JP2008514929A - 容量技術を用いた間隙変化の検出 - Google Patents

Abstract

【解決手段】
容量技術を用いた間隙変化の検出を開示する。一実施形態において、装置は第１の導電面および前記第１の導電面に実質的に平行な第２の導電面と、前記第１の導電面と前記第２の導電面との間の距離の変化に基づいて測定値を生成するセンサーとを含む。前記距離の変化は前記第１の導電面の前記第２の導電面に対する撓みによって生じ、前記撓みは圧縮力および／または膨張力である。前記センサーは容量変化を電圧変化および／または周波数変化のうち少なくとも１つに変換するアルゴリズムを適用して前記測定値を生成する。前記距離の変化は前記第２の導電面に対する前記第１の導電面のより上部の面に加えられる荷重によって生じる。
【選択図】 図３

Description

本開示は測定装置の技術分野に関し、一実施例において、容量技術を用いた間隙変化の検出に関する。

ロードセル（ｌｏａｄ ｃｅｌｌ）とは、力を差分信号（例えば差分電気信号）に変換する装置（例えば変換器）であり得る。前記ロードセルは様々な工業的用途（例えば秤、トラック計量所、張力計測システム、力計測システム、荷重計測システムなど）に用いることが考えられる。前記ロードセルは歪みゲージを使って作成できる。前記歪みゲージは物体の歪み（例えば伸び歪み）を測定するために使用できる。前記歪みゲージは金属箔パターンのエッチングを有する弾性基材を含んでもよい。前記物体が歪むに伴って前記金属箔パターンも歪み、電気抵抗が変化する。

前記歪みゲージは他の歪みゲージと接続されてホイートストンブリッジ（Ｗｈｅａｔｓｔｏｎｅ−ｂｒｉｄｇｅ）構成のロードセルを形成（例えば、１つが未知の値であり、もう１つが可変であり、２つが固定かつ等値である４つの歪みゲージが正方形の辺となるように接続されて構成）できる。前記ホイートストンブリッジ構成のロードセルに入力電圧が印加されると、出力は前記ロードセルにかかる力に比例した電圧となると考えられる。ユーザーが出力を読み取る前に、当該出力を増幅器によって増幅（例えば１２５倍）する必要がある場合がある（例えば、前記ホイートストンブリッジ構成の原出力は僅か数ミリボルトであるため）。さらに、前記ホイートストンブリッジ構成のロードセルは動作時に大きな電力（例えばミリワットの電力）を消費することが考えられる。

前記ホイートストンブリッジ構成のロードセルの製造には一連の作業（例えば、精密機械加工、歪みゲージの取り付け、歪みゲージの整合、環境からの保護技術、および／または信号処理回路内の温度補正など）が伴う。これらの作業によって工程が複雑になり６０％の歩留り率しか得られない場合もあり、かつ限られた測定範囲（例えば１０〜５，０００ｌｂｓ．）でしか動作しない特定のロードセルの設計を強いられるかもしれない。さらに、前記ホイートストンブリッジ構成の制約によって、前記ロードセルの望ましい特性を得るための形状（例えばＳ型および／またはシングルポイント型など）の数が限られてしまう。ロードセルを製造し、使用するための様々な複雑な作業によって、多くの産業用途においてコストが（例えば数十万ドル）上昇しかねない。

容量技術を用いた間隙変化の検出について開示する。一態様において、装置は第１の導電面と、前記第１の導電面と実質的に平行な第２の導電面と、当該第１の導電面と前記第２の導電面との間の距離の変化に基づいて測定値を生成するセンサーとを含む。前記距離の変化は、前記第１の導電面の前記第２の導電面に対する撓みによって生じ、前記撓みは圧縮力および／または膨張力である。前記距離の変化は前記第１の導電面と前記第２の導電面との間のスペーサーの厚さの変化によって生じる。

前記センサーは、容量変化を電圧変化および／または周波数変化に変換するアルゴリズムを適用して前記測定値を生成することができる。前記測定値は前記第２の導電面に対する前記第１の導電面より上部の面に加えられる力の値である。前記距離の変化は、前記第１の導電面および／または前記第２の導電面より上部の面に加えられる荷重によって生じる。前記第１の導電面および前記第２の導電面によって検出コンデンサ（例えば可変コンデンサ）が形成され、前記検出コンデンサの容量変化は前記第１の導電面と前記第２の導電面との間の前記距離の変化に反比例する。

前記装置に関連付けられた基準コンデンサによって、センサーは、１若しくはそれ以上の環境条件（例えば、前記第１の導電面と前記第２の導電面との間の間隙の湿度、前記装置の温度、および／または前記装置の周囲環境の気圧など）に基づいて前記測定値を調整（例えば補正）することが可能となる。前記第１の導電面および／または前記第２の導電面は、長方形、楕円形、および／または全ての辺の長さが等しくない形状を含む任意の幾何学的形状に製作できる。前記第１の導電面、および前記第２の導電面は、前記装置を形成する任意数の非導電性プリント回路基板上に塗布できる。

