JPH0254603A - 電源供給回路 - Google Patents
電源供給回路Info
- Publication number
- JPH0254603A JPH0254603A JP20658088A JP20658088A JPH0254603A JP H0254603 A JPH0254603 A JP H0254603A JP 20658088 A JP20658088 A JP 20658088A JP 20658088 A JP20658088 A JP 20658088A JP H0254603 A JPH0254603 A JP H0254603A
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- Japan
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- power supply
- bus
- microwave
- transistor
- impedance
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 4
- 101100535994 Caenorhabditis elegans tars-1 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は電源供給回路に関し、特にマイクロ波半導体
電力合成増幅器における電源供給方式に関するものであ
る。
電力合成増幅器における電源供給方式に関するものであ
る。
第２図は従来のマイクロ波半導体電力（Ｐｏｗｅｒ）合
成増幅装置を示す実装図であり、図において１はマイク
ロ波トランジスタ、２はトランジスタ整合用のマイクロ
ストリップラインである。３は外部電源からの供給配線
、４は各トランジスタ素子へ１の中継端子、５は端子間
配線、６はＲＦチョークコイル、７はコンデンサである
。
成増幅装置を示す実装図であり、図において１はマイク
ロ波トランジスタ、２はトランジスタ整合用のマイクロ
ストリップラインである。３は外部電源からの供給配線
、４は各トランジスタ素子へ１の中継端子、５は端子間
配線、６はＲＦチョークコイル、７はコンデンサである
。
次に動作について説明する。
マイクロ波トランジスタ１はトランジスタ整合用ストリ
ップライン２により整合され、マイクロ波パルス信号の
増幅回路が形成されている。さらに各トランジスタ１出
力は合成され、大電力増幅出力となる。各トランジスタ
ｌへのバイアス電圧の供給は外部電源より供給配線３．
中継端子４を介し、ＲＦチョークコイル６を通し供給さ
れる。
ップライン２により整合され、マイクロ波パルス信号の
増幅回路が形成されている。さらに各トランジスタ１出
力は合成され、大電力増幅出力となる。各トランジスタ
ｌへのバイアス電圧の供給は外部電源より供給配線３．
中継端子４を介し、ＲＦチョークコイル６を通し供給さ
れる。
トランジスタ合成数が増加するにつれてトランジスタ１
までの供給配線には中継端子間配線５が加わり、配線長
さのバラツキが出てくる。
までの供給配線には中継端子間配線５が加わり、配線長
さのバラツキが出てくる。
従来のマイクロ波半導体電力合成増幅器の電源供給方式
は以上のように構成されているので、各トランジスタに
は配線長さの違いが生じ、同一電位が印加されず、トラ
ンジスタ動作のバラツキが生じる。また配線インダクタ
ンスによるスパイク電圧が生じる。さらに中継端子間配
線はマイクロ波ストリップライン上部をクロスして配線
供給されているため、マイクロ波との相互干渉の影響が
あるなどの問題点があった。
は以上のように構成されているので、各トランジスタに
は配線長さの違いが生じ、同一電位が印加されず、トラ
ンジスタ動作のバラツキが生じる。また配線インダクタ
ンスによるスパイク電圧が生じる。さらに中継端子間配
線はマイクロ波ストリップライン上部をクロスして配線
供給されているため、マイクロ波との相互干渉の影響が
あるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、安定な電圧供給ができるとともに電源側イン
ピーダンスを低（でき、さらにマイクロ波との相互干渉
の影響をなくすことの出来る電源供給回路を得ることを
目的とする。
たもので、安定な電圧供給ができるとともに電源側イン
ピーダンスを低（でき、さらにマイクロ波との相互干渉
の影響をなくすことの出来る電源供給回路を得ることを
目的とする。
この発明に係る′Ｔ１．源供給回路は、供給配線を電源
供給バスにするとともに該電源供給バスに電源側インピ
ーダンスを低下させるためのコンデンサを配し、かつこ
の電源供給バスはマイクロ波ストリップ面側ではＧＮＤ
バスとしたものである。
供給バスにするとともに該電源供給バスに電源側インピ
ーダンスを低下させるためのコンデンサを配し、かつこ
の電源供給バスはマイクロ波ストリップ面側ではＧＮＤ
バスとしたものである。
この発明における電源供給回路では、電源供給バス及び
それに配したコンデンサにより電源側インピーダンスが
低減され、各トランジスタ素子に同一の安定電圧を供給
する。またマイクロ波ストリップ面側をＧＮＤバスとし
たので、マイクロ波とのシールド効果が高まり、干渉の
影響も少なくなる。
それに配したコンデンサにより電源側インピーダンスが
低減され、各トランジスタ素子に同一の安定電圧を供給
する。またマイクロ波ストリップ面側をＧＮＤバスとし
たので、マイクロ波とのシールド効果が高まり、干渉の
影響も少なくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による電源供給回路を有する
マイクロ波半導体電力合成増幅器を示し、図において１
はマイクロ波トランジスタ、２はトランジスタ整合用の
マイクロ波ストリップラインである。３は外部電源から
の供給配線、６はＲＦチョークコイル、７は大容量コン
デンサ、８は電源供給バスであり、マイクロストリップ
面側（マイクロ波面）にＧＮＤ電位バス８ａを、その上
部にプラス電位バス８ｂを配している。
マイクロ波半導体電力合成増幅器を示し、図において１
はマイクロ波トランジスタ、２はトランジスタ整合用の
マイクロ波ストリップラインである。３は外部電源から
の供給配線、６はＲＦチョークコイル、７は大容量コン
デンサ、８は電源供給バスであり、マイクロストリップ
面側（マイクロ波面）にＧＮＤ電位バス８ａを、その上
部にプラス電位バス８ｂを配している。
次に動作について説明する。
マイクロ波トランジスタ１はトランジスタ整合用ストリ
ップライン２により整合され、マイクロ波パルス信号の
増幅回路が形成されている。さらに各トランジスタ１出
力は合成され、大電力増幅出力となる。各トランジスタ
１へのバイアス電圧の供給は外部電源より供給配線３を
通し電源供給バス８を通し電源供給バス８の各所に配置
されているコンデンサ７に蓄えられる。各トランジスタ
素子１のパルス動作時にはコンデンサ７よりＲＦチョー
クコイル６を通し各トランジスタとも同一電位が供給さ
れる。
ップライン２により整合され、マイクロ波パルス信号の
増幅回路が形成されている。さらに各トランジスタ１出
