JPH0376128A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPH0376128A JPH0376128A JP21171289A JP21171289A JPH0376128A JP H0376128 A JPH0376128 A JP H0376128A JP 21171289 A JP21171289 A JP 21171289A JP 21171289 A JP21171289 A JP 21171289A JP H0376128 A JPH0376128 A JP H0376128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drain
- fets
- semiconductor element
- frequency
- fet
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野」
この発明は高周波高出力用半導体素子、特にＧａＡｓ等
を使用した半導体素子のパターン構造に関するものであ
る。
を使用した半導体素子のパターン構造に関するものであ
る。
〔従来の技術」
第３図は従来の高周波高出力用半導体素子の斜視図であ
る。図において、（１）はＧａＡｓ等からなる半導体基
板で、この半導体基板（１）上には動作領域（図示せず
）を形成した後ｋｌ 、Ａｕ Ｇｅ 、 Ａｕ等の金属
で配線領域を設ける。即ち、（２）は半導体基板（１）
の動作領域Ｉζ形成されたドレイン電極、（３）はゲー
ト電極、（４）はソース電極、（５）はドレインボンデ
ィング用電極、（６）はドレインボンディング用電極（
６）間を導通させるドレイン連結電極である。
る。図において、（１）はＧａＡｓ等からなる半導体基
板で、この半導体基板（１）上には動作領域（図示せず
）を形成した後ｋｌ 、Ａｕ Ｇｅ 、 Ａｕ等の金属
で配線領域を設ける。即ち、（２）は半導体基板（１）
の動作領域Ｉζ形成されたドレイン電極、（３）はゲー
ト電極、（４）はソース電極、（５）はドレインボンデ
ィング用電極、（６）はドレインボンディング用電極（
６）間を導通させるドレイン連結電極である。
次に動作について説明する。第４図は第３図のに周波高
出力用半導体素子の等価回路図である。
出力用半導体素子の等価回路図である。
図において、ソースＳ１ゲートＧ間に高周波の入力信号
が加えられ、ソースＳ１ ドレインＤ間より出力信号が
増幅されて取り出される。
が加えられ、ソースＳ１ ドレインＤ間より出力信号が
増幅されて取り出される。
〔発明が解決しようとする課題」
従来の高周波高出力用半導体素子は以上のように構成さ
れていたので、基本ＦＥＴを数多くパラレル接続して構
成されているためＩＧＨｚ以上の高周波で動作させると
、基本ＦＥＴ間のわずかな内部インピーダンスの違いに
より発振等の不安定現象が多々発生するという問題点を
有していた。
れていたので、基本ＦＥＴを数多くパラレル接続して構
成されているためＩＧＨｚ以上の高周波で動作させると
、基本ＦＥＴ間のわずかな内部インピーダンスの違いに
より発振等の不安定現象が多々発生するという問題点を
有していた。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、高周波大振幅動作においても安定して使用で
きる半導体素子を得ることを目的とする。
たもので、高周波大振幅動作においても安定して使用で
きる半導体素子を得ることを目的とする。
この発明に係る高周波高出力用半導体素子は、各基本Ｆ
ＥＴの出力インピーダンスの違いによって発生する不安
定現象を抑えるために、各基本ＦＥＴのドレイン電極間
に抵抗とインダクタを挿入するようにしたものである。
ＥＴの出力インピーダンスの違いによって発生する不安
定現象を抑えるために、各基本ＦＥＴのドレイン電極間
に抵抗とインダクタを挿入するようにしたものである。
この発明における半導体素子は抵抗とインダクタをドレ
イン電極間に挿入する事によって、高周波的にはＦＥＴ
を分離し、直流的には同電位ｌこなるようにする。
イン電極間に挿入する事によって、高周波的にはＦＥＴ
を分離し、直流的には同電位ｌこなるようにする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）はＧａＡｓ等からなる半導体基板で
、この半導体基板（１）上には動作領域（図示せず）を
形成した後、ＡＡ！ 、 Ａｕ−Ｇｅ 、 Ａｕ等の金
属で配線領域を設ける。即ち、（２）は半導体基板（１
）の動作領域上に形成されたドレイン電極、（３）はゲ
ート電極、（４３ｉよソース電極、（５）はドレインボ
ンディング用ＩＩＥ極、（７）（８３はドレインボンデ
ィング用電極（５）間に設けられた抵抗体及びインダク
タである。
図において、（１）はＧａＡｓ等からなる半導体基板で
、この半導体基板（１）上には動作領域（図示せず）を
形成した後、ＡＡ！ 、 Ａｕ−Ｇｅ 、 Ａｕ等の金
属で配線領域を設ける。即ち、（２）は半導体基板（１
）の動作領域上に形成されたドレイン電極、（３）はゲ
ート電極、（４３ｉよソース電極、（５）はドレインボ
ンディング用ＩＩＥ極、（７）（８３はドレインボンデ
ィング用電極（５）間に設けられた抵抗体及びインダク