別の態様において、装置は、前記装置の周囲環境条件に基づいてその容量が変化する基準コンデンサと、検出コンデンサを形成するプレートの撓み、および／または前記環境条件に基づいてその容量が変化する前記検出コンデンサと、前記検出コンデンサの容量から前記環境条件の影響を除外した後、測定値を生成する回路とを含む。前記基準コンデンサ、前記検出コンデンサ、および前記回路を囲むハウジングが含まれていてもよい。

撓みが生じる前記プレートは前記ハウジングに組み込まれていてもよい。前記ハウジングは、当該ハウジングを形成するために各々レーザーエッチングされ、および／または接合された金属プレートによって形成することができる。前記ハウジングは、単一金属ブロックをフライス加工することによって形成できる。前記検出コンデンサを形成するプレートの撓みは前記ハウジングに加えられる荷重によって生じ、前記測定値は前記ハウジングに加えられる力（例えばこの力は荷重によって生じる）の値である。前記基準コンデンサと前記ハウジングの底部との間の遮蔽スペーサーは前記測定値に影響を及ぼす浮遊容量の影響を最小限に抑えることができ、前記遮蔽スペーサーの高さは前記基準コンデンサのプレート間および前記検出コンデンサのプレート間のプレートスペーサーよりも少なくとも１０倍高いものである。

前記測定値の生成に必要な増幅量を低減するために、前記基準コンデンサを形成する各プレートの面積は前記検出コンデンサを形成する各プレートの面積よりも少なくとも１０倍大きい。前記回路は無線送信機と無線受信機とを含んでもよく、前記装置はネットワークを通じて前記装置の種々の動作によって生成されるデータを分析するデータ処理システムと通信できる。

さらに別の態様において、方法は、可変コンデンサを形成する第１の導電面と第２の導電面との間の距離の変化に基づいて測定値を自動生成する工程と、前記可変コンデンサに関連付けられたデータ処理システムに前記測定値を伝達する工程とを含む。前記距離の変化は、前記第２の導電面に対する前記第１の導電面の撓み（例えば、圧縮力および／または膨張力）によって生じる。前記方法は、基準コンデンサのデータを分析することにより、少なくとも１つの環境条件に基づいて前記測定値を調整する工程を含む。前記方法は、任意の幾何学的形状の前記可変コンデンサおよび前記基準コンデンサを製作する工程を含む。前記方法は、非導電性プリント回路基板上に前記第１の導電面および前記第２の導電面を塗布する工程を含む。前記方法は、１組の命令を実行する機械可読媒体の形式で実行され、前記命令が機械によって実行されると、本明細書に開示された任意動作を前記機械が実行する。その他の特徴は添付の図面および後述の詳細な説明から明らかになるものである。

容量技術を用いた間隙変化の検出について開示する。以下の記載においては説明の目的で様々な具体的詳細が記述され、多様な実施形態の十分な理解を提供している。但し当業者であれば、このような具体的な詳細なくして前記多様な実施形態を実施できることが明らかである。例示的な一実施形態は、検出コンデンサを形成する第１の導電面と第２の導電面との間の距離の変化に基づいて測定値を自動生成する方法およびシステムを提供する。基準コンデンサを使って、少なくとも１つの環境条件に基づいて測定値を調整することができる。

さらに、別の一実施形態において、方法は、前記検出コンデンサに関連付けられたデータ処理システムに前記測定値を通信する工程を含む。また、前記方法は１組の命令を実行する機械可読媒体の形式であってもよく、前記命令が機械によって実行されると、本明細書に開示された任意の方法を前記機械が実行する。後述するように、方法およびシステムの例示的な一実施形態を使って高精度で低コストな荷重検出装置（例えば荷重センサー、圧力センサーなど）を提供することができる。本明細書で考察する種々の実施形態は同一の実施形態である場合と同一でない場合があり、また本明細書に明示されていないその他種々の実施形態に分類される場合があることが理解されるものである。

図１は、一実施形態に従った、検出コンデンサ（例えば図８に示すような検出コンデンサ８０８）と基準コンデンサ（例えば図８に示すような基準コンデンサ８０６）とを有する積層装置１５０の立体図である。前記積層装置１５０は最上層１００と、プリント回路基板１０２と、スペーサー１０４と、プリント回路基板１０６と、スペーサー１０８と、プリント回路基板１１０と、遮蔽スペーサー１１２（例えば前記遮蔽スペーサーは任意の種類のスペーサーであってよい）と、最下層１１４とを含む。ケーブル１１６（例えばインターフェースケーブル）によって、前記積層装置１５０はデータ処理システム（例えば図６に示すような前記データ処理システム６０２）に接続されている。さらに図１に示すように、力１１８（例えば荷重、重量、圧力など）が前記最上層１００に加えられる。前記積層装置１５０の種々の構成要素は図２Ａ〜図２Ｇを参照することにより最もよく理解される。

