧａＡｓの集積回路に関する。
ト回路を有するＧａＡｓの集積回路に関する。
従来から直結型のＧａＡｓＩＣでは、前段の増幅回路か
らの入力信号をレベルシフト回路を用いて次段の増幅回
路が要求するＤＣレベルに合わせていた。
らの入力信号をレベルシフト回路を用いて次段の増幅回
路が要求するＤＣレベルに合わせていた。
それらについては例えば、電子通信学会技術報告（ＳＳ
Ｄ８５−１１５）の「ＧａＡｓモノリシック・フロント
エンドＩＣの試作」に記載されている。
Ｄ８５−１１５）の「ＧａＡｓモノリシック・フロント
エンドＩＣの試作」に記載されている。
第３図は従来の集積回路の一例の回路図である。
超高周波増幅器２０Ａ及び２０Ｂはカスケード接続さ
れ、それぞれ前段にソース接地増幅回路１ａ及び１ｂと
それぞれ後段に連結するレベルシフト回路２Ａ及び２Ｂ
を有して構成されている。
れ、それぞれ前段にソース接地増幅回路１ａ及び１ｂと
それぞれ後段に連結するレベルシフト回路２Ａ及び２Ｂ
を有して構成されている。
それぞれのレベルシフト回路２Ａ及び２Ｂは、それぞれ
ゲートに前段の直流から超高周波までの周波数特性を有
する入力信号ＶＧａの入力し、ソースにレベルシフトダ
イオードＤ１〜Ｄ４の直列構成部を介して抵抗トランジ
スタＪ３及び出力端Ｔｏａを接続して構成されている。
ゲートに前段の直流から超高周波までの周波数特性を有
する入力信号ＶＧａの入力し、ソースにレベルシフトダ
イオードＤ１〜Ｄ４の直列構成部を介して抵抗トランジ
スタＪ３及び出力端Ｔｏａを接続して構成されている。
超高周波増幅器２０Ａの入力端子ＴＩａに供給された入
力信号Ｖｉａはソース接地のＧａＡｓ電界効果トランジ
スタＪ１のゲートに入力し、４４０Ωの負荷抵抗Ｒ１と
接続するドレインから増幅されて出力する。
力信号Ｖｉａはソース接地のＧａＡｓ電界効果トランジ
スタＪ１のゲートに入力し、４４０Ωの負荷抵抗Ｒ１と
接続するドレインから増幅されて出力する。
レベルシフト回路２Ａに供給される入力信号ＶＧａは、
直流レベルも５Ｖのドレイン電源電圧ＶＤＤの方向にシ
フトしているので、カスケードに接続された次のソース
接地増幅回路１ｂのトランジスタＪ１のゲートの要求す
る直流レベルに合わせるために、レベルシフトダイオー
ドＤ１〜Ｄ４の直列構成部を用いている。
直流レベルも５Ｖのドレイン電源電圧ＶＤＤの方向にシ
フトしているので、カスケードに接続された次のソース
接地増幅回路１ｂのトランジスタＪ１のゲートの要求す
る直流レベルに合わせるために、レベルシフトダイオー
ドＤ１〜Ｄ４の直列構成部を用いている。
抵抗トランジスタＪ３はＧａＡｓ電界効果トランジスタ
のゲート・ソース接続で構成されている。
のゲート・ソース接続で構成されている。
上述した従来の集積回路は、レベルシフト回路がＩＣ全
体の消費電力及びチップサイズの小型化を考慮するとレ
ベルシフト用のダイオードとしてはゲート幅の小さいも
のが望ましいが、小さくするとダイオードの順抵抗値が
増加して出力端とソース電源端との間の浮遊容量ＣＳと
の低減フィルタ効果によりレベルシフト回路での高周波
特性の劣化を招くという欠点があった。
体の消費電力及びチップサイズの小型化を考慮するとレ
ベルシフト用のダイオードとしてはゲート幅の小さいも
のが望ましいが、小さくするとダイオードの順抵抗値が
増加して出力端とソース電源端との間の浮遊容量ＣＳと
の低減フィルタ効果によりレベルシフト回路での高周波
特性の劣化を招くという欠点があった。
本発明の目的は、低消費電力，小型でかつ高周波特性の
よい集積回路を提供することにある。
よい集積回路を提供することにある。
本発明の集積回路は、ゲートが直流から超高周波までの
周波数特性を有する入力信号を受けてドレインがドレイ
ン電源と接続しソースがレベルシフトダイオードを介し
て出力端子及び抵抗トランジスタに接続するＧａＡｓ電
界効果トランジスタを有するレベルシフト回路を含む集
積回路において、前記レベルシフトダイオードに、ピー
キング用の容量とインダクタンスの直列共振回路を並列
に設けて構成されている。
周波数特性を有する入力信号を受けてドレインがドレイ
ン電源と接続しソースがレベルシフトダイオードを介し
て出力端子及び抵抗トランジスタに接続するＧａＡｓ電
界効果トランジスタを有するレベルシフト回路を含む集
積回路において、前記レベルシフトダイオードに、ピー
キング用の容量とインダクタンスの直列共振回路を並列
に設けて構成されている。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。
