JPS62100006A - 低抗帰還形増幅器 - Google Patents
低抗帰還形増幅器Info
- Publication number
- JPS62100006A JPS62100006A JP23973885A JP23973885A JPS62100006A JP S62100006 A JPS62100006 A JP S62100006A JP 23973885 A JP23973885 A JP 23973885A JP 23973885 A JP23973885 A JP 23973885A JP S62100006 A JPS62100006 A JP S62100006A
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- JP
- Japan
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- stage
- feedback
- circuit
- inductor
- peaking inductor
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
虚業上の利用分野
本発明は、マイクロ波増ｌ１４！器に関し％特に、抵抗
帰還形増幅器に関する。
帰還形増幅器に関する。
従来の技術
従来、この種の増４器は％数ｔｏ ｈｍｚから数Ｇ）Ｉ
ｚの広い周波数にわたり、良好な入力定在波比及び平坦
な利得特性が得られるために広い応用が考えられでいる
。従来の抵抗帰還増幅器は、第２図に示す構成（電子通
信学会マイクロ波研究会費料１１２−３／ ）が採られ
ていた。
ｚの広い周波数にわたり、良好な入力定在波比及び平坦
な利得特性が得られるために広い応用が考えられでいる
。従来の抵抗帰還増幅器は、第２図に示す構成（電子通
信学会マイクロ波研究会費料１１２−３／ ）が採られ
ていた。
電界効果トランジスタ（以後ＦＥＴと記す）２／の入力
容量に起因する負荷インピーダンスの低下による高周波
数域での利得低下を補償するためにピーキング用線路イ
ンダクタＪ、２１が設けられている。帰還抵抗ｎ、ｎに
より入力インピーダンス整合及び出力インピーダンス整
合を計ると共に、広い周波数にわたり平坦な利得特性が
得られている。
容量に起因する負荷インピーダンスの低下による高周波
数域での利得低下を補償するためにピーキング用線路イ
ンダクタＪ、２１が設けられている。帰還抵抗ｎ、ｎに
より入力インピーダンス整合及び出力インピーダンス整
合を計ると共に、広い周波数にわたり平坦な利得特性が
得られている。
発明が解決しようとする問題点
上述した従来の帰還増幅器は、ピーキングインダクタに
より高周波における利得低下を補償している。この時、
利得が最大となる周波数は、寄生容量等の寄生素子の影
響を無視するならば、ビーキングインダクタコと一段目
のＦＥＴコｌの入力容量Ｏａｓとの直列共振周波数とな
る。この周波数において一段目のＦＥＴコ／の入力端に
おける電圧利得は最大になるものの、初段ＦＥＴコ／の
負荷抵抗３コの接続点釘におけるインピーダンスが低下
し、電圧利得も低下するために、入力端への帰還像が同
時に低下し、入カイ／ビーダンスが劣化・する欠点があ
る。
より高周波における利得低下を補償している。この時、
利得が最大となる周波数は、寄生容量等の寄生素子の影
響を無視するならば、ビーキングインダクタコと一段目
のＦＥＴコｌの入力容量Ｏａｓとの直列共振周波数とな
る。この周波数において一段目のＦＥＴコ／の入力端に
おける電圧利得は最大になるものの、初段ＦＥＴコ／の
負荷抵抗３コの接続点釘におけるインピーダンスが低下
し、電圧利得も低下するために、入力端への帰還像が同
時に低下し、入カイ／ビーダンスが劣化・する欠点があ
る。
着た、入力インピーダンスが劣化するために、入力反射
による利得低下を生じピーキングによる広帯域化が十分
に達成されない欠点を持っていた。
による利得低下を生じピーキングによる広帯域化が十分
に達成されない欠点を持っていた。
本発明は従来の上記事情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の１的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消することを可能とした新規な抵抗帰還増幅器を提
供することにある。
従って本発明の１的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消することを可能とした新規な抵抗帰還増幅器を提
供することにある。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成する為に、本発明に係る抵抗帰還増幅器
は、縦続接続されるコ個以上のトランジスタと、該各ト
ランジスタにより増幅された信号をトランジスタ入力に
帰還する抵抗を含む帰還回路と、利得の高周波特性を補
償するピーキングインダクタを持つ段回路とを少なくと
も有して構成され、前記ピーキングインダクタと後段ト
ランジスタとの接続点と前段トランジスタの入力端間に
紡紀滞還回路を設けたことを特徴とする。
は、縦続接続されるコ個以上のトランジスタと、該各ト
ランジスタにより増幅された信号をトランジスタ入力に
帰還する抵抗を含む帰還回路と、利得の高周波特性を補
償するピーキングインダクタを持つ段回路とを少なくと
