JPS60235513A - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路Info
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- JPS60235513A JPS60235513A JP59090225A JP9022584A JPS60235513A JP S60235513 A JPS60235513 A JP S60235513A JP 59090225 A JP59090225 A JP 59090225A JP 9022584 A JP9022584 A JP 9022584A JP S60235513 A JPS60235513 A JP S60235513A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 18
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
- H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/185—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1855—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
- H03F1/342—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback in field-effect transistor amplifiers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は少なくとも２個以上の電界効果トランジスタ（
ＦＥＴ）ｆ：縦続接続して構成される多段増幅回路に係
り、特に、簡単な回路構成によって低周波領域で周波数
特性を改善することができる帰還型増幅回路に関するも
のでるる。
ＦＥＴ）ｆ：縦続接続して構成される多段増幅回路に係
り、特に、簡単な回路構成によって低周波領域で周波数
特性を改善することができる帰還型増幅回路に関するも
のでるる。
し従来技術、］
従来の少なくとも２個以上のＦＦ；Ｔ ？＜縦続接続し
て構成される多段増幅回路の一例として２段増幅回路を
第１図に示し説明すると、図において、１．２はＦＥＴ
、３はＦＥＴ １ のドレインＤとＦＥＴ２のゲートＧ
との間に接続された段間キャパシタである。そして、Ｆ
ＥＴＩおよびＦＥＴ２ の各ドレインＤはそれぞれ負荷
インピーダンス４゜５金介してドレインバイアス電源端
子６に接続され、各ンースＳはぞれぞｆ′Ｌ３Ｍ地さ汎
、各ゲートＧはそれぞれゲートバイアス給電インピーダ
ンス７．８を介してゲートバイアス端子９に接続されて
いる。１０は初段帰還回路、１１は帰還直流カットキャ
パシタで、これらは直列に接続され、この直列回路はＦ
ＥＴ １ のドレインＤとゲー）Ｇとの間に接続されて
いる。また、１２は２段目帰還回路、１３は帰還部直流
カットキャパシタで、これらは直列に接続され、この直
列回路は１ｉ’ＥＴ２ のドレインＤとゲートＧとの間
に接続されている。
て構成される多段増幅回路の一例として２段増幅回路を
第１図に示し説明すると、図において、１．２はＦＥＴ
、３はＦＥＴ １ のドレインＤとＦＥＴ２のゲートＧ
との間に接続された段間キャパシタである。そして、Ｆ
ＥＴＩおよびＦＥＴ２ の各ドレインＤはそれぞれ負荷
インピーダンス４゜５金介してドレインバイアス電源端
子６に接続され、各ンースＳはぞれぞｆ′Ｌ３Ｍ地さ汎
、各ゲートＧはそれぞれゲートバイアス給電インピーダ
ンス７．８を介してゲートバイアス端子９に接続されて
いる。１０は初段帰還回路、１１は帰還直流カットキャ
パシタで、これらは直列に接続され、この直列回路はＦ
ＥＴ １ のドレインＤとゲー）Ｇとの間に接続されて
いる。また、１２は２段目帰還回路、１３は帰還部直流
カットキャパシタで、これらは直列に接続され、この直
列回路は１ｉ’ＥＴ２ のドレインＤとゲートＧとの間
に接続されている。
１４は入力信号が印加される入力端子、１５は出力信号
が得られる出力端子で、この入力端子１４はＦＥＴ １
のゲートＧに接続され、出力端子１５はＦＥＴ２のド
レインＤに接続されている。
が得られる出力端子で、この入力端子１４はＦＥＴ １
のゲートＧに接続され、出力端子１５はＦＥＴ２のド
レインＤに接続されている。
このように構成された増幅回路において、ＦＥＴ１のゲ
ートＧに入力端子１４力）ら入力信号を供給すれば、こ
の入力信号はＦＥＴ １で増幅され、その出力は段間キ
ャパシタ３を介してＦＥＴ２のゲ−）Ｇに入力し更にこ
のＦＥＴ２ で増幅され、ＦＥＴ２のドレインＤに接続
された出力端子１５に出力信号が得られる。そして、Ｆ
ＥＴ １ 、 ＦＥＴ ２の各ドレインＤからゲートＧ
にはそれぞれ初段帰還回路１０と帰還部直流カットキャ
パシタ１１および２段目帰還回路１２と帰還部直流カッ
トキャパシタ１３を介してそれぞれ帰還がかけられてい
