JPH04501792A - 温度安定性発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 温度安定性発振器 ｌ豆皮１１ 少なくとも周波数の一部がキャパシタンスによって決定される固有の周波数を有 する電気的発振器は、多くの応用機器で使用されてきた。これらの応用機器のあ るものは、変動する温度条件下で高い安定動作を要求するものである。例えば、 特定のキャパシタンス測定回路は、測定されるコンデンサあるいは感知用コンデ ンサが発振器の周波数を制御するような発振器を内蔵している。変動する温度の 中でそのような回路が使用されるであろう場合には、温度に依存することなく、 回路が感知用コンデンサのキャパシタンスを表現する信号を提供することは重要 である。そのような発振器の１つの使用例は圧力変換器であり、感知用コンデン サが、周囲の圧力でもって変化するキャパシタンス特性を有する場合である。

従来技術において、温度安定性発振器は、温度でもって変化する公称発振器周波 数を補償する複雑で相対的に高価格な補償回路網を有するものが開発されてきた 。さらに、発振器に要求される温度安定度は、発振器の価格を決定するときの極 端に重要な要素であった。

米国特許第４．６０３．３０８号が、他のほとんどの従来技術に比較して、高い 温度安定性があり、また、比較的に簡単で、そして、相対的に低価格の発振器に 関して論じている。しかしながら、その特許に開示された発振器は、比較的に数 の多い回路構成要素を必要とするい（つかの増幅器とフィードバック回路網を含 むものである。それゆえに、米国特許第４．６０３．３０８号の発振器が、高い 温度安定性があり比較的に簡単であっても、まだ、相当の複雑さとそれに対応す る価格を特徴とするものである。

従来技術の他の形態では、比較的に安定性のある発振器が、例えば、カスケード 接続されたキャパシタンスに結合された直列ＬＣ周波数制御回路網を含み、かつ 、トランジスタのコレクタで発振器の信号を設定するような態様で、キャパシタ ンスのカスケードに結合されたベース接地構成トランジスタ増幅器を有する。

それゆえに、改善された発振器を提供することが本発明の目的とするところであ る。

もう１つの目的は、比較的に高い温度安定度を特徴とする改善された発振器を提 供することである。

さらにもう１つの目的は、比較的に低価格で比較的に高い温度安定度を特徴とす る改善された発振器を提供することである。

・　の　ｔ　雷　日 本発明の、前述した目的およびその他の目的、それの種々の態様、それに本発明 そのものが、図面と合わせて以下の説明からより完全に理解されるであろう。

第１図は、本発明の典型的な実施例を概略的に示すものである。

第２図は、第１図の周波数制御回路網の他の形態を示すものである。

第３図および第４図は、本発明のさらなる実施例を概略的に示すものである。

免豆立ｌ刀 簡潔に述べると、本発明による発振器は、駆動端子と第１基準電位との間に直列 に結合されたインダクタンスＬ１と感知用コンデンサＣ０を有する第１周波数制 御回路網を含む。別法として例えば圧電結晶を使用した、周波数制御装置が使用 されてもよい。

１対のコンデンサＣ１と０２が、駆動端子と第２の基準電位との間に直列に結合 されている。第１のエミッタ・ホロワ増幅器が駆動端子に結合されている。その 増幅器は、ベースが駆動端子に接続され、コレクタが第３の基準電位に結合され 、そして、エミッタが電流リミッタを経由して第４の基準電位に結合される、ト ランジスタを含む。さらに、その増幅器は、そのトランジスタのベースと第５基 準電位との間に抵抗性電流バスを含む。はとんどの応用機器では、第１、第２、 および第４の基準電位は等しく　（例えば、接地電位におけるような）、また、 第３および第５の基準電位は等しい（例えば、共通供給電位におけるような）。

本発振器は、さらに、エミッタと、コンデンサＣ１と０２間の接点との間にフィ ードバックパスを含む。フィードバックバスは、トランジスタを実質的にその飽 和状態にならないことを維持するとともに、つまり、ベース・エミッタ間電圧（ ＶＩＩりをコレクタ・エミッタ間電圧（Ｖ　ｃ、）より低くして、エミッタ・ホ ロワ増幅器のエミッタからの電流が、駆動端子およびトランジスタのエミッタと における発振の電位を設定するような態様で、電流リミッタとフィードバックパ スとに分割されるのに有効である。好ましくは、各発振周期の一部分においては 、トランジスタはそのカットオフ状態にあることである。

