JPS63127575A - 多セル型マイクロ波電界効果トランジスタ - Google Patents
多セル型マイクロ波電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS63127575A JPS63127575A JP27467286A JP27467286A JPS63127575A JP S63127575 A JPS63127575 A JP S63127575A JP 27467286 A JP27467286 A JP 27467286A JP 27467286 A JP27467286 A JP 27467286A JP S63127575 A JPS63127575 A JP S63127575A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cell
- effect transistor
- unit cells
- gate electrode
- microwave field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ電界効果トランジスタに関し、特に、
多セル型のＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＦ
ＥＴ）に関する。
多セル型のＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＦ
ＥＴ）に関する。
従来、この種の（ｉ ａ Ａ ｓ Ｆ Ｅ ′Ｆは、高
出力マイクロ波増幅器として、使用されるもので通常ゲ
ーｌ−及びドレインのボンディング用電極を各々１つ有
する単位セルを並列に並べた多セル構成により高出力を
得るものである。しかして、各単位セルのゲート電極及
びドレイン電極はそれぞれボンディング線により共通ゲ
ート電極及び共通ドレイン電極に接続されているという
ハイブリッドＩＣ形式のものであった。
出力マイクロ波増幅器として、使用されるもので通常ゲ
ーｌ−及びドレインのボンディング用電極を各々１つ有
する単位セルを並列に並べた多セル構成により高出力を
得るものである。しかして、各単位セルのゲート電極及
びドレイン電極はそれぞれボンディング線により共通ゲ
ート電極及び共通ドレイン電極に接続されているという
ハイブリッドＩＣ形式のものであった。
〔発明が解決しようとする問題点ｌ
上述した従来の多セル型マイクロ波電界効果トランジス
タはハイブリッドＩＣ形式であったので、ボンディング
線の長さ、形状の不揃いが生じて発振し易いため歩留り
及び特性上の問題があった。
タはハイブリッドＩＣ形式であったので、ボンディング
線の長さ、形状の不揃いが生じて発振し易いため歩留り
及び特性上の問題があった。
本発明の目的はモノリシック形式の多セル型マイクロ波
電界効果トランジスタを提供することにある。
電界効果トランジスタを提供することにある。
本発明の多セル型マイクロ波電界効果トランジスタは、
半導体基板上に形成され単位セルを複数個並列接続して
なる多セル型マイクロ波電界効果トランジスタにおいて
、前記単位セルのゲート電極及びドレイン電極はそれぞ
れ隣接する他の準位セルのゲー１へ電極及びドレイン電
極と前記半導体基板−Ｌに形成された抵抗体で接続され
ている。
半導体基板上に形成され単位セルを複数個並列接続して
なる多セル型マイクロ波電界効果トランジスタにおいて
、前記単位セルのゲート電極及びドレイン電極はそれぞ
れ隣接する他の準位セルのゲー１へ電極及びドレイン電
極と前記半導体基板−Ｌに形成された抵抗体で接続され
ている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の主要部を示す半導体チップ
の平面図である。
の平面図である。
この実施例はＧａＡｓ基板上にＭ Ｅ Ｓ ＦＥ Ｔ
型の単位セル６が複数個設けられていて各単位セル間接
続部５に形成された多結晶シリコンからなる抵抗体４ｇ
、４ｄをそれぞれ介して隣接する単位セルのゲート電極
２．ドレイン電極３が接続されてなるモノリシック形の
ＩＣである。なお、各単位セルのゲート電極２．ドレイ
ン電極３はそれぞれ共通ゲート電極、共通ドレイン電極
（図示しない）とボンディング線（図示せず）により接
続されていることは従来通りである。
型の単位セル６が複数個設けられていて各単位セル間接
続部５に形成された多結晶シリコンからなる抵抗体４ｇ
、４ｄをそれぞれ介して隣接する単位セルのゲート電極
２．ドレイン電極３が接続されてなるモノリシック形の
ＩＣである。なお、各単位セルのゲート電極２．ドレイ
ン電極３はそれぞれ共通ゲート電極、共通ドレイン電極
（図示しない）とボンディング線（図示せず）により接
続されていることは従来通りである。
各単位セルは抵抗体により接続されて動作時に電磁気学
的に結合されて位相整合がなされる結果、従来のハイブ
リッド形式のものに比べて発振し難く組立てが容易であ
る。又、抵抗体で結合しているので隣りの単位セルへの
液移動は抑えられ、任意の単位セルから他の単位セルを
みたときのスタブ効果も抑制される等、不必要な相互干
渉のない特性のよいものとすることができる。
的に結合されて位相整合がなされる結果、従来のハイブ
リッド形式のものに比べて発振し難く組立てが容易であ
る。又、抵抗体で結合しているので隣りの単位セルへの
液移動は抑えられ、任意の単位セルから他の単位セルを
みたときのスタブ効果も抑制される等、不必要な相互干
渉のない特性のよいものとすることができる。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明は単位セルを抵抗体で接続す
ることにより位相整合のとれたモノリシック形式の多セ
ル型電界効果トランジスタが得られる結果、歩留り及び
特性の均一化がもたらされる。
ることにより位相整合のとれたモノリシック形式の多セ
ル型電界効果トランジスタが得られる結果、歩留り及び
特性の均一化がもたらされる。
第１図は本発明の一実施例の主要部を示す半導体シップ
の平面図である。 ■・・・ソース電極、２・・・ゲート電極、３・・・ド
レイン電極、４ｄ、４ｇ・・・抵抗体、５・・・セル間
接続部、６・・・単位セル。
の平面図である。 ■・・・ソース電極、２・・・ゲート電極、３・・・ド
レイン電極、４ｄ、４ｇ・・・抵抗体、５・・・セル間
接続部、６・・・単位セル。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成され単位セルを複数個並列接続して
なる多セル型マイクロ波電界効果トランジスタにおいて
