JPS62183206A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPS62183206A JPS62183206A JP2509086A JP2509086A JPS62183206A JP S62183206 A JPS62183206 A JP S62183206A JP 2509086 A JP2509086 A JP 2509086A JP 2509086 A JP2509086 A JP 2509086A JP S62183206 A JPS62183206 A JP S62183206A
- Authority
- JP
- Japan
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- line
- bias
- terminal
- power terminal
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ技術分野
この発明は、ハ゛イボーラトランジスタやＩ・’ＢＴ等
の半勇０体増幅素子を発振素子として使用したマイクロ
波発振器に関する。
の半勇０体増幅素子を発振素子として使用したマイクロ
波発振器に関する。
（ｂ）従来技術とその欠点
バイポーラトランジスタＴｒを用いたマイクロ波発振器
における従来のバイアス回路を第３図に示す。
における従来のバイアス回路を第３図に示す。
図ではトランジスタＴｒのコレクタ端子Ｃにｌ／４波長
開放端線路１を接続することにより、ここでのインピー
ダンスを０オームにして高周波的に接地している。とこ
ろが、従来のこのような発振器におけるバイアス回路は
、接地端子であるコレクタ端子Ｃと電源端子２との間に
、ｌ／４波長開放端線路３と１／４波長変成器４．４と
で構成されるインピーダンスをＯ〔Ω〕にする回路を設
け（図では２段設けている。）、さらにバイアス抵抗Ｒ
２Ｒが接続される点にバイパスコンデンサＣＩを設けて
発振出力の電源端子２への漏洩を防止していたので、回
路が複雑となり、また、発振器の形状自体も大きくなる
ζいう欠点を有していた。
開放端線路１を接続することにより、ここでのインピー
ダンスを０オームにして高周波的に接地している。とこ
ろが、従来のこのような発振器におけるバイアス回路は
、接地端子であるコレクタ端子Ｃと電源端子２との間に
、ｌ／４波長開放端線路３と１／４波長変成器４．４と
で構成されるインピーダンスをＯ〔Ω〕にする回路を設
け（図では２段設けている。）、さらにバイアス抵抗Ｒ
２Ｒが接続される点にバイパスコンデンサＣＩを設けて
発振出力の電源端子２への漏洩を防止していたので、回
路が複雑となり、また、発振器の形状自体も大きくなる
ζいう欠点を有していた。
第４図に示すように発振素子がＦＥＴである場合には、
第３図のように１〜ランジスタＴｒのペース端子Ｂから
１／４波長の所に０オームのインピーダンスを呈する１
７４波長開放端線路５を設ける必要がなく、フィルタや
バイパスコンデンサＣ１も簡略化できるか、なおかつあ
る程度同様の欠点を有する。
第３図のように１〜ランジスタＴｒのペース端子Ｂから
１／４波長の所に０オームのインピーダンスを呈する１
７４波長開放端線路５を設ける必要がなく、フィルタや
バイパスコンデンサＣ１も簡略化できるか、なおかつあ
る程度同様の欠点を有する。
（Ｃ１発明の目的
この発明は、このような事情に濫みなされたものであっ
て、バイアス回路を簡略化するとともに発振出力が電源
端子へ漏洩することのないマイクロ波発振器を提供する
ことを目的とする。
て、バイアス回路を簡略化するとともに発振出力が電源
端子へ漏洩することのないマイクロ波発振器を提供する
ことを目的とする。
（ｄ）発明の構成および効果
この発明のマイクロ波発振器は、少なくとも３つの端子
を有する半導体増幅素子を発振素子としていずれかの端
子を高周波的に接地したマイクロ波発振器において、 設置端子と電源端子との間のバイアス線路を基板上のス
トリップラインのみで形成するとともに、このストリッ
プラインに沿ってアースと同電位の電極パターンを近接
して配置し、かつ、電源端子にバイパスコンデンサを接
続したことを特徴とする。
を有する半導体増幅素子を発振素子としていずれかの端
子を高周波的に接地したマイクロ波発振器において、 設置端子と電源端子との間のバイアス線路を基板上のス
トリップラインのみで形成するとともに、このストリッ
プラインに沿ってアースと同電位の電極パターンを近接
して配置し、かつ、電源端子にバイパスコンデンサを接
続したことを特徴とする。
この発明を上記のように構成すると、ストリップライン
で形成されたバイアス線路の分布定数と電源端子に設け
られたバイパスコンデンサとで十分に発振出力の電源端
子への漏洩を防ぐことができる。しかも、何段ものイン
ピーダンスを０ 〔Ω〕にする回路を設ける必要がなく
、また、バイアス線路長も波長にかかわりなく短くする
ことができ、さらに、バイアス抵抗におけるバイパスコ
ンデンサを省略できるので、回路構成を簡単にし、かつ
、発振器自体の形状を小さくすることができる。
で形成されたバイアス線路の分布定数と電源端子に設け