図２Ａ〜図２Ｇは図１の前記積層装置１５０の分解図である。図２Ａは前記最上層１００および前記プリント回路基板１０２を図示する。前記最上層１００はアルミニウム、鋼、および／またはプラスチックなどで作成できる。前記プリント回路基板１０２は導電面２１６を含む。前記導電面は前記プリント回路基板１０２上に塗布（例えばスパッタリング、メッキなど）してもよい。図２Ａに図示するように、前記プリント回路基板１０２は前記最上層１００に連結（例えば、ネジ止め、接合、エッチング、接着、固定など）されており、これにより、前記力１１８が（例えば図１に図示したように）当該最上層１００に加えられると、当該最上層１００、前記プリント回路基板１０２、および前記導電面２１６が（例えば、前記力１１８の反作用で前記積層装置１５０の内方向に押されて）撓む。

前記導電面２１６の撓みによって検出コンデンサの容量が変化する（例えば、図２Ａ、図２Ｂ、および図２Ｃに図示するように、前記検出コンデンサは前記スペーサー１０４によって分離される前記導電面２１６および前記導電面２２０によって形成できる）。距離の変化は前記導電面２１６の前記導電面２２０に対する撓みによって生じ、圧縮力および／または膨張力である。一実施例において、前記導電面２１６および前記導電面２２０は互いに実質的に並行であり、同一の物理的面積および／または厚さを有する。一実施形態において、前記検出コンデンサの容量変化は前記導電面２１６と前記導電面２２０との間の前記距離の変化に反比例すると考えられる。

図２Ｂは図１の前記積層装置１５０の前記スペーサー１０４の図である。前記スペーサー１０４は絶縁材（例えば、プラスチック、ポリマー、発泡体など）で製作することができる。前記スペーサー１０４は前記導電面２１６と前記導電面２２０との間に間隙を生じさせる。前記間隙は空気またはその他任意の気体（例えば不活性ガス）で充填される場合がある。一実施形態において、前記スペーサー１０４は硬質であり、前記力１１８が（例えば図１に図示するように）前記最上層１００に加えられても撓まない。別の実施形態において、前記力１１８が前記最上層１００に加えられると前記スペーサー１０４の圧力が増加および／または減少するので、前記力１１８が前記最上層１００に加えられた場合、前記スペーサー１０４は膨張および／または縮小する。

図２Ｃは、前記プリント回路基板１０６（例えば非導電性材料）の図である。図２Ｃに図示された実施形態において、導電面２２０は前記プリント回路基板１０６の片側上に塗布（例えばメッキ、スパッタリングなど）されている。さらに図２Ｃに図示するように、前記プリント回路基板１０６の反対側には導電面２２０が塗布されている。代替実施形態において、前記導電面２２０および前記導電面２２２は前記プリント回路基板１０６とは別の層（例えば前記プリント回路基板１０６の上および／または下の異なる層）であってもよい。

図２Ｃに図示したような前記導電面２２２および図２Ｅに図示したような前記導電面２２８は、図２Ｄに図示したような前記スペーサー１０８によって分離されている。一実施形態によれば、前記導電面２２２および前記導電面２２８は（例えば図８の前記基準コンデンサ８０６と同様の）基準コンデンサを形成することができる。前記力１１８が前記最上層１００に加えられた時に前記導電面２２２および前記導電面２２８の相対的位置は変化しないので、それらの容量は前記加えられた力１１８に応答して変化しないと考えられる（例えば、容量は「容量＝（誘電率×重複面積）／（面間距離）」として算出される）。

即ち、前記導電面２２２および前記導電面２２８によって形成された前記基準コンデンサには環境要因（例えば、前記第１の導電面と前記第２の導電面との間の間隙内の湿度、前記積層装置１５０の温度、前記積層装置１５０の周囲環境の気圧など）によってのみ容量に変化が生じる。従って、前記力１１８が前記積層装置１５０に加えられた時、これら環境条件の影響は（例えば、前記導電面２１６および前記導電面２２０によって形成された）前記検出コンデンサの容量変化の測定値から除外でき、前記検出コンデンサの容量変化がより正確に決定される。

