JPH06140437A - 電界効果型トランジスタ - Google Patents

電界効果型トランジスタ

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JPH06140437A
JPH06140437A JP28821992A JP28821992A JPH06140437A JP H06140437 A JPH06140437 A JP H06140437A JP 28821992 A JP28821992 A JP 28821992A JP 28821992 A JP28821992 A JP 28821992A JP H06140437 A JPH06140437 A JP H06140437A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
gate
bus bar
gate electrode
effect transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP28821992A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunao Tokunaga
一直 徳永
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 横方向へのペレットサイズの大型化や、ゲー
ト抵抗の増大なしにゲート電極幅を長化し、高出力のＦ
ＥＴを得る。 【構成】 ゲートバスバー電極３より双方向に引き出し
たゲート電極４とする。（骨型）

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電界効果型トランジスタ
（以下ＦＥＴと略す）に関し、特に高出力ＦＥＴのゲー
ト電極の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高出力ＦＥＴのゲート電極１は図
２に示す平面図のゲート電極パット２に連なるゲートバ
スバー電極３より活性層領域１内にのびる櫛型の形状と
なっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、高出力ＦＥ
Ｔは大電流を処理するためゲート電極幅を長くする必要
がある。従来の櫛型ゲート電極構造においては、ゲート
電極幅を長くする手段として ゲート電極の本数を増やす。
【０００４】１本当たりのゲート電極の幅を長する。 が図れるが、各々の問題点として、に関し、横方向の
ペレットサイズが大きくなり、パッケージへの実施やマ
イクロ波帯以上の周波数における合成効率の低下。
【０００５】に関し、ゲート抵抗増大による利得低
下。があり、ゲート電極幅の長化、即ちＦＥＴの高出力
化のネックとなっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のＦＥＴのゲート
電極は骨型とする。即ち、図−１に示すようにバスバー
電極−３から双方向に出す。
【０００７】
【作用】前述したように、ゲート電極の構造を骨型とす
ると横方向へのペレットサイズ大型化やゲート抵抗の増
大なしにゲート電極幅を長化できる。
【０００８】
【実施例】図−１は本発明の一実施例の平面図である。
破線の内側は活性層１であり、ゲートバスバー電極３を
はさみ、双方に配置する。ゲートパッド電極２よりペレ
ットに供給された入力信号はゲートバスバー電極３を伝
って、ゲート電極４へ伝わる。ここで、ゲートバスバー
電極３とゲート電極４との分岐部５において、ゲート電
極４は双方向に伸びている。ドレイン電流は、ソースパ
ット電極６より、ソース電極７を介して活性層１を流
れ、ドレイン電極９を介してドレインパッド電極８へ流
れる。
【０００９】
【発明の効果】本発明はＦＥＴのゲート電極の構造を骨
型にすることにより、横方向へのペレットサイズの大型
化やゲート抵抗の増大なしにゲート電極幅を長化し高出
力を達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の平面図
【図２】 従来の高出力ＦＥＴの平面図
【符号の説明】
１ 活性層 ２ ゲートパッド電極 ３ ゲートバスバー電極 ４ ゲート電極 ５ ゲートバスバー電極とゲート電極の分岐部 ６ ソースパッド電極 ７ ソース電極 ８ ドレインパッド電極 ９ ドレイン電極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ゲートバスバー電極より相異なる２つの方
    向にゲート電極が複数組引き出されていることを特徴と
    する電界効果型トランジスタ。
  2. 【請求項２】ゲートバスバー電極と、その両側に配置し
    た活性層領域と、 前記ゲートバスバー電極より双方向に分岐するゲート電
    極とを具備することを特徴とする電界効果型トランジス
    タ。
  3. 【請求項３】前記双方向に分岐するゲート電極の分岐点
    を同じとし、かつ分岐を複数組有する骨型ゲートとした
    請求項２の電界効果型トランジスタ。
JP28821992A 1992-10-27 1992-10-27 電界効果型トランジスタ Pending JPH06140437A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6900482B2 (en) 2001-03-30 2005-05-31 Fujitsu Quantum Devices Limited Semiconductor device having divided active regions with comb-teeth electrodes thereon
KR100788373B1 (ko) * 2006-08-22 2008-01-02 동부일렉트로닉스 주식회사 실리사이드 모니터링 패턴을 갖는 반도체 소자
EP2053660A1 (en) 2007-10-26 2009-04-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
EP3903348A4 (en) * 2018-12-27 2022-08-10 Micron Technology, Inc. APPLIANCE WITH A CURRENT GATHERING ARRANGEMENT

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