JPH024145B2 - - Google Patents

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JPH024145B2
JPH024145B2 JP57088973A JP8897382A JPH024145B2 JP H024145 B2 JPH024145 B2 JP H024145B2 JP 57088973 A JP57088973 A JP 57088973A JP 8897382 A JP8897382 A JP 8897382A JP H024145 B2 JPH024145 B2 JP H024145B2
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conductor
semiconductor integrated
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は第１接続導線と２つの隣接する第２お
よび第３接続導線間に等温度係数の漂遊容量が分
布するような複数の接続導線を有するケーシング
を具えた半導体集積回路を含む回路配置に関する
ものである。
いわゆる“デユアルインライン”（２線配列）
ハウジング内にすべてを収納するようにした半導
体集積回路においては、隣接する接続導線間に漂
遊容量が存在する。
しかし、多くの場合、このような半導体集積回
路の接続導線間の漂遊容量の容量値もしくは温度
従属性を最小にすることが望ましく、これは高イ
ンピーダンス信号処理回路、共振回路または発振
回路などの場合、特に重要である。
半導体集積回路に、反対の温度係数を有する外
部容量を接続することにより、不所望の漂遊容量
の温度係数を補償することも可能であるが、この
結果として総合容量値は増加し、また、多くの場
合、半導体回路の利用範囲が不所望に限定され
る。
また、トランジスタの半導体本体内に付加的コ
ンデンサを集積することにより、トランジスタ増
幅器内のトランジスタの不所望のベース・コレク
タ容量を中和させることについても、英国特許第
1241285号により公知であるが、この方法により、
半導体集積回路の接続導線間の漂遊容量を補償す
ることはできない。
本発明の目的は、第１接続導線と第２接続導線
間の漂遊容量を、この漂遊容量の温度係数が半導
体集積回路ならびにその外部補足部を含む全回路
配置に逆に作用しないような方法で簡単に補償し
うるよう構成した上述形式の回路配置を提供しよ
うとするものである。
これがため、本発明によるときは、第１接続導
線と第３接続導線との間に補償電圧を供給し、該
電圧により第１接続導線と第３接続導線間の漂遊
容量を介して、第１接続導線と第２接続導線間の
漂遊容量を流れる電流に等しくこれと逆極性の電
流を流すよう構成している。
また、本発明の一実施例においては、半導体回
路内に集積した回路により該補償電圧を生成する
ようにしている。
さらに、本発明の他の実施例の特徴は実施態様
に示すとおりである。
本発明の主な利点は、回路配置内の半導体集積
回路の２つの接続導線間の容量を効率的かつ簡単
な方法で補償できるだけでなく、半導体集積回路
用ホールダの関連漂遊容量ならびに半導体集積回
路を集積する印刷回路基板の該接続導線に至る導
体間の漂遊容量を容易に補償できることである。
以下図面により本発明を説明する。
第１図はケーシング１内の半導体本体２を支持
部３上に装着し、ボンデイング線５を介して集積
回路の接続ピン４に接続するようにした半導体集
積回路を示すほか、接続導線を構成するボンデイ
ング線５および接続ピン４のうち、３つの導線、
すなわち、ボンデイング線５１，５２および５３
ならびに接続ピン４１，４２および４３の詳細を
示す。
この場合には、これら隣接する接続導線間に
は、第２図にその等価回路を示すような漂遊容量
が形成される。すなわち、接続導線Ａはボンデイ
ング線５２および接続ピン４２を含み、接続導線
Ｂはボンデイング線５１および接続ピン４１を含
み、また、接続導線Ｃはボンデイング線５３およ
び接続ピン４３を含む。したがつて、ボンデイン
グ線５１，５２間および５１，５３間に形成され
る漂遊容量をそれぞれC1およびC3で表示し、接
続ピン４１，４２間および４１，４３間に形成さ
れる漂遊容量をそれぞれC2およびC4で表示した
場合は、接続導線Ｂ，Ａ間には漂遊容量CBA−C1
＋C2が、また、接続導線Ｂ，Ｃ間には漂遊容量
CCB−C3＋C4が存在することになる。
いま、線Ｂを、それに隣接する接続導線Ａおよ
びＢに関する漂遊容量、すなわち、漂遊容量CBA
およびCCBが集積回路を含む回路配置の適正な作
動を害なわせる当該接続導線とする。ここで、接
続導線ＢおよびＡの両端の交流電圧をUBA−UO
sinωtとした場合は漂遊容量CBAを介して流れる電