る。
ートＧに入力端子１４力）ら入力信号を供給すれば、こ
の入力信号はＦＥＴ １で増幅され、その出力は段間キ
ャパシタ３を介してＦＥＴ２のゲ−）Ｇに入力し更にこ
のＦＥＴ２ で増幅され、ＦＥＴ２のドレインＤに接続
された出力端子１５に出力信号が得られる。そして、Ｆ
ＥＴ １ 、 ＦＥＴ ２の各ドレインＤからゲートＧ
にはそれぞれ初段帰還回路１０と帰還部直流カットキャ
パシタ１１および２段目帰還回路１２と帰還部直流カッ
トキャパシタ１３を介してそれぞれ帰還がかけられてい
る。
しかしながら、このような増幅回路においては、１段の
増幅器単位で帰還回路を有しているために、段間の直流
カットのための股間キャパシタ以外に帰還ループの直流
カットのためのキャパシタ１１゜１３が必要でめった。
増幅器単位で帰還回路を有しているために、段間の直流
カットのための股間キャパシタ以外に帰還ループの直流
カットのためのキャパシタ１１゜１３が必要でめった。
したがって、一般にｎ段の増幅器を構成するには、（２
ｎ−１）個のキャパシタが必要で、構成が複雑になると
共に経済的でないという欠点かめり、また、段間のキャ
パシタ以外に帰還部に存在するキャパシタによって低周
波数領域における増幅器の周波数特性が制限されるとい
う特性上の欠点がめった。
ｎ−１）個のキャパシタが必要で、構成が複雑になると
共に経済的でないという欠点かめり、また、段間のキャ
パシタ以外に帰還部に存在するキャパシタによって低周
波数領域における増幅器の周波数特性が制限されるとい
う特性上の欠点がめった。
また、この回路’１Ｉｃ（集積回路）内部に構成する場
合には、キャパシタの容量の和がＩＣのチップサイズを
決定するといえるほど、寸法に対する影響力を持ってお
り、経済的にＩＣＴｈ設計・生産する上でも、回路内の
キャパシタの容量値を極力小さくすることが強くめられ
る。そのためＫは、第１に使用するキャパシタの数を減
少させる工夫が必要となり、第２に必要最小限の容量値
で構成する工夫が必要となる。
合には、キャパシタの容量の和がＩＣのチップサイズを
決定するといえるほど、寸法に対する影響力を持ってお
り、経済的にＩＣＴｈ設計・生産する上でも、回路内の
キャパシタの容量値を極力小さくすることが強くめられ
る。そのためＫは、第１に使用するキャパシタの数を減
少させる工夫が必要となり、第２に必要最小限の容量値
で構成する工夫が必要となる。
本発明は以上の点に鑑み、このような欠点を除去すると
共にかかる要請を満足すべくなされたもので、その目的
は簡単な回路構成によって、低周波領域での周波数特性
全改善することができる増幅回路を提供することにある
。
共にかかる要請を満足すべくなされたもので、その目的
は簡単な回路構成によって、低周波領域での周波数特性
全改善することができる増幅回路を提供することにある
。
このような目的を達成するため、本発明は、互いに連続
して接続される複数の電界効果トランジスタと、ゲート
に入力信号が供給される初段の電界効果トランジスタの
ドレインと次段の電界効果トランジスタのゲートを接続
するキャパシタと、上記初段の電界効果トランジスタの
ゲートと上記次段の電界効果トランジスタのゲートｔ−
接続する負帰還用インピーダンスと、上記初段の電界効
果トランジスタのドレインと上記次段の電界効果トラン
ジスタのドレインを接続する負帰還用インピーダンスと
を具備し、最終段の電界効果トランジスタのドレインよ
り出力信号を取り出すようにしたものである。
して接続される複数の電界効果トランジスタと、ゲート
に入力信号が供給される初段の電界効果トランジスタの
ドレインと次段の電界効果トランジスタのゲートを接続
するキャパシタと、上記初段の電界効果トランジスタの
ゲートと上記次段の電界効果トランジスタのゲートｔ−
接続する負帰還用インピーダンスと、上記初段の電界効
果トランジスタのドレインと上記次段の電界効果トラン
ジスタのドレインを接続する負帰還用インピーダンスと
を具備し、最終段の電界効果トランジスタのドレインよ
り出力信号を取り出すようにしたものである。
以下、図面に基づき本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明による増幅回路の一寅施例を示す回路図
で、互いに連続して接続される複数ＯＦ・ＥＴ ′ｊｋ
用い初段のＦＥＴのゲートに入力信号全印加し、次段の
ＦＥＴのドレインより出力信号を取り出す２段増幅回路
の一例を示すものでるる。
で、互いに連続して接続される複数ＯＦ・ＥＴ ′ｊｋ
用い初段のＦＥＴのゲートに入力信号全印加し、次段の
ＦＥＴのドレインより出力信号を取り出す２段増幅回路
の一例を示すものでるる。
この第２図において第１図と同一符号のものは相当部分
を示し、１６は初段のＦＥＴ １のゲートＧと次段のＦ
ＥＴ ２ のゲートＧを接続する負帰還用インピーダン
ス、１Ｔは初段のＦＥＴ １ のドレインＤと次段のＦ
ＥＴ２ のドレインＤ？接続する負帰還用インピーダン
スでろる。そして、これらインピーダンス１６．１７は
帰還回路のインピーダンスで、抵抗やインダクタンスま
たはそれらの結合回路のように直流分を通す素子で構成