タである。
次ｌこ動作について説明する。第２図は第１図の高周波
高出力用半導体素子の等価回路図である。
高出力用半導体素子の等価回路図である。
ソースＳ１ゲートＧ間に高周波の入力信号が加えられ、
ソースＳ１ ドレイン０間より、出力信号が増幅されて
取り出される。
ソースＳ１ ドレイン０間より、出力信号が増幅されて
取り出される。
特に、各基本ＦＥＴ間の動作領域での出力インピーダン
スのアンバランスによるＦＥＴ １の出力信号が直接Ｆ
ＥＴ２のドレイン側に流れ込むのを防ぐために、各基本
Ｆｈ’Ｔ間に抵抗体Ｒ（７）及びインダクタＬ（８）を
挿入しである。
スのアンバランスによるＦＥＴ １の出力信号が直接Ｆ
ＥＴ２のドレイン側に流れ込むのを防ぐために、各基本
Ｆｈ’Ｔ間に抵抗体Ｒ（７）及びインダクタＬ（８）を
挿入しである。
なお、上記実施例ではゲートＧ側には何も設けられてい
ないが、他の実施例としてゲートＧ側にも同様な抵抗体
とインダクタの挿入が可能である。
ないが、他の実施例としてゲートＧ側にも同様な抵抗体
とインダクタの挿入が可能である。
〔発明の効果」
以上のようにこの発明によれば、各基本ＦＥＴのドレイ
ン電極間に抵抗体とインダクタを挿入するようにしたの
で、基本ＦＥＴの数を増加させても高周波大振幅動作に
おいて不安定現象は大きく抑えられ高性能な半導体素子
が得られる効果がある。
ン電極間に抵抗体とインダクタを挿入するようにしたの
で、基本ＦＥＴの数を増加させても高周波大振幅動作に
おいて不安定現象は大きく抑えられ高性能な半導体素子
が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による高周波高出力用半導
体素子の斜視図、第２図は第１図の半導体素子の等価回
路図、第３図は従来の高周波高出力用半導体素子の斜視
図、第４図は第３図の半導体素子の等価回路図を示す。 図において、（１）は半導体基板、（２）はドレイン電
極、（３）はゲート電極、（４］はソース電極、（５目
よドレインボンディング用電極、（７）は抵抗体、（８
）はインダクタである。なお、図中、同一符号は同一、
又は相当部分を示す。 第１図 ４′、ソースを抄
体素子の斜視図、第２図は第１図の半導体素子の等価回
路図、第３図は従来の高周波高出力用半導体素子の斜視
図、第４図は第３図の半導体素子の等価回路図を示す。 図において、（１）は半導体基板、（２）はドレイン電
極、（３）はゲート電極、（４］はソース電極、（５目
よドレインボンディング用電極、（７）は抵抗体、（８
）はインダクタである。なお、図中、同一符号は同一、
又は相当部分を示す。 第１図 ４′、ソースを抄
Claims (1)
- 基本ＦＥＴ等を並列接続配置した高周波高出力用半導体
素子において、ドレイン電極間を抵抗とインダクタで接
続したことを特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21171289A JPH0376128A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21171289A JPH0376128A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376128A true JPH0376128A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16610352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21171289A Pending JPH0376128A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04365330A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200547A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS63127575A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Nec Corp | 多セル型マイクロ波電界効果トランジスタ |
-
1989
- 1989-08-17 JP JP21171289A patent/JPH0376128A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200547A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS63127575A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Nec Corp | 多セル型マイクロ波電界効果トランジスタ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04365330A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置 |
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