本発明の１つの形態において、発振器は、さらに、エミッタ・ホロワ増幅器に結 合された基準電位とは異なる２つの基準電位間に結合された出力トランジスタ増 幅器を含む。出力トランジスタ増幅器は、第１のエミッタ・ホロワ増幅器のトラ ンジスタのエミッタに結合される。

この構成、すなわち、出力増幅器の基準電位が、第１のエミッタ・ホロワ増幅器 の基準電位から分離され別個である構成は、安定性における付加的な利得が得ら れる。

本発明の種々の形態において、第１のエミッタ・ホロワ増幅器の電流リミッタは 種々の形態が考えられるであろう。例えば、電流リミッタは、ベースが第１のエ ミッタ・ホロワ増幅器のトランジスタのエミッタに接続され、コレクタが第３の 基準電位に接続され、そして、エミッタが抵抗性電流バスを経由して第４の基準 電位に接続されたトランジスタを有する。また、抵抗性電流バスが、その増幅器 のエミッタから第２のエミッタ・ホロワ増幅器のトランジスタのベース間に設定 される。

あるいは、電流リミッタは、第１のエミッタ・ホロワ増幅器のエミッタと第４の 基準電位との間の抵抗性電流バスの形態であってもよい、さらに、あるいは、直 列のインダクタと抵抗がその電流パスを提供する。

また、周波数制御回路網は、単一のコンデンサと直列に結合された単一のインダ クタの形態を有してもよく、あるいは、コンデンサＣ０の第１の端子に接続され た端子を有する第１のインダクタ素子Ｌ１とコンデンサＣＩ＋の第２の端子に接 続された端子を有する第２のインダクタ素子Ｌ２とを含んでもよい。後者の構成 においては、漏れキャパシタンスの影響は減少せしめられる。あるいは、圧電周 波数制御素子が、ＬｌとＣ１の代わりに使用されてもよく、供給電圧と温度の比 較的広い範囲にわたる極めて安定した周波数を提供する。

本発明による発振器は、また、選択的に周波数を制御するよう動作する構成であ ってもよい。そのような構成において、第１の周波数制御回路網は、駆動端子と 第１の基準電位との間のインダクタンスＬＬとキャパシタンスＣｆｉｌに直列に 結合された２状態スイツチ゛素子を含む。

加えて、１つあるいはそれ以上の付加的な周波数制御回路網が同様に構成される だろう、それらの周波数制御回路網におけるスイッチは、第１の状態において実 質的に導通しており、第２の状態において実質的に導通していない２状態スイツ チである。コントローラ回路網が、周波数制御回路網の種々のスイッチの状態を 選択的に制御し、１つあるいはそれ以上のそれらの周波数制御回路網が駆動端子 に結合されることを達成するであろう。いくつかの形態において、ある時点では 、駆動回路網の１つだけが駆動端子に結合されるであろう。

動作において、周波数制御回路網のインダクタンスとキャパシタンスは、発振器 の一般的な動作周波数を制御する。それらは、それぞれの周波数制御回路網のス イッチを操作することによって選択的に制御されるであろう。１つの形態におい て、それぞれのスイッチは、選択的にダイオードにバイアスをかけてその導通状 態あるいはその非導通状態にするため、直列に結合されたダイオードと関連する 駆動回路網の形態を有するであろう。

本発明の補助的形態において、第１のエミッタ・ホロワ増幅器を含む基本発振器 は、第１の出カニミッタ接地増幅器からなる第１の出力段階を有するであろう。

その第１の出カニミッタ接地増幅器は、第２のエミッタ・ホロワ増幅器のエミッ タに結合されたそのベース交流電流と、抵抗性バスを経由して第６基準電位に結 合されたそのコレクタと、そして、第７の基準電位に結合されたそのエミッタと を有するトランジスタを含む。好ましくは、第６の基準電位は実質的に第３の基 準電位に等しく、第７の基準電位は実質的に第４の基準電位に等しい。