、前記単位セルのゲート電極及びドレイン電極はそれぞ
れ隣接する他の単位セルのゲート電極及びドレイン電極
と前記半導体基板上に形成された抵抗体で接続されてい
ることを特徴とする多セル型マイクロ波電界効果トラン
ジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27467286A JPS63127575A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 多セル型マイクロ波電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27467286A JPS63127575A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 多セル型マイクロ波電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63127575A true JPS63127575A (ja) | 1988-05-31 |
Family
ID=17544951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27467286A Pending JPS63127575A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 多セル型マイクロ波電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63127575A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01181574A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-19 | Fujitsu Ltd | 半導体素子 |
| JPH0376128A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子 |
| JPH03248440A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Nec Corp | 高出力ＧａＡｓ電界効果トランジスタ |
| EP0936669A1 (en) * | 1998-02-16 | 1999-08-18 | NEC Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| WO1999052129A2 (en) * | 1998-04-03 | 1999-10-14 | Ericsson Inc. | Resistive interconnect of transistor cells |
| US6255679B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Field effect transistor which can operate stably in millimeter wave band |
| WO2002050908A2 (en) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Honeywell International Inc. | Gate length control for semiconductor chip design |
| US7030698B2 (en) | 2003-05-08 | 2006-04-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-frequency power amplifier |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200547A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP27467286A patent/JPS63127575A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200547A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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| US6346728B1 (en) | 1998-02-16 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Plural transistor device with multi-finger structure |
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| WO1999052129A3 (en) * | 1998-04-03 | 2000-04-27 | Ericsson Inc | Resistive interconnect of transistor cells |
| US6255679B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Field effect transistor which can operate stably in millimeter wave band |
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| US6674108B2 (en) | 2000-12-20 | 2004-01-06 | Honeywell International Inc. | Gate length control for semiconductor chip design |
| US6939758B2 (en) | 2000-12-20 | 2005-09-06 | Honeywell International Inc. | Gate length control for semiconductor chip design |
| US7030698B2 (en) | 2003-05-08 | 2006-04-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-frequency power amplifier |
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