JPH01233812A - マイクロ波用多段増幅回路 - Google Patents
マイクロ波用多段増幅回路Info
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- JPH01233812A JPH01233812A JP6013188A JP6013188A JPH01233812A JP H01233812 A JPH01233812 A JP H01233812A JP 6013188 A JP6013188 A JP 6013188A JP 6013188 A JP6013188 A JP 6013188A JP H01233812 A JPH01233812 A JP H01233812A
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- Japan
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- short
- oscillation
- circuit
- stub
- resistor
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- Pending
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 40
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 14
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 101150073536 FET3 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
少なくとも発振防止用抵抗及びショートスタブを持つ発
振防止回路が必要なマイクロ波用多段増幅回路に関し、 発振防止回路の素子数を減することが出来るマイクロ波
用多段増幅回路の供給を目的とし、トランジスタの入力
端子にバイアス電圧を供給し且つ整合を行うショートス
タブに発振防止用の機能を持たせ、且つ、ショート面の
反対側に発振防止用抵抗を挿入した構成とする。
振防止回路が必要なマイクロ波用多段増幅回路に関し、 発振防止回路の素子数を減することが出来るマイクロ波
用多段増幅回路の供給を目的とし、トランジスタの入力
端子にバイアス電圧を供給し且つ整合を行うショートス
タブに発振防止用の機能を持たせ、且つ、ショート面の
反対側に発振防止用抵抗を挿入した構成とする。
本発明は、少なくとも発振防止用抵抗及びショートスタ
ブを持つ発振防止回路が必要なマイクロ波用多段増幅回
路の改良に関する。
ブを持つ発振防止回路が必要なマイクロ波用多段増幅回
路の改良に関する。
マイクロ波用多段増幅回路としては、モノリシック形と
バイブリド形があり、又使用するトランジスタとしては
、電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスタがあ
るが、何れにしても、素子数を少なくし、モノリシック
形では、チップ面積を小さく出来、バイブリド形では組
立工数を減することが出来ることが望ましい。
バイブリド形があり、又使用するトランジスタとしては
、電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスタがあ
るが、何れにしても、素子数を少なくし、モノリシック
形では、チップ面積を小さく出来、バイブリド形では組
立工数を減することが出来ることが望ましい。
以下従来例を図を用いて説明する。
第４図は従来例のマイクロ波用多段増幅回路の回路図で
ある。
ある。
図中０１〜Ｃ１２はコンデンサで、内Ｃ４はチップ外に
設ける外付はコンデンサ、Ｒ１−Ｒ５は抵抗で、内Ｒ１
，Ｒ４は発振防止用抵抗、１０〜１２．１３’ 、１４
°、１５〜１７．１８°。
設ける外付はコンデンサ、Ｒ１−Ｒ５は抵抗で、内Ｒ１
，Ｒ４は発振防止用抵抗、１０〜１２．１３’ 、１４
°、１５〜１７．１８°。
１９．２０は分布定数回路を形成するライン、３０．３
１．３２はアドミッタンスを形成し一端がオープンとな
っているオープンスタブ、４０，４１．４２”、４３’
、４４〜４６はアドミッタンスを形成し一端がコンデン
サにて高周波的にショートさ・れているショートスタブ
、Ｆ ＥＴ １−ＦＥＴ３は電界効果トランジスタ、ｖ
ｌはバイアス電圧供給用電源、■２はドレイン電圧供給
用電源を示す。
１．３２はアドミッタンスを形成し一端がオープンとな
っているオープンスタブ、４０，４１．４２”、４３’
、４４〜４６はアドミッタンスを形成し一端がコンデン
サにて高周波的にショートさ・れているショートスタブ
、Ｆ ＥＴ １−ＦＥＴ３は電界効果トランジスタ、ｖ
ｌはバイアス電圧供給用電源、■２はドレイン電圧供給
用電源を示す。
斗
第今図はＫｕ帯（１２ＧＨｚ 〜１８ＧＨｚ）に使用す
る、電界効果トランジスタＦＥＴｌ−ＦＥＴ３を使用し
た多段増幅回路であり、バイアス電圧供給用電源■１よ
り、抵抗Ｒ２，ショートスタブ４０． ライン１２を
介して電界効果トランジスタＦＥＴＩのゲートにバイア
ス電圧を供給し、又バイアス電圧供給用電源■１より、
抵抗Ｒ５゜ショートスタブ４３゛５ ライン１４°及び
１８”を介して電界効果トランジスタＦＥ７２．ＦＥ７
３のゲートにバイアス電圧を供給している。