一実施形態において、前記導電面２２２および前記導電面２２８の表面積は、前記最上層１００に加えられる前記力１１８の測定値を（例えば、図２Ｅに図示した処理モジュール２２４を使って）生成する時に必要な増幅量を低減するために、前記検出コンデンサを形成する各プレート（例えば前記導電面２１６および前記導電面２２０）の面積よりも少なくとも１０倍大きい。図２Ｅの前記処理モジュール２２４は、（例えば図１に図示したような）前記積層装置１５０を（例えば図６に図示したような）前記データ処理システム６０２に（例えば図１に図示したような）前記ケーブル１１６を介して接続するコネクタ２２６を含んでもよい。前記処理モジュール２２４を使って、図２Ａの前記導電面２１６と図２Ｃの前記導電面２２０の間の距離の変化に基づいて（例えば図７に図示した動作に従って）測定値を生成することができる。前記処理モジュール２２４は更に、（例えば環境条件のみに影響される前記基準コンデンサの変化を差し引くことにより）前記検出コンデンサの容量から前記環境条件の影響を除外した後の前記検出コンデンサの測定値を生成することができる。

図２Ｆに図示したような前記遮蔽スペーサー１１２は、（例えば前記測定値に影響を及ぼす浮遊容量の影響を最小限に抑えるために）前記プリント回路基板１１０を前記最下層１１４から分離できる。一実施形態において、前記スペーサー１１２の高さは、前記基準コンデンサのプレート間（例えば前記スペーサー１０８）および前記検出コンデンサのプレート間（例えば前記スペーサー１０４）のプレートスペーサー（例えば前記スペーサー１０４および前記スペーサー１０８）よりも少なくとも１０倍高い。前記底部プレート１１４を図２Ｇに図示する。前記底部プレート１１４は図２Ｇに図示するような窪み２３２を含んでもよい。前記窪み２３２は前記処理モジュール２２４の真下に位置しており、前記コネクタ２２６が前記最下層１１４内に嵌合するようになっている。一実施形態において、前記最下層１１４は前記最上層１００と同一の材料から成る。一実施形態において、図２Ｇに図示したような１組のネジ２３０が図２Ａ〜図２Ｇに図示した種々の構成要素を互いに物理的に接続して前記積層装置１５０を形成してもよい（例えば、別の実施形態においては前記種々の構成要素は互いに溶接されるか、互いに接着されるかなどしてもよい）。

図３は、一実施形態に従った、検出コンデンサ（例えば、図８に図示したような検出コンデンサ８０８）および基準コンデンサ（例えば、図８に図示したような基準コンデンサ８０６）を有するボックスに格納された装置３５０の立体図である。前記ボックスに格納された装置３５０は、最上層３００と、プリント回路基板３０２と、プリント回路基板３０６と、スペーサー３０８と、プリント回路基板３１０と、遮蔽スペーサー３１２と、下部カップ３１４とを含む。前記プリント回路基板３０６は、一方の側に塗布された（例えば、図２Ｃに図示したような前記導電面２２０と同様の）導電面３２０と、もう一方の側に塗布された（例えば、図２Ｃに図示したような前記導電面２２２と同様の）導電面３２２とを有するように図示されている。前記プリント回路基板３１２上に塗布された導電面３１６および前記プリント回路基板３０６上に塗布された前記導電面３２０は検出コンデンサ（例えば、図８に説明したような前記検出コンデンサ８０８）を形成する。

図１の前記積層装置１５０とは異なり、図３の前記ボックスに格納された装置３５０は前記プリント回路基板３０２と前記プリント回路基板３０６との間にスペーサー（例えば前記スペーサー１０４）を有しない（例えば、前記下部カップ３１４は前記プリント回路基板３０６の上部よりも高いので、（例えば、前記最上層３００および前記プリント回路基板３０２の連結によって形成された）最上部を前記下部カップ３１４の上に配置した際に、前記プリント回路基板３０２と前記プリント回路基板３０６との間に間隙が生じるため、図３には前記スペーサーは必要ない）。前記下部カップ３１４、前記最上層３００、および前記プリント回路基板３０２は、前記ボックスに格納された装置３５０を形成するその他の前記構成要素（例えば前記プリント回路基板３０６）よりも大きな物理寸法を有することに注目すべきである。更に、前記最上層３００および前記プリント回路基板３０２は互いに一体化（例えば接合、接着、相互にネジ止め、締付けなど）されてもよい。図３の前記ボックスに格納された装置３５０のその他の実施形態は図２Ａ〜図２Ｇに説明した前記実施形態と同一である。

図４は、一実施形態によって、図３の前記ボックスに格納された装置３５０内で前記検出コンデンサ（例えば図８に図示したような前記検出コンデンサ８０８）および前記基準コンデンサ（例えば図８に図示したような前記基準コンデンサ８０６）を囲む（例えばハウジングを提供する）ために使われる削り出し材の立体図である。図４において、下部カップ４１４を形成するために単一ブロック（例えば鋼）が使われる。一実施例において、図４における前記下部カップ４１４が図３の前記最下層３１４に代替され、図３に図示したような前記最下層３１４と前記最上部プレート３００との間の前記種々の構造体（例えば容量性表面／プレート、スペーサーなど）を囲む。前記下部カップ４１４は、前記下部カップ４１４の構造的および／または引張り強度を維持する（例えば切断、フライス加工、エッチング、および／または穿孔などを伴う）任意の加工を経た金属の単一片から形成できる。このように、前記下部カップ４１４はより大きな力（例えば図１の前記力１１８）を前記下部カップ４１４の壁を通して下方に導くことによって前記力に耐えることができる。