発振器は、さらに、そのベースがエミッタ接地増幅器のトランジスタのコレクタ に結合され、そのエミッタが抵抗性パスを経由して第８の基準電位に結合され、 そして、そのコレクタが第９の基準電位に結合され、ここで、第８と第９のそれ ぞれの基準電位が回路の他の基準電位と異なって別個である、トランジスタを有 する第３のエミッタ・ホロワ増幅器を含む。

本発明の種々の形態において、第１のエミッタ・ホロワ増幅器のトランジスタは ＮＰＮ型トランジスタでもよく、ここで、第３の基準電位は第４の基準電位より 大きい。あるいは、その第１のエミッタ・ホロワ増幅器のトランジスタはＰＮＰ 型トランジスタでもよく、第３の基準電位は第４の基準電位より小さい。

及鳳朋 本発明は、エミッタ・ホロワ増幅器を利用し、キャパシタンスにカスケード結合 された周波数制御回路網を内蔵する発振器のために増幅とフィードバックを提供 するものである。この構成によって、本発明のエミッタ・ホロワ増幅器は電流シ ンク（ｃｕｒｒｅｎｔ　５ｉｎｋｌ　とともに動作して発振器を低いレベルに保 持し、そのことによって、実質的にその飽和状態を回避する。この構成は、増幅 器を介して比較的に小さい位相シフトを提供することによって、高い安定性（例 えば、１００万分の１／℃）の発振器周波数を提供する。エミッタ・ホロワのト ランジスタの飽和状態を回避することによって（すなわち、Ｖｌｌｌ！をＶｅＥ より小さく保持することによって）、温度によって変化するトランジスタの飽和 特性に実質的に依存しないので、温度安定性が達成される。好ましくは、それぞ れの発振周期の一部分における間は、トランジスタは、そのカットオフ状態にあ る。さらに、本発明においては、その電流リミッタ−クリッパを有する発振器は 出力増幅器から脱結合され、それにより、回路網を介しての逆伝搬を防止すると ともに、出力信号が増加（ｂｏｏｓｔ　）せしめられる。

第１図は、本発明の好ましい形態の概略を示す。第１図において、上述の本発明 のＷにおいて参照された「第１」から「第９」の基準電位は、同一番号を付され 丸で囲まれた参照番号で識別されるノードでの電位にで例示される。

第１図は、発振器】０を示し、それは周波数制御回路網１２を含む。回路網１２ は、接地電位と駆動端子１４との間に結合されたインダクタＬｌおよび感知用コ ンデンサ０１１１を含む。第２図は、回路網１２の代わりの形態を示し、ここで 、インダクタＬ１は、コンデンサＣＭ　ｌの両側に結合される別個のインダクタ Ｌ１とインダクタＬ２に分割される。後者の構成は改善された安定性を提供する 。

カスケード接続された一対のコンデンサＣ１およびＣ２が、駆動端子１４と接地 電位との間に直列に結合される。第１のエミッタ・ホロワ増幅器１８は、ベース が駆動端子１４に接続され、コレクタが基準電位Ｖｌに結合され、そして、エミ ッタが電流リミッタ２０を経由して接地電位に結合されるトランジスタＱｌを含 む。抵抗Ｒ１は、トランジスタＱｌのベース端子と電位■ｌとの間の抵抗性電流 パスを提供する。

導電性パス２２が、トランジスタＱ１のエミッタと、コンデンサＣ１と０２との 間の接続点との間に提供される。このパス２２は、トランジスタＱｌを実質的に その飽和状態にならないように維持するとともに、駆動端子とトランジスタＱ１ のエミッタとにおいて発振する電位が設定されるように、電流リミッタ２０とパ ス２２とにトランジスタＱ１のエミッタからの電流を効果的に分割するフィード バックパスを提供する。

第１図において、電流リミッタ２０は第２のエミッタ・ホロワ増幅器の形態を有 する。その第２のエミッタ・ホロワ増幅器は、ベース導線がトランジスタＱ１の エミッタに接続され、コレクタが基準電位■１に接続され。

そして、エミッタが抵抗Ｒ２を経由して接地電位に接続されるトランジスタＱ２ を含む。トランジスタＱ２のエミッタは、また、抵抗Ｒ３を経由してそのトラン ジスタＱ２のベースに結合される。

