SU794715A1 - Усилитель - Google Patents
Усилитель Download PDFInfo
- Publication number
- SU794715A1 SU794715A1 SU752150306A SU2150306A SU794715A1 SU 794715 A1 SU794715 A1 SU 794715A1 SU 752150306 A SU752150306 A SU 752150306A SU 2150306 A SU2150306 A SU 2150306A SU 794715 A1 SU794715 A1 SU 794715A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- amplifier
- common
- base
- Prior art date
Links
Description
Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в радиотехнических устройствах различного назначения.
Известен усилитель, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводи- 5 мости, включенные по каскадной схеме соответственно, общий эмиттер—общая база, причем эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной через резистор, а коллектор второго транзистора — с динамиче- Ю ской нагрузкой, выполненной на включенном по схеме с общим эмиттером третьем транзисторе, обратного двум первым типам проводимости [1].
Однако известный усилитель имеет боль- 15 шую выходную емкость, что приводит к сужению области рабочих частот.
Цель изобретения — уменьшение выходной емкости.
Для этого в усилитель, содержащий пер- 20 вый и второй транзисторы одного типа проводимости, включенные по каскадной схеме соответственно, общий эмиттер—общая база, причем эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной через резистор, а 25 коллектор второго транзистора — с динамической нагрузкой, выполненной на включенном по схеме с общим эмиттером третьем транзисторе, обратного двум первым типам проводимости, введены два конденса- 30 тора, первый из которых включен между базой второго транзистора и эмиттером первого, а второй — между эмиттером второго транзистора и базой третьего.
На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.
Усилитель содержит первый 1 и второй 2 транзисторы одного типа проводимости, третий транзистор 3 противоположного первым двум типам проводимости^^первый резистор 4, первый 5 и второй 6 конденсаторы, резисторы 7—10, образующие цепь смещения каскадного усилителя, резисторы 11—13, образующие цепь смещения динамической нагрузки, разделительные конденсаторы 14 и 15.
Усилитель работает следующим образом.
Входное напряжение усилителя через конденсатор 14 поступает на базу транзистора 1, включенного по схеме с общим эмиттером с отрицательной обратной связью за счет резистора 4. Коллекторный ток транзистора 1 повторяется транзистором 2, включенным по схеме с общей базой, и через конденсатор 15 поступает на выход усилителя. Кроме того, входное напряжение поступает на базу транзистора 3 через транзисторы 1 и 2, которые по отношению к рассматриваемой цепи прохождения входного напряжения являются эмиттерными повторителями. По отношению к поданному на базу напряжению транзистор 3 включен по схеме с общим эмиттером с отрицательной обратной связью за счет резистора 11.
Коллекторный ток транзистора 3 через конденсатор 15 поступает на выход усилителя и суммируется с коллекторным током транзистора 2. 1
В усилителе шунтирующее влияние емкостей уменьшено благодаря наличию цепей положительной обратной связи, проводящему к почти полной компенсации емкостных токов утечки коллекторных переходов. Для 1 определенности рассмотрим принцип компенсации емкостного тока утечки через коллекторный переход транзистора 3.
При работе на выходе усилителя всегда существует некоторое напряжение, создаю- 2 щее ток через емкость коллекторного перехода транзистора 3. Этот ток через конденсатор 6 поступает в эмиттер транзистора 2, включенного по схеме с общей базой, и передается с коэффициентом передачи по то- 2 ку а, близким к единице, в выходную цепь, почти полностью компенсируя емкостный ток утечки через переход.
В результате значительно уменьшается эквивалентная выходная емкость верхнего 3 плеча усилителя. Аналогично происходит компенсация тока утечки через емкость коллекторного перехода транзистора 2. Отличие состоит только в том, что этот ток передается в выходную цепь усилителя через 3 два транзистора (1 и 2), включенных по отношению к рассматриваемому току по кас кадной схеме «общая база — общая база». Ток утечки через резистор 13 смещения компенсируется аналогично.
Таким образом, в предлагаемом усили5 теле с высоким выходным сопротивлением достигнуто значительное уменьшение выходной емкости (практически около 10 раз). Для получения максимального эффекта уменьшения выходной емкости необходимо 0 обеспечить минимальную монтажную емкость выходной цепи усилителя.
Claims (1)
- Формула изобретения 5 Усилитель, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, включенные по каскадной схеме соответственно, общий эмиттер—общая база, причем эмиттер первого транзистора соединен с 0 общей шиной через резистор, а коллектор второго транзистора — с динамической нагрузкой, выполненной на включенном по схеме с общим эмиттером третьем транзисторе, обратного двум первым типам прово5 димости, отличающийся тем, что, с целью уменьшения выходной емкости, в него введены два конденсатора, первый из которых включен между базой второго транзистора и эмиттером первого, а втоθ рой — между эмиттером второго транзистора и базой третьего.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU752150306A SU794715A1 (ru) | 1975-07-02 | 1975-07-02 | Усилитель |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU752150306A SU794715A1 (ru) | 1975-07-02 | 1975-07-02 | Усилитель |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU794715A1 true SU794715A1 (ru) | 1981-01-07 |
Family
ID=20624700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU752150306A SU794715A1 (ru) | 1975-07-02 | 1975-07-02 | Усилитель |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU794715A1 (ru) |
-
1975
- 1975-07-02 SU SU752150306A patent/SU794715A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3914702A (en) | Complementary field-effect transistor amplifier | |
KR920001828A (ko) | 적분 회로 | |
KR840003162A (ko) | 이득 제어 증폭기 | |
SU772508A3 (ru) | Усилитель | |
EP0215216B1 (en) | Differential pair with compensation for effects of parasitic capacitance | |
US4340867A (en) | Inverter amplifier | |
US4315223A (en) | CMOS Operational amplifier with improved frequency compensation | |
SU794715A1 (ru) | Усилитель | |
US4237426A (en) | Transistor amplifier | |
KR890000954A (ko) | 리액턴스 회로 | |
KR860007778A (ko) | 증폭기 장치 및 푸시풀 증폭기 | |
US3710148A (en) | Ripple eliminating circuit | |
US3611172A (en) | Temperature-compensating shunt for solid-state devices | |
US3947645A (en) | Demultiplexer for FM stereophonic receivers | |
KR900004096A (ko) | 증폭회로 | |
US2900456A (en) | Direct coupled feedback transistor amplifier circuits | |
US3222607A (en) | Transistor amplifier circuit | |
US4517524A (en) | High frequency operational amplifier | |
GB1296750A (ru) | ||
JPS5541067A (en) | Transistor circuit | |
SU675582A1 (ru) | Генератор тока | |
SU378873A1 (ru) | Дифференцирующее устройство | |
US3208000A (en) | Stabilized amplifiers | |
JP3103104B2 (ja) | バッファ回路 | |
JPS602672Y2 (ja) | 半導体集積回路装置 |