図５は、一実施形態によって、前記検出コンデンサおよび前記基準コンデンサを図３の前記ボックスに格納された装置３５０内に囲むために使うことのできる複数層の材料の立体図である。図５は特に、一実施形態によって、複数のブロック材で形成される下部カップ５１４を図示している。図５に図示したように、最下層５００は単一の薄い固体金属ブロックで形成できる。さらに、前記下部カップ５１４のその他の層は、各々レーザーで切断され（例えば、レーザーエッチングされた）、および／または（例えば、図４の前記下部カップ４１４で必要とされる単一ブロックにおけるフライス加工技術よりも低コストで前記下部カップ５１４を形成するために）型抜きされた層（例えば５０２Ａ〜５０２Ｎ）から形成される。例えば、前記層５０２Ａ〜５０２Ｎは標準サイズおよび／または形状の金属でよいため、前記下部カップ５１４の製造費用を削減できる。

一実施形態において、図５における前記下部カップ５１４は図３の前記最下層３１４に代替され、図３に図示したような前記最下層３１４と前記最上部プレート３００との間の前記種々の構造体（例えば、容量性表面／プレート、スペーサーなど）を囲む。図４の前記実施形態のように、図５の前記下部カップ５１４はより大きな力（例えば図１の前記力１１８）を前記下部カップ５１４の壁を通して下方に導くことによって前記力に耐えることができる。更に、前記下部カップ５１４の製造に標準の機械加工技術を使うことができるので、前記下部カップ５１４は図４において説明した前記下部カップ４１４よりも低コストで製造できる。

図６は、一実施形態に従った、図１の前記装置１５０のネットワーク化された図である。第１の実施形態、装置１５０Ａは、インターフェースケーブル（例えば図１の前記ケーブル１１６および／または図６のケーブル６１６）を介してデータ処理システム６０２に接続されている。第２の装置１５０Ｂはネットワーク６００を介して前記データ処理システム６０２に無線接続されている。一実施形態において、前記ネットワーク６００はインターネット網である。もう１つの実施形態において、前記ネットワーク６００はローカル・エリア・ネットワークである。データ処理システム６０６は前記装置１５０Ａおよび／または前記装置１５０Ｂから前記ネットワーク６００を介してデータ（例えば、力および／または荷重を測定する出力データなど）を受信できる。一実施形態において、前記データ処理システム６０６は前記装置（例えば前記積層装置１５０Ａ）の種々の動作によって生成されるデータ（例えば測定値）を分析する。アクセス装置６０４（例えば無線ネットワークを形成する装置間の無線通信を可能とする装置）は前記装置１５０Ｂとの無線接続を提供できる。一実施形態において、前記装置１５０Ｂは送信／受信回路６０８および／または前記装置１５０Ｂの前記ネットワーク６００を介した無線通信を可能とする無線インターフェースコントローラ６１０を含む。一実施形態において、前記送信／受信回路６０８および／または前記無線インターフェースコントローラ６１０は図７の前記処理モジュール７１４内に内蔵する事ができる。

図７は、一実施形態によって、力７００を測定する工程図である。図７において、一実施形態によれば、力７００はセンサー７０２（例えば図１の前記導電面１０６を有する前記最上層１０２）に加えられる。図１の前記力１１８が装置（例えば前記積層装置１５０および／または前記ボックスに格納された装置３５０）に加えられる時、電子回路（例えばソフトウェアおよび／またはハードウェアコード）はアルゴリズムを適用して、前記検出コンデンサのプレート間（例えば図２Ａおよび図２Ｃに図示したような前記検出コンデンサを形成する前記導電面２１６と前記導電面２２０の間）の距離７０４（例えば間隙）の変化を測定できる。代替実施形態においては、前記間隙の変化ではなく前記プレート間の面積の変化が考慮される。

次に、容量変化７０６は前記検出コンデンサを形成する前記プレート（例えば図１の前記導電面１０６を有する前記最上層１０２）間の前記間隙の変化に基づいて算出できる。また、前記容量変化７０６、電圧変化７０８、および／または周波数変化７１０も測定値（例えば前記センサー７０２に加えられた前記力７００の推定値）を生成するために算出される。前記容量変化７０６のデータ、前記電圧変化７０８のデータ、および／または前記周波数変化のデータ７１０がデジタイザモジュール７１２（例えばアナログ／デジタル変換器）に提供される。最後に、前記デジタイザモジュール７１２は処理モジュール７１４（例えば前記処理モジュール２２４に内蔵可能なマイクロプロセッサ）と連動して、前記容量変化７０６のデータ、前記電圧変化７０８のデータ、および／または前記周波数変化のデータ７１０を測定値示度７１６（例えば前記センサー７０２に加えられた前記力７００の測定値）に変換できる。

