JPH03270023A - 電界効果トランジスタ - Google Patents

電界効果トランジスタ

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Publication number
JPH03270023A
JPH03270023A JP7011990A JP7011990A JPH03270023A JP H03270023 A JPH03270023 A JP H03270023A JP 7011990 A JP7011990 A JP 7011990A JP 7011990 A JP7011990 A JP 7011990A JP H03270023 A JPH03270023 A JP H03270023A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
width
comb
shape
source electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP7011990A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Wasa
憲治 和佐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上のｆ１１用分！′Ｆ１ 本発明はマイクロ波帯電界効果トランジスタに関し、特
にクシ形電極構造の高出力電界効果トランジスタに関す
る。
［従来の技術］ 従来、マイクロ波帯の高出力半導体装置には１通常、ガ
リウム砒素電界効果トランジスタが用いられ、第２図に
示すように、クシ形電極構造の基本トランジスタを並列
接続した多セル構成により高出力動作が行われている。
〔発明が解決しようとする課題１ しかしながら、上述した従来のクシ形電極構造の高出力
電界効果トランジスタは、第２図が示す如く、活性層４
上に交互にクシ形配列されるドレイン電極ｌおよびソー
ス電極２がそれぞれ幅員ａの矩形形状に形成されるので
、ゲート電極３の配列を含めたクシ形電極全体の幅員を
従らに大きくする欠点がある。すなわち、それぞれの電
極の幅員ａは信頼性上所要の電流密度を確保する必要が
あり、成る値以下に狭めることは出来ないので、ゲート
電極数をｎ個とした場合、クシ形電極全体ではｉｎ＋１
１ａの幅員が必要となる。従って、チップの大きさは、
このクシ形電極全体がもつ長い幅員に影響され大型化す
るという欠点を６つ。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、クシ形電極全体の
幅員を従らに長大化する従来のソース、ドレイン電極の
形状的欠点を解決したマイクロ波帯電界効果トランジス
タを提供することである。
［課題を解決するための手段］ 本発明によれば、マイクロ波帯電界効果トランジスタは
、トレイン電極、ソース電極およびゲート電極をそれぞ
れクシ形構造に配列する多セル構成の電界効果トランジ
スタにおいて、前記ドレイン電極およびソース電極を活
性層上で先端部幅を根元幅より狭めるテーパ形状とする
ことを含んで構成される。
１　　作　　用　　］ 本発明によれば、活性層上のソース、ドレイン電極がそ
れぞれ先細りのテーパ形状とされるので、クシ形電極全
体の電極幅は信頼性を損なうことなく縮小される。
［実施例］ 次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すクシ形電極構造の電界
効果トランジスタの平面図である。
本実施例はゲート電極３の個数が６個の場合を示したも
ので、クシＨＥ電極は、先端部幅すを根元幅ａよりそれ
ぞれ挟めたテーパ形状とされ、活性領域４上に交互にク
シ形配列されたドレイン電極１およびソース電極２と、
このテーパ形状のソース、トレイン電極のクシ歯形電極
に沿って配列されるゲート電極３とから構成される。こ
の際、ドレイン電極１およびソース電極２の根元幅ａは
それぞれ信頼性を確保するに必要な電流密度を考慮して
所定の大きさに設定される。クシ形電極の形状が本実旅
例の如く設定された場合には、クシ形電極全体の電極幅
はとができる。従って、チップの大きさもこの縮小幅だ
け縮小される。
［発明の効果１ 以上詳細に説明したように、本発明によれば、活性層上
のソースおよびドレイン電極をそれぞれテーパ形状とす
ることにより、信頼性上必要な電流密度条件を保持した
まま、そのチップ上に占める電極幅を従来の形状の６の
より縮小することができるので、チップサイズの縮小化
に効果をあげることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すクシ形電極構造電界効
果トランジスタの平面図、第２図は従来のクシ形電極構
造電界効果トランジスタの平面図である。 ｌ・・・ドレイン電極、 ２・・・ソース電極、 ３・・・ゲート電極、 ４・・・活性層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　ドレイン電極、ソース電極およびゲート電極をそれぞ
    れクシ形構造に配列する多セル構成の電界効果トランジ
    スタにおいて、前記ドレイン電極およびソース電極を活
    性層上で先端部幅を根元幅より狭めるテーパ形状とする
    ことを特徴とする電界効果トランジスタ。
JP7011990A 1990-03-19 1990-03-19 電界効果トランジスタ Pending JPH03270023A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191052A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2007273918A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Eudyna Devices Inc 半導体装置およびその製造方法
JP2009528705A (ja) * 2006-03-02 2009-08-06 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 金属エレクトロマイグレーション設計を有するｒｆパワートランジスタデバイス、及びその製造方法
JP2009212460A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置

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