JP2010034125A - レーザトリミング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザトリミングにより抵抗体の抵抗値を調整する際の精度を高めることが可能なレーザトリミング方法を低コストに提供する。
【解決手段】第１の場合（抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整する以前の初期状態における定電圧ＶＯＭの初期値が狙い値よりも小さい場合）には、抵抗体Ｒｂだけをレーザトリミングして抵抗体Ｒｂだけの抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値より大きくなった時点で抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了し、抵抗体Ｒａはレーザトリミングしない。第２の場合（定電圧ＶＯＭの初期値が狙い値よりも大きい場合）には、まず、抵抗体Ｒａをレーザトリミングして抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値より小さくなった時点で抵抗体Ｒａのレーザトリミングを完了し、次に、抵抗体Ｒｂをレーザトリミングして抵抗体Ｒｂの抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値より大きくなった時点で抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了する。
【選択図】 図８

Description

本発明はレーザトリミング方法に係り、詳しくは、抵抗体の抵抗値を調整するためのレーザトリミング方法に関するものである。

従来より、薄膜・厚膜の抵抗体の抵抗値を調整するため、レーザ光を抵抗体の表面に照射して抵抗体に切れ込んだ溝（カーフ）を形成し、その溝により抵抗体の抵抗値を増大させるレーザトリミング方法が広く使用されている（例えば、特許文献１，２参照）。
特開２００７−２７１９２号公報（第２〜９頁、図１，図２） 特開２００７−２７６６２号公報（第２〜９頁、図２，図３）

図８は、定電圧生成回路１０の回路図である。
定電圧生成回路１０は、抵抗分圧回路１１、オペアンプＯＰ、抵抗Ｒ１，Ｒ２、出力端子ＶＯＭから構成され、直流電源ＶＢＧから直流電圧ＶＢＧが供給され、その直流電圧ＶＢＧから定電圧ＶＯＭを生成して出力端子ＶＯＭから出力する。
尚、直流電源ＶＢＧと直流電圧ＶＢＧ、出力端子ＶＯＭと定電圧ＶＯＭはそれぞれ、説明を分かり易くするため符号を同じにしてある。

抵抗分圧回路１１は、直流電源ＶＢＧとアースの間に直列接続された薄膜または厚膜のレーザトリミング用抵抗体Ｒａ，Ｒｂから構成され、直流電源ＶＢＧの直流電圧ＶＢＧを各抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値比で分圧した分圧電圧Ｖｔを生成する。
そのため、分圧電圧Ｖｔは、直流電圧ＶＢＧと、各抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値Ｒａ，Ｒｂにより、数式１によって表される。
尚、各抵抗Ｒａ，Ｒｂとその抵抗値Ｒａ，Ｒｂは、説明を分かり易くするため符号を同じにしてある。

Ｖｔ＝Ｒｂ／（Ｒａ＋Ｒｂ）×ＶＢＧ ………（数式１）

オペアンプＯＰの非反転入力端子には分圧電圧Ｖｔが入力されている。オペアンプＯＰの反転入力端子は、抵抗Ｒ２を介してアースに接続されると共に、抵抗Ｒ１を介してオペアンプＯＰの出力端子に接続され、オペアンプＯＰの出力端子は出力端子ＶＯＭに接続されている。
そのため、オペアンプＯＰおよび各抵抗Ｒ１，Ｒ２は負帰還増幅回路１２を構成し、定電圧ＶＯＭは、分圧電圧Ｖｔと、各抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値Ｒ１，Ｒ２とにより、数式２によって表される。
尚、各抵抗Ｒ１，Ｒ２とその抵抗値Ｒ１，Ｒ２は、説明を分かり易くするため符号を同じにしてある。

ＶＯＭ＝（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２×Ｖｔ ………（数式２）

例えば、Ｖｔ＝１．０Ｖ、ＶＯＭ＝５Ｖの場合には、負帰還増幅回路１２の増幅度が５倍になるため、その増幅度が得られるように各抵抗値Ｒ１，Ｒ２を設定すればよい。

ここで、直流電圧ＶＢＧおよび各抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が設定値からズレている場合には、定電圧ＶＯＭもズレてしまうことになるため、抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整することにより分圧電圧Ｖｔを調整し、定電圧ＶＯＭを設定電圧値（所望の電圧値）に近づける必要がある。
このとき、抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整するには、レーザ光を抵抗体Ｒａ，Ｒｂの表面に照射して抵抗体に切れ込んだ溝（カーフ）を形成し、その溝により抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を増大させるレーザトリミング方法が用いられる。

ところで、レーザトリミング方法を用いて抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整する以前の初期状態における定電圧ＶＯＭの電圧値（以下、「初期値」と呼ぶ）と、定電圧ＶＯＭの設定電圧値（以下、「狙い値」と呼ぶ）とを比較したとき、初期値が狙い値よりも小さい場合（以下、「第１の場合」と呼ぶ）と、初期値が狙い値よりも大きい場合（以下、「第２の場合」と呼ぶ）とがある。

尚、直流電圧ＶＢＧ＝１．２Ｖ、分圧電圧Ｖｔ＝１．０Ｖに設定されており、直流電圧ＶＢＧの１／２の電圧値より分圧電圧Ｖｔが高く設定されている（ＶＢＧ／２＜Ｖｔ）。
そのため、レーザトリミング方法を用いて抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整する以前の初期状態において、抵抗値Ｒｂは抵抗値Ｒａより大きく設定されている（Ｒｂ＞Ｒａ）。

［第１の場合のレーザトリミング方法］
図９は、従来技術のレーザトリミング方法における第１の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも小さい場合）を説明するための説明図である。

従来技術の第１の場合では、抵抗体Ｒｂの抵抗値だけを調整するため、レーザ光を抵抗体Ｒｂにだけ照射して溝を形成し、抵抗体Ｒｂの抵抗値だけを増大させる。
このとき、１回のレーザ光の照射により、抵抗体Ｒｂの抵抗値は一定値だけ増大するため、前記数式１，２から明らかなように、定電圧ＶＯＭも一定電圧値Ｖｘだけ増大する。