図８は、一実施形態による、前記検出コンデンサ８０８（例えば可変コンデンサ）および前記基準コンデンサ８０６を有する座席装置８５０である。前記座席装置８５０（例えば自動車座席装置、航空機座席装置など）は座席構造部取り付け用ボルト８００と、取り付けレール用ボルト８０２とを含む。加えられた重量８２０（例えば自動車内の座席に着座している人）は、上部カップ８１６上および前記検出コンデンサ８０８の一方のプレート上に力を及ぼす。オフセット位置決めボス８１８は前記座席構造部取り付け用ボルト８００と前記上部カップ８１６との間に接続点を提供する。前記上部カップ８１６は図１内の前記最上部プレート１００と同様であってよく、前記検出コンデンサ８０８は図２Ａおよび図２Ｃに図示したように前記導電面２１６および前記導電面２２０によって形成できる。前記検出コンデンサ８０８および前記基準コンデンサ８０６を形成する前記種々の導電面は、長方形、楕円形、および全ての辺の長さが等しくない形状を含む任意の幾何学的形状に製作できることに注目すべきである。

１組の取り付けネジ８１４は、図８に図示したように（図２Ｅに図示したような前記処理モジュール２２４を有する）電子部品パッケージ８１２をスペーサー８１０および下部カップ８０４に締め付ける。前記スペーサー８１０は前記基準コンデンサ８０６と前記下部カップ８０４との間に位置し、一実施形態においては、前記基準コンデンサ８０６のプレート間および前記検出コンデンサ８０８のプレート間のプレートスペーサーよりも１０倍大きい場合もある。

図９は、一実施形態によって、検出コンデンサ（例えば図８の前記検出コンデンサ８０８）を形成する第１の導電面（例えば図２Ａの前記導電面２１６）と第２の導電面（例えば図２Ｃの前記導電面２２０）との間の距離の変化に基づく（例えば図２Ｅに図示したような前記処理モジュール２２４を使った）測定値の自動生成の工程フローである。工程９０２において、第１の導電面（例えば図２Ａの前記導電面２１６）および第２の導電面（例えば図２Ｃの前記導電面２２０）は非導電性のプリント回路基板（例えば、前記プリント回路基板１０２および前記プリント回路基板１０６それぞれの）上に塗布できる。

次に工程９０４において、検出コンデンサ（例えば前記検出コンデンサ８０８）および基準コンデンサ（例えば前記基準コンデンサ８０６）は任意の幾何学的形状に製作できる（例えば前記検出コンデンサおよび／または前記基準コンデンサのプレートは長方形、正方形、円形などに形成できる）。工程９０６において、前記第１の導電面と前記第２の導電面との間の距離の変化に基づいて測定値が自動生成される（例えば、図１の前記力１１８が前記積層装置１５０、前記ボックスに格納された装置３５０、および／または前記座席装置８５０に加えられる時、前記距離が変化する）。一実施形態において、前記距離の変化は前記第１の導電面の（例えば図１の力１１８による圧縮力および／または膨張力を通じた）撓みによって生じる。別の実施形態において、前記距離の変化は前記第１の導電面と第２の導電面との間の少なくとも１つのスペーサー（例えば図２Ｂの前記スペーサー１０４）の厚さの変化によって生じる。

工程９０８において、容量変化を電圧変化および／または周波数変化に変換するアルゴリズム（例えば反復アルゴリズム）が適用されて前記測定値が生成される。工程９１０において、前記基準コンデンサのデータを分析することにより、少なくとも１つの環境条件（例えば、前記環境条件には湿度、温度などがある）に基づいて前記測定値が調整される。工程９１２において、前記測定値が前記検出コンデンサ（例えば前記積層装置１５０Ａ内の前記検出装置）に（例えば図６の前記ケーブル６１６および／または前記ネットワーク６００のいずれかを介して）関連付けられたデータ処理システム（例えば図６に図示されたような前記データ処理システム６０２）に伝達される。

例示的な実施形態を参照して本実施形態を説明したが、前記種々の実施形態のより広範な趣旨および範囲から逸脱せずに種々の修正および変更をこれらの実施形態に行うことができることが明らかである。例えば、本明細書に記述された図２Ｅの前記処理モジュール２２４、図６の前記送信／受信回路６０８、図６の前記無線インターフェースコントローラ６１０、および／または図７の前記処理モジュール７１４は、ハードウェア回路（例えばＣＭＯＳ型論理回路）、ファームウェア、ソフトウェア、および／またはハードウェア、ファームウェア、および／または（例えば機械可読媒体内で実施される）ソフトウェアの任意の組み合わせを使って動作可能である。

