JPH02310934A - 電界効果トランジスタ - Google Patents

電界効果トランジスタ

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JPH02310934A
JPH02310934A JP13220189A JP13220189A JPH02310934A JP H02310934 A JPH02310934 A JP H02310934A JP 13220189 A JP13220189 A JP 13220189A JP 13220189 A JP13220189 A JP 13220189A JP H02310934 A JPH02310934 A JP H02310934A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
effect transistor
supply operation
source
grounding
field effect
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Pending
Application number
JP13220189A
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English (en)
Inventor
Yoshinobu Kadowaki
門脇 好伸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、マイクロ波帯の電界効果トランジスタで単
一電源動作を実現するパターン構造に関するものである
〔従来の技術〕
第3図は広く知られているマイクロ波帯の従来の電界効
果トランジスタのパターン配置を示す平面図である0 図において、(1)は半導体基板、(2)はソース電極
、(3)はゲート電極、(4)はドレイン電極である。
また、第4図は第3図の電界効果トランジスタを用いた
単一電源動作増幅回路の構成例を示す平面図、第6図は
第4図の回路の等価回路を示す回路図である。図におい
て(5)は抵抗、(6)はコンデンサ、(7)はマイク
ロ波伝送線路、(8)は接地金属体、 (10は電界効
果トランジスタである。
次に動作について説明する。電界効果トランジスタQO
のソース電極(2)と接地金属体(8)との間にコンデ
ンサ(6)と抵抗(5)を接続し、ゲートの直流バイア
ス電圧を接地&l、ドレインバイアス電圧を印加するこ
とで抵抗(5)の電圧降下を電界効果トランジスタaG
のゲート・ソース間バイアスに利用した自己バイアス回
路を実現している0コンデンサ(6)は、高周波信号成
分の接地用バイパスコンデンサとして作用する0 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の電界効果トランジスタは、以上のように構成され
ているので、マイクロ波帯回路で一般に使用される単一
電源動作を実現するには、抵抗とコンデンサを外付けす
る必要があり、回路の小形化と組立工程のコスト低減の
点で問題であった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、より簡単に単一電源動作を実現できる電界効
果トランジスタを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る電界効果トランジスタは、ソース電極に
接続された抵抗パターンと、その抵抗パターンに連なる
接地用電極を設け、抵抗パターンを単一電源動作用の抵
抗に使用したものである。
〔作用〕
この発明における電界効果トランジスタは、抵抗パター
ンの両端に生じる電圧降下をゲート・ソース間バイアス
電圧に利用することにより、単一電源動作を実現する。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を図に従って説明する0 第1図は電界効果トランジスタのパターン配置を示す平
面図、第2図は第1図の電界効果トランジスタを用いた
単一電源動作増幅回路の回路構成を示す平面図である。
図において、(1) 〜(4) 、 (6)I (7)
 ? (10は第3図及び第4図の従来例に示したもの
と同等であるので説明を省略する。(8)は接地金属体
、621+は抵抗パターン、のけ接地用電極である。
次に動作について説明する。第2図に示すように、単一
電源動作は電界効果トランジスタαOのソース電極(2
)をコンデンサ(6)を介して、接地金属体(8)に接
続し、ソース電極(2)から抵抗パターンQDを介して
繁かった接地用電極−を接地金属体(8)に接続すれは
、従来と同様に実現される。また、電界効果トランジス
タαGのゲート・ソース間バイアスを独立に印加する二
電源動作の場合は、接地用電極■を使用せずにソース電
極(2)を直接、接地金属体(8)に接続することで、
従来の電界効果トランジスタと同等になる。
なお、上記実施例では単一電源動作を増1陥回路で説明
したが、これに限定するものでなく、他のマイクロ波回
路に適用しても同様の効果を奏することはいうまでもな
い。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は電界効果トランジスタ
の電極パターンに抵抗パターンを付加シて単一電源動作
時の抵抗として利用したので、従来外部回路に必要であ
った抵抗が不要となり、回路の小形化と組立工程の簡略
化が出来る効果がある0
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による電界効果トランジス
タのパターン配置を示す平面図、第2図は第1図の電界
効果トランジスタを単一電源動作で使用する場合の回路
構成を示す平面図、第3図は従来の電界効果トランジス
タのパターン配置を示す平面図、第4図は第3図の電界
効果トランジスタを用いた単一電源動作増幅回路の構成
を示す平面図、第5図は第4図の回路の等価回路図を示
す。 図において、(1)は半導体基板、(2)はソース電極
、(3)はゲート電極、(4)はドレイン電極、(6)
はコンデンサ、(7)はマイクロ波伝送線路、(8)は
接地金属体、00は電界効果トランジスタ、罰は抵抗パ
ターン、(イ)は接地用電極である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ソース、ゲートおよびドレイン電極が半導体材料の表面
    に形成されている電界効果トランジスタにおいて、ソー
    ス電極に接続された抵抗パターンと、その抵抗パターン
    に連なる接地用電極を設けたことを特徴とする電界効果
    トランジスタ。
JP13220189A 1989-05-25 1989-05-25 電界効果トランジスタ Pending JPH02310934A (ja)

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