されるものである。
を示し、１６は初段のＦＥＴ １のゲートＧと次段のＦ
ＥＴ ２ のゲートＧを接続する負帰還用インピーダン
ス、１Ｔは初段のＦＥＴ １ のドレインＤと次段のＦ
ＥＴ２ のドレインＤ？接続する負帰還用インピーダン
スでろる。そして、これらインピーダンス１６．１７は
帰還回路のインピーダンスで、抵抗やインダクタンスま
たはそれらの結合回路のように直流分を通す素子で構成
されるものである。
つぎにこの第２図に示す実施例の動作を説明する。
まず、入力端子１４からの入力信号は初段のＦＥＴＩの
ゲー１−Ｇに印加して増幅され、そのドレインＤからの
出力は段間キャパシタ３を介して次段のＦＥＴ２ のゲ
ートＧに入力しこの次段のＦＥＴ２で更に増幅され、次
段のＦＥＴ２ のドレインＤに接続した出力端子１５に
出力信号が得られる。
ゲー１−Ｇに印加して増幅され、そのドレインＤからの
出力は段間キャパシタ３を介して次段のＦＥＴ２ のゲ
ートＧに入力しこの次段のＦＥＴ２で更に増幅され、次
段のＦＥＴ２ のドレインＤに接続した出力端子１５に
出力信号が得られる。
いま、帰還方式に工夫を施し、１段目の帰還インピーダ
ンスとして負帰還用インピーダンス１６を互いに同電位
でめるＦＥＴ１ のゲートＧとＦ］１ｉｌｖＩ′２のゲ
ートＧの間に設ける。ここで、ゲートバイアス端子９と
ＦＥＴのゲート間に電流の流れないような条件で増幅器
を動作させる場合には、ゲートバイアス給電インピーダ
ンス７．８のいずれか一方全省略することもできる。
ンスとして負帰還用インピーダンス１６を互いに同電位
でめるＦＥＴ１ のゲートＧとＦ］１ｉｌｖＩ′２のゲ
ートＧの間に設ける。ここで、ゲートバイアス端子９と
ＦＥＴのゲート間に電流の流れないような条件で増幅器
を動作させる場合には、ゲートバイアス給電インピーダ
ンス７．８のいずれか一方全省略することもできる。
また、ＦＥＴ１ とＦＥＴ２ のデバイスバロメータと
負荷インピーダンス４．！１選べｆｄ’、ＦＥＴ１のド
レインＤとＦＥＴ ２ のドレインＤは同電位にするこ
とができるので、こ九らの間、すなわち、ＦＥＴ １．
２のビレ４フ０間に負帰還インピーダンス１７を２段目
の帰還回路として設けると、帰還ループに直流カットの
コンデンサを有さない帰還型増幅回路を構成することが
できる。
負荷インピーダンス４．！１選べｆｄ’、ＦＥＴ１のド
レインＤとＦＥＴ ２ のドレインＤは同電位にするこ
とができるので、こ九らの間、すなわち、ＦＥＴ １．
２のビレ４フ０間に負帰還インピーダンス１７を２段目
の帰還回路として設けると、帰還ループに直流カットの
コンデンサを有さない帰還型増幅回路を構成することが
できる。
したがって、一般にｎ段の帰還増幅器を構成する７ｔめ
の直流カットのキャパシタの必要個数は（ｎ−１）個で
６９、従来の（２ｎ−１）個と比較して半分以下に減少
させることができ、帰還ループのキャパシタが省略でさ
るため、従来の回路に比して構成が簡単となり、構成の
簡素化に伴って価格を低減することができ、また、低周
波領域での周波数特性が改善される。
の直流カットのキャパシタの必要個数は（ｎ−１）個で
６９、従来の（２ｎ−１）個と比較して半分以下に減少
させることができ、帰還ループのキャパシタが省略でさ
るため、従来の回路に比して構成が簡単となり、構成の
簡素化に伴って価格を低減することができ、また、低周
波領域での周波数特性が改善される。
以上本発明ｔ−２段増偏口路の場合金側にとって説明し
たが、本発明はこれに駆足されるものではなく、互いに
連続して縦続接続される多段増幅回路に適用できること
は云うまでもない。
たが、本発明はこれに駆足されるものではなく、互いに
連続して縦続接続される多段増幅回路に適用できること
は云うまでもない。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、複雑
な手段を用いることなく、多段の帰還型増幅器において
帰還回路に工夫を施した簡単な回路構成によって、直流
カットのキャパシタの必要個数を従来回路の半分以下に
減少させることができ、また、集積回路を実現する際に
はチップ面積を決定する大きな要因であるキャパシタの
面積を低減させることができ、さらに、帰還ループにキ
ャパシタ全弁さないため低周波領域における増幅器の周
波数特性を改善することができるので、実用上の効果は
極めて犬である。また、構成の簡素化にともなって価格
全低減することができるという点において極めて有効で
める。
な手段を用いることなく、多段の帰還型増幅器において
帰還回路に工夫を施した簡単な回路構成によって、直流
カットのキャパシタの必要個数を従来回路の半分以下に
減少させることができ、また、集積回路を実現する際に
はチップ面積を決定する大きな要因であるキャパシタの
面積を低減させることができ、さらに、帰還ループにキ
ャパシタ全弁さないため低周波領域における増幅器の周
波数特性を改善することができるので、実用上の効果は
極めて犬である。また、構成の簡素化にともなって価格
全低減することができるという点において極めて有効で
める。
