JPS59186410A - 帰還型増幅器 - Google Patents
帰還型増幅器Info
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- JPS59186410A JPS59186410A JP58061761A JP6176183A JPS59186410A JP S59186410 A JPS59186410 A JP S59186410A JP 58061761 A JP58061761 A JP 58061761A JP 6176183 A JP6176183 A JP 6176183A JP S59186410 A JPS59186410 A JP S59186410A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 14
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
- H03F1/342—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback in field-effect transistor amplifiers
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- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
- H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
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- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
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- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
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- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/345—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
-
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- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の技術分野
本発明は帰還型増幅器に係り、特に電界効果トランジス
タより成る反転回路を採用し、GaAs基板等上に集積
可能な増幅器に関する。
タより成る反転回路を採用し、GaAs基板等上に集積
可能な増幅器に関する。
(2)従来技術と問題点
第1図に従来の帰還型増幅器の構成を示す。ここでは、
電界効果トランジスタ11.12により反転回路を構成
し、出力端子Outからの信号を帰還抵抗R1コンデン
サCを介して入力端子Inに帰還するようにしている。
電界効果トランジスタ11.12により反転回路を構成
し、出力端子Outからの信号を帰還抵抗R1コンデン
サCを介して入力端子Inに帰還するようにしている。
上記従来の帰還型増幅器で、コンデンサCを介し帰還を
行なうのは、入力端子Inと出力端子Out間にドレイ
ン−ゲート間の電位差を生じるためで、使用周波数が比
較的高い場合には斯かるコンデンサCの容量は小さな値
で十分であるものの、低い周波数、例えばマイクロ波帯
以下の周波数で回路を動作させる場合には、大きな容量
のコンデンサが必要となる。従って、GaAs IC等
で上記帰還型増幅器を形成する場合、帰還用のコンデン
サCを集積回路に外付けする必要もでてくる。周知の如
く、回路構成部品の一部を、一体に形成された集積回路
の外部に別途取付けることは、不浮因子を回路中に導入
することとなり、動作上好ましくない。
行なうのは、入力端子Inと出力端子Out間にドレイ
ン−ゲート間の電位差を生じるためで、使用周波数が比
較的高い場合には斯かるコンデンサCの容量は小さな値
で十分であるものの、低い周波数、例えばマイクロ波帯
以下の周波数で回路を動作させる場合には、大きな容量
のコンデンサが必要となる。従って、GaAs IC等
で上記帰還型増幅器を形成する場合、帰還用のコンデン
サCを集積回路に外付けする必要もでてくる。周知の如
く、回路構成部品の一部を、一体に形成された集積回路
の外部に別途取付けることは、不浮因子を回路中に導入
することとなり、動作上好ましくない。
また、上記コンデンサを同一基板上に形成した場合、チ
ップの大半の面積をコンデンサ製作のために占有され、
更に通常用いられる数ミリ角の基板内に収容できるコン
デンサの容量は、せいぜい100 (pF)程度であり
、数10MHz以下で動作する帰還型増幅器を形成でき
ない。
ップの大半の面積をコンデンサ製作のために占有され、
更に通常用いられる数ミリ角の基板内に収容できるコン
デンサの容量は、せいぜい100 (pF)程度であり
、数10MHz以下で動作する帰還型増幅器を形成でき
ない。
(3)発明の目的
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み為されたもので
あって、上記帰還路で用いられるコンデンサを不要とし
た帰還型増幅器を提供することを目的としている。
あって、上記帰還路で用いられるコンデンサを不要とし
た帰還型増幅器を提供することを目的としている。
(4)発明の構成
上記発明の目的は、電界効果トランジスタより成る反転
回路の出力を、レベルシフト回路、及び抵抗性負荷回路
の直列接続を介して入力端子に帰還する帰還型増幅器に
より達成される。
回路の出力を、レベルシフト回路、及び抵抗性負荷回路
の直列接続を介して入力端子に帰還する帰還型増幅器に