他の実施例において、第２のエミッタ・ホロワ増幅器は、トランジスタＱ１のエ ミッタが効果的に電流リミッタとみなすように、比較的大きな抵抗によって置き 換えられてもよい。

本発明の好ましい形態においては、トランジスタＱ２のエミッタは第１の出カニ ミッタ接地増幅器３０に接続される。増幅器３０は、ベース交流電流がコンデン サＣ３を介してトランジスタＱ２のエミッタ端子に結合されるトランジスタＱ４ を含む、トランジスタＱ４のコレクタは抵抗Ｒ４を介して電位ｖ１に結合される 。トランジスタＱ４のエミッタは接地電位に直接に結合される。トランジスタＱ ４のコレクタとそのベース間のフィードバックパスが抵抗Ｒ５によって提供され る０図解された構成において、ここまでに記述されたすべての素子の接地電位は 共通接地電位である。

第３のエミッタ・ホロワ増幅器３４は、ベースがトランジスタＱ４のコレクタに 結合され、コレクタが接地電位に結合され、そして、エミッタが抵抗Ｒ６を介し て基準電位ｖ２に結合されるトランジスタＱ５を含む。増幅器３４において、ト ランジスタＱ５のコレクタが接続される接地電位は、ほかの要素１８．２０．お よび３０の素子が結合される接地電位とは分離した別個の接地電位である。電位 ｖ２は、抵抗Ｒ７によって電位■１から隔てられている。増幅器３４の接地電位 と電位ｖ２とを他の基準電位からそのように分離することによって、改善された 安定性が達成される。

本発明の好ましい形態において、電位ｖ２は５ボルトである。Ｖ２が実質的に１ ２ボルトで動作するように発振器１０を変更するには、抵抗Ｒ６とＲ７はそれぞ れ２．７にオームに変更されろ。

この構成でもって、発振器ｌＯは、動作温度範囲０〜１００℃で百万分の１／” Ｃの程度の安定性で５〜１５ＭＨｚの範囲の周波数において動作する。

第３図および第４図は、選択可能な周波数制御を適合せしめられた本発明の別の 構成を示す、第３図および第４図での回路において、第２図における要素に対応 する回路素子は、同一の参照番号で識別される。

第３図において、周波数制御回路網１２のそれぞれの回路網１２Ａと１２Ｂは、 それぞれのダイオードスイッチＳｌとＳ２を含む。これらのスイッチは、それぞ れ、回路網４０と４２をバイアスあるいはゲートするように結合される。動作に おいて、これらのそれぞれのバイアス回路網の入力４０ａと４２ａに適用される 信号は、選択的にダイオードスイッチＳ１と８２の状態を制御することができる 。スイッチＳＬとＳ２のどちらかがあるいは両方が導通状態にあるかもしれない 。コントローラ５０が第３図および第４図に示され、それらの回路網４０と４２ のそれぞれに制御信号を提供する。第４図において、バイアス回路網は、回路網 １２Ａかあるいは回路網１２Ｂどちらかがいつでも与えられた時に動作状態にあ るように、しかし両方同時には動作状態にはならないように準備された単一の集 積回路のゲートに結合される。

第３図および第４図の発振器の動作は、動作での周波数が、それぞれの周波数制 御回路網の制御端子４０ａと４２ａに適用される適切な信号によって選択的に制 御されることを除いては、第２図の発振器の動作に類似している０図示はされな いが、これらのそれぞれは、また、第２図に示されるような分離された接地電位 をともなう、あるいはともなわない出力増幅器を有してもよい。

第３図および第４図に示される実施例の選択可能な周波数入力回路網１２は、ま た、第１図の実施例の周波数制御回路網１２の代わりに使用されて、類似する選 択可能な周波数動作を提供するかもしれない。

本発明は、バイポーラトランジスタを用いた実施例で特徴を述べたが、他の能動 素子が、同様に使用されてもよい。例えば、それぞれのバイポーラトランジスタ が、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ’　Ｓ）によって置き換えられ、ここで、Ｆ ＥＴのゲートはバイポーラトランジスタのベースと置き換えられ、ソースがエミ ッタと置き換えられ、ドレインがコレクタと置き換えられる。