例えば、前記デジタル変換器モジュール７１２および／または処理モジュール７１４は、ソフトウェアを使って、および／またはトランジスタ、論理ゲート、およびデジタル変換回路および／または処理回路などの電気回路（例えば特定用途向け集積回路であるＡＳＩＣ）を使って動作可能にできる。さらに、本明細書に開示された前記種々の動作、工程、および方法は、データ処理システム（例えばコンピュータシステム）と互換性のある機械可読媒体および／または機械アクセス可能媒体で実施することができ、（例えば前記種々の動作を達成する手段を使う工程を含む）任意の順番で実行できることは理解されるであろう。従って、本明細書および図面は限定的な意味ではなく、むしろ例示的であると見なされる。

例示的な実施形態は例として図示されており、添付図面に限定されるものではない。同様の参照は同様の要素を示す。
図１は、一実施形態によって、検出コンデンサと基準コンデンサとを有する積層装置の立体図である。 図２Ａ〜図２Ｇは、一実施形態に従った、図１の検出コンデンサと基準コンデンサとを有する積層装置の分解図である。 図２Ａ〜図２Ｇは、一実施形態に従った、図１の検出コンデンサと基準コンデンサとを有する積層装置の分解図である。 図２Ａ〜図２Ｇは、一実施形態に従った、図１の検出コンデンサと基準コンデンサとを有する積層装置の分解図である。 図２Ａ〜図２Ｇは、一実施形態に従った、図１の検出コンデンサと基準コンデンサとを有する積層装置の分解図である。 図２Ａ〜図２Ｇは、一実施形態に従った、図１の前記検出コンデンサと前記基準コンデンサとを有する前記積層装置の分解図である。 図２Ａ〜図２Ｇは、一実施形態に従った、図１の検出コンデンサと基準コンデンサとを有する積層装置の分解図である。 図２Ａ〜図２Ｇは、一実施形態に従った、図１の検出コンデンサと基準コンデンサとを有する積層装置の分解図である。 図３は、例示的な一実施形態に従った、検出コンデンサと基準コンデンサとを有するボックスに格納された装置の立体図である。 図４は、一実施形態に従った、図３のボックスに格納された装置内の検出コンデンサと基準コンデンサとを囲むために使用可能な削り出し材の立体図である。 図５は、一実施形態に従った、図３のボックスに格納された装置内に検出コンデンサと基準コンデンサとを囲むために使用可能な複数層の材料の立体図である。 図６は、一実施形態に従った、図１の装置をネットワーク化した図である。 図７は、一実施形態に従った、力７００を測定する工程図である。 図８は、一実施形態に従った、検出コンデンサと基準コンデンサとを有する座席装置の図である。 図９は、一実施形態に従った、検出コンデンサを形成する第１の導電面と第２の導電面との間の距離の変化に基づく測定値を自動生成する工程フローである。 本実施形態のその他の特徴は、添付の図面および後述の前記詳細な説明によって明らかとなるものである。

Claims (30)