抵抗体Ｒｂの抵抗値を調整する以前の初期状態における定電圧ＶＯＭの電圧値である初期値Ｖｐは、定電圧ＶＯＭの設定電圧値である狙い値Ｖａよりも小さくなっている（図９（Ａ））。

そこで、１回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒｂに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは初期値Ｖｐから一定電圧値Ｖｘだけ増大している（図９（Ｂ））。

続いて、２回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒｂに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは初期値Ｖｐから一定電圧値Ｖｘの２倍分だけ増大している（図９（Ｃ））。

そして、ｍ回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒｂに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは初期値Ｖｐから一定電圧値Ｖｘのｍ倍分だけ増大しているが、このときの定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより大きいならば、抵抗体Ｒｂへのレーザ光の照射を終了する（図９（Ｄ））。

このように、従来技術の第１の場合では、レーザ光を照射する度に抵抗体Ｒｂの抵抗値を一定値分ずつ増大させることにより定電圧ＶＯＭを一定電圧値Ｖｘ分ずつ増大させる操作を繰り返し行い、抵抗体Ｒｂにレーザ光を照射する度に定電圧ＶＯＭを計測し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより大きく（ＶＯＭ＞Ｖａ）なった時点で（図９（Ｄ））、抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了している。

図１０は、従来技術において、抵抗体Ｒａ，Ｒｂのレーザトリミングの完了後における定電圧ＶＯＭのバラツキの分布を示す説明図である。
従来技術の第１の場合では、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより大きくなった時点で抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了するため、定電圧ＶＯＭは狙い値Ｖａより大きい範囲に分布することになる。
尚、従来技術の第１の場合において、定電圧ＶＯＭの分布状況および抵抗体Ｒｂにレーザ光を照射する回数ｍは、定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐと、１回のレーザ光の照射によって増大する一定電圧値Ｖｘとによって決定される。

［第２の場合のレーザトリミング方法］
図１１は、従来技術のレーザトリミング方法における第２の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも大きい場合）を説明するための説明図である。

従来技術の第２の場合では、抵抗体Ｒａの抵抗値だけを調整するため、レーザ光を抵抗体Ｒａにだけ照射して溝を形成し、抵抗体Ｒａの抵抗値だけを増大させる。
このとき、１回のレーザ光の照射により、抵抗体Ｒａの抵抗値は一定値だけ増大するため、前記数式１，２から明らかなように、定電圧ＶＯＭも一定電圧値Ｖｙだけ減少する。

抵抗体Ｒａの抵抗値を調整する以前の初期状態における定電圧ＶＯＭの電圧値である初期値Ｖｐは、定電圧ＶＯＭの設定電圧値である狙い値Ｖａよりも大きくなっている（図１１（Ａ））。

そこで、１回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒａに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは初期値Ｖｐから一定電圧値Ｖｙだけ減少している（図１１（Ｂ））。

続いて、２回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒａに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは初期値Ｖｐから一定電圧値Ｖｙの２倍分だけ減少している（図１１（Ｃ））。

そして、ｍ回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒａに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは初期値Ｖｐから一定電圧値Ｖｙのｍ倍分だけ減少しているが、このときの定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さいならば、抵抗体Ｒａへのレーザ光の照射を終了する（図１１（Ｄ））。

このように、従来技術の第２の場合では、レーザ光を照射する度に抵抗体Ｒａの抵抗値を一定値分ずつ増大させることにより定電圧ＶＯＭを一定電圧値Ｖｙ分ずつ減少させる操作を繰り返し行い、抵抗体Ｒａにレーザ光を照射する度に定電圧ＶＯＭを計測し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さく（ＶＯＭ＜Ｖａ）なった時点で（図１１（Ｄ））、抵抗体Ｒａのレーザトリミングを完了している。

図１０に示すように、従来技術の第２の場合では、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さくなった時点で抵抗体Ｒａのレーザトリミングを完了するため、定電圧ＶＯＭは狙い値Ｖａより小さい範囲に分布することになる。
尚、従来技術の第２の場合において、定電圧ＶＯＭの分布状況および抵抗体Ｒａにレーザ光を照射する回数ｍは、定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐと、１回のレーザ光の照射によって減少する一定電圧値Ｖｙとによって決定される。

ところで、図１０に示すように、従来技術の第１の場合の定電圧ＶＯＭの分布は、従来技術の第２の場合の定電圧ＶＯＭの分布よりも狭い範囲になっている。
この理由は、図９および図１１に示す例では、直流電圧ＶＢＧの１／２の電圧値より分圧電圧Ｖｔが高く設定されているため、従来技術の第１の場合にて１回のレーザ光の照射によって変化する一定電圧値Ｖｘが、従来技術の第２の場合にて１回のレーザ光の照射によって変化する一定電圧値Ｖｙよりも小さいからである。

このように、従来技術のレーザトリミング方法では、第１の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも小さい場合）には抵抗体Ｒｂだけをレーザトリミングして抵抗体Ｒｂの抵抗値だけを調整し、第２の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも大きい場合）には抵抗体Ｒａだけをレーザトリミングして抵抗体Ｒａの抵抗値だけを調整している。

その結果、従来技術のレーザトリミング方法では、図１０に示すように、第１の場合には定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより大きい範囲に分布し、第２の場合には定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さい範囲に分布し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａを挟んで大小両側に分布するため、定電圧ＶＯＭのバラツキ幅が大きいという問題があった。
そのため、図８に示す例では、定電圧ＶＯＭを狙い値Ｖａに近づけて高精度化を図ることが要求されている。

ところで、図８に示す例は、定電圧生成回路１０の定電圧ＶＯＭを狙い値Ｖａに設定する際に、抵抗分圧回路１１を構成する各抵抗体Ｒａ，Ｒｂをレーザトリミングして抵抗値を調整することにより、直流電源ＶＢＧの直流電圧ＶＢＧを各抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値比で分圧した分圧電圧Ｖｔを調整している。
そのため、図８に示す例では、分圧電圧Ｖｔのバラツキ幅を小さくするために、分圧電圧Ｖｔを狙い値に近づけて高精度化を図ることが要求されている。