集積回路の超高周波増幅器１０Ａ及び１０Ｂは、レベル
シフト回路２ａ及び２ｂがレベルシフトダイオードＤ１
〜Ｄ４に直列共振回路ＬＣを並列に設けたことが異る点
以外は第３図の従来の超公衆増幅器２０Ａ及び２０Ｂと
同一である。
シフト回路２ａ及び２ｂがレベルシフトダイオードＤ１
〜Ｄ４に直列共振回路ＬＣを並列に設けたことが異る点
以外は第３図の従来の超公衆増幅器２０Ａ及び２０Ｂと
同一である。
直列共振回路ＬＣは、金属層・絶縁層・金属層（以下Ｍ
ＩＭという）型のピーキング容量Ｃ１と所定の長さの配
線層により形成されたピーキングインダクタンスＬ１に
より構成されている。
ＩＭという）型のピーキング容量Ｃ１と所定の長さの配
線層により形成されたピーキングインダクタンスＬ１に
より構成されている。
ＧａＡｓ電界効果トランジスタＪ２，抵抗トランジスタ
Ｊ３及びレベルシフトダイオードＤ１〜Ｄ４のゲート幅
はすべて５０μｍで、ダイオード１つあたりの順電圧降
下は約０．７Ｖとし、直列抵抗値の小さい動作領域で用
いている。
Ｊ３及びレベルシフトダイオードＤ１〜Ｄ４のゲート幅
はすべて５０μｍで、ダイオード１つあたりの順電圧降
下は約０．７Ｖとし、直列抵抗値の小さい動作領域で用
いている。
第２図は第１図の回路特性を説明するための周波数特性
図である。
図である。
ソース接地増幅回路１ａの増幅動作は、従来と同一であ
る。
る。
利得の周波数特性曲線Ｂは、ピーキング容量が２ｐＦで
かつピーキングインダクタンスが無視出来るほど小さい
場合である。
かつピーキングインダクタンスが無視出来るほど小さい
場合である。
特性曲線ＡはＬ１＝０．７ｎＨ，Ｃ１＝１ｐＦで６ＧＨ
ｚの共振状態を示している。
ｚの共振状態を示している。
これに対して特性曲線Ｃは共振回路ＬＣのない従来の周
波数特性である。
波数特性である。
各増幅利得は共に２０ｄＢで、曲線Ａ，Ｂ及びＣの利得
が３ｄＢ低下する遮断周波数は、それぞれ７．０ＧＨ
ｚ，７．０ＧＨｚ及び５．８ＧＨｚとなるが、特性曲線
Ａは平坦な周波数特性を有し、従来の特性曲線Ｃに比べ
て大幅に改善されている。
が３ｄＢ低下する遮断周波数は、それぞれ７．０ＧＨ
ｚ，７．０ＧＨｚ及び５．８ＧＨｚとなるが、特性曲線
Ａは平坦な周波数特性を有し、従来の特性曲線Ｃに比べ
て大幅に改善されている。
以上説明した様に本発明は、レベルシフト回路が比較的
小さいインダクタンス値及び容量値を有する直列共振回
路をレベルシフトダイオードを並列に接続することによ
り、レベルシフト回路が小型でかつ高周波特性は大幅に
改善される効果がある。
小さいインダクタンス値及び容量値を有する直列共振回
路をレベルシフトダイオードを並列に接続することによ
り、レベルシフト回路が小型でかつ高周波特性は大幅に
改善される効果がある。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は第１図の
回路の特性を説明するための周波数特性図、第３図は従
来の集積回路の一例の回路図である。 １ａ，１ｂ……ソース接地増幅回路、２ａ，２ｂ……レ
ベルシフト回路、１０Ａ，１０Ｂ……超高周波増幅器、
Ｃ１……ピーキング容量、Ｄ１〜Ｄ４……レベルシフト
ダイオード、Ｊ２……ＧａＡｓ電界効果トランジスタ、
Ｌ３……抵抗トランジスタ、Ｌ１……ピーキングインダ
クタンス、Ｔｏａ，Ｔｏｂ……出力端子、ＶＤＤ……ド
レイン電源電圧、ＶＧａ……入力信号。
回路の特性を説明するための周波数特性図、第３図は従
来の集積回路の一例の回路図である。 １ａ，１ｂ……ソース接地増幅回路、２ａ，２ｂ……レ
ベルシフト回路、１０Ａ，１０Ｂ……超高周波増幅器、
Ｃ１……ピーキング容量、Ｄ１〜Ｄ４……レベルシフト
ダイオード、Ｊ２……ＧａＡｓ電界効果トランジスタ、
Ｌ３……抵抗トランジスタ、Ｌ１……ピーキングインダ
クタンス、Ｔｏａ，Ｔｏｂ……出力端子、ＶＤＤ……ド
レイン電源電圧、ＶＧａ……入力信号。
Claims (1)
- 【請求項１】ゲートが直流から超高周波までの周波数特
性を有する入力信号を受けてドレインがドレイン電源と
接続しソースがレベルシフトダイオードを介して出力端
子及び抵抗トランジスタに接続するＧａＡｓ電界効果ト
ランジスタを有するレベルシフト回路を含む集積回路に
おいて、前記レベルシフトダイオードに、ピーキング用
の容量とインダクタンスの直列共振回路を並列に設けた
ことを特徴とする集積回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258508A JPH0636483B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 集積回路 |