1. 装置であって、
   第１の導電面および前記第１の導電面と実質的に平行な第２の導電面と、
   前記第１の導電面と前記第２の導電面との間の距離の変化に基づいて測定値を生成するセンサーと
   を有する装置。
2. 請求項１記載の装置において、前記距離の変化は前記第１の導電面の前記第２の導電面に対する撓みによって生じ、前記撓みは圧縮力および膨張力のうちの少なくとも１つである。
3. 請求項１記載の装置において、前記距離の前記変化は前記第１の導電面と前記第２の導電面との間の少なくとも１つのスペーサーの厚さの変化によって生じるものである。
4. 請求項１記載の装置において、前記センサーは、容量変化を電圧変化および周波数変化のうちの少なくとも１つに変換するアルゴリズムを適用して前記測定値を生成するものである。
5. 請求項４記載の装置において、前記測定値は前記第２の導電面に対する前記第１の導電面より上部の面に加えられる力の値である。
6. 請求項５記載の装置において、前記距離の変化は、前記第２の導電面に対する前記第１の導電面より上部の面に加えられる荷重によって生じるものである。
7. 請求項６記載の装置において、前記第１の導電面および前記第２の導電面は検出コンデンサを形成し、前記検出コンデンサの容量変化は前記第１の導電面と前記第２の導電面との間の前記距離の変化に反比例するものである。
8. 請求項１記載の装置において、この装置は、さらに、
   前記装置に関連付けられた基準コンデンサを有し、前記センサーが少なくとも１つの環境条件に基づいて前記測定値を調整することを可能にするものである。
9. 請求項８記載の装置において、前記少なくとも１つの環境条件は、前記第１の導電面と前記第２の導電面との間の間隙における湿度、前記装置の温度、および前記装置の周囲環境の気圧である。
10. 請求項１記載の装置において、前記第１の導電面および前記第２の導電面は、長方形、楕円形、および全ての辺の長さが等しくない形状を含む任意の幾何学的形状に製作されるものである。
11. 請求項１記載の装置において、前記第１の導電面および前記第２の導電面は、前記装置を形成する複数の非導電性プリント回路基板上に塗布されるものである。
12. 装置であって、
    前記装置の周囲環境条件に基づいて容量が変化する基準コンデンサと、
    検出コンデンサを形成する少なくとも１つのプレートの撓みおよび前記環境条件に基づいて容量が変化する前記検出コンデンサと、
    前記検出コンデンサの容量から前記環境条件の影響を除外した後、測定値を生成する回路と
    を有する装置。
13. 請求項１２記載の装置において、この装置は、さらに、
    前記基準コンデンサ、前記検出コンデンサ、および前記回路を囲むハウジングを有し、前記撓みが生じる前記少なくとも１つのプレートが前記ハウジングに組み込まれているものである。
14. 請求項１３記載の装置において、前記ハウジングは、当該ハウジングを形成するために各々レーザーエッチングされ、相互に接合された複数の金属プレートによって形成されるものである。
15. 請求項１３記載の装置において、前記ハウジングは、当該ハウジングを形成するためにフライス加工された単一金属ブロックによって形成されるものである。
16. 請求項１３記載の装置において、前記検出コンデンサを形成する前記少なくとも１つのプレートの撓みは前記ハウジングに加えられる荷重によって生じ、前記測定値は前記ハウジングに加えられる力の値である。
17. 請求項１６記載の装置において、この装置は、さらに、
    前記基準コンデンサと前記ハウジングの底部との間に前記測定値に影響を及ぼす浮遊容量の影響を最小限に抑える遮蔽スペーサーを有し、前記遮蔽スペーサーの高さは前記基準コンデンサのプレート間および前記検出コンデンサのプレート間のプレートスペーサーよりも少なくとも１０倍高いものである。
18. 請求項１２記載の装置において、前記基準コンデンサを形成する各プレートの面積は、前記測定値の生成に必要な増幅量を低減するために、前記検出コンデンサを形成する各プレートの面積よりも少なくとも１０倍大きいものである。
19. 請求項１２記載の装置において、前記回路は無線送信機と無線受信機とを含み、前記装置は、ネットワークを通じて、前記装置の種々の動作によって生成されるデータを分析するデータ処理システムと通信するものである。
20. 方法であって、
    可変コンデンサを形成する第１の導電面と第２の導電面との間の距離の変化に基づいて測定値を自動生成する工程と、
    前記可変コンデンサに関連付けられたデータ処理システムに前記測定値を伝達する工程と
    を有する方法。
21. 請求項２０記載の方法において、前記距離の変化は前記第１の導電面の前記第２の導電面に対する撓みによって生じ、前記撓みは圧縮力および膨張力のうちの少なくとも１つである。
22. 請求項２０記載の方法において、前記距離の変化は前記第１の導電面と前記第２の導電面のと間の少なくとも１つのスペーサーの厚さの変化によって生じるものである。
23. 請求項２０記載の方法において、この方法は、さらに、
    容量変化を電圧変化および周波数変化のうちの少なくとも１つに変換するアルゴリズムを適用して前記測定値を生成する工程を有し、前記測定値は前記第２の導電面に対する前記第１の導電面より上部の面に加えられる力の値である。
24. 請求項２３記載の方法において、前記距離の変化は前記第２の導電面に対する前記第１の導電面より上部の面に加えられる荷重によって生じるものである。
25. 請求項２４記載の方法において、前記可変コンデンサの容量変化は前記第１の導電面と前記第２の導電面との間の距離の変化に反比例するものである。
26. 請求項２０記載の方法において、この方法は、さらに、基準コンデンサのデータを分析することにより、少なくとも１つの環境条件に基づいて前記測定値を調整する工程を有するものである。
27. 請求項２６記載の方法において、前記少なくとも１つの環境条件は、前記第１の導電面と前記第２との導電面の間の間隙の湿度、前記可変コンデンサの温度、および前記可変コンデンサの周囲環境の気圧である。
28. 請求項２７記載の方法において、この方法は、さらに、
    前記可変コンデンサおよび前記基準コンデンサを、長方形、楕円形、および全ての辺の長さが等しくない形状を含む任意の幾何学的形状に製作する工程を有するものである。
29. 請求項２０記載の方法において、この方法は、さらに、
    複数の非導電性プリント回路基板上に前記第１の導電面および前記第２の導電面を塗布する工程を有するものである。
30. 請求項２０記載の方法において、この方法は１組の命令を実行する機械可読媒体の形式であり、前記命令が機械によって実行されると、当該機械が請求項２０の方法を実行するものである。

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