本発明は、本発明の趣旨あるいは本質的特徴から逸脱することな（他の特定の形 態で実施することができるであろう。それゆえに、本実施例は、すべての点にお いて説明のためのものであり、限定するものではないと考えられるべきであり、 本発明の範囲は、上述の記述によるよりもむしろ特許請求の範囲に示され、請求 の範囲が趣旨としその範囲にあるすべての変更は特許請求の範囲に含まれるもの である。

、−−−−−−−−−−−−１ 国際調査報告

Claims (32)

【特許請求の範囲】
1. １．発振器であって、 Ａ．駆動端子と第１の基準電位との間に結合される第１の周波数制御回路網と、 Ｂ．前記駆動端子と第２の基準電位との間に直列に結合される１対のコンデンサ Ｃ１およびＣ２と、Ｃ．ベースが前記駆動端子に接続され、コレクタが第３の基 準電位に結合され、そして、エミッタが電流リミッタを経由して第４の基準電位 に結合されるトランジスタを有し、かつ、前記ベースと第５の基準電位との間に 抵抗性電流パスを設定する手段を有する、第１のエミッタ・ホロワ増幅器と、 Ｄ．前記エミッタと、コンデンサＣ１とＣ２間の接続点との間にフィードバック パスを設定する手段であって、前記エミッタからの電流が前記電流リミッタと前 記フィードバックパスとの間に分割されて、前記トランジスタを実質的に前記ト ランジスタの飽和状態でないように保持するとともに、前記駆動端子および前記 エミッタでの発振電位を設定する、前記フィードバックパスを設定する手段と、 を備えた発振器。
2. ２．前記周波数制御回路網がインダクタンスＬ１および感知用コンデンサＣ８１ を直列に含む、特許請求の範囲第１項記載の発振器。
3. ３．前記電流リミッタが、ベースが前記第１のエミッタホロワ増幅器の前記トラ ンジスタのエミッタに接続され、コレクタが前記第３の基準電位に接続され、そ して、エミッタが抵抗性電流パスを経由して前記第４の基準電位に接続されかつ 抵抗性電流パスを経由して第２のエミッタ・ホロワ増幅器のトランジスタの前記 ベースに接続される前記トランジスタを有する前記第２のエミッタ・ホロワ増幅 器を含む、特許請求の範囲第１項記載の発振器。
4. ４．前記電流リミッタが、前記第１のエミッタ・ホロワ増幅器の前記エミッタと 前記第４の基準電位との間に抵抗性電流パスを設定する手段を含む、特許請求の 範囲第１項記載の発振器。
5. ５．前記電流リミッタが、前記第１のエミッタ・ホロワ増幅器の前記エミッタと 前記第４の基準電位との間に直列に接続された抵抗とインダクタを含心、特許請 求の範囲第１項記載の発振器。
6. ６．前記インダクタンスＬ１が、前記コンデンサＣ３１の第１の端子に接続され る端子を有する第１のインダクタンス素子Ｌ１と前記コンデンサＣ８１の第２の 端子に接続される端子を有する第２の素子Ｌ２とを含む、特許請求の範囲第２項 記載の発振器。
7. ７．前記第１の周波数制御回路網が、さらに、スイッチの第１の状態において実 質的に導通であり、前記スイッチの第２の状態において実質的に非導通である、 前記駆動端子と前記第１の基準電位との間に前記インダクタンスＬ１と前記コン デンサＣ８１と直列に結合される前記２状態スイッチ素子Ｓ１を含み、 さらに、前記駆動端子と前記第１の基準電位との間に直列に結合されたインダク タンスＬ２とコンデンサＣ３２と２状態スイッチ素子Ｓ２とを含み、前記スイッ チＳ２が、前記スイッチの第１の状態において実質的に導通であり、前記スイッ チの第２の状態において実質的に非導通である、第２の周波数制御回路網を備え 、さらに、前記スイッチＳ１の状態を選択的に制御し、かつ、前記スイッチＳ２ の状態を選択的に制御する手段を含むコントローラ回路網を備えた、 特許請求の範囲第２項記載の発振器。
8. ８．前記コントローラが、前記スイッチＳ１とＳ２の１つだけがある時点におい て前記スイッチの第１の状態であるように制御する手段を含む、特許請求の範囲 第７項記載の発振器。