流は、IBA−jωCBAUOSinωtで表わされる。
また、この場合、漂遊容量CCBにも対応する電
流が流れるが、接続導線Ｂに容量性電流を生じな
いようにするためには、電流IBAとICBを等しくす
る必要がある。すなわち、２つの電流を同一周波
数、同一振幅および同一位相とする必要がある。
この要求は、接続導線Ｃに電圧UCB−UOCBA／CCB Sinωt−UBACBA／CCBを供給するようにしたとき達成 することができる。
また、すべての漂遊容量は集積回路ケーシング
の材料により決まる同一誘電特性を有するため、
商CBA／CCB−Ｋの値は温度に対して無関係となり、し たがつて、適正な補償電圧UCBを生成するために
は、UBAの値を知り、かつＫの値を知れば充分で
あるが、商Ｋの値は集積回路の幾何学的大きさ、
すなわち、接続ピンおよびボンデイング線の幾何
学的寸法に依存する。
上記の要求を満たし、漂遊容量の影響を除去す
るためには、適当な回路により電圧UCB−Ｋ・
UBAを生成し、これを接続導線Ｃに供給するよう
にする必要がある。
また、それらの比を適当に選定することによ
り、回路配置の他の部分に形成され、第１、第２
および第３接続導線に接続される他の漂遊容量の
影響を補償することもできる。このような他の漂
遊容量には、例えば、集積回路用ホールダの容量
とか、前記接続導線に接続される印刷回路基板の
導体トラツク間の容量などがある。
第３図はホールダにより印刷回路基板上にマウ
ントした半導体集積回路の漂遊容量の等価回路図
を示す。
この場合にも、集積回路用ホールダの漂遊容量
を補償するため、第１接続導線Ｂおよび第２接続
導線Ａ間のホールダの漂遊容量と第１接続導線Ｂ
および第３接続導線Ｃ間の漂遊容量の商CFBA／CFCBの 値をＫに等しくなるよう選定する。ここで、ホー
ルダに対するＫの値が与えられ、かつこの値が変
わらない場合は、これにより、集積回路のケーシ
ングに対するＫの値を選定することができる。ま
た、半導体集積回路をマウントした印刷回路基板
の漂遊容量を補償しようとする場合は、該接続導
線に至る印刷回路基板上の導体トラツクの寸法を
適当に選定して、第１接続導線Ｂおよび第２接続
導線Ａに接続した印刷回路基板の導体トラツク間
の相互容量CPBAと第１接続導線Ｂおよび第３接続
導線Ｃに接続した印刷回路基板の導体トラツク間
の相互容量CPCBの商CPBA／CPCBの値をＫに等しくすれ ばよい。
最後に、第４図はLC発振器を含む本発明回路
配置の実施例を示す回路図である。前記LC発振
器は、原則として、トランジスタT1およびT2の
ほか電圧源U1ならびに電流源I1を含む発振器部分
を集積回路状に形成し、その発振周波数決定素子
COおよびLOを外部回路素子として接続導線Ａお
よびＢに接続するようにし、さらに、前記接続導
線ＡをコンデンサC5を介して大地電位に接続し、
接続導線Ｂ上にのみ発振電圧があらわれるよう形
成している。この回路配置においては、発振周波
数の温度従属性をひき起すような温度係数を有す
る漂遊容量CBAが周波数決定コンデンサCOと並列
に接続されていることになる。この漂遊容量を前
述のような方法で補償するため、第３接続導線Ｃ
に電圧UCBを供給して、この電圧の振幅をＫ・
UBAに等しくなるよう選定するとともに、Ｋの値
を第１および第２接続導線間の漂遊容量と第１お
よび第３接続導線間の漂遊容量の商CBA／CCBの値に等 しくし、かつ、UBA−UOSinωtを第１および第２
接続導線間の発振回路の集積部の出力にあらわれ
る電圧としている。
この場合、漂遊容量CBAおよびCCBを流れる電流
は、IBA−UBA・jωCBAおよびICB−UCB・jωCCBとな
る。また、Ｋ−CBA／CCBの場合は、UCB−Ｋ・UBAで あり、UCB・CCB−UBA・CBAとなる。それ故、電
流IBAとICBは等しく、接続導線Ｂにおいて逆極性
であるため、それぞれ容量CBAおよびCCBにより生
じ、かつ、これらの容量の函数としての温度従属
性を有する電流がこの場所を流れることはなく、
したがつて、発振周波数はCOおよびLOによつて
のみ決まり、漂遊容量には無関係である。
補償電圧UCBは、本質的に、トランジスタT3，
T4、抵抗R1ないしR3、電圧発生器U2および電流
発生器I2を含み、集積回路状に形成した補償回路
により生成するようにする。この回路は、原理的
には、出力電圧UBA、すなわち、トランジスタT3
のベースにあらわれる発振電圧を増幅し、これを
接続導線Ｃに供給する電圧増幅器を形成するもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図は漂遊容量を形成する接続導線を有する
半導体集積回路を示す図、第２図は漂遊容量を形
成する第１図示集積回路の一部の等価回路図、第
３図はホールダにより印刷回路基板上にマウント
