JP2536121B2 - マイクロ波モノリシック集積化回路 - Google Patents

マイクロ波モノリシック集積化回路

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本願は、マイクロ波モノリシック集積化回路に関し、
特に各回路間の電気的分離の改良されたマイクロ波モノ
リシック集積化回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のマイクロ波モノリシック集積化回路電
力増幅器は、第２図に示すように、各段の電力増幅器の
十分なアイソレーションを得るために、各電力増幅部１
〜４の間隔を十分長くとる構成をとっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のマイクロ波モノリシック集積化回路電
力増幅器は、各段の電力増幅部１〜４間の各間隔を十分
長くとり、接地面との間にある側面メタライズ５の共通
インダクタンスのため生じる発振等を防止することが必
要であるため、そのチップサイズが大きくなってしまう
という欠点がある。またチップサイズを小さくすると各
電力増幅部１〜４間の間隔が十分とれない場合があり、
接地面と電力増幅部１〜４間の側面メタライズ５による
共通インダクタンスにより、発振や負性抵抗等による動
作の不安定性が生じやすい。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のマイクロ波モノリシック集積化回路電力増幅
器は、各段の電力増幅部を順次、チップの側面メタライ
ズ部の両側に交互に配置する構成を有している。すなわ
ち、本発明によれば、チップの側面メタライズされてい
る両側面に順次交互に電力増幅部を配置することによ
り、連続する電力増幅部間のアイソレーションが十分に
得られるため、電力増幅部間隔が狭い場合に、接地面ま
での側面メタライズにおける接地間共通インダクタンス
によって発生する発振や負性抵抗等の不安定なRF特性を
防止することができ、かつチップの面積を小さくするこ
とができるという利点を有する。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の上面図（ａ）と側面図
（ｂ）である。チップ側面には接地面12に接続する側面
メタライズ５を有し、入出力端子６と出力端子７との間
に電力増幅部（FET）１〜４を有し、各電力増幅部１〜
４にはバイアス端子８〜10が設けられている。電力増幅
部１〜４は側面メタライズ５の両側に順次交互に配置さ
れているため、連続する電力増幅部１〜４間での電気的
分離を十分に得ることができる。そのため、連続する電
力増幅部間が近接した場合に、接地面12とその電力増幅
部との間の側面メタライズ部５の共通インダクタンスに
よって発生する発振や負性抵抗等の動作の不安定性を防
止することができる。また、従来の技術に較べてチップ
サイズを小さくすることが可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、チップの側面メタライ
ズ部の両側に順次交互に電力増幅部を配置することによ
り連続する電力増幅部間の電気的分離を十分に得ること
ができ、その結果電力増幅部間と、接地面との間の側面
メタライズにおける共通インダクタンスによる発振や負
性抵抗を防止でき、かつチップサイズを小さくできる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のマイクロ波集積回路電力増幅器を示し
たもので、同図（ａ）はその上面図、同図（ｂ）はその
側面図であり、第２図は従来のマイクロ波集積回路電力
増幅器の上面図である。 １〜４……電力増幅部、５……側面メタライズ部、６…
…マイクロ波入力端子、７……マイクロ波出力端子、8,
9……バイアス供給端子、10,11……バイアス供給端子、
12……接地面。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】側面メタライズされているチップ上に複数
    の電力増幅部を有し、これら電力増幅部は前記チップの
    側面メタライズされている両側面に、順次交互に配置す
    ることを特徴とするマイクロ波モノリシック集積化回
    路。
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