JPH03184367A - 高周波集積回路 - Google Patents
高周波集積回路Info
- Publication number
- JPH03184367A JPH03184367A JP32453089A JP32453089A JPH03184367A JP H03184367 A JPH03184367 A JP H03184367A JP 32453089 A JP32453089 A JP 32453089A JP 32453089 A JP32453089 A JP 32453089A JP H03184367 A JPH03184367 A JP H03184367A
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- JP
- Japan
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- integrated circuit
- capacitor
- circuit substrate
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- Pending
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 14
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高周波帯の集積回路に関するものである。
以下、高周波集積回路として、モノリシックマイクロ波
集積回路増幅器（ＭＭＩＯ増幅器）を例にとって説明す
る。
集積回路増幅器（ＭＭＩＯ増幅器）を例にとって説明す
る。
第４図は従来のＭＭＩＯ増幅器の一例を示す平面図であ
る。この図にかいて、（１〉は高周波トランジスタ、（
２）は抵抗、（３）はコンデンサ、（４）は入力信号端
子、（５）は出力信号端子、（６）は前記高周波トラン
ジスタ（１）の直流バイアス印加端子であり、（７〉は
これらの各素子が形成された集積回路基板である。
る。この図にかいて、（１〉は高周波トランジスタ、（
２）は抵抗、（３）はコンデンサ、（４）は入力信号端
子、（５）は出力信号端子、（６）は前記高周波トラン
ジスタ（１）の直流バイアス印加端子であり、（７〉は
これらの各素子が形成された集積回路基板である。
次にＭＭＩＯ増幅器の動電について説明する。入力信号
端子（４）に印加された信号は高周波トランジスタ（１
）により増幅され、出力信号端子（５）から取り出され
る。
端子（４）に印加された信号は高周波トランジスタ（１
）により増幅され、出力信号端子（５）から取り出され
る。
ここで、高周波トランジスタ（１）を動作させるための
直流バイアスは、直流バイアス印加端子（６）より供給
される。コンデンサ（３）釦よび抵抗（２）は高周波ト
ランジスタ（１）の人、出力インピーダンスを所定の特
性インピーダンスにインピーダンス整合させるために用
いられる。
直流バイアスは、直流バイアス印加端子（６）より供給
される。コンデンサ（３）釦よび抵抗（２）は高周波ト
ランジスタ（１）の人、出力インピーダンスを所定の特
性インピーダンスにインピーダンス整合させるために用
いられる。
以上のように構成された従来のＭＭＩＯ増幅器では、増
幅器に９！求される特性や使用周波数によってはコンデ
ンサ（３）として大容量のものが必要となる。その結果
、コンデンサ（３〉の面積が増大し、ＭＭＩＣ増幅器増
幅器ハタ一部分がコンデンサパターンとなり、ＭＭｒＣ
チップの大面積化によるコストアップの問題と、大面積
のコンデンサパターン配置によるＭＭＩ（：！回路設計
が困難になる等の問題点があった。
幅器に９！求される特性や使用周波数によってはコンデ
ンサ（３）として大容量のものが必要となる。その結果
、コンデンサ（３〉の面積が増大し、ＭＭＩＣ増幅器増
幅器ハタ一部分がコンデンサパターンとなり、ＭＭｒＣ
チップの大面積化によるコストアップの問題と、大面積
のコンデンサパターン配置によるＭＭＩ（：！回路設計
が困難になる等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、コンデンサの占有面積を減らした小形の高
周波集積回路を得ることを目的とする。
れたもので、コンデンサの占有面積を減らした小形の高
周波集積回路を得ることを目的とする。
この発明に係る高周波集積回路は、集積回路基板の裏面
にコンデンサ部分を形成し、このコンデンサと集積回路
基板表面の高周波トランジスタや回路パターンと集積回
路基板を貫通する導電体で接続し、集積回路基板の上面
を下にして組立てたものである。
にコンデンサ部分を形成し、このコンデンサと集積回路
基板表面の高周波トランジスタや回路パターンと集積回
路基板を貫通する導電体で接続し、集積回路基板の上面
を下にして組立てたものである。
〔作用〕
この発明に釦いては、コンデンサ部分を集積回路基板表
面から取り除き、集積回路基板裏面に形成したことから
、集積回路基板表面に占有していたコンデンサパターン
の面積が減少する。
面から取り除き、集積回路基板裏面に形成したことから
、集積回路基板表面に占有していたコンデンサパターン
の面積が減少する。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。第
１図はこの発明の一実施例を示すＭＭＩＯ増幅器の平面
図であり、第２図は、第１図のＡ −Ａ′線での断面図
である。
１図はこの発明の一実施例を示すＭＭＩＯ増幅器の平面
図であり、第２図は、第１図のＡ −Ａ′線での断面図
である。
これらの図にかいて、（１）〜（７）は第４図と同じも
のを示し、前記集積回路基板（７）の裏面にコンデンサ
０υが形成されて＄−沙、集積回路基板（７）を貫通す
る導電体（２）により集積回路基板（７）との高周波ト
ランジスタ（１）や他の回路パターンと電気的に接続さ
れている。
のを示し、前記集積回路基板（７）の裏面にコンデンサ
０υが形成されて＄−沙、集積回路基板（７）を貫通す
る導電体（２）により集積回路基板（７）との高周波ト
ランジスタ（１）や他の回路パターンと電気的に接続さ