した半導体集積回路の漂遊容量の等価回路図、第
４図は補償電圧発生回路および発振回路を集積し
た半導体集積回路を含む本発明回路配置の等価回
路図である。 １……ケーシング、２……半導体本体、３……
支持部、４，４１，４２，４３……接続ピン、
５，５１，５２，５３……ボンデイング線、Ａ，
Ｂ，Ｃ……接続導線、T1，T2，T3，T4……トラ
ンジスタ、U1，U2……電圧源、I1，I2……電流
源、R1，R2，R3……抵抗、C5……コンデンサ、
CO，LO……周波数決定素子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 第１接続導線と２つの隣接する第２および第
    ３接続導線間に等温度係数の漂遊容量が分布する
    ような複数の接続導線を有するケーシングを具え
    た半導体集積回路を含む回路配置において、第１
    接続導線の信号に与える漂遊容量の影響を減少さ
    せるため、補償電圧を生成してこの電圧を該第１
    および第３接続導線間に供給し、該第１および第
    ３接続導線間の漂遊容量を介して、該第１および
    第２接続導線間の漂遊容量を流れる電流に等しく
    これと逆極性の電流を流すための手段を具えたこ
    とを特徴とする半導体集積回路を有する回路。 ２ 半導体回路内に集積した回路により該補償電
    圧を生成させるようにしたことを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の回路。 ３ 補償電圧UCBの振幅を第1Bおよび第2A接続
    導線間の電圧UBAの振幅のＫ倍とし、Ｋの値を第
    1Bおよび第2A接続導線間の漂遊容量CBAと第1B
    および第3C接続導線間の漂遊容量CCBの商CBA／CCBに 等しくしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
    項または第２項記載の回路。 ４ Ｋの値を第1Bおよび第2A接続導線間の漂遊
    容量と第1Bおよび第3C接続導線間のホールダの
    漂遊容量の商CFBA／CFCBに等しくしたことを特徴とす る半導体集積回路用ホールダを含む特許請求の範
    囲第３項記載の回路。 ５ Ｋの値を第1Bおよび第2A接続導線に接続し
    た印刷回路基板の導体トラツクの相互容量CPBAと
    第1Bおよび第3C接続導線に接続した印刷回路基
    板の導体トラツクの相互容量CPBCの商CPBA／CPBCに等 しくしたことを特徴とする半導体集積回路を実装
    した印刷回路を含む特許請求の範囲第３項または
    第４項記載の回路。 ６ 周波数を決定する共振回路以外の発振回路を
    半導体集積回路内に集積し、周波数決定共振回路
    CO，LOを第1Bおよび第2A接続導線間に接続する
    ようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
    項ないし第５項のいずれかに記載の回路。
JP57088973A 1981-05-30 1982-05-27 Circuit with semiconductor integrated circuit Granted JPS57207358A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813121671 DE3121671A1 (de) 1981-05-30 1981-05-30 "schaltungsanordnung mit einer integrierten halbleiterschaltung"

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57207358A JPS57207358A (en) 1982-12-20
JPH024145B2 true JPH024145B2 (ja) 1990-01-26

Family

ID=6133641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57088973A Granted JPS57207358A (en) 1981-05-30 1982-05-27 Circuit with semiconductor integrated circuit

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4482820A (ja)
EP (1) EP0066334B1 (ja)
JP (1) JPS57207358A (ja)
KR (1) KR900008666B1 (ja)
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