そして、例えば、発振回路の発振周波数を設定周波数（狙い値）に設定する際に、発振周波数を調整するための抵抗分圧回路１１を構成する各抵抗体Ｒａ，Ｒｂをレーザトリミングして抵抗値を調整する場合には、発振周波数のバラツキ幅を小さくするために、発振周波数を狙い値に近づけて高精度化を図ることが要求されている。

また、オペアンプのオフセット電圧をゼロ（狙い値）に設定する際に、オフセット電圧を調整するための各抵抗体Ｒａ，Ｒｂをレーザトリミングして抵抗値を調整する場合には、オフセット電圧のバラツキ幅を小さくするために、オフセット電圧を狙い値に近づけてオペアンプの高精度化を図ることが要求されている。

本発明は上記要求を満足させるためになされたものであって、その目的は、抵抗体の抵抗値を調整することにより出力信号を調整して狙い値に近づける回路にて、抵抗体をレーザトリミングすることにより当該抵抗体の抵抗値を増大させるレーザトリミング方法において、出力信号のバラツキ幅を小さくし、出力信号を狙い値に近づけて高精度化を図ることが可能なレーザトリミング方法を提供することにある。

請求項１に記載の発明は、
第１抵抗体（ＲａまたはＲｂ）の抵抗値または第２抵抗体（ＲｂまたはＲａ）の抵抗値を調整することにより出力信号（Ｖｔ，ＶＯＭ，ＣＬＫ，ＯＵＴ）を調整して狙い値（Ｖａ）に近づける回路（１１，１０，２０，３０）にて、前記各抵抗体をレーザトリミングすることにより当該抵抗体の抵抗値を増大させるレーザトリミング方法であって、
第１抵抗体への１回のレーザ光の照射による前記出力信号の変化量（ＶｙまたはＶｘ）は、第２抵抗体への１回のレーザ光の照射による前記出力信号の変化量（ＶｘまたはＶｙ）よりも大きく設定されていることと、
前記各抵抗体の抵抗値を調整する以前の初期状態における出力信号の初期値（Ｖｐ）が狙い値（Ｖａ）に対して第１の側（第１の場合または第２の場合）にある場合には、第１抵抗体をレーザトリミングせず、第２抵抗体をレーザトリミングする度に前記出力信号を一定量（ＶｘまたはＶｙ）だけ変化させる操作を繰り返し行い、前記出力信号が狙い値を超えた時点で第２抵抗体のレーザトリミングを完了することと、
前記出力信号の初期値（Ｖｐ）が狙い値（Ｖａ）に対して第２の側にある場合（第２の場合または第１の場合）には、まず、第１抵抗体をレーザトリミングする度に前記出力信号を一定量（ＶｙまたはＶｘ）だけ変化させる操作を繰り返し行い、前記出力信号が狙い値を超えた時点で第１抵抗体のレーザトリミングを完了し、次に、第２抵抗体をレーザトリミングする度に前記出力信号を一定量だけ変化させる操作を繰り返し行い、前記出力信号が狙い値を超えた時点で第２抵抗体のレーザトリミングを完了することと、
前記第１の側は、前記第２抵抗体のレーザトリミングにより前記初期状態の前記出力信号が狙い値に近づく側であることと、
前記第２の側は、前記第１抵抗体のレーザトリミングにより前記初期状態の前記出力信号が狙い値に近づく側であることとを技術的特徴とする。

請求項２に記載の発明は、
請求項１に記載のレーザトリミング方法において、
前記回路は、直列接続された第１抵抗体と第２抵抗体から構成され、前記各抵抗体（Ｒａ，Ｒｂ）の抵抗値比によって決定される分圧電圧（Ｖｔ）を生成する抵抗分圧回路（１１）であることと、
前記出力信号は前記分圧電圧（Ｖｔ）であることとを技術的特徴とする。

請求項３に記載の発明は、
請求項１に記載のレーザトリミング方法において、
前記回路は入力電圧から定電圧（ＶＯＭ）を生成する定電圧生成回路（１０）であることと、
前記出力信号は前記定電圧（ＶＯＭ）であることと、
前記入力電圧は、直列接続された第１抵抗体（ＲａまたはＲｂ）と第２抵抗体（ＲｂまたはＲａ）の抵抗値比によって決定される分圧電圧（Ｖｔ）であることとを技術的特徴とする。

請求項４に記載の発明は、
請求項１に記載のレーザトリミング方法において、
前記回路は入力電圧に基づいた周波数の発振信号を生成する発振回路（２０）であることと、
前記出力信号は前記発振信号（ＣＬＫ）であることと、
前記入力電圧は、直列接続された第１抵抗体（ＲａまたはＲｂ）と第２抵抗体（ＲｂまたはＲａ）の抵抗値比によって決定される分圧電圧（Ｖｔ）であることとを技術的特徴とする。

請求項５に記載の発明は、
請求項１に記載のレーザトリミング方法において、
前記回路はオペアンプ（ＯＰ）によって構成されたボルテージフォロワ回路（４０）であることと、
前記出力信号は前記ボルテージフォロワ回路の出力信号（ＯＵＴ）であることと、
前記各抵抗体（Ｒａ，Ｒｂ）の抵抗値を調整することにより前記オペアンプのオフセット電圧が調整されることとを技術的特徴とする。

＜請求項１＞
請求項１では、各抵抗体（Ｒａ，Ｒｂ）の抵抗値を調整する以前の初期状態における出力信号（ＶＯＭ）の初期値（Ｖｐ）が狙い値（Ｖａ）に対して第１の側（第１の場合または第２の場合）にある場合には、第１抵抗体をレーザトリミングせず、第２抵抗体をレーザトリミングする度に出力信号を一定量（ＶｘまたはＶｙ）だけ変化させる操作を繰り返し行い、出力信号が狙い値を超えた時点で第２抵抗体のレーザトリミングを完了する。

そのため、出力信号（ＶＯＭ）の初期値（Ｖｐ）が狙い値（Ｖａ）に対して第１の側にある場合には、第２抵抗体のレーザトリミングの完了時の出力信号は第２の側に分布することになる。