第１図は従来の増幅回路の一例を示す回路図、第２図は
本発明による増幅回路の一実施例を示す回路図でろる。 １．２−−−−ＦＥＴ、３−−−− 段間キャパシタ、
１６．１７・帝・・負帰還用インピーダンス。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 山川政樹（ほか２名）
本発明による増幅回路の一実施例を示す回路図でろる。 １．２−−−−ＦＥＴ、３−−−− 段間キャパシタ、
１６．１７・帝・・負帰還用インピーダンス。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 山川政樹（ほか２名）
Claims (1)
- 少なくとも２個以上の電界効果トランジスタを縦続接続
して構成される多段増幅回路において、互いに連続して
接続される複数の電界効果トランジスタと、ゲートに入
力信号が供給される初段の電界効果トランジスタのドレ
インと次段の電界効果トランジスタのゲートヲ接続する
キャパシタと、前記初段の電界効果トランジスタのゲー
トと前記次段の電界効果トランジスタのゲートを接続す
る負帰還用インピーダンスと、前記初段の電界効果トラ
ンジスタのドレインと前記次段の電界効果トランジスタ
のドレインを接続する負帰還用インピーダンスとを具備
し、最終段の電界効果トランジスタのドレインより出力
信号を取Ｖ出すようにしたことを特徴とする増幅回路。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59090225A JPS60235513A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 増幅回路 |
| DE8585303172T DE3585050D1 (de) | 1984-05-08 | 1985-05-03 | Verstaerkerschaltung. |
| EP85303172A EP0161885B1 (en) | 1984-05-08 | 1985-05-03 | Amplifier circuit |
| US06/730,335 US4591802A (en) | 1984-05-08 | 1985-05-03 | Feedback amplifier circuit including cascade connected field effect transistors |
| CA000480791A CA1208315A (en) | 1984-05-08 | 1985-05-06 | Amplifier circuit |
| AU42032/85A AU571816B2 (en) | 1984-05-08 | 1985-05-07 | Cascade fet amplifier with negative feedback |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59090225A JPS60235513A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235513A true JPS60235513A (ja) | 1985-11-22 |
| JPH0257722B2 JPH0257722B2 (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=13992539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59090225A Granted JPS60235513A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 増幅回路 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4591802A (ja) |
| EP (1) | EP0161885B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60235513A (ja) |
| AU (1) | AU571816B2 (ja) |
| CA (1) | CA1208315A (ja) |
| DE (1) | DE3585050D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06303046A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3814041A1 (de) * | 1988-04-26 | 1989-11-09 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Steuerbarer wechselspannungsverstaerker |
| FR2633119B1 (fr) * | 1988-06-21 | 1990-11-09 | Labo Electronique Physique | Circuit actif hyperfrequences du type passe-tout |