られたバイパスコンデンサとで十分に発振出力の電源端
子への漏洩を防ぐことができる。しかも、何段ものイン
ピーダンスを０ 〔Ω〕にする回路を設ける必要がなく
、また、バイアス線路長も波長にかかわりなく短くする
ことができ、さらに、バイアス抵抗におけるバイパスコ
ンデンサを省略できるので、回路構成を簡単にし、かつ
、発振器自体の形状を小さくすることができる。
（ｅｌ実施例
第１図はこの考案の実施例であるマイクロ波発振器にお
けるバイアス回路の回路図である。
けるバイアス回路の回路図である。
この実施例では、バイポーラトランジスタＴｒのコレク
タ端子Ｃに１７４波長開放端線路１を接続することによ
り高周波的に接地している。このコレクタ端子Ｃと電源
端子２との間のバイアス線路は、基板上のストリップラ
イン６のみで形成されている。このストリップライン６
は、第２図に示すように、アースと同電位の電極パター
ン７を近接して配置し、基板上に互いに沿うように形成
される。このストリップライン６と電極パターン７とは
、電気的結合を取れるように出来るだけ近接して配置す
る必要があり、具体的には０．１−０．５龍程度の間隔
で形成するのが適当である。このバイアス線路６は、途
中でバイアス抵抗Ｒ，Ｒを介して接地されている。電源
端子２には、他端を接地したコンデンサＣ３，Ｃ３を対
称に取り付けることにより形成されるバイパスコンデン
サが接続されている。なお、トランジスタＴｒのベース
端子Ｂには、従来と同様に、１／４波長変成器８を介し
た位置に１／４波長開放端線路５を接続して、このバイ
アス線路のインピーダンスを無限大にしている。また、
さらに１／４波長変成器８を介した位置に他端を設置し
たバイアス抵抗Ｒを接続して、ベース端子Ｂから見た線
路の入力インピーダンスを無限大にしている。
タ端子Ｃに１７４波長開放端線路１を接続することによ
り高周波的に接地している。このコレクタ端子Ｃと電源
端子２との間のバイアス線路は、基板上のストリップラ
イン６のみで形成されている。このストリップライン６
は、第２図に示すように、アースと同電位の電極パター
ン７を近接して配置し、基板上に互いに沿うように形成
される。このストリップライン６と電極パターン７とは
、電気的結合を取れるように出来るだけ近接して配置す
る必要があり、具体的には０．１−０．５龍程度の間隔
で形成するのが適当である。このバイアス線路６は、途
中でバイアス抵抗Ｒ，Ｒを介して接地されている。電源
端子２には、他端を接地したコンデンサＣ３，Ｃ３を対
称に取り付けることにより形成されるバイパスコンデン
サが接続されている。なお、トランジスタＴｒのベース
端子Ｂには、従来と同様に、１／４波長変成器８を介し
た位置に１／４波長開放端線路５を接続して、このバイ
アス線路のインピーダンスを無限大にしている。また、
さらに１／４波長変成器８を介した位置に他端を設置し
たバイアス抵抗Ｒを接続して、ベース端子Ｂから見た線
路の入力インピーダンスを無限大にしている。
トランジスタＴｒのベース端子Ｂには、通常発振用の負
荷インピーダンスが接続される。したがって、このバイ
アス線路のインピーダンスは発振用の負荷に無関係にす
るために無限大にする必要があり、このため、１／４波
長変成器８を介してｌ／４波長開放端線路５が接続され
ている。ところが、コレクタ端子Ｃには直接１７４波長
開放端線路ｌが接続されインピーダンスは既に０オーム
になっている。したがって、この端子に接続されるバイ
アス線路はインピーダンスを無限大にする必要がない。
荷インピーダンスが接続される。したがって、このバイ
アス線路のインピーダンスは発振用の負荷に無関係にす
るために無限大にする必要があり、このため、１／４波
長変成器８を介してｌ／４波長開放端線路５が接続され
ている。ところが、コレクタ端子Ｃには直接１７４波長
開放端線路ｌが接続されインピーダンスは既に０オーム
になっている。したがって、この端子に接続されるバイ
アス線路はインピーダンスを無限大にする必要がない。
また、このコレクタ端子Ｃからバイアス抵抗Ｒまでの距
離も１／２波長である必要がない。さらに、このバイア
ス抵抗Ｒから電源端子２までの間も同様にインピーダン
スを無限大にしな（てよいので、距離も１／２波長であ
る必要がない。したがって、設置されたコレクタ端子Ｃ
と電源端子２との間は、実施例で示すようなストリップ
ラインのみでしかも１７２波長より短い長さで構成する
ことができる。ただし、従来用いていたｌ／４波長開放
端線路３を省略しまた線路長を短くすると、電源端子２
への発振出力の漏洩が増加することになる。しかしなが
らこのような漏洩は、バイアス線路のストリップライン
６に沿ってアースと同電位の電極パターン７を配置する
とともに、電源端子２にバイパスコンデンサを接続する
だけで従来と同一レヘルまで低減することができ、バイ
アス抵抗Ｒの所にバイパスコンデンサを設ける必要もな
くなる。したがって、この実施例は、接地端子に接続す
るバイアス線路の回路構成を簡略化することができ、部
品点数の削減や材料の削減を図ることができる。また、
このバイアス線路の線路長も短くなり１７４波長開放端
線路３も不要となるので、基板上に占める面積が小さく