る、電界効果トランジスタＦＥＴｌ−ＦＥＴ３を使用し
た多段増幅回路であり、バイアス電圧供給用電源■１よ
り、抵抗Ｒ２，ショートスタブ４０． ライン１２を
介して電界効果トランジスタＦＥＴＩのゲートにバイア
ス電圧を供給し、又バイアス電圧供給用電源■１より、
抵抗Ｒ５゜ショートスタブ４３゛５ ライン１４°及び
１８”を介して電界効果トランジスタＦＥ７２．ＦＥ７
３のゲートにバイアス電圧を供給している。
又ドレイン電圧供給用電源■２より、ショートスタブ４
２′、ライン１３’ を介して電界効果トランジスタＦ
ＥＴＩのドレインにドレイン電圧を供給し、又ドレイン
電圧供給用電源ｖ２より、ショートスタブ４４．ライン
１５を介して電界効果トランジスタＦＥ７２のドレイン
にドレイン電圧を供給し、又ショートスタブ４５．ライ
ン１９を介して電界効果トランジスタＦＥＴ３のドレイ
ンにドレイン電圧を供給している。
２′、ライン１３’ を介して電界効果トランジスタＦ
ＥＴＩのドレインにドレイン電圧を供給し、又ドレイン
電圧供給用電源ｖ２より、ショートスタブ４４．ライン
１５を介して電界効果トランジスタＦＥ７２のドレイン
にドレイン電圧を供給し、又ショートスタブ４５．ライ
ン１９を介して電界効果トランジスタＦＥＴ３のドレイ
ンにドレイン電圧を供給している。
又ライン、ショートスタブ、オープンスタブにて、Ｋｕ
帯での利得特性を平坦にし且つインピーダンス整合を行
うようにしている。
帯での利得特性を平坦にし且つインピーダンス整合を行
うようにしている。
尚又、帯域の低周波側で発振を起こすことがある為１発
振防止回路として、抵抗Ｒ１（５０Ω）。
振防止回路として、抵抗Ｒ１（５０Ω）。
ショートスタブ４１．コンデンサＣ２よりなる回路及び
、抵抗Ｒ４（５０Ω）、ショートスタブ４６、コンデン
サＣ１２よりなる回路を夫々電界効果トランジスタＦＥ
ＴＩ、ＦＥＴ２及びＦＥＴ３のゲート側に設けている。
、抵抗Ｒ４（５０Ω）、ショートスタブ４６、コンデン
サＣ１２よりなる回路を夫々電界効果トランジスタＦＥ
ＴＩ、ＦＥＴ２及びＦＥＴ３のゲート側に設けている。
しかしながら、従来のマイクロ波用多段増幅回路では、
抵抗Ｒ１（５０Ω）、ショートスタブ４１、コンデンサ
Ｃ２よりなる発振防止回路及び、抵抗Ｒ４（５０Ω）、
ショートスタブ４６．コンデンサＣ１２よりなる発振防
止回路をその侭設けているので、モノリシック形では、
チップ面積が大きくなり、バイブリド形では組立工数が
増加する問題点がある。
抵抗Ｒ１（５０Ω）、ショートスタブ４１、コンデンサ
Ｃ２よりなる発振防止回路及び、抵抗Ｒ４（５０Ω）、
ショートスタブ４６．コンデンサＣ１２よりなる発振防
止回路をその侭設けているので、モノリシック形では、
チップ面積が大きくなり、バイブリド形では組立工数が
増加する問題点がある。
本発明は、発振防止回路の素子数を減することが出来る
マイクロ波用多段増幅回路の供給を目的としている。
マイクロ波用多段増幅回路の供給を目的としている。
第１図は本発明の原理ブロック図である。
少なくとも発振防止用抵抗及びショートスタブを持つ発
振防止回路が必要なマイクロ波用多段増幅回路において
、 第１図に示す如く、トランジスタ１の入力端子にバイア
ス電圧を供給し且つ整合を行うショートスタブ２に発振
防止用の機能を持たせ、且つ、ショート面の反対側に発
振防止用抵抗３を挿入するようにする。
振防止回路が必要なマイクロ波用多段増幅回路において
、 第１図に示す如く、トランジスタ１の入力端子にバイア
ス電圧を供給し且つ整合を行うショートスタブ２に発振
防止用の機能を持たせ、且つ、ショート面の反対側に発
振防止用抵抗３を挿入するようにする。
バイアス電圧を供給し且つ整合を行うショートスタブ２
には電流が殆ど流れないので、このショート面の反対側
に発振防止用抵抗３を挿入しても電圧降下はないので問
題はなく、又発振防止用抵抗３を挿入したショートスタ
ブ２を発振防止用及びバイアス供給及び整合用にする為
に定数を多少変えても、他の素子の定数を多少変更して
整合するようにすれば、特性には影響がない。
には電流が殆ど流れないので、このショート面の反対側
に発振防止用抵抗３を挿入しても電圧降下はないので問
題はなく、又発振防止用抵抗３を挿入したショートスタ
ブ２を発振防止用及びバイアス供給及び整合用にする為
に定数を多少変えても、他の素子の定数を多少変更して
整合するようにすれば、特性には影響がない。
従って、発振防止回路のショートスタブ及びコンデンサ
を減することが出来、モノリシック形ではチップの面積
を小さく出来、バイブリド形では組立工数を減すること
が出来る。
を減することが出来、モノリシック形ではチップの面積
を小さく出来、バイブリド形では組立工数を減すること
が出来る。
以下本発明の１実施例に付き図に従って説明する。
第２図は本発明の実施例のマイクロ波用多段増幅回路の
回路図、第３図は第２図のマイクロ波用多段増幅回路を
モノリシンク形にした場合のチップの平面図である。
回路図、第３図は第２図のマイクロ波用多段増幅回路を
モノリシンク形にした場合のチップの平面図である。
第２図で第４図の場合と異なる点は、発振防止用抵抗Ｒ
４を、ショートスタブ４３のショート面の反対側に挿入
し、ショートスタブ４６及びコンデンサ１２を減じ、又
整合の為に、第４図のライン１３”、１４’、１８’及
びショートスタブ４２°、４３゛の定数を多少変更し、
