JPH06291501A - 高周波回路装置 - Google Patents

高周波回路装置

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JPH06291501A
JPH06291501A JP7492293A JP7492293A JPH06291501A JP H06291501 A JPH06291501 A JP H06291501A JP 7492293 A JP7492293 A JP 7492293A JP 7492293 A JP7492293 A JP 7492293A JP H06291501 A JPH06291501 A JP H06291501A
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JP
Japan
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high frequency
printed wiring
frequency circuit
substrate
insulating substrate
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP7492293A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatake Fukuda
昌剛 福田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH06291501A publication Critical patent/JPH06291501A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0296Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298Multilayer circuits

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  • Waveguide Connection Structure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高周波増幅回路等の高周波回路装置に関し、
経済的な構成により高周波信号のバイパス特性を向上さ
せる。 【構成】 絶縁基板1上に、高周波回路2と、この高周
波回路2に直流電流を供給する為の印刷配線3とを形成
した高周波回路装置に於いて、高周波回路2と印刷配線
3とを形成した基板部4と、アースパターン6を形成し
た基板部5とを接合して前記絶縁基板1を構成し、アー
スパターン6と基板部5を介して対向する位置に、静電
容量を形成する為の電極パターン7を形成し、この電極
パターン7と印刷配線3の端部のパッド9の拡大部に形
成したスルーホール8を介して接続した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波増幅回路等の高
周波回路装置に関する。バイポーラトランジスタや電界
効果トランジスタ等を増幅素子,変調素子或いは周波数
変換素子として用いた高周波回路装置は、セラミックや
ガラスエポキシ等の絶縁基板上に印刷配線を形成し、こ
の印刷配線にトランジスタや他の回路素子を接続して構
成する場合が一般的である。このような高周波回路装置
に於いて、数10GHz以上の周波数帯に於いても動作
の安定化が要望されている。
【0002】
【従来の技術】図3は従来例の高周波回路装置の要部説
明図であり、高周波増幅回路21と減衰器22と電力増
幅回路23と直流電流供給部24とをそれぞれ絶縁基板
上に形成し、それらを筐体に収容して高周波回路装置2
0を構成した場合を示す。この場合、例えば、高周波増
幅回路21と減衰器22と電力増幅回路23とはセラミ
ック基板を用いて構成し、直流電流供給部24はBTレ
ジン基板等を用いて構成するものである。
【0003】高周波増幅回路21は、図示を省略した前
段からの入力信号が入力パッド25から分配器26に加
えられて2分岐され、バイポーラトランジスタや電界効
果トランジスタ等からなる増幅器27,28に入力され
て増幅され、合成器29により合成されて出力パッド3
0から次段の減衰器22に加えられる。又31〜34は
バイアス電圧やコレクタ電圧を増幅器27,28に、図
示を省略した印刷配線を介して加える為の接続パッドを
示す。
【0004】又直流電流供給部24は、高周波増幅回路
21の接続パッド31〜34と金線や金リボン等(図示
せず)によって接続する為の接続パッド41〜44が形
成され、この接続パッド41〜44を外部の直流電源に
接続する為の印刷配線の他端のパッド45〜48に、チ
ップコンデンサ49〜52の一方の端子を接続し、他方
の端子を、スルーホール53〜56を形成したパッドに
接続し、このスルーホール53〜56は裏面のアースパ
ターン(図示せず)に接続している。なお、斜線を施し
た部分は半田付けを行った部分を示す。
【0005】チップコンデンサ49〜52は、直流電源
側から伝播されるマイクロ波信号等の高周波信号或いは
印刷配線に誘導されたマイクロ波信号等の高周波信号