また、請求項１では、出力信号の初期値（Ｖｐ）が狙い値（Ｖａ）に対して第２の側にある場合（第２の場合または第１の場合）には、まず、第１抵抗体をレーザトリミングする度に出力信号を一定量（ＶｙまたはＶｘ）だけ変化させる操作を繰り返し行い、出力信号が狙い値を超えた時点で第１抵抗体のレーザトリミングを完了し、次に、第２抵抗体をレーザトリミングする度に出力信号を一定量だけ変化させる操作を繰り返し行い、出力信号が狙い値を超えた時点で第２抵抗体のレーザトリミングを完了する。

そのため、出力信号（ＶＯＭ）の初期値（Ｖｐ）が狙い値（Ｖａ）に対して第２の側にある場合には、第２抵抗体のレーザトリミングの完了時の出力信号は第２の側に分布することになる。

従って、請求項１によれば、出力信号（ＶＯＭ）の初期値（Ｖｐ）が狙い値（Ｖａ）に対して第１の側または第２の側のいずれにある場合でも、各抵抗体のレーザトリミングの完了後の最終的な出力信号が第２の側だけに分布することになるため、出力信号のバラツキ幅を小さくすることができる。
その結果、請求項１によれば、出力信号を狙い値に近づけて高精度化を図ることが可能であり、これは換言すれば、レーザトリミングにより各抵抗体の抵抗値を高精度に調整できることに他ならない。

＜請求項２：第１実施形態または第２実施形態に該当（図１〜図４，図８，図９，図１１参照）＞
請求項２では、抵抗分圧回路（１１）が生成する分圧電圧（Ｖｔ）の初期値が狙い値に対して第１の側または第２の側のいずれにある場合でも、各抵抗体（Ｒａ，Ｒｂ）のレーザトリミングの完了後の最終的な分圧電圧が第２の側だけに分布することになる。
従って、請求項２によれば、分圧電圧のバラツキ幅を小さくすることが可能であり、分圧電圧を狙い値に近づけて高精度化を図ることができる。

＜請求項３：第１実施形態または第２実施形態に該当（図１〜図４，図８，図９，図１１参照）＞
請求項３では、定電圧生成回路（１０）が生成する定電圧（ＶＯＭ）の初期値（Ｖｐ）が狙い値（Ｖａ）に対して第１の側または第２の側のいずれにある場合でも、各抵抗体（Ｒａ，Ｒｂ）のレーザトリミングの完了後の最終的な定電圧が第２の側だけに分布することになる。
従って、請求項３によれば、定電圧のバラツキ幅を小さくすることが可能であり、定電圧を狙い値に近づけて高精度化を図ることができる。

＜請求項４：第３実施形態に該当（図５参照）＞
請求項４では、発振回路（２０）が生成する発振信号（ＣＬＫ）の周波数の初期値が狙い値に対してプラス側またはマイナス側のいずれにある場合でも、各抵抗体（Ｒａ，Ｒｂ）のレーザトリミングの完了後の最終的な発振信号の周波数がプラスマイナスいずれかの側だけに分布することになる。
従って、請求項４によれば、発振信号の周波数のバラツキ幅を小さくすることが可能であり、発振信号の周波数を狙い値に近づけて高精度化を図ることができる。

＜請求項５：第４実施形態に該当（図６，図７参照）＞
請求項５では、ボルテージフォロワ回路（３０）の出力信号（ＯＵＴ）の初期値が狙い値に対してプラス側またはマイナス側のいずれにある場合でも、各抵抗体（Ｒａ，Ｒｂ）のレーザトリミングの完了後の最終的な出力信号がプラスマイナスいずれかの側だけに分布することになる。
従って、請求項５によれば、出力信号のバラツキ幅を小さくすることが可能であり、出力信号を狙い値に近づけて高精度化を図ることができる。

そして、各抵抗体（Ｒａ，Ｒｂ）の抵抗値を調整することによりオペアンプのオフセット電圧が調整される。
そのため、請求項５によれば、オペアンプのオフセット電圧のバラツキ幅を小さくすることが可能であり、オフセット電圧を狙い値であるゼロに近づけてオペアンプの高精度化を図ることができる。

＜用語の説明＞
上術した［課題を解決するための手段］［発明の効果］に記載した（ ）内の符号等は、後述する［発明を実施するための最良の形態］に記載した構成部材・構成要素の符号等に対応したものである。
そして、［課題を解決するための手段］［発明の効果］に記載した構成部材・構成要素と、［発明を実施するための最良の形態］に記載した構成部材・構成要素との対応関係は以下のようになっている。

「第１抵抗体」は、第１実施形態の抵抗体Ｒａ、第２実施形態の抵抗体Ｒｂにそれぞれ該当する。
「第２抵抗体」は、第１実施形態の抵抗体Ｒｂ、第２実施形態の抵抗体Ｒａにそれぞれ該当する。
「出力信号」は、第１，第２実施形態の分圧電圧Ｖｔまたは定電圧ＶＯＭ、第３実施形態の発振信号ＣＬＫ、第４実施形態の出力信号ＯＵＴにそれぞれ該当する。
「第１抵抗体への１回のレーザ光の照射による前記出力信号の変化量」は、第１実施形態の一定電圧値Ｖｙ、第２実施形態の一定電圧値Ｖｘにそれぞれ該当する。
「第２抵抗体への１回のレーザ光の照射による前記出力信号の変化量」は、第１実施形態の一定電圧値Ｖｘ、第２実施形態の一定電圧値Ｖｙにそれぞれ該当する。
「第１の側」は、第１実施形態では狙い値Ｖａよりも小さい電圧範囲の側（第１の場合）、第２実施形態では狙い値Ｖａよりも大きい電圧範囲の側（第２の場合）にそれぞれ該当する。
「第１の側」は、第１実施形態では狙い値Ｖａよりも大きい電圧範囲の側（第２の場合）、第２実施形態では狙い値Ｖａよりも小さい電圧範囲の側（第１の場合）にそれぞれ該当する。

以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、図８〜図１１に示した従来技術と同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、従来技術と同一内容の箇所については重複説明を省略してある。また、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略してある。