ライン１３゜１４．１８及びショートスタブ４２．４３
とした点である。
４を、ショートスタブ４３のショート面の反対側に挿入
し、ショートスタブ４６及びコンデンサ１２を減じ、又
整合の為に、第４図のライン１３”、１４’、１８’及
びショートスタブ４２°、４３゛の定数を多少変更し、
ライン１３゜１４．１８及びショートスタブ４２．４３
とした点である。
こうすることにより、チップ面積を小さくすることが出
来る点を第３図で説明する。
来る点を第３図で説明する。
第３図は第２図のマイクロ波用多段増幅回路をモノリシ
ック形にした場合のチップの平面図であり、従来例の回
路の場合だと、コンデンサｃ５の近辺に、ショートスタ
ブ４６．コンデンサＣ１２を設けねばならず、この第３
図のチップの１．５ｍｍＸ２．７ｍｍの面積に入らなか
ったものが素子を減することにより入るようになった。
ック形にした場合のチップの平面図であり、従来例の回
路の場合だと、コンデンサｃ５の近辺に、ショートスタ
ブ４６．コンデンサＣ１２を設けねばならず、この第３
図のチップの１．５ｍｍＸ２．７ｍｍの面積に入らなか
ったものが素子を減することにより入るようになった。
尚素子数が減じた分信頬性は向上する。
勿論バイブリド形の場合は、素子数が減じた分組立工数
は滅じ、又信頼性は向上する。
は滅じ、又信頼性は向上する。
尚、発振防止用抵抗Ｒ１を、ショートスタブ４０のショ
ート面の反対側に挿入し、ショートスタブ４１．コンデ
ンサＣ２を減じ、ショートスタブ４０を発振防止用及び
バイアス供給及び整合用にする為に定数を多少変え、近
辺のライン１ｏ、１１．１２及びオーブンスタブ３０の
定数を多少変更し整合するようにしても勿論よい。
ート面の反対側に挿入し、ショートスタブ４１．コンデ
ンサＣ２を減じ、ショートスタブ４０を発振防止用及び
バイアス供給及び整合用にする為に定数を多少変え、近
辺のライン１ｏ、１１．１２及びオーブンスタブ３０の
定数を多少変更し整合するようにしても勿論よい。
こうすれば、更に素子数は減じ、モノリシック形の場合
はチップ面積は小さくなり、又信頼性は向上し、バイブ
リド形の場合は、素子数が減じた分組立工数は減じ、又
信頼性は向上する。
はチップ面積は小さくなり、又信頼性は向上し、バイブ
リド形の場合は、素子数が減じた分組立工数は減じ、又
信頼性は向上する。
以上は、トランジスタは電界効果トランジスタの場合で
説明したが、これはバイポーラトランジスタの場合であ
っても勿論本発明は適用出来る。
説明したが、これはバイポーラトランジスタの場合であ
っても勿論本発明は適用出来る。
以上詳細に説明せる如く本発明によれば、発振防止回路
の素子数を減することが出来、モノリシック形の場合は
チップ面積を小さ（出来ると共に信頼性を向上出来、バ
イブリド形の場合は、素子数が減じた分組立工数を減す
ることが出来ると共に信頼性を向上出来る効果がある。
の素子数を減することが出来、モノリシック形の場合は
チップ面積を小さ（出来ると共に信頼性を向上出来、バ
イブリド形の場合は、素子数が減じた分組立工数を減す
ることが出来ると共に信頼性を向上出来る効果がある。
第１図は本発明の原理ブロック図、
第２図は本発明の実施例のマイクロ波用多段増幅回路の
回路図、 第３図は第２図のマイクロ波用多段増幅回路をモノリシ
ック形にした場合のチップの平面図、第４図は従来例の
マイクロ波用多段増幅回路の回路図である。 図において、 ｌはトランジスタ、 ２．４０．４１〜４６．４２’ 、４３°はショートス
タブ、 ３、Ｒ１，Ｒ４は発振防止用抵抗、 １０〜２０．１３’、１４° ライン、３０．３１．３
２はオープンスタブ、 Ｃ１〜Ｃ１２はコンデンサ、 Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５は抵抗、 ＦＥＴＩ〜ＦＥＴ３は電界効果トランジスタ、ｖｌはバ
イアス電圧供給用電源、 Ｖ２はドレイン電圧供給用電源を示す。
回路図、 第３図は第２図のマイクロ波用多段増幅回路をモノリシ
ック形にした場合のチップの平面図、第４図は従来例の
マイクロ波用多段増幅回路の回路図である。 図において、 ｌはトランジスタ、 ２．４０．４１〜４６．４２’ 、４３°はショートス
タブ、 ３、Ｒ１，Ｒ４は発振防止用抵抗、 １０〜２０．１３’、１４° ライン、３０．３１．３
２はオープンスタブ、 Ｃ１〜Ｃ１２はコンデンサ、 Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５は抵抗、 ＦＥＴＩ〜ＦＥＴ３は電界効果トランジスタ、ｖｌはバ
イアス電圧供給用電源、 Ｖ２はドレイン電圧供給用電源を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも発振防止用抵抗及びショートスタブを持つ発
振防止回路が必要なマイクロ波用多段増幅回路において
、 トランジスタ（１）の入力端子にバイアス電圧を供給し
且つ整合を行うショートスタブ（２）に発振防止用の機
能を持たせ、且つ、ショート面の反対側に発振防止用抵
抗（３）を挿入したことを特徴とするマイクロ波用多段