が、印刷配線を介して高周波増幅回路21に帰還しない
ようにアースパターンにバイパスさせる為のものであ
り、使用帯域に対応してチップコンデンサ49〜52の
静電容量が選定される。例えば、10GHz帯域では、
3pF程度のチップコンデンサが使用されている。
【0006】図4は従来例の要部断面図であり、絶縁基
板61の厚さを横方向の寸法に比較して厚くした状態の
概略の要部断面を示し、その絶縁基板61の下面にアー
スパターン66が形成され、上面に高周波増幅回路等に
直流電流を供給する為の印刷配線が形成されている。こ
の印刷配線の端部のパッド63に近接してパッド65が
形成されて、スルーホール64によりアースパターン6
6と接続され、チップコンデンサ67の一方の電極68
がパッド65に、又他方の電極69がパッド63にそれ
ぞれ斜線で示す半田71により接続されている。従っ
て、印刷配線に伝播されるマイクロ波信号等の高周波信
号は、チップコンデンサ67を介してアースパターン6
6へバイパスされることになる。又70は外部端子、7
2は半田を示す。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】高周波増幅回路,変調
回路,周波数変換回路等の高周波回路に於いて、バイア
ス回路等の直流電流を供給する回路を介して高周波信号
が帰還すると、高周波増幅回路に於いては発振する場合
があり、又変調回路や周波数変換回路等に於いては変調
歪等の出力信号の歪が大きくなる。その為に、高周波信
号の帰還を防止する必要がある。このような高周波信号
の帰還を防止する為に、直流電流を供給する印刷配線6
3とアースパターン66との間に、チップコンデンサ4
9〜52,67が接続される。
【0008】しかし、スルーホール53〜56,64の
直上にチップコンデンサ49〜52,67の端子を接続
することが困難であるから、パッド65を設けて、この
パッド65のスルーホール64から離れた位置にチップ
コンデンサ49〜52,67の端子を接続している。又
チップコンデンサ49〜52と外部端子70の半田が接
触しないように互いに或る程度離す必要がある。従っ
て、チップコンデンサ49〜52,67の端子とスルー
ホール53〜56,64との間の距離L1 及びチップコ
ンデンサ49〜52,67の端子と外部端子70との間
の距離L2 によるインダクタンスが、チップコンデンサ
49〜52,67と直列に接続された場合と等価とな
る。このインダクタンス成分によって、高周波信号のバ
イパス特性が低減する欠点があった。本発明は、経済的
な構成により高周波信号のバイパス特性を向上させるこ
とを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波回路装置
は、絶縁基板1上に、高周波回路2とこの高周波回路2
を動作させる為の直流電流を供給する印刷配線3とを形
成した高周波回路装置に於いて、高周波回路2及び印刷
配線3を形成した基板部4と、アースパターン6を形成
した基板部5とを接合して絶縁基板1を構成し、アース
パターン6と基板部5を介して対向する位置に、静電容
量を形成する為の電極パターン7を形成し、この電極パ
ターン7と印刷配線3との間をスルーホール8を介して
接続した構成を有するものである。又9は外部直流電源
と接続する為のパッドである。
【0010】
【作用】絶縁基板1を、少なくとも基板部4,5からな
る多層構造とし、基板部4の上面に、高周波回路2や印
刷配線3を形成し、この印刷配線3とスルーホール8を
介して電極パターン7と接続し、この電極パターン7と
アースパターン6との間の基板部5を誘電体としたコン
デンサ10(点線で示す)を形成する。従って、印刷配
線3に誘導して伝播する高周波信号は、スルーホール8
を介して、電極パターン7とアースパターン6との間に
形成されたコンデンサ10を介してバイパスされること
になり、このコンデンサ10と印刷配線3との間にイン
ダクタンス成分が存在しないから、高周波信号のバイパ
ス特性が向上する。
【0011】
【実施例】図1は本発明の実施例の要部説明図であり、
(a)は要部上面図、(b)はA−A’線に沿った断面
を拡大して示す要部断面図である。セラミックやガラス
エポキシ等からなる絶縁基板1は、少なくとも2層の基
板部4,5から構成され、基板部4の上面に、高周波増
幅回路,変調回路,周波数変換回路等の高周波回路2
と、外部の直流電源に接続するパッド9を含む印刷配線
3が形成され、この印刷配線3を介して、例えば、高周
波回路2に、直流バイアス電圧と直流電源電圧とが印加
される。
【0012】又印刷配線3のパッド9の一部が拡大され
て、その拡大部にスルーホール8が形成され、基板部
4,5間に形成された電極パターン7と印刷配線3と
が、そのスルーホール8を介して接続されている。従っ
て、電極パターン7とアースパターン6との間の基板部
5を誘電体として、点線で示すコンデンサ10が、印刷
配線3にスルーホール8を介して接続された構成とな
る。このような構成に於いて、絶縁基板1の厚さは、マ
イクロ波帯用の場合、一般的には約0.4mm程度であ
り、従って、スルーホール8の長さは約0.2mm程度
となり、印刷配線3に直接的に高周波信号のバイパス用