＜第１実施形態＞
第１実施形態の定電圧生成回路１０は、図８に示した従来技術の定電圧生成回路１０と同一構成である。

尚、第１実施形態でも、従来技術と同じく、直流電圧ＶＢＧ＝１．２Ｖ、分圧電圧Ｖｔ＝１．０Ｖに設定されており、直流電圧ＶＢＧの１／２の電圧値より分圧電圧Ｖｔが高く設定されている（ＶＢＧ／２＜Ｖｔ）。
そのため、レーザトリミング方法を用いて抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整する以前の初期状態において、抵抗値Ｒｂは抵抗値Ｒａより大きく設定されている（Ｒｂ＞Ｒａ）。

第１実施形態においても、従来技術と同じく、直流電圧ＶＢＧおよび各抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が設定値からズレている場合には、定電圧ＶＯＭもズレてしまうことになるため、抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整することにより分圧電圧Ｖｔを調整し、定電圧ＶＯＭを設定電圧値（所望の電圧値）にする必要がある。
このとき、抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整するには、レーザ光を抵抗体Ｒａ，Ｒｂの表面に照射して抵抗体に切れ込んだ溝（カーフ）を形成し、その溝により抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を増大させるレーザトリミング方法が用いられる。

そして、レーザトリミング方法を用いて抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整する以前の初期状態における定電圧ＶＯＭの電圧値（初期値）Ｖｐと、定電圧ＶＯＭの設定電圧値（狙い値）Ｖａとを比較したとき、初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも小さい第１の場合と、初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも大きい第２場合とがある。

第１実施形態のレーザトリミング方法における第１の場合は、図９に示した従来技術のレーザトリミング方法における第１の場合と同じである。

図１および図１１は、第１実施形態のレーザトリミング方法における第２の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも大きい場合）を説明するための説明図である。

第１実施形態の第２の場合では、まず、抵抗体Ｒａの抵抗値を調整するため、レーザ光を抵抗体Ｒａに照射して溝を形成し、抵抗体Ｒａの抵抗値を増大させる。
このとき、第１実施形態の第２の場合でも、従来技術の第２の場合と同じく、１回のレーザ光の照射により、抵抗体Ｒａの抵抗値は一定値だけ増大するため、前記数式１，２から明らかなように、定電圧ＶＯＭも一定電圧値Ｖｙだけ減少する。

そして、第１実施形態の第２の場合でも、図１１に示した従来技術の第２の場合と同じく、レーザ光を照射する度に抵抗体Ｒａの抵抗値を一定値分ずつ増大させることにより定電圧ＶＯＭを一定電圧値Ｖｙ分ずつ減少させる操作を繰り返し行い、抵抗体Ｒａにレーザ光を照射する度に定電圧ＶＯＭを計測し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さく（ＶＯＭ＜Ｖａ）なった時点で（図１１（Ｄ））、抵抗体Ｒａのレーザトリミングを完了する。

第１実施形態の第２の場合では、レーザトリミングによって抵抗体Ｒａの抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さくなったら、次に、抵抗体Ｒｂの抵抗値を調整するため、レーザ光を抵抗体Ｒｂに照射して溝を形成し、抵抗体Ｒｂの抵抗値を増大させる。
このとき、第１実施形態の第２の場合でも、従来技術の第１の場合と同じく、１回のレーザ光の照射により、抵抗体Ｒｂの抵抗値は一定値だけ増大するため、前記数式１，２から明らかなように、定電圧ＶＯＭも一定電圧値Ｖｘだけ増大する。

第１実施形態の第２の場合において、抵抗体Ｒｂの抵抗値を調整する開始する時点（抵抗体Ｒａのレーザトリミングが完了した時点）での定電圧ＶＯＭは、図１１に示した初期値Ｖｐから一定電圧値Ｖｙのｍ倍分だけ減少しており、このときの定電圧ＶＯＭの電圧値Ｖｑは狙い値Ｖａより小さくなっている（図１（Ａ））。

そこで、１回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒｂに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは電圧値Ｖｑから一定電圧値Ｖｘだけ増大している（図１（Ｂ））。

続いて、２回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒｂに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは電圧値Ｖｑから一定電圧値Ｖｘの２倍分だけ増大している（図１（Ｃ））。

そして、ｎ回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒｂに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは電圧値Ｖｑから一定電圧値Ｖｘのｎ倍分だけ増大しているが、このときの定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより大きければ、抵抗体Ｒｂへのレーザ光の照射を終了する（図１（Ｄ））。

このように、第１実施形態の第２の場合では、レーザ光を照射する度に抵抗体Ｒｂの抵抗値を一定値分ずつ増大させることにより定電圧ＶＯＭを一定電圧値Ｖｘ分ずつ増大させる操作を繰り返し行い、抵抗体Ｒｂにレーザ光を照射する度に定電圧ＶＯＭを計測し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより大きく（ＶＯＭ＞Ｖａ）なった時点で（図１（Ｄ））、抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了する。

図２は、第１実施形態において、抵抗体Ｒａ，Ｒｂのレーザトリミングの完了後における定電圧ＶＯＭのバラツキの分布を示す説明図である。

第１実施形態のレーザトリミング方法における第１の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも小さい場合）には、従来技術の第１の場合と同じく、抵抗体Ｒａをレーザトリミングせず、抵抗体Ｒｂだけをレーザトリミングして抵抗体Ｒｂの抵抗値だけを調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより大きくなった時点で抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了するため、定電圧ＶＯＭは狙い値Ｖａより大きい範囲に分布することになる。

また、第１実施形態のレーザトリミング方法における第２の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも大きい場合）には、まず、抵抗体Ｒａをレーザトリミングして抵抗体Ｒａの抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さくなった時点で抵抗体Ｒａのレーザトリミングを完了したら、次に、抵抗体Ｒｂをレーザトリミングして抵抗体Ｒｂの抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより大きくなった時点で抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了するため、定電圧ＶＯＭは狙い値Ｖａより大きい範囲に分布することになる。