れている。
このＭＭＩＣ増幅器は第３図に示すように、集積回路基
板（７）の上面を下にしてマイクロ波回路基板（８）に
組み立て、マイクロ波伝送線路（８１）とフリップチッ
プボンディングされている。
板（７）の上面を下にしてマイクロ波回路基板（８）に
組み立て、マイクロ波伝送線路（８１）とフリップチッ
プボンディングされている。
このように構成することにより、従来は高周波集積回路
上に形成され、広い面積を占有していたコンデンサパタ
ーンを表面よう裏面に移設が可能となり、電気的な特性
は従来例と同等になる０さらに、表面の回路パターン配
置でコンデンサパターンの制約が解消もしくは少なくな
り１集積回路パターン設計にｋける自由度が向上する。
上に形成され、広い面積を占有していたコンデンサパタ
ーンを表面よう裏面に移設が可能となり、電気的な特性
は従来例と同等になる０さらに、表面の回路パターン配
置でコンデンサパターンの制約が解消もしくは少なくな
り１集積回路パターン設計にｋける自由度が向上する。
なか、上記実施例ではＭＭＩＣ！増幅器について説明し
たが、これに限定するものでなく、他の高周波集積回路
に適用しても同様の効果を奏することはいうまでもない
。
たが、これに限定するものでなく、他の高周波集積回路
に適用しても同様の効果を奏することはいうまでもない
。
以上説明したようにこの発明は、集積回路基板上に形成
される回路パターンのうち、コンデンサ部分を集積回路
基板の裏面に形成したので、集積回路パターンの縮小化
が可能となう、小形化した安価な高周波集積回路が得ら
れる効果がある。
される回路パターンのうち、コンデンサ部分を集積回路
基板の裏面に形成したので、集積回路パターンの縮小化
が可能となう、小形化した安価な高周波集積回路が得ら
れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるＭＭＩＯ増幅益増幅
路プパターンを示す平面図、第２図は第１図のＡ−ｐ：
線にかける断面図、第３図はこの発明によるＭＭＩＯ増
幅益増幅路に組立てた状態を示す平面図、第４図は従来
のＭＭＩ（３増幅器のチップパターンを示す平面図であ
る。 図において、（１）は高周波トランジスタ、（２）は抵
抗、（３）はコンデンサパターン、（４）は入力信号端
子、（５）は出力信号端子、（６）はトランジスタの直
流バイアス印加端子、（７）は集積回路基板、ＯＤは集
積回路基板の裏面に形成されたコンデンサ、（２）は集
積回路基板を貫通する導電体、（８）はマイクロ波回路
基板、（８１）はマイクロ波伝送線路である。 なシ、図中、同一符号は同−筐たは相当部分を示す。
路プパターンを示す平面図、第２図は第１図のＡ−ｐ：
線にかける断面図、第３図はこの発明によるＭＭＩＯ増
幅益増幅路に組立てた状態を示す平面図、第４図は従来
のＭＭＩ（３増幅器のチップパターンを示す平面図であ
る。 図において、（１）は高周波トランジスタ、（２）は抵
抗、（３）はコンデンサパターン、（４）は入力信号端
子、（５）は出力信号端子、（６）はトランジスタの直
流バイアス印加端子、（７）は集積回路基板、ＯＤは集
積回路基板の裏面に形成されたコンデンサ、（２）は集
積回路基板を貫通する導電体、（８）はマイクロ波回路
基板、（８１）はマイクロ波伝送線路である。 なシ、図中、同一符号は同−筐たは相当部分を示す。
Claims (1)
- 高周波トランジスタ、抵抗、コンデンサなどの回路パタ
ーンを同一の集積回路基板に備えた高周波集積回路にお
いて、前記集積回路基板の裏面にコンデンサパターンを
設け、前記集積回路基板上面の回路パターンと前記コン
デンサとを前記集積回路基板を貫通する導電体で接続し
、集積回路基板の上面を下にして組立てたことを特徴と
する高周波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32453089A JPH03184367A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 高周波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32453089A JPH03184367A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 高周波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184367A true JPH03184367A (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=18166834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32453089A Pending JPH03184367A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 高周波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03184367A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072205A (en) * | 1997-06-04 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Passive element circuit |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP32453089A patent/JPH03184367A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072205A (en) * | 1997-06-04 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Passive element circuit |
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