9. ９．前記スイッチ素子Ｓ１およびＳ２それぞれが、直列に結合されたダイオード を含み、かつ、前記コントローラが、前記直列に結合されたダイオードのそれぞ れに結合される駆動回路網を含み、前記ダイオードをバイアスして選択的に前記 ダイオードを導通状態と非導通状態にする手段を含む、 特許請求の範囲第７項記載の発振器。
10. １０．前記第３と第５の基準電位が実質的に等しく、かつ、前記第１、第２、お よび第４の基準電位が実質的に等しい、特許請求の範囲第１項記載の発振器。
11. １１．前記第１のエミッタ・ホロワ増幅器の前記トランジスタがＮＰＮ型トラン ジスタであり、前記第３の基準電位が前記第４の基準電位より大きい、特許請求 の範囲第１項記載の発振器。
12. １２．前記第１のエミッタ・ホロワ増幅器の前記トランジスタがＰＮＰ型トラン ジスタであり、前記第３の基準電位が前記第４の基準電位より小さい、特許請求 の範囲第１項記載の発振器。
13. １３．ベース交流電流が前記第２のエミッタ・ホロワ増幅器のエミッタに結合さ れ、コレクタが抵抗性パスを経由して第６の基準電位に結合され、エミッタが第 ７の基準電位に結合されるトランジスタを含む第１の出力エミッタ接地増幅器を さらに備えた、特許請求の範囲第３項記載の発振器。
14. １４．前記第５の基準電位が実質的に前記第３の基準電位に等しく、かつ、前記 第７の基準電位が実質的に前記第４の基準電位に等しい、特許請求の範囲第１３ 項記載の発振器。
15. １５．ベースが前記エミッタ接地増幅器のトランジスタのコレクタに結合され、 エミッタが抵抗性パスを経由して第８の基準電位に結合され、そして、コレクタ が第９の基準電位に結合されるトランジスタを含む第３のエミッタ・ホロワ増幅 器をさらに備え、前記第８と第９の基準電位がお互いに異なり、かつ、第８と第 ９の基準電位のそれぞれが他の前記基準電位と異なる、特許請求の範囲第１３項 記載の発振器。
16. １６．前記周波数制御回路網が圧電素子を含む、特許請求の範囲第１項記載の発 振器。
17. １７．前記第１のエミッタ・ホロワ増幅器の前記エミッタに結合される入力端子 を有し、また、出力端子を有する出力増幅器をさらに備え、前記出力増幅器が、 前記第１、第２、第３、第４、および第５基準電位と異なる基準電位の電源供給 に結合される、特許請求の範囲第１項記載の発振器。
18. １８．発振器であって、 Ａ．駆動端子と第１の基準電位との間に結合される第１の周波数制御回路網と、 Ｂ．前記駆動端子と第２の基準電位との間に直列に結合される１対のコンデンサ Ｃ１およびＣ２と、Ｃ．ゲートが前記駆動端子に接続され、ドレインが第３の基 準電位に結合され、そして、ソースが電流リミッタを経由して第４の基準電位に 結合される電界効果トランジスタを有し、かつ、前記ゲートと第５の基準電位と の間に抵抗性電流パスを設定する手段を有する、第１のソース・ホロワ増幅器と 、 Ｄ．前記ソースと、コンデンサＣ１とＣ２間の接続点との間にフィードバックパ スを設定する手段であって、前記ソースからの電流が前記電流リミッタと前記フ ィードバックパスとの間に分割されて、前記トランジスタを実質的に前記トラン ジスタの飽和状態でないように保持するとともに、前記駆動端子および前記ソー スでの発振電位を設定する、前記フィードバックパスを設定する手段と、 を備えた発振器。
19. １９．前記周波数制御回路網がインダクタンスＬ１および感知用コンデンサＣ８ １を直列に含む、特許請求の範囲第１８項記載の発振器。
20. ２０．前記電流リミッタが、ゲートが前記第１のソースホロワ増幅器の前記トラ ンジスタのソースに接続され、ドレインが前記第３の基準電位に接続され、そし て、ソースが抵抗性電流パスを経由して前記第４の基準電位に接続されかつ抵抗 性電流パスを経由して第２のソース・ホロワ増幅器の電界効果トランジスタの前 記ゲートに接続される前記電界効果トランジスタを有する前記第２のソース・ホ ロワ増幅器を含む、特許請求の範囲第１８項記載の発振器。