も有して構成され、前記ピーキングインダクタと後段ト
ランジスタとの接続点と前段トランジスタの入力端間に
紡紀滞還回路を設けたことを特徴とする。
実施例
次に、本発明をその好ましい一実施例圧ついて図面を参
照して具体的に説明する。
照して具体的に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す等価回路である。第１
図において、本発明の一実施例は、初段ＦＥＴ 、２／
の出力端／３にＤＣカット用キャパシタコクを接続し、
このキャパシタ２７と次段ＦＥＴ ｌ／との間圧ピーキ
ングインダクタＪを接続し、このビーキングインダクタ
コと次段ＦＥＴ ｉｉとの接続点７．２と前段ＦＥＴコ
／のゲート電極間に、帰還抵抗力とＤＣカットキャパシ
タ３を接続し一＃ニ一段増幅器である。負荷抵抗３０２
３／は、さらに高い周波数（数ＧＨｚ以上）にお・いて
は、インダクタンスで１き換えることも可能である。
図において、本発明の一実施例は、初段ＦＥＴ 、２／
の出力端／３にＤＣカット用キャパシタコクを接続し、
このキャパシタ２７と次段ＦＥＴ ｌ／との間圧ピーキ
ングインダクタＪを接続し、このビーキングインダクタ
コと次段ＦＥＴ ｉｉとの接続点７．２と前段ＦＥＴコ
／のゲート電極間に、帰還抵抗力とＤＣカットキャパシ
タ３を接続し一＃ニ一段増幅器である。負荷抵抗３０２
３／は、さらに高い周波数（数ＧＨｚ以上）にお・いて
は、インダクタンスで１き換えることも可能である。
また％帰・還回路に挿入されているＤＣカット用キャパ
シタは、前段ＦＥＴ 、２／と後段ＦＥＴ ／／を同じ
１に流バイアス条件下で使用する場合には不用である。
シタは、前段ＦＥＴ 、２／と後段ＦＥＴ ／／を同じ
１に流バイアス条件下で使用する場合には不用である。
本実施例の増幅器は、帰還回路がピーキングインダクタ
８と後段ＦＥＴ ／／との接続点／、２に接続されてい
る。この接続点／コの電位は、ビーキングインダクタコ
と後段ＦＥＴ ｙｉＯ入カキャパシタンスＣＧＳが形成
するタンク回路の中間点にあるために、前段ＦＥＴコ／
の出力端／、３の電位に比べ、このタンク回路の共振周
波数以上壕では高く保たれている。従って、従来例の増
幅器では、ビーキングインダクタコと後段ＦＥＴの入力
キャパシタンスＣＧＳの共振周波数付めニでは、非常に
小さな帰還量ｌ−か得られなかつ之のに対し、本実施例
の増幅器では、この共振周波数以上まで十分な帰還量が
得られる。
８と後段ＦＥＴ ／／との接続点／、２に接続されてい
る。この接続点／コの電位は、ビーキングインダクタコ
と後段ＦＥＴ ｙｉＯ入カキャパシタンスＣＧＳが形成
するタンク回路の中間点にあるために、前段ＦＥＴコ／
の出力端／、３の電位に比べ、このタンク回路の共振周
波数以上壕では高く保たれている。従って、従来例の増
幅器では、ビーキングインダクタコと後段ＦＥＴの入力
キャパシタンスＣＧＳの共振周波数付めニでは、非常に
小さな帰還量ｌ−か得られなかつ之のに対し、本実施例
の増幅器では、この共振周波数以上まで十分な帰還量が
得られる。
従って、本実施例では、ピーキング周波数においても良
好な入力インピーダンスが保持され、その結果、さらに
高い周波数まで平坦な利得特性が得られる。
好な入力インピーダンスが保持され、その結果、さらに
高い周波数まで平坦な利得特性が得られる。
本発明の抵抗帰還増幅器をＧａＡｓ基板上に形成するこ
とにより、／７２ＭＨｚから１ＩＧＨｚにわだりｎ６８
以上の平坦な利得特性と入出力定在波比が／４以下の良
好なモノリシック増幅器を形成することが出来る。
とにより、／７２ＭＨｚから１ＩＧＨｚにわだりｎ６８
以上の平坦な利得特性と入出力定在波比が／４以下の良
好なモノリシック増幅器を形成することが出来る。
また、本発明が、３段あるいはそれ以上の多段増幅器に
も適用し得ることは言うまでもない。
も適用し得ることは言うまでもない。
発明の詳細
な説明（〜だように、本発明によれば、抵抗帰還増幅器
の帰還回路を前段ＦＥＴのゲート電極と、ビーキングイ
ンダクタコと後段ＦＥＴとの接続点７．２間に設けるこ
とにより、高周波数においても良好な入力インピーダン
スな持ち、その結果、従来力に比べ高い周波数まで平坦
な利得特性を得ることが出来る効果が得られる。
の帰還回路を前段ＦＥＴのゲート電極と、ビーキングイ
ンダクタコと後段ＦＥＴとの接続点７．２間に設けるこ
とにより、高周波数においても良好な入力インピーダン
スな持ち、その結果、従来力に比べ高い周波数まで平坦
な利得特性を得ることが出来る効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路構成図である。
、２／・・・前段ＦＥＴ、／ｙ・・後段ＦＥＴ 、−一
・・帰は抵抗、！−＝−ピーキングインダクタ 第一図は従来例を示す回路図である。
・・帰は抵抗、！−＝−ピーキングインダクタ 第一図は従来例を示す回路図である。
Claims (1)
- 縦続接続される２個以上のトランジスタと、該各トラン
ジスタにより増幅された信号をトランジスタ入力に帰還
する抵抗を含む帰還回路と、利得の高周波特性を補償す
るピーキングインダクタを持つ段間回路とを少なくとも
有し、前記ピーキングインダクタと後段トランジスタと
の接続点と前段トランジスタの入力端間に前記帰還回路