より達成される。
即ち、本発明では反転回路の出力を、所定のレベルシフ
ト回路により入力電圧レベルにまで低下させた後、抵抗
性負荷を介し入力端子に帰還させるようにしたものであ
る。
ト回路により入力電圧レベルにまで低下させた後、抵抗
性負荷を介し入力端子に帰還させるようにしたものであ
る。
(5)発明の実施例
以下図面を参照して本発明の実施例について説明をする
。
。
第2図は本発明の一実施例を示す図で、図中1は電界効
果トランジスタ13、複数の直列に接続されたダイオー
ドD1・・・Dn、及び定電流用負荷14から成るレベ
ルシフト回路で、その他相1図と同一の参照番号で指示
される領域は第1図と同一の構成を示す。
果トランジスタ13、複数の直列に接続されたダイオー
ドD1・・・Dn、及び定電流用負荷14から成るレベ
ルシフト回路で、その他相1図と同一の参照番号で指示
される領域は第1図と同一の構成を示す。
ここでは、電界効果トランジスタ1.1.12より成る
反転回路出力を、レベルシフト回路1で入力電圧と同一
のレベルにまで落としてから、抵抗Rを介し入力端子に
帰還をかけている。よって、入・出力端子間の電圧差が
ないため、帰還路に直流成分カット用のコンデンサを設
ける必要がない。
反転回路出力を、レベルシフト回路1で入力電圧と同一
のレベルにまで落としてから、抵抗Rを介し入力端子に
帰還をかけている。よって、入・出力端子間の電圧差が
ないため、帰還路に直流成分カット用のコンデンサを設
ける必要がない。
尚、レベルシフト回路1に於ける電圧シフト量は適宜ダ
イオードDの接続個数等により定め得るものであり、ま
だ増幅器出力は、次段回路のレベルとの関係から、任意
のダイオードの出力を利用してもよい。
イオードDの接続個数等により定め得るものであり、ま
だ増幅器出力は、次段回路のレベルとの関係から、任意
のダイオードの出力を利用してもよい。
第3図に本発明の他実施例を示す。ここでは、帰還路に
設けられた抵抗性負荷回路として、第1図、第2図の抵
抗Rの替わりに電界効果トランジスタ15を用いている
。
設けられた抵抗性負荷回路として、第1図、第2図の抵
抗Rの替わりに電界効果トランジスタ15を用いている
。
第3図に示す実施例では、トランジスタ15のゲート端
子16に印加される制御電圧に名医帰還抵抗の抵抗値を
変化させることができる。また、帰還抵埃の値を固定し
ておく場合には該ゲート端子を入力端子Inに接続する
。
子16に印加される制御電圧に名医帰還抵抗の抵抗値を
変化させることができる。また、帰還抵埃の値を固定し
ておく場合には該ゲート端子を入力端子Inに接続する
。
(6)発明の効果
以上、本発明によれば帰還型増幅器の帰還用コンデンサ
を不要とできる。よって、GaAs基板等に集積化して
装置を形成する場合には、この基板の面積を有効に利用
でき、また直流入力信号からの動作が可能な増幅器を提
供できる。
を不要とできる。よって、GaAs基板等に集積化して
装置を形成する場合には、この基板の面積を有効に利用
でき、また直流入力信号からの動作が可能な増幅器を提
供できる。
第1図は従来の帰還型増幅器、第2図は本発明の一実施
例、@3図は本発明の他実施例を表わす。 図中、11.12.13.15は電界効果トランジスタ
、Cはコンデンサ、Rは抵抗、DI、・・・、Dnはコ
ンデンサ、1はレベルシフト回路、14は定電流用能動
負荷である。
例、@3図は本発明の他実施例を表わす。 図中、11.12.13.15は電界効果トランジスタ
、Cはコンデンサ、Rは抵抗、DI、・・・、Dnはコ
ンデンサ、1はレベルシフト回路、14は定電流用能動
負荷である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電界効果トランジスタより成る反転回路の出力を、
レベルシフト回路及び抵抗性負荷回路の直列接続を介し
て入力端子に帰還せしめたことを特徴とする帰還型増幅
器。 2 前記レベルシフト回路が、電界効果トランジスタ、
複数の直列に接続されたダイオード、及び定電流用能動
負荷より成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の帰還型増幅器。 3 前記抵抗性負荷回路が能動抵抗として使用された電
界効果トランジスタより成ることを特徴とする特許請求
の範囲第1項または第2項記載の帰還型増幅器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58061761A JPS59186410A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 帰還型増幅器 |
EP84301869A EP0124983A3 (en) | 1983-04-08 | 1984-03-20 | Feedback amplifier |
CA000450285A CA1207850A (en) | 1983-04-08 | 1984-03-22 | Feedback amplifier |
US06/593,428 US4612514A (en) | 1983-04-08 | 1984-03-26 | Feedback amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58061761A JPS59186410A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 帰還型増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59186410A true JPS59186410A (ja) | 1984-10-23 |
