JPH02105708A - 集積回路 - Google Patents

集積回路

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JPH02105708A
JPH02105708A JP63258508A JP25850888A JPH02105708A JP H02105708 A JPH02105708 A JP H02105708A JP 63258508 A JP63258508 A JP 63258508A JP 25850888 A JP25850888 A JP 25850888A JP H02105708 A JPH02105708 A JP H02105708A
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level shift
circuit
integrated circuit
peaking
high frequency
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Yasuo Saito
靖雄 齋藤
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices

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  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路に関し、特にＤＣ直結型のレベルシフ
ト回路を有するＧａＡｓの集積回路に関する。
〔従来の技術〕
従来から直結型のＧａＡｓＩＣでは、前段の増幅回路か
らの入力信号をレベルシフト回路を用いて次段の増幅回
路が要求するＤＣレベルに合わせていた。
それらについては例えば、電子通信学会技術報告（ＳＳ
Ｉ）８５−１１’５）のｒ　Ｇ　ａ　Ａ’　ｓモノリシ
ック・フロントエンドＩＣの試作」に記載されている。
第３図は従来の集積回路の一例の回路図である。
超高周波増幅器２ＯＡ及び２０Ｂはカスケード接続され
、それぞれ前段（こソース゛接地増幅回路１＠及び１ｂ
とそれぞれ後段に連結するレベルシフト回路２Ａ及び２
Ｂを有して構成されている。
それぞれのレベルシフト回路２Ａ及び２Ｂは、それぞれ
ゲートに前段の直流から超高周波までの周波数特性を有
する入力信号ＶＧ＆を入力し、ソースにレベルシフトダ
イオードＤｌ〜Ｄ４の直列楕酸部を介して抵抗トランジ
スタＪ３及び出力端Ｔｏ１に接続して構成されている。
超高周波増幅器２ＯＡの入力端子Ｔｌａに供給された入
力信号■１．はソース接地のＧａＡｓ電界効電界効果ト
ランジスタグートに入力し、４４０Ωの負荷抵抗Ｒ，と
接続するドレインから増幅されて出力する。
レベルシフト回路２Ａに供給される入力信号ＶＧ、は、
直流レベルも５Ｖのドレイン電源電圧■ＤＤの方向にシ
フトしているので、カスケードに接続された次のソース
接地増幅回路１ｂのトランジスタＪ、のゲートの要求す
る直流レベルに合わせるために、レベルシフトダイオー
ドＤ１〜Ｄ４の直列構成部を用いている。
抵抗トランジスタＪ３はＧａＡｓ電界効果トランジスタ
のゲート・ソース接続で構成されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の集積回路は、レベルシフト回路がＩＣ全
体の消費電力及びチップサイズの小型化を考慮するとレ
ベルシフト用のダイオードとしてはゲート幅の小さいも
のが望ましいが、小さくするとダイオードの順抵抗値が
増加して出力端とソース電源端との間の浮遊容ＪＬ　Ｃ
ｓとの低域フィルタ効果によりレベルシフト回路での高
周波特性の劣化を招くという欠点があった。
本発明の目的は、低消費電力、小型でかつ高周波特性の
よい集積回路を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の集積回路は、ゲートが直流から超高周波までの
周波数特性を有する入力信号を受けてドレインがトレイ
ン電源と接続しソースがレベルシフトダイオードを介し
て出力端子及び抵抗トランジスタに接続するＧａＡｓ電
界効果トランジスタを有するレベルシフト回路を含む集
積回路において、前記レベルシフトダイオードに、ピー
キング用の容量とインダクタンスの直列共振回路を並列
に設けて構成されている。
〔実施例〕
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。
集積回路の超高周波増幅器１０Ａ及び１０ａは、レベル
シフト回路２１及び２ｂがレベルシフトダイオードＤ１
〜Ｄ４に直列共振回路ＬＣを並列に設けたことが異る意
思外は第３図の従来の超高周波増幅器２ＯＡ及び２０Ｂ
と同一である。
直列共振回路ＬＣは、金属層・絶縁層・金属層（以下Ｍ
ＩＭという）型のピーキング容量Ｃ１と所定の長さの配
線層により形成されたピーキングインダクタンスＬ１に
より構成されている。
ＧａＡｓ電界効果トランジスタＪ２＋抵抗トランジスタ
Ｊ、及びレベルシフトダイオードＤ、〜Ｄ４のゲート幅
はすべて５０μｍで、ダイオード１つあたりの順電圧降
下は約０．７ｖとし、直列抵抗値の小さい動作領域で用
いている。
第２図は第１図の回路特性を説明するための周波数特性
図である。
ソース接地増幅回路１１の増幅動作は、従来と同一であ
る。
利得の周波数特性曲線Ｂは、ピーキング容量が２ｐＦで
かつピーキングインダクタンスが無視出来るほど小さい
場合である。
特性曲線ＡはＬ＋　＝０．７ｎＨ，Ｃ１＝１ｐＦで６　
Ｇ　Ｈｚの共振状態を示している。
これに対して特性曲線Ｃは共振回路ＬＣのない従来の周
波数特性である。
各増幅利得は共に２０ｄＢで、曲線Ａ、Ｂ及びＣの利得
が３ｄＢ低下する遮断周波数は、それぞれ７．０ＧＨｚ
　、７．０ＧＨｚ及び５．８ＧＨ２となるが、特性曲線
Ａは平坦な周波数特性を有し、従来の特性曲線Ｃに比べ
て大幅に改善されている。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は、レベルシフト回路が比較的
小さいインダクタンス値及び容量値を有する直列共振回
路をレベルシフトダイオードと並列に接続することによ
り、レベルシフト回路が小型でかつ高周波特性は大幅に
改善される効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は第１図の
回路の特性を説明するための周波数特性図、第３図は従
来の集積回路の一例の回路図であ４る。 １ａ、１ｂ−・・ソース接地増幅回路、２−．２ｂ・・
・レベルシフト回路、１０Ａ、ＩＯＢ・・・超高周波増
幅器、Ｃ１・・・ピーキング容量、Ｄ、〜Ｄ４・・・レ
ベルシフトダイオード、Ｊ２・・・ＧａＡｓ電界効果ト
ランジスタ、Ｌ３・・・抵抗トランジスタ、Ｌ、・・・
ピーキングインダクタンス、Ｔ、、、Ｔ、ｂ・・・出力
端子、■ＤＤ・・・ドレイン電源電圧、ＶＧａ・・・入
力信号。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ゲートが直流から超高周波までの周波数特性を有する入
    力信号を受けてドレインがドレイン電源と接続しソース
    がレベルシフトダイオードを介して出力端子及び抵抗ト
    ランジスタに接続するＧａＡｓ電界効果トランジスタを
    有するレベルシフト回路を含む集積回路において、前記
    レベルシフトダイオードに、ピーキング用の容量とイン
    ダクタンスの直列共振回路を並列に設けたことを特徴と
    する集積回路。
JP63258508A 1988-10-14 1988-10-14 集積回路 Expired - Fee Related JPH0636483B2 (ja)

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