増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6013188A JPH01233812A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | マイクロ波用多段増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6013188A JPH01233812A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | マイクロ波用多段増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01233812A true JPH01233812A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13133274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6013188A Pending JPH01233812A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | マイクロ波用多段増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01233812A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0837433A (ja) * | 1994-05-19 | 1996-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器 |
| JPH1065464A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Toshiba Corp | マイクロ波回路 |
| US6239670B1 (en) | 1998-03-06 | 2001-05-29 | Nec Corporation | Short-stub matching circuit |
| JP2002325021A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波広帯域増幅器 |
| WO2004013928A1 (ja) * | 2002-08-01 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 伝送線路及び半導体集積回路装置 |
| JP2014068120A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352335A (en) * | 1976-10-23 | 1978-05-12 | Fujitsu Ltd | Microwave band stabilizing circuit |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP6013188A patent/JPH01233812A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352335A (en) * | 1976-10-23 | 1978-05-12 | Fujitsu Ltd | Microwave band stabilizing circuit |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0837433A (ja) * | 1994-05-19 | 1996-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器 |
| JPH1065464A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Toshiba Corp | マイクロ波回路 |
| US6239670B1 (en) | 1998-03-06 | 2001-05-29 | Nec Corporation | Short-stub matching circuit |
| JP2002325021A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波広帯域増幅器 |
| WO2004013928A1 (ja) * | 2002-08-01 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 伝送線路及び半導体集積回路装置 |
| US6946934B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transmission line and semiconductor integrated circuit device |
| US7088204B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transmission line and semiconductor integrated circuit device |
| CN1326286C (zh) * | 2002-08-01 | 2007-07-11 | 松下电器产业株式会社 | 传送线路和半导体集成电路装置 |
| JP2014068120A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
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