JPH045289B2 JPH045289B2 (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=13180446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58061761A Granted JPS59186410A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 帰還型増幅器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4612514A (ja) |
JP (1) | JPS59186410A (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2623951B1 (fr) * | 1987-11-27 | 1990-03-09 | Thomson Hybrides Microondes | Amplificateur lineaire hyperfrequence a tres large bande passante |
US4825174A (en) * | 1988-06-20 | 1989-04-25 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Symmetric integrated amplifier with controlled DC offset voltage |
DE3886040D1 (de) * | 1988-08-08 | 1994-01-13 | Siemens Ag | Breitbandsignal-Koppeleinrichtung. |
JPH0636483B2 (ja) * | 1988-10-14 | 1994-05-11 | 日本電気株式会社 | 集積回路 |
US4978925A (en) * | 1989-05-24 | 1990-12-18 | Harris Corporation | Unity-gain CMOS/SOS zero-offset buffer |
US4912430A (en) * | 1989-05-24 | 1990-03-27 | Avantek, Inc. | Current source as a microwave biasing element |
FR2661790B1 (fr) * | 1990-05-03 | 1995-08-25 | France Etat | Dispositif d'amplification tres large bande continu-hyperfrequences, notamment realisable en circuit integre. |
US5051705A (en) * | 1990-07-10 | 1991-09-24 | Pacific Monolithics | Gain-tilt amplifier |
US5198782A (en) * | 1991-01-15 | 1993-03-30 | Crystal Semiconductor | Low distortion amplifier output stage for dac |
JP2653018B2 (ja) * | 1993-11-24 | 1997-09-10 | 日本電気株式会社 | トランスインピーダンス形増幅回路 |
KR19990042066A (ko) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | 정선종 | 가변이득 증폭기 |
US6052030A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Lucent Technologies Inc. | Low voltage variable gain amplifier with feedback |
ES2147147B1 (es) * | 1998-11-11 | 2001-03-01 | Telefonica Sa | Amplificador de transimpedancia integrado. |
KR100631973B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 가변이득 광대역 증폭기 |
JP6217258B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-10-25 | ソニー株式会社 | 電流電圧変換回路、光受信装置、および、光伝送システム |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58198911A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | Hitachi Ltd | 電界効果トランジスタ増幅器 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4264874A (en) * | 1978-01-25 | 1981-04-28 | Harris Corporation | Low voltage CMOS amplifier |
-
1983
- 1983-04-08 JP JP58061761A patent/JPS59186410A/ja active Granted
-
1984
- 1984-03-26 US US06/593,428 patent/US4612514A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58198911A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | Hitachi Ltd | 電界効果トランジスタ増幅器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4612514A (en) | 1986-09-16 |
JPH045289B2 (ja) | 1992-01-31 |
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