のコンデンサ10が接続された場合と等価となるから、
インダクタンス成分が直列的に接続される従来例に比較
して、高周波信号のバイパス特性を向上することができ
る。
【0013】又高周波回路2を形成した絶縁基板1と、
直流電流を供給する為の印刷配線3を形成した絶縁基板
1とを、図3に示す従来例と同様に、別体とすることも
可能である。例えば、印刷配線3を形成した絶縁基板1
を、比誘電率εr =3.3で、厚さが0.23mmのB
Tレジンの基板部4,5を接合して0.46mmの厚さ
とし、電極パターン7を20mm2 とし、印刷配線3の
幅を0.3mmとした構成に於いて、パッド9に7〜1
7GHzのマイクロ波信号を入力し、印刷配線3を介し
て高周波回路2に入力されるマイクロ波信号の減衰量を
シミュレーションにより求めた。
【0014】その結果を図2の曲線aで示す。即ち、7
GHzに於いて約10dB、12GHzに於いて約14
dB、17GHzに於いて約17dBの減衰が得られる
特性となった。これに対して、従来例の3pFのチップ
コンデンサを印刷配線とパッドとの間に接続した場合
は、曲線bに示す減衰特性の測定結果が得られた。即
ち、7GHzに於いて約5dB、12GHzに於いて約
1.8dB、17GHzに於いて約5.7dBの減衰量
となった。即ち、本発明の実施例によれば、高周波信号
のバイパス経路にインダクタンス成分が含まれないこと
になるから、高周波信号のバイパス特性を著しく向上す
ることができる。
【0015】前述の実施例は、第1層の基板部4と第2
層の基板部5とを接合して絶縁基板1を構成した場合を
示すが、第1層の基板部4と第2層の基板部5との間
に、他の層の基板部を介在して、3層以上の多層構成の
絶縁基板とすることも可能である。又第2層の基板部5
のアースパターン6に、更に他の基板部を接合して多層
構成の絶縁基板とすることも可能である。なお、第1層
の基板部4上の印刷配線3間には、所望の面積の電極パ
ターン7を形成するスペースがない場合が一般的であ
り、第1層と第2層との基板部4,5間には、充分なス
ペースが存在するから、所望の面積の電極パターン7を
容易に構成することができる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、絶縁基
板1を少なくとも2層構造し、直流電流を高周波回路2
に供給する為の印刷配線3にスルーホール8を介して電
極パターン7を接続し、この電極パターン7とアースパ
ターン6とを基板部5を介して対向させて静電容量を形
成し、印刷配線3に伝播する高周波信号を、電極パター
ン7とアースパターン6との間に形成される静電容量を
介してバイパスするものであり、その場合のスルーホー
ル8の長さは無視できるものであるから、バイパス経路
にインダクタンス成分を含まないことになり、マイクロ
波帯域に於いても印刷配線3を介して伝播するマイクロ
波信号を充分に減衰させることができる。従って、高周
波回路2の動作を安定化できる利点がある。
【0017】更に、従来例のチップコンデンサを省略し
た構成となるから、部品点数の削減並びにその組立工数
の削減が可能となり、コストダウンを図ることができ、
高周波回路装置の経済化を図ることができる利点があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の要部説明図である。
【図2】減衰特性曲線図である。
【図3】従来例の高周波回路装置の要部説明図である。
【図4】従来例の要部断面図である。
【符号の説明】
1 絶縁基板 2 高周波回路 3 印刷配線 4 基板部 5 基板部 6 アースパターン 7 電極パターン 8 スルーホール 9 パッド

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板(1)上に、高周波回路(2)
    と該高周波回路(2)を動作させる為の直流電流を供給
    する印刷配線(3)とを形成した高周波回路装置に於い
    て、 前記高周波回路(2)及び前記印刷配線(3)を形成し
    た基板部(4)と、アースパターン(6)を形成した基
    板部(5)とを接合して前記絶縁基板(1)を構成し、 前記アースパターン(6)と前記基板部(5)を介して
    対向する位置に、静電容量を形成する為の電極パターン
    (7)を形成し、 該電極パターン(7)と前記印刷配線(3)との間をス
    ルーホール(8)を介して接続したことを特徴とする高
    周波回路装置。
JP7492293A 1993-04-01 1993-04-01 高周波回路装置 Withdrawn JPH06291501A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5153866B2 (ja) * 2008-04-11 2013-02-27 三菱電機株式会社 電力分配器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5153866B2 (ja) * 2008-04-11 2013-02-27 三菱電機株式会社 電力分配器
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