JPS61161766A - 縦型ｍｏｓｆｅｔ - Google Patents

縦型ｍｏｓｆｅｔ

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Publication number
JPS61161766A
JPS61161766A JP60002892A JP289285A JPS61161766A JP S61161766 A JPS61161766 A JP S61161766A JP 60002892 A JP60002892 A JP 60002892A JP 289285 A JP289285 A JP 289285A JP S61161766 A JPS61161766 A JP S61161766A
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JP
Japan
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gate
region
gate region
groove
resistance
Prior art date
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Pending
Application number
JP60002892A
Other languages
English (en)
Inventor
Hironori Nagasaki
博記 長崎
Daisuke Ueda
大助 上田
Hiromitsu Takagi
弘光 高木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP60002892A priority Critical patent/JPS61161766A/ja
Publication of JPS61161766A publication Critical patent/JPS61161766A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電源回路等に用いることができる縦型ＭＯ３Ｆ
ＥＴに関するものである。
従来の技術 近年、縦型ＭＯ３ＦＥＴは、スイッチングレギュレータ
やＤＣ−ＤＣコンバータ等の多くの分野で、その高速性
のことや、入力インピーダンスが高いこと、熱的に安定
であること等の多くの特徴が注目され、広く使用されて
いる。
以下１図面を参照しながら、従来の縦型ＭＯ５ＦＥＴに
ついて説明する。第３図は従来の縦型ＭＯ８ＦＥＴの斜
視図を示す。第１図において、（１）はソース・ドレイ
ン電圧を支えるｎ−バッファ一層である。（２）はｐ型
バックゲート領域で、チャンネルが形成される。（３）
は表面に形成されたソース領域である。（４）はゲート
酸化膜、（５）はゲート領域、（６）は裏面に形成され
たドレイン領域である。
このように構成された縦型ＭＯ５ＦＥＴについて、以下
その動作を説明する。まず、ゲート領域（５）に正の電
圧を加えると、ｐ型バックゲート領域（２）の表面にｎ
型反転層を生じ、電子はソース領域（３）より側壁のチ
ャンネルを通して下部のドレイン領域（６）に流れる。
この時の電流の大きさは、ゲート領域（３）全体の長さ
くゲート幅と呼ばれている）によって決定される６ 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では、ゲート領域の溝
は直線的に決定されるので、デザインルールを決めると
自動的にゲート幅の大きさの上限が決まってしまう。従
って電流をあまり流せないという欠点を有していた。言
いかえると１例えば電力用ＭＯ８ＦＩＥＴのオン状態で
の抵抗値ＲＯ？ｌが大きくなるという欠点を有している
。
本発明は上記欠点に鑑み、ゲート領域のゲート幅を長く
することにより、抵抗値Ｒ０９を低減する縦型ＭＯ３Ｆ
ＥＴを提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明の縦型ＭＯ８ＦＥＴ
は、半導体基板上のゲート領域に、この基板表面を横切
る方向に形成される溝が直線にならない凹凸状になされ
たものである。
作用 この構成により、ゲート幅を大きく取ることができ、チ
ャンネル抵抗を小さくでき、オン抵抗を小さくすること
ができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第１図は本発明の一実施例における縦型ＭＯ８ＦＥＴの
斜視図である。第１図において、（１）はｎ−バッファ
一層、（２）はバックゲート領域、（３）は表面に形成
されたソース領域、（４）はゲート酸化膜、（６）は裏
面に形成されたドレイン領域であり、第１図のものと同
じである。（１５）はソース領域（３）の上に形成され
たゲート領域で、その溝は波状に形成されて長さを大き
くしている。
このように構成された縦型ＭＯ３ＦＥＴの製作方法を以
下に説明する。第２図（ａ）のように表面に形成された
ソース領域（３）上に溝を形成するためのマスク（１７
）を合わせ、第２図（ｂ）のようにエツチングにより溝
を形成する。次に、第２図（ｃ）のようにゲート酸化膜
（４）を成長させ、ゲート領域（１５）となる波状の電
極を第２図（ｄ）のように取り付けることによりバック
ゲート領域（２）とでチャンネルを形成する。
以上のように本実施例によれば、ゲート領域に波状の溝
を有せしめることでゲート溝を大きくとることができ、
オン抵抗を低減させることができる。
なお、本実施例では、溝の形状を波状としたが、この形
状は波状に限られるものではなく、直線でない凹凸状の
ものであれば何でもよい。例えば鋸歯状の溝を用いるこ
とができる。
発明の効果 以上のように本発明は、半導体基板上のゲート領域に形
成され溝を直線でない凹凸状にしたので、ゲート幅を大
きくとれ、その結果オン抵抗を小さくすることができ、
その実用的効果は大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における縦型ＭＯ８ＦＥＴの
斜視図、第２図は本発明の一実施例における縦型ＭＯ５
ＦＥＴの製造工程図、第３図は従来の縦型ＭＯ３ＦＥＴ
の斜視図である。 （１）・・ｎ−バッファ一層、（２）・・・バックゲー
ト領域、（３）・・・　ソース領域、（４）・・・ゲー
ト酸化膜、（６）・・・　トレイン領域、（１５）・・
・ゲート領域代理人　　　森　　本　　義　　仏 師１図 第３図 第２図 Ｉり

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体基板上のゲート領域に、この基板表面を横切
    る方向に形成される溝が凹凸状であることを特徴とする
    縦型ＭＯＳＦＥＴ。
JP60002892A 1985-01-10 1985-01-10 縦型ｍｏｓｆｅｔ Pending JPS61161766A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60002892A JPS61161766A (ja) 1985-01-10 1985-01-10 縦型ｍｏｓｆｅｔ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60002892A JPS61161766A (ja) 1985-01-10 1985-01-10 縦型ｍｏｓｆｅｔ

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Publication Number Publication Date
JPS61161766A true JPS61161766A (ja) 1986-07-22

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ID=11542007

Family Applications (1)

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JP60002892A Pending JPS61161766A (ja) 1985-01-10 1985-01-10 縦型ｍｏｓｆｅｔ

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JP (1) JPS61161766A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02100368A (ja) * 1988-10-06 1990-04-12 Fuji Electric Co Ltd 縦型絶縁ゲート型トランジスタ
US5034785A (en) * 1986-03-24 1991-07-23 Siliconix Incorporated Planar vertical channel DMOS structure
JP2000323712A (ja) * 1999-04-30 2000-11-24 Intersil Corp 増加したチャネル幅を有するパワーｍｏｓ装置及びその製造方法
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US7897461B2 (en) 2007-09-21 2011-03-01 Panasonic Corporation Semiconductor device and method for fabricating the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57124469A (en) * 1980-12-10 1982-08-03 Philips Nv High voltage semiconductor device

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