JPS62293781A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS62293781A JPS62293781A JP13881886A JP13881886A JPS62293781A JP S62293781 A JPS62293781 A JP S62293781A JP 13881886 A JP13881886 A JP 13881886A JP 13881886 A JP13881886 A JP 13881886A JP S62293781 A JPS62293781 A JP S62293781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- gate
- stripe
- effect transistor
- central part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は電界効果トランジスタに関し、特に、高周波高
出力用電界効果トランジスタに関する。
出力用電界効果トランジスタに関する。
従来、高周波高出力用電界効果トランジスタは、同一チ
ップ平面上に各々複数個のソース、トレイン、ゲートの
ストライプフィンガーが互いに交互に配置され、チップ
全体に亘ってその繰返し周期は一定であった。
ップ平面上に各々複数個のソース、トレイン、ゲートの
ストライプフィンガーが互いに交互に配置され、チップ
全体に亘ってその繰返し周期は一定であった。
第２図は従来の電界効果トランジスタの一例の平面図で
ある。
ある。
電界効果トランジスタは複数個のソース・ドレイン領域
を有し、トレインストライプフィンガー４′とソースス
トライプフィンガー５′とが交互に配置され、ソースス
トライプフィンガー５′とドレインストライプフィンガ
ー４′との間にゲートストライプフィンガー６′がゲー
ト絶縁膜を介して配置される。ゲートストライプフィン
ガー６′の間隔Ａ′は一定である。ソース、トレインの
ストライプフィンガー５’ 、４′についても同様であ
る。複数個のソース、ドレイン、ゲー１〜の各ストライ
プフィンガーはソースボンディングバラド２′、トレイ
ンポンデイングパツド１′、ゲートポンディングパッド
３に並列に接続される。
を有し、トレインストライプフィンガー４′とソースス
トライプフィンガー５′とが交互に配置され、ソースス
トライプフィンガー５′とドレインストライプフィンガ
ー４′との間にゲートストライプフィンガー６′がゲー
ト絶縁膜を介して配置される。ゲートストライプフィン
ガー６′の間隔Ａ′は一定である。ソース、トレインの
ストライプフィンガー５’ 、４′についても同様であ
る。複数個のソース、ドレイン、ゲー１〜の各ストライ
プフィンガーはソースボンディングバラド２′、トレイ
ンポンデイングパツド１′、ゲートポンディングパッド
３に並列に接続される。
上述したように、ゲートストライプフィンガー間隔がチ
ップ全体に亘って一定であるような従来構造においては
、電界効果トランジスタが高周波高出力動作をしている
際、各チャネルで発生する熱は、チップの中央部の方が
チップの両端部よりも多く重なり合う為、どうしてもチ
ップの中央部のチャネル温度の方がチップの両端部のそ
れよりも高くなり、チップ全体としてチャネル温度が均
一でなくなり、高出力化の実現にとって不可欠な要素で
あるチップ全体の均一動作ができなくなるという欠点が
あった。チャネル温度が上昇すると、電子移動度の低下
による相互コンダクタンスｇｍの低下及び直列寄生抵抗
Ｒｓ 、 Ｒｏの増大を引起し、素子特性の劣化をもた
らす、さらに、ショットキーゲート、オーミックコンタ
クトの劣化を加速させ、素子の信頼性、寿命の点からも
問題がある。
ップ全体に亘って一定であるような従来構造においては
、電界効果トランジスタが高周波高出力動作をしている
際、各チャネルで発生する熱は、チップの中央部の方が
チップの両端部よりも多く重なり合う為、どうしてもチ
ップの中央部のチャネル温度の方がチップの両端部のそ
れよりも高くなり、チップ全体としてチャネル温度が均
一でなくなり、高出力化の実現にとって不可欠な要素で
あるチップ全体の均一動作ができなくなるという欠点が
あった。チャネル温度が上昇すると、電子移動度の低下
による相互コンダクタンスｇｍの低下及び直列寄生抵抗
Ｒｓ 、 Ｒｏの増大を引起し、素子特性の劣化をもた
らす、さらに、ショットキーゲート、オーミックコンタ
クトの劣化を加速させ、素子の信頼性、寿命の点からも
問題がある。
本発明の目的は、チャネル温度を均一にし、特性の劣化
を防ぎ、信頼性と寿命を改善した電界効果トランジスタ
を提供することにある。
を防ぎ、信頼性と寿命を改善した電界効果トランジスタ
を提供することにある。
本発明の電界効果トランジスタは、半導体チップに複数
個のソース領域及びドレイン領域が交互に配置され前記
ソース領域とトレイン領域との間に絶縁膜を介してゲー
ト領域が配置され、前記ソース、ドレイン、ゲートの各
領域に設けられたストライプ形の電極がそれぞれ並列接
続されて成る電界効果トランジスタにおいて、前記ゲー
ト領域上のストライプ状電極の間隔が前記半導体チップ
の中央部と両端部近傍とにおいて異なるように配置して
成る。
個のソース領域及びドレイン領域が交互に配置され前記
ソース領域とトレイン領域との間に絶縁膜を介してゲー
ト領域が配置され、前記ソース、ドレイン、ゲートの各
領域に設けられたストライプ形の電極がそれぞれ並列接
続されて成る電界効果トランジスタにおいて、前記ゲー
ト領域上のストライプ状電極の間隔が前記半導体チップ
の中央部と両端部近傍とにおいて異なるように配置して
成る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。
この実施例の電界効果トランジスタは、複数個のドレイ
ン、ソース領域を有し、それらのドレインストライプフ
ィンガー４と４本のソースストライプフィンガー５とが
交互に配置され、その間にゲートストライプフィンガー
６が配置される。そして、各フィンガーは、トレインポ