力は合成され、大電力増幅出力となる。各トランジスタ
１へのバイアス電圧の供給は外部電源より供給配線３を
通し電源供給バス８を通し電源供給バス８の各所に配置
されているコンデンサ７に蓄えられる。各トランジスタ
素子１のパルス動作時にはコンデンサ７よりＲＦチョー
クコイル６を通し各トランジスタとも同一電位が供給さ
れる。
このような本実施例では、以上のように電源供給バスと
それに配置されているコンデンサによりインピーダンス
の低減が行われているためスパイク電位が生じない。ま
た各トランジスタから電源側インピーダンスを見た場合
、ＲＦチョークコイル６から低インピーダンスの電源供
給バスとなっているため各トランジスタに対し同一イン
ピーダンスとなり、各トランジスタ動作のバラツキが生
じない。また電源供給バス８はマイクロストリップ面側
（マイクロ波面）にＧＮＤバス８ａを、その上部にプラ
ス電位バス８ｂを配して構成したので、マイクロ波と電
源部からのノイズをそれぞれＧＮＤバス８ａにより遮蔽
することができる。
それに配置されているコンデンサによりインピーダンス
の低減が行われているためスパイク電位が生じない。ま
た各トランジスタから電源側インピーダンスを見た場合
、ＲＦチョークコイル６から低インピーダンスの電源供
給バスとなっているため各トランジスタに対し同一イン
ピーダンスとなり、各トランジスタ動作のバラツキが生
じない。また電源供給バス８はマイクロストリップ面側
（マイクロ波面）にＧＮＤバス８ａを、その上部にプラ
ス電位バス８ｂを配して構成したので、マイクロ波と電
源部からのノイズをそれぞれＧＮＤバス８ａにより遮蔽
することができる。
なお上記実施例では電源供給バスをトランジスタ上部に
配するようにしたが、これはマイクロストリップライン
の上部に配するようにしてもよい。
配するようにしたが、これはマイクロストリップライン
の上部に配するようにしてもよい。
また上記実施例ではマイクロ波半導体電力合成増幅器の
電源供給方式について説明したが、同一電位を個々の多
数のトランジスタ等の素子に供給する場合であってもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
電源供給方式について説明したが、同一電位を個々の多
数のトランジスタ等の素子に供給する場合であってもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のようにこの発明にかかる電源供給回路によれば、
電源供給バスとその各所に配したコンデンサにより電源
インピーダンスの低減を図るようにしたので、各トラン
ジスタ素子に同一電位でかつ安定な電位を供給できて動
作バランスがとれ、しかもマイクロ波との相互干渉の影
響をなくすことの出来る、精度の高いものが得られる効
果がある。
電源供給バスとその各所に配したコンデンサにより電源
インピーダンスの低減を図るようにしたので、各トラン
ジスタ素子に同一電位でかつ安定な電位を供給できて動
作バランスがとれ、しかもマイクロ波との相互干渉の影
響をなくすことの出来る、精度の高いものが得られる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるマイクロ波半導体電
力合成増幅器における電源供給回路を示す実装図、第２
図は従来のマイクロ波半導体電力合成増幅器における電
源供給回路を示す実装図である。 １・・・マイクロ波トランジスタ、２・・・マイクロ波
ストリップ回路、３・・・供給配線、４・・・中継端子
、５・・・端子間配線、６・・・ＲＦチョークコイル、
７・・・コンデンサ、８・・・［ｆｉ 供給バス、８ａ
・・・ＧＮＤバス。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
力合成増幅器における電源供給回路を示す実装図、第２
図は従来のマイクロ波半導体電力合成増幅器における電
源供給回路を示す実装図である。 １・・・マイクロ波トランジスタ、２・・・マイクロ波
ストリップ回路、３・・・供給配線、４・・・中継端子
、５・・・端子間配線、６・・・ＲＦチョークコイル、
７・・・コンデンサ、８・・・［ｆｉ 供給バス、８ａ
・・・ＧＮＤバス。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）トランジスタ素子に電源を供給する電源供給回路
において、 上記トランジスタ素子に電源を供給するための電源供給
バスを備え、 この電源供給バスの各所に電源側インピーダンスを低下
させるためのコンデンサを配し、 かつ該電源供給バスはマイクロ波ストリップ面側をＧＮ
Ｄバスとしたことを特徴とする電源供給回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20658088A JPH0254603A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 電源供給回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20658088A JPH0254603A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 電源供給回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254603A true JPH0254603A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16525759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20658088A Pending JPH0254603A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 電源供給回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018078495A (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | 住友電気工業株式会社 | 増幅回路および光送信装置 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP20658088A patent/JPH0254603A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018078495A (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | 住友電気工業株式会社 | 増幅回路および光送信装置 |
| US10644653B2 (en) | 2016-11-10 | 2020-05-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Amplifier and optical transmitter using the same |
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