| FR2640444B1 (ja) * | 1988-12-09 | 1991-03-15 | Labo Electronique Physique | |
| FR2644653B1 (fr) * | 1989-03-14 | 1991-05-31 | Labo Electronique Physique | Dispositif semiconducteur integre incluant un circuit isolateur actif |
| DE4240881C1 (de) * | 1992-12-04 | 1994-03-31 | Sel Alcatel Ag | Transistorverstärkerkaskade |
| US5590412A (en) * | 1993-11-19 | 1996-12-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Communication apparatus using common amplifier for transmission and reception |
| FR2763183A1 (fr) * | 1997-05-07 | 1998-11-13 | Philips Electronics Nv | Dispositif incluant un circuit amplificateur large-bande |
| US5977834A (en) * | 1998-04-03 | 1999-11-02 | Cbs Corporation | Preamplifier system |
| US6008694A (en) * | 1998-07-10 | 1999-12-28 | National Scientific Corp. | Distributed amplifier and method therefor |
| JP4652130B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2011-03-16 | パナソニック株式会社 | 多段増幅装置、並びにそれを用いた受信回路及び送信回路 |
| US7128264B2 (en) * | 2004-07-23 | 2006-10-31 | Symbol Technologies, Inc: | Electro-optical reader with improved performance in high intensity ambient light |
| EP2131492B1 (en) * | 2007-01-30 | 2012-07-18 | Renesas Electronics Corporation | Rf amplification device |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59090225A patent/JPS60235513A/ja active Granted
-
1985
- 1985-05-03 US US06/730,335 patent/US4591802A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-05-03 EP EP85303172A patent/EP0161885B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-05-03 DE DE8585303172T patent/DE3585050D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-06 CA CA000480791A patent/CA1208315A/en not_active Expired
- 1985-05-07 AU AU42032/85A patent/AU571816B2/en not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06303046A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1208315A (en) | 1986-07-22 |
| JPH0257722B2 (ja) | 1990-12-05 |
| DE3585050D1 (de) | 1992-02-13 |
| AU4203285A (en) | 1985-11-14 |
| AU571816B2 (en) | 1988-04-21 |
| US4591802A (en) | 1986-05-27 |
| EP0161885A2 (en) | 1985-11-21 |
| EP0161885B1 (en) | 1992-01-02 |
| EP0161885A3 (en) | 1988-01-20 |
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