21. ２１．前記電流リミッタが、前記第１のソース・ホロワ増幅器の前記ソースと前 記第４の基準電位との間に抵抗性電流パスを設定する手段を含む、特許請求の範 囲第１８項記載の発振器。
22. ２２．前記電流リミッタが、前記第１のソース・ホロワ増幅器の前記ソースと前 記第４の基準電位との間に直列に接続された抵抗とインダクタを含む、特許請求 の範囲第１８項記載の発振器。
23. ２３．前記インダクタンスＬ１が、前記コンデンサＣ８１の第１の端子に接続さ れる端子を有する第１のインダクタンス素子Ｌ１と前記コンデンサＣ８１の第２ の端子に接続される端子を有する第２の素子Ｌ２とを含む、特許請求の範囲第１ ９項記載の発振器。
24. ２４．前記第１の周波数制御回路網が、さらに、スイッチの第１の状態において 実質的に導通であり、前記スイッチの第２の状態において実質的に非導通である 、前記駆動端子と前記第１の基準電位との間に前記インダクタンスＬ１と前記コ ンデンサＣ８１と直列に結合される前記２状態スイッチ素子Ｓ１を含み、 さらに、前記駆動端子と前記第１の基準電位との間に直列に結合されたインダク タンスＬ２とコンデンサＣ８２と２状態スイッチ素子Ｓ２とを含み、前記スイッ チＳ２が、前記スイッチの第１の状態において実質的に導通であり、前記スイッ チの第２の状態において実質的に非導通である、第２の周波数制御回路網を備え 、さらに、前記スイッチＳ１の状態を選択的に制御し、かつ、前記スイッチＳ２ の状態を選択的に制御する手段を含むコントローラ回路網を備えた、 特許請求の範囲第１８項記載の発振器。
25. ２５．前記コントローラが、前記スイッチＳ１とＳ２の１つだけがある時点にお いて前記スイッチの第１の状態であるように制御する手段を含む、特許請求の範 囲第２４項記載の発振器。
26. ２６．前記スイッチ素子Ｓ１およびＳ２それぞれが、直列に結合されたダイオー ドを含み、かつ、前記コントローラが、前記直列に結合されたダイオードのそれ ぞれに結合される駆動回路網を含み、前記ダイオードをバイアスして選択的に前 記ダイオードを導通状態と非導通状態にする手段を含む、 特許請求の範囲第２４項記載の発振器。
27. ２７．前記第３と第５の基準電位が実質的に等しく、かつ、前記第１、第２、お よび第４の基準電位が実質的に等しい、特許請求の範囲第１８項記載の発振器。
28. ２８．ゲート交流電流が前記第２のソース・ホロワ増幅器のソースに結合され、 ドレインが抵抗性パスを経由して第６の基準電位に結合され、ソースが第７の基 準電位に結合される電界効果トランジスタを含む第１の出力ソース接地増幅器を さらに備えた、特許請求の範囲第２０項記載の発振器。
29. ２９．前記第５の基準電位が実質的に前記第３の基準電位に等しく、かつ、前記 第７の基準電位が実質的に前記第４の基準電位に等しい、特許請求の範囲第２８ 項記載の発振器。
30. ３０．ゲートが前記ソース接地増幅器のトランジスタのドレインに結合され、ソ ースが抵抗性パスを経由して第８の基準電位に結合され、そして、ドレインが第 ９の基準電位に結合されるトランジスタを含む第３のソース・ホロワ増幅器をさ らに備え、前記第８と第９の基準電位がお互いに異なり、かつ、第８と第９の基 準電位のそれぞれが他の前記基準電位と異なる、特許請求の範囲第２８項記載の 発振器。
31. ３１．前記周波数制御回路網が圧電素子を含む、特許請求の範囲第１８項記載の 発振器。
32. ３２．前記第１のソース・ホロワ増幅器の前記ソースに結合される入力端子を有 し、また、出力端子を有する出力増幅器をさらに備え、前記出力増幅器が、前記 第１、第２、第３、第４、および第５基準電位と異なる基準電位の電源供給に結 合される、特許請求の範囲第１８項記載の発振器。