| US07/421,240 US4987382A (en) | 1988-10-14 | 1989-10-13 | Microwave integrated circuit having a level shift circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258508A JPH0636483B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105708A JPH02105708A (ja) | 1990-04-18 |
| JPH0636483B2 true JPH0636483B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=17321183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63258508A Expired - Fee Related JPH0636483B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 集積回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4987382A (ja) |
| JP (1) | JPH0636483B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4396900T1 (de) * | 1992-12-22 | 1997-07-31 | Motorola Inc | HF-Antennenschalter und Verfahren zu dessen Betrieb |
| KR200211739Y1 (ko) * | 1997-04-12 | 2001-02-01 | 구자홍 | 전력증폭용 에프이티(fet)의 게이트 바이어스 회로 |
| JP2904200B2 (ja) * | 1997-11-04 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
| US20010043121A1 (en) | 1997-11-27 | 2001-11-22 | Yuji Kakuta | Semiconductor circuit with a stabilized gain slope |
| TW398142B (en) * | 1998-07-30 | 2000-07-11 | Ind Tech Res Inst | Automatic gain control circuit with low distortion |
| US9276538B2 (en) * | 2014-03-21 | 2016-03-01 | Triquint Semiconductor, Inc. | Low noise amplifier drain switch circuit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59186410A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-23 | Fujitsu Ltd | 帰還型増幅器 |
| FR2623951B1 (fr) * | 1987-11-27 | 1990-03-09 | Thomson Hybrides Microondes | Amplificateur lineaire hyperfrequence a tres large bande passante |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63258508A patent/JPH0636483B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-10-13 US US07/421,240 patent/US4987382A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4987382A (en) | 1991-01-22 |
| JPH02105708A (ja) | 1990-04-18 |
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