なり、従来と同しヘルの性能を維持しながら発振器自体
の小型化を図ることができる。
離も１／２波長である必要がない。さらに、このバイア
ス抵抗Ｒから電源端子２までの間も同様にインピーダン
スを無限大にしな（てよいので、距離も１／２波長であ
る必要がない。したがって、設置されたコレクタ端子Ｃ
と電源端子２との間は、実施例で示すようなストリップ
ラインのみでしかも１７２波長より短い長さで構成する
ことができる。ただし、従来用いていたｌ／４波長開放
端線路３を省略しまた線路長を短くすると、電源端子２
への発振出力の漏洩が増加することになる。しかしなが
らこのような漏洩は、バイアス線路のストリップライン
６に沿ってアースと同電位の電極パターン７を配置する
とともに、電源端子２にバイパスコンデンサを接続する
だけで従来と同一レヘルまで低減することができ、バイ
アス抵抗Ｒの所にバイパスコンデンサを設ける必要もな
くなる。したがって、この実施例は、接地端子に接続す
るバイアス線路の回路構成を簡略化することができ、部
品点数の削減や材料の削減を図ることができる。また、
このバイアス線路の線路長も短くなり１７４波長開放端
線路３も不要となるので、基板上に占める面積が小さく
なり、従来と同しヘルの性能を維持しながら発振器自体
の小型化を図ることができる。
なお、実施例では電源端子２に接続するバイパスコンデ
ンサとして２個のコンデンサＣｘ、Ｃｚを対象に取り付
けたが、貫通コンデンサを使用すれば信号除去能力を低
下させることなく回路構成をさらに簡略化することがで
きる。
ンサとして２個のコンデンサＣｘ、Ｃｚを対象に取り付
けたが、貫通コンデンサを使用すれば信号除去能力を低
下させることなく回路構成をさらに簡略化することがで
きる。
第１図はこの発明の実施例であるマイクロ波発振器にお
けるバイアス回路の回路図、第２図は同バイアス回路の
配線パターンを示す部分平面図、第３図はバイポーラト
ランジスタを発振素子として用いたマイクロ波発振器に
おける従来のバイアス回路の回路図、第４図はＦ Ｂ
’Ｉ’を発振素子として用いたマイクロ波発振器におけ
る従来のバイアス回路の回路図である。 １−１／４波長開放端線路（接地用）、゛２−電源端子
、６−スドリソプライン、７−電極パターン、 ’ｒｒ−トランジスタ（発振素子）、 Ｃ３−コンデンサ（バイパスコンデンサ）。
けるバイアス回路の回路図、第２図は同バイアス回路の
配線パターンを示す部分平面図、第３図はバイポーラト
ランジスタを発振素子として用いたマイクロ波発振器に
おける従来のバイアス回路の回路図、第４図はＦ Ｂ
’Ｉ’を発振素子として用いたマイクロ波発振器におけ
る従来のバイアス回路の回路図である。 １−１／４波長開放端線路（接地用）、゛２−電源端子
、６−スドリソプライン、７−電極パターン、 ’ｒｒ−トランジスタ（発振素子）、 Ｃ３−コンデンサ（バイパスコンデンサ）。
Claims (1)
- （１）少なくとも３つの端子を有する半導体増幅素子を
発振素子として、いずれかの端子を高周波的に接地した
マイクロ波発振器において、 接地端子と電源端子との間のバイアス線路を基板上のス
トリップラインのみで形成するとともに、このストリッ
プラインに沿ってアースと同電位の電極パターンを近接
して配置し、かつ、電源端子にバイパスコンデンサを接
続したことを特徴とするマイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2509086A JPS62183206A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2509086A JPS62183206A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183206A true JPS62183206A (ja) | 1987-08-11 |
Family
ID=12156222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2509086A Pending JPS62183206A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183206A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016146550A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | 株式会社ヨコオ | 高周波発振器 |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP2509086A patent/JPS62183206A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016146550A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | 株式会社ヨコオ | 高周波発振器 |
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