従って、第１実施形態のレーザトリミング方法では、第１の場合または第２の場合のいずれでも、抵抗体Ｒａ，Ｒｂのレーザトリミングの完了後の最終的な定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａの大きい側にだけ分布するため、図１０に示した従来技術に比べて、定電圧ＶＯＭのバラツキ幅を小さくすることができる。

その結果、第１実施形態によれば、定電圧ＶＯＭを狙い値Ｖａに近づけて高精度化を図ることが可能であり、これは換言すれば、レーザトリミングにより各抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を高精度に調整できることに他ならない。

ちなみに、第１実施形態では、直流電圧ＶＢＧの１／２の電圧値より分圧電圧Ｖｔが高く設定されているため、抵抗体Ｒａへの１回のレーザ光の照射による定電圧ＶＯＭの変化量である一定電圧値Ｖｙは、抵抗体Ｒｂへの１回のレーザ光の照射による定電圧ＶＯＭの変化量である一定電圧値Ｖｘよりも大きく設定されることになる。

尚、第１実施形態の第２の場合において、定電圧ＶＯＭの分布状況および抵抗体Ｒａにレーザ光を照射する回数ｍは、従来技術の第２の場合と同じく、定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐと、１回のレーザ光の照射によって減少する一定電圧値Ｖｙとによって決定される。
また、第１実施形態の第２の場合において、抵抗体Ｒｂにレーザ光を照射する回数ｎは、定電圧ＶＯＭの電圧値Ｖｑと、１回のレーザ光の照射によって増大する一定電圧値Ｖｘとによって決定される。

そして、抵抗体Ｒａにレーザ光を照射する度に減少する一定電圧値Ｖｙを大きく設定しすぎた場合には、抵抗体Ｒａのレーザトリミングが完了した時点での定電圧ＶＯＭの電圧値Ｖｑが小さくなりすぎるため、抵抗体Ｒｂにレーザ光を照射する回数ｎが増大し、レーザトリミングに要する時間が長くなってコストが高くなる。
また、一定電圧値Ｖｙを小さく設定しすぎた場合には、抵抗体Ｒａにレーザ光を照射する回数ｍが増大し、レーザトリミングに要する時間が長くなってコストが高くなる。
従って、一定電圧値Ｖｙは、レーザトリミングに要する時間を長くして低コスト化を図るために、カット・アンド・トライにより実験的に最適値を見つけて設定する必要がある。

ところで、第１実施形態では、定電圧生成回路１０が生成する定電圧ＶＯＭを設定電圧である狙い値Ｖａにするために、抵抗分圧回路１１の抵抗体Ｒａ，Ｒｂをレーザトリミングして抵抗値を調整することにより分圧電圧Ｖｔを調整している。
そのため、第１実施形態によれば、分圧電圧Ｖｔのバラツキ幅を小さくすることが可能であり、分圧電圧Ｖｔを狙い値に近づけて高精度化を図ることができる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態の定電圧生成回路１０は、第１実施形態と同じく、図８に示した従来技術の定電圧生成回路１０と同一構成である。

第２実施形態において、第１実施形態と異なるのは、直流電圧ＶＢＧ＝５Ｖ、分圧電圧Ｖｔ＝１．０Ｖに設定されており、直流電圧ＶＢＧの１／２の電圧値より分圧電圧Ｖｔが低く設定されている点だけである（ＶＢＧ／２＞Ｖｔ）。
そのため、レーザトリミング方法を用いて抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整する以前の初期状態において、抵抗値Ｒｂは抵抗値Ｒａより小さく設定されている（Ｒｂ＜Ｒａ）。

第２実施形態のレーザトリミング方法における第２の場合は、図１１に示した従来技術のレーザトリミング方法における第２の場合と同じである。

図３は、第２実施形態において、抵抗体Ｒａ，Ｒｂのレーザトリミングの完了後における定電圧ＶＯＭのバラツキの分布を示す説明図である。
第２実施形態の第２の場合では、従来技術の第２の場合と同じく、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さくなった時点で抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了するため、定電圧ＶＯＭは狙い値Ｖａより小さい範囲に分布することになる。

但し、第２実施形態の第２の場合では、直流電圧ＶＢＧの１／２の電圧値より分圧電圧Ｖｔが低く設定されている。
それに対して、従来技術の第２の場合では、直流電圧ＶＢＧの１／２の電圧値より分圧電圧Ｖｔが高く設定されている。
そのため、第２実施形態の第２の場合にて１回のレーザ光の照射によって変化する一定電圧値Ｖｙは、従来技術の第２の場合にて１回のレーザ光の照射によって変化する一定電圧値Ｖｙよりも小さくなる。
従って、図３に示す第２実施形態の第２の場合の定電圧ＶＯＭの分布は、図１０に示す従来技術の第２の場合の定電圧ＶＯＭの分布よりも狭い範囲になっている。

図４および図９は、第２実施形態のレーザトリミング方法における第１の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも小さい場合）を説明するための説明図である。

第２実施形態の第１の場合では、まず、抵抗体Ｒｂの抵抗値を調整するため、レーザ光を抵抗体Ｒｂに照射して溝を形成し、抵抗体Ｒｂの抵抗値を増大させる。
このとき、第２実施形態の第１の場合でも、従来技術の第１の場合と同じく、１回のレーザ光の照射により、抵抗体Ｒｂの抵抗値は一定値だけ増大するため、前記数式１，２から明らかなように、定電圧ＶＯＭも一定電圧値Ｖｘだけ増大する。

そして、第２実施形態の第１の場合でも、図９に示した従来技術の第１の場合と同じく、レーザ光を照射する度に抵抗体Ｒｂの抵抗値を一定値分ずつ増大させることにより定電圧ＶＯＭを一定電圧値Ｖｘ分ずつ増大させる操作を繰り返し行い、抵抗体Ｒｂにレーザ光を照射する度に定電圧ＶＯＭを計測し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより大きく（ＶＯＭ＞Ｖａ）なった時点で（図９（Ｄ））、抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了する。

