JPS6377165A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、小型で高性能な半導体装置に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

第２図は従来のＭＭｒＣの回路パターンを示す図である
。

この図において、１はゲート電極、２はドレイン電極、
３はソース電極、４は帰還抵抗器、５は帰還容量である
。

次に動作について説明する。

ゲート電極１に入力された高周波信号はＦＥＴ部で増幅
されてドレイン電極２に出力される。そして、その出力
信号の一部は、帰還容量５および帰還抵抗器４を通じて
、入力側にフィードバックされる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のような従来の半導体装置は、ＦＥＴ部の外側に帰
還抵抗器４および帰還容量５を接続ずろ必要があり、パ
ターンが大型になろう丸、フィードバック回路が大きく
なって入力信号とフィードバック信号の位相差が大きく
なるという問題点があった。

この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、パターンサイズを従来より小さくできるとともに
、入力信号とフィードバック信号の位相差を小さくでき
る半導体装置を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置は、ゲート電極間において、
ドレインまたはソース電極に帰還容量を′　　接続する
とともに、この帰還容量とゲート電極とを帰還抵抗器を
介して接続したものである。

〔作用〕

この発明においては、出力信号の一部が帰還容量と帰還
抵抗器を介して、ゲート電極に入力されろ。

〔実施例〕

第１図はこの発明の半導体装置の一実施例を示す図であ
る。

この図において、第２図と同一符号は同一または相当部
分を示し、２ａはこの発明におけるドレイン電極、４ａ
はこの発明における帰還抵抗器、５ａはこの発明におけ
る帰還容量である。

すなわち、ゲート電極１に入力された高周波信号は、Ｆ
ＥＴ部で増幅されてドレイン電極２に出力され、その出
力信号の一部は帰還容量５ａ、帰還抵抗器４ａを通して
ゲート電極１の入力端と反対側に入力されるが、この発
明の半導体装置では、帰還抵抗器４ａおよび帰還容量５
ａをＦＥＴ部に近接して配置できるため、全体寸法を大
幅に縮小することが可能となる。

なお、上記実施例では、ＧａＡｓＭＭＩＣを例にとり説
明したが、他の半導体基板上、例えば、ＳｉやＩｎＰ等
の化合物半導体基板上に作成されたＭＭＩＣにも適用で
きることはいうまでもない。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとおり、ゲート電極間において
、ドレインまたはソースｆ［極にｎ還容量を接続すると
ともに、この帰還容量とゲート電極とを帰還抵抗器を介
して接続したので、パターンサイズを従来より小さくで
き、入力信号とフィードバック信号の位相差を小さくで
きるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体装置の一実施例を示す図、第
２図は従来の半導体装置を示す図である。 図において、１はゲート電極、２ａはドレイン電極、３
はソース電極、４ａは帰還抵抗器、５ａは帰還容量であ
る。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. くし形に形成されたゲート電極と、このゲート電極間に
   形成されたドレインまたはソース電極と、このドレイン
   またはソース電極と対応させて前記ゲート電極の外側に
   形成されたソースまたはドレイン電極とを有する半導体
   装置であって、前記ゲート電極間において、前記ドレイ
   ンまたはソース電極に帰還容量を接続するとともに、こ
   の帰還容量と前記ゲート電極とを帰還抵抗器を介して接
   続したことを特徴とする半導体装置。