ンディングパッド１．ソースポンディングパッド２．ゲ
ートポンディングパッド３にそれぞれ並列接続される。
ン、ソース領域を有し、それらのドレインストライプフ
ィンガー４と４本のソースストライプフィンガー５とが
交互に配置され、その間にゲートストライプフィンガー
６が配置される。そして、各フィンガーは、トレインポ
ンディングパッド１．ソースポンディングパッド２．ゲ
ートポンディングパッド３にそれぞれ並列接続される。
本発明では、ゲートストライプフィンガー６の間隔は、
チップの中央部の間隔Ａがチップの両端部の間隔Ｂに比
較して大きくなるように設定する。
チップの中央部の間隔Ａがチップの両端部の間隔Ｂに比
較して大きくなるように設定する。
これによって、第２図の従来構造では避けることができ
ないチャネル部での熱の重なりの影響を緩和し、チップ
内のチャネル温度が均一になるとともにチャネル温度自
体も低くなり、高周波動作及び信頼度の改善が図れる。
ないチャネル部での熱の重なりの影響を緩和し、チップ
内のチャネル温度が均一になるとともにチャネル温度自
体も低くなり、高周波動作及び信頼度の改善が図れる。
以上説明したように、本発明は、ゲートストライプフィ
ンガー間隔を、チップの中央部の方がチップの両端部よ
りも少し広く設定することによってチャネル部での発熱
の重なりをチップの中央部において緩和するようにした
ので、即ち、中央部の実効的チップの熱抵抗を低減する
ようにしたので、電界効果トランジスタが高周波高出力
動作をする際に、チップのチャネル温度の均−化及び低
減化が図れ、より高出力化を実現し、信頼度を向上させ
るという効果がある。
ンガー間隔を、チップの中央部の方がチップの両端部よ
りも少し広く設定することによってチャネル部での発熱
の重なりをチップの中央部において緩和するようにした
ので、即ち、中央部の実効的チップの熱抵抗を低減する
ようにしたので、電界効果トランジスタが高周波高出力
動作をする際に、チップのチャネル温度の均−化及び低
減化が図れ、より高出力化を実現し、信頼度を向上させ
るという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は従来の電
界効果トランジスタの一例の平面図である。 １．１′・・・トレインポンディングパッド、２゜２′
・・・ソースボンディングバード、３．３′・・・ゲー
トポンディングパッド、４．４′・・・ドレインストラ
イプフィンガー、５．５′・・・ソースストライプフィ
ンガー、６．６′・・・ゲートストライプフィンガー、
７，７′・・・ゲートバス電極。
界効果トランジスタの一例の平面図である。 １．１′・・・トレインポンディングパッド、２゜２′
・・・ソースボンディングバード、３．３′・・・ゲー
トポンディングパッド、４．４′・・・ドレインストラ
イプフィンガー、５．５′・・・ソースストライプフィ
ンガー、６．６′・・・ゲートストライプフィンガー、
７，７′・・・ゲートバス電極。
Claims (1)
- 半導体チップに複数個のソース領域及びドレイン領域が
交互に配置され前記ソース領域とドレイン領域との間に
絶縁膜を介してゲート領域が配置され、前記ソース、ド
レイン、ゲートの各領域に設けられたストライプ形の電
極がそれぞれ並列接続されて成る電界効果トランジスタ
において、前記ゲート領域上のストライプ状電極の間隔
が前記半導体チップの中央部と両端部近傍とにおいて異
なっていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13881886A JPS62293781A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13881886A JPS62293781A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293781A true JPS62293781A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15230947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13881886A Pending JPS62293781A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293781A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005509295A (ja) * | 2001-11-02 | 2005-04-07 | ノースロップ グラマン コーポレーション | 熱均衡パワートランジスタ |
| US8796697B2 (en) | 2012-07-11 | 2014-08-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device including transistor chips having oblique gate electrode fingers |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP13881886A patent/JPS62293781A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005509295A (ja) * | 2001-11-02 | 2005-04-07 | ノースロップ グラマン コーポレーション | 熱均衡パワートランジスタ |
| US8796697B2 (en) | 2012-07-11 | 2014-08-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device including transistor chips having oblique gate electrode fingers |
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