第２実施形態の第１の場合では、レーザトリミングによって抵抗体Ｒｂの抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより大きくなったら、次に、抵抗体Ｒａの抵抗値を調整するため、レーザ光を抵抗体Ｒａに照射して溝を形成し、抵抗体Ｒａの抵抗値を増大させる。
このとき、第２実施形態の第１の場合でも、従来技術の第２の場合と同じく、１回のレーザ光の照射により、抵抗体Ｒａの抵抗値は一定値だけ増大するため、前記数式１，２から明らかなように、定電圧ＶＯＭも一定電圧値Ｖｙだけ減少する。

第２実施形態の第１の場合において、抵抗体Ｒａの抵抗値を調整する開始する時点（抵抗体Ｒｂのレーザトリミングが完了した時点）での定電圧ＶＯＭは、図９に示した初期値Ｖｐから一定電圧値Ｖｘのｍ倍分だけ増大しており、このときの定電圧ＶＯＭの電圧値Ｖｑは狙い値Ｖａより大きくなっている（図４（Ａ））。

そこで、１回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒａに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは電圧値Ｖｑから一定電圧値Ｖｙだけ減少している（図４（Ｂ））。

続いて、２回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒａに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは電圧値Ｖｑから一定電圧値Ｖｙの２倍分だけ減少している（図４（Ｃ））。

そして、ｎ回目のレーザ光の照射を抵抗体Ｒａに行い、その後に定電圧ＶＯＭを計測すると、定電圧ＶＯＭは電圧値Ｖｑから一定電圧値Ｖｙのｎ倍分だけ減少しているが、このときの定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さければ、抵抗体Ｒａへのレーザ光の照射を終了する（図４（Ｄ））。

このように、第２実施形態の第１の場合では、レーザ光を照射する度に抵抗体Ｒａの抵抗値を一定値分ずつ増大させることにより定電圧ＶＯＭを一定電圧値Ｖｙ分ずつ減少させる操作を繰り返し行い、抵抗体Ｒａにレーザ光を照射する度に定電圧ＶＯＭを計測し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さく（ＶＯＭ＞Ｖａ）なった時点で（図４（Ｄ））、抵抗体Ｒａのレーザトリミングを完了する。

第２実施形態のレーザトリミング方法における第２の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも大きい場合）には、従来技術の第２の場合と同じく、抵抗体Ｒｂをレーザトリミングせず、抵抗体Ｒａだけをレーザトリミングして抵抗体Ｒａの抵抗値だけを調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さくなった時点で抵抗体Ｒａのレーザトリミングを完了するため、定電圧ＶＯＭは狙い値Ｖａより小さい範囲に分布することになる。

また、第２実施形態のレーザトリミング方法における第１の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも小さい場合）には、まず、抵抗体Ｒｂをレーザトリミングして抵抗体Ｒｂの抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより大きくなった時点で抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了したら、次に、抵抗体Ｒａをレーザトリミングして抵抗体Ｒａの抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａより小さくなった時点で抵抗体Ｒａのレーザトリミングを完了するため、定電圧ＶＯＭは狙い値Ｖａより小さい範囲に分布することになる。

従って、第２実施形態のレーザトリミング方法では、第１の場合または第２の場合のいずれでも、抵抗体Ｒａ，Ｒｂのレーザトリミングの完了後の最終的な定電圧ＶＯＭが狙い値Ｖａの小さい側にだけ分布するため、第１実施形態と同様に、定電圧ＶＯＭのバラツキ幅を小さくすることができる。
その結果、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。

ちなみに、第２実施形態では、直流電圧ＶＢＧの１／２の電圧値より分圧電圧Ｖｔが低く設定されているため、抵抗体Ｒｂへの１回のレーザ光の照射による定電圧ＶＯＭの変化量である一定電圧値Ｖｘは、抵抗体Ｒａへの１回のレーザ光の照射による定電圧ＶＯＭの変化量である一定電圧値Ｖｙよりも大きく設定されることになる。

尚、第２実施形態の第１の場合において、定電圧ＶＯＭの分布状況および抵抗体Ｒｂにレーザ光を照射する回数ｍは、従来技術の第１の場合と同じく、定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐと、１回のレーザ光の照射によって増大する一定電圧値Ｖｘとによって決定される。
また、第２実施形態の第１の場合において、抵抗体Ｒａにレーザ光を照射する回数ｎは、定電圧ＶＯＭの電圧値Ｖｑと、１回のレーザ光の照射によって減少する一定電圧値Ｖｙとによって決定される。

そして、抵抗体Ｒｂにレーザ光を照射する度に増大する一定電圧値Ｖｘを大きく設定しすぎた場合には、抵抗体Ｒｂのレーザトリミングが完了した時点での定電圧ＶＯＭの電圧値Ｖｑが大きくなりすぎるため、抵抗体Ｒａにレーザ光を照射する回数ｎが減少し、レーザトリミングに要する時間が長くなってコストが高くなる。
また、一定電圧値Ｖｘを小さく設定しすぎた場合には、抵抗体Ｒｂにレーザ光を照射する回数ｍが減少し、レーザトリミングに要する時間が長くなってコストが高くなる。
従って、一定電圧値Ｖｘは、カット・アンド・トライにより実験的に最適値を見つけて設定する必要がある。

＜第３実施形態＞
図５は、第３実施形態の発振回路２０の回路図である。
ＣＲ発振回路２０は、抵抗分圧回路１１、オペアンプＯＰ、抵抗Ｒ１、コンデンサＣ、出力端子ＣＬＫから構成され、直流電源ＶＢＧから直流電圧ＶＢＧが供給され、発振信号ＣＬＫを生成して出力端子ＣＬＫから出力する。
尚、出力端子ＣＬＫと発振信号ＣＬＫは、説明を分かり易くするため符号を同じにしてある。

オペアンプＯＰの非反転入力端子には、抵抗分圧回路１１が生成した分圧電圧Ｖｔが入力されている。オペアンプＯＰの反転入力端子は、コンデンサＣを介してアースに接続されると共に、抵抗Ｒ１を介してオペアンプＯＰの出力端子に接続され、オペアンプＯＰの出力端子は出力端子ＣＬＫに接続されている。
そのため、発振信号ＣＬＫの周波数は、入力電圧である分圧電圧Ｖｔと、抵抗Ｒ１の抵抗値と、コンデンサＣの静電容量値とに基づいて設定できる。