を設けたことを特徴とする抵抗帰還形増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60239738A JPH0758870B2 (ja) | 1985-10-26 | 1985-10-26 | 低抗帰還形増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60239738A JPH0758870B2 (ja) | 1985-10-26 | 1985-10-26 | 低抗帰還形増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62100006A true JPS62100006A (ja) | 1987-05-09 |
| JPH0758870B2 JPH0758870B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=17049194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60239738A Expired - Lifetime JPH0758870B2 (ja) | 1985-10-26 | 1985-10-26 | 低抗帰還形増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758870B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6842880B2 (en) | 2001-10-30 | 2005-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit designing method and semiconductor device |
| JP2009239816A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Icom Inc | 増幅器 |
| JP2011004186A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Saito Com Co Ltd | 地上波デジタルテレビ用アンテナブースタユニット |
| US7928815B2 (en) | 2007-03-20 | 2011-04-19 | Fujitsu Limited | Amplifier |
| CN110474636A (zh) * | 2018-05-11 | 2019-11-19 | 欧姆龙株式会社 | 信号处理电路 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3422780B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2003-06-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 無線周波増幅器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6082823U (ja) * | 1983-11-12 | 1985-06-08 | アルプス電気株式会社 | 高周波回路 |
-
1985
- 1985-10-26 JP JP60239738A patent/JPH0758870B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6082823U (ja) * | 1983-11-12 | 1985-06-08 | アルプス電気株式会社 | 高周波回路 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6842880B2 (en) | 2001-10-30 | 2005-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit designing method and semiconductor device |
| US7928815B2 (en) | 2007-03-20 | 2011-04-19 | Fujitsu Limited | Amplifier |
| JP2009239816A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Icom Inc | 増幅器 |
| JP2011004186A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Saito Com Co Ltd | 地上波デジタルテレビ用アンテナブースタユニット |
| CN110474636A (zh) * | 2018-05-11 | 2019-11-19 | 欧姆龙株式会社 | 信号处理电路 |
| CN110474636B (zh) * | 2018-05-11 | 2023-06-09 | 欧姆龙株式会社 | 信号处理电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758870B2 (ja) | 1995-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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