JPH0344303U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0344303U JPH0344303U JP10378189U JP10378189U JPH0344303U JP H0344303 U JPH0344303 U JP H0344303U JP 10378189 U JP10378189 U JP 10378189U JP 10378189 U JP10378189 U JP 10378189U JP H0344303 U JPH0344303 U JP H0344303U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- inductor
- end connected
- parallel plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
第１図はこの考案による半導体移相器の構成を
示す図、第２図は簡略等価回路図、第３図はこの
考案による半導体移相器の他の構成を示す図、第
４図は同じくこの考案による半導体移相器の他の
構成を示す図、第５図は従来の半導体移相器の一
構成例を示す図、第６図は簡略等価回路図である
。 図において１は半導体基板、２は地導体、３は
ドレイン電極、４はソース電極、５はゲート電極
、６は入力用マイクロストリツプ線路、７は出力
用マイクロストリツプ線路、８は第１のパターン
インダクタ、９は第２のパターンインダクタ、１
０は平行平板コンデンサ、１１はグランドパター
ン、１２はバイアスホール、１３は高インピーダ
ンス線路、１４は低インピーダンス線路、１５は
バイアス回路、１６はバイアスパツド、１７はＦ
ＥＴ、１８はドレイン端子、１９はソース端子、
２０はゲート端子、２１は第１のインダクタ、２
２は第２のインダクタ、２３はコンデンサ、２４
はグランド、２５は第１のスパイラルインダクタ
、２６は第２のスパイラルインダクタ、２７は櫛
形コンデンサ、２８は1/4波長マイクロストリツ
プ線路、２９は第１のインピーダンス変換用マイ
クロストリツプ線路、３０は第２のインピーダン
ス変換用マイクロストリツプ線路、３１は第１の
ＦＥＴのドレイン電極、３２は第１のＦＥＴのソ
ース電極、３３は第１のＦＥＴのゲート電極、３
４は第２のＦＥＴのドレイン電極、３５は第２の
ＦＥＴのソース電極、３６は第２のＦＥＴのゲー
ト電極、３７は入力端子、３８は出力端子、３９
は1/4波長線路、４０は第１のインピーダンス変
換線路、４１は第２のインピーダンス変換線路、
４２は第１のＦＥＴ、４３は第２のＦＥＴ、４４
は第１のＦＥＴのゲート端子、４５は第２のＦＥ
Ｔのゲート端子である。なお、図中、同一符号は
同一、又は相当部分を示す。
示す図、第２図は簡略等価回路図、第３図はこの
考案による半導体移相器の他の構成を示す図、第
４図は同じくこの考案による半導体移相器の他の
構成を示す図、第５図は従来の半導体移相器の一
構成例を示す図、第６図は簡略等価回路図である
。 図において１は半導体基板、２は地導体、３は
ドレイン電極、４はソース電極、５はゲート電極
、６は入力用マイクロストリツプ線路、７は出力
用マイクロストリツプ線路、８は第１のパターン
インダクタ、９は第２のパターンインダクタ、１
０は平行平板コンデンサ、１１はグランドパター
ン、１２はバイアスホール、１３は高インピーダ
ンス線路、１４は低インピーダンス線路、１５は
バイアス回路、１６はバイアスパツド、１７はＦ
ＥＴ、１８はドレイン端子、１９はソース端子、
２０はゲート端子、２１は第１のインダクタ、２
２は第２のインダクタ、２３はコンデンサ、２４
はグランド、２５は第１のスパイラルインダクタ
、２６は第２のスパイラルインダクタ、２７は櫛
形コンデンサ、２８は1/4波長マイクロストリツ
プ線路、２９は第１のインピーダンス変換用マイ
クロストリツプ線路、３０は第２のインピーダン
ス変換用マイクロストリツプ線路、３１は第１の
ＦＥＴのドレイン電極、３２は第１のＦＥＴのソ
ース電極、３３は第１のＦＥＴのゲート電極、３
４は第２のＦＥＴのドレイン電極、３５は第２の
ＦＥＴのソース電極、３６は第２のＦＥＴのゲー
ト電極、３７は入力端子、３８は出力端子、３９
は1/4波長線路、４０は第１のインピーダンス変
換線路、４１は第２のインピーダンス変換線路、
４２は第１のＦＥＴ、４３は第２のＦＥＴ、４４
は第１のＦＥＴのゲート端子、４５は第２のＦＥ
Ｔのゲート端子である。なお、図中、同一符号は
同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体基板上に形成された電界効果トラン
ジスタと、上記半導体基板上に形成され１端が上
記電界効果トランジスタのドレイン電極と接続さ
れた入力用マイクロストリツプ線路と、１端が上
記電界効果トランジスタのソース電極に接続され
た出力用マイクロストリツプ線路と、上記半導体
基板上に形成され１端が短絡された平行平板コン
デンサと、上記半導体基板上に形成され１端が上
記電界効果トランジスタのドレイン電極に接続さ
れ他の１端が上記平行平板コンデンサに接続され
た第１のパターンインダクタと、１端が上記電界
トランジスタのソース電極に接続され他の１端が
上記平行平板に接続された第２のパターンインダ
クタとから構成されたことを特徴とする半導体移
相器。 (2) 上記電界効果トランジスタのドレイン電極
と上記平行平板コンデンサ間に接続されるインダ
クタ及び上記電界効果トランジスタのソース電極
と上記平行平板コンデンサ間に接続されるインダ
クタをスパイラルインダクタとしたことを特徴と
する実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の半導
体移相器。 (3) 上記第１のパターンインダクタ及び上記第
２のパターンインダクタと１端が接続され他端が
短絡されたコンデンサを櫛形（インターデイジテ
ーテツド）コンデンサとしたことを特徴とする実
用新案登録請求の範囲第(1)項又は第(2)項記載の
半導体移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10378189U JPH0344303U (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10378189U JPH0344303U (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344303U true JPH0344303U (ja) | 1991-04-24 |
Family
ID=31652603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10378189U Pending JPH0344303U (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344303U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59196603A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体移相器 |
| JPS6282808A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 移相回路 |
| JPS6367009A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-25 | Murata Mfg Co Ltd | 伝送回路 |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP10378189U patent/JPH0344303U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59196603A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体移相器 |
| JPS6282808A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 移相回路 |
| JPS6367009A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-25 | Murata Mfg Co Ltd | 伝送回路 |
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