従って、第３実施形態では、発振回路２０が生成する発振信号ＣＬＫの周波数の初期値が設定周波数（狙い値）に対してプラス側またはマイナス側のいずれにある場合でも、各抵抗体Ｒａ，Ｒｂのレーザトリミングの完了後の最終的な発振信号ＣＬＫの周波数がプラスマイナスいずれかの側だけに分布することになる。
その結果、第３実施形態によれば、発振信号ＣＬＫの周波数のバラツキ幅を小さくすることが可能であり、発振信号ＣＬＫの周波数を狙い値に近づけて高精度化を図ることができる。

＜第４実施形態＞
図６は、第４実施形態のボルテージフォロワ回路３０の回路図である。
ボルテージフォロワ回路３０は、オペアンプＯＰの反転入力端子と出力端子が接続されて構成された負帰還増幅回路であり、増幅度は１倍である。
そのため、ボルテージフォロワ回路３０を構成するオペアンプＯＰの非反転入力端子ＩＮ＋と出力端子ＯＵＴの電圧差がゼロであれば、オペアンプＯＰのオフセット電圧もゼロということになる。

図７は、オペアンプＯＰの内部構成を示す回路図である。
不平衡型オペアンプＯＰは、不平衡型差動増幅器３１、バイアス回路３２、出力回路３３から構成され、ＰＭＯＳトランジスタＱ１１，Ｑ１２、ＮＭＯＳトランジスタＱ１３，Ｑ１４，Ｑ１６、抵抗体Ｒａ，Ｒｂ、抵抗Ｒ３，Ｒ４、位相補償用コンデンサＣ、反転入力端子ＩＮ−、非反転入力端子ＩＮ＋、出力端子ＯＵＴを備え、直流電源ＶＢＧとアースとに接続されている。

不平衡型差動増幅器３１は、差動入力回路３４および能動負荷回路３５から構成されている。
差動入力回路３４は各トランジスタＱ１１，Ｑ１２から構成され、各トランジスタＱ１１，Ｑ１２のソースは抵抗Ｒ３を介して直流電源ＶＢＧに接続されている。

トランジスタＱ１１のゲートは、差動入力回路３４（オペアンプＯＰ、不平衡型差動増幅器３１）の反転入力端子として機能し、反転入力端子ＩＮ−に接続されている。
トランジスタＱ１２のゲートは、差動入力回路３４（オペアンプＯＰ、不平衡型差動増幅器３１）の非反転入力端子として機能し、非反転入力端子ＩＮ＋に接続されている。
トランジスタＱ１２のドレインは、差動入力回路３４（不平衡型差動増幅器３１）の出力端子として機能する。
位相補償用コンデンサＣは、トランジスタＱ１２のドレインと出力端子ＯＵＴの間に接続されている。

能動負荷回路３５は、各トランジスタＱ１３，Ｑ１４および各抵抗体Ｒａ，Ｒｂから構成されている。
各トランジスタＱ１３，Ｑ１４は、ワイドラー型のカレントミラー回路を構成し、そのカレントミラー回路は差動入力回路３４の能動負荷として機能する。

各トランジスタＱ１３，Ｑ１４のソースはそれぞれ抵抗体Ｒａ，Ｒｂを介してアースに接続され、カレントミラー回路の入力側トランジスタＱ１３のゲートは、カレントミラー回路の出力側トランジスタＱ１４のゲートに接続されている。
トランジスタＱ１３はゲートとドレインを接続したダイオード接続にされており、そのゲートおよびドレインはトランジスタＱ１１のドレインに接続されている。
トランジスタＱ１４のドレインは、トランジスタＱ１２のドレインに接続されている。

出力回路３３は、トランジスタＱ１６および抵抗Ｒ４から構成されている。
トランジスタＱ１６と抵抗Ｒ４は、直流電源ＶＢＧとアースの間に直列接続されている。
トランジスタＱ１６のソースはアースに接続され、トランジスタＱ１６のドレインは抵抗Ｒ４を介して直流電源ＶＢＧに接続され、トランジスタＱ１６のゲートは各トランジスタＱ１２，１４のドレインに接続されている。
尚、抵抗Ｒ４およびトランジスタＱ１６により、トランジスタＱ１６のソース接地回路が構成されている。

トランジスタＱ１６のゲートは、出力回路３３の入力端子として機能する。
トランジスタＱ１６のドレインは、出力回路３３（オペアンプＯＰ、不平衡型差動増幅器３１）の出力端子として機能し、出力端子ＯＵＴに接続されている。

バイアス回路３２は、各抵抗Ｒ３，Ｒ４から構成されている。
抵抗Ｒ３は、各トランジスタＱ１１，Ｑ１２のドレイン電流（バイアス電流）を設定するためのバイアス抵抗として機能する。
抵抗Ｒ４は、トランジスタＱ１６のドレイン電流（バイアス電流）を設定するためのバイアス抵抗として機能すると共に、トランジスタＱ１６の負荷としても機能する。

第４実施形態では、ボルテージフォロワ回路３０の出力端子ＯＵＴから出力される出力信号ＯＵＴの初期値が設定電圧値（狙い値）に対してプラス側またはマイナス側のいずれにある場合でも、各抵抗体Ｒａ，Ｒｂのレーザトリミングの完了後の最終的な出力信号ＯＵＴがプラスマイナスいずれかの側だけに分布することになる。
従って、第４実施形態によれば、出力信号ＯＵＴのバラツキ幅を小さくすることが可能であり、出力信号ＯＵＴを狙い値に近づけて高精度化を図ることができる。

そして、各抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整することによりオペアンプＯＰのオフセット電圧が調整される。
そのため、第４実施形態によれば、オペアンプＯＰのオフセット電圧のバラツキ幅を小さくすることが可能であり、オフセット電圧を狙い値であるゼロに近づけてオペアンプＯＰの高精度化を図ることができる。

尚、第４実施形態のオペアンプＯＰはＭＯＳトランジスタによって構成されているが、バイポーラトランジスタによって構成した場合でも同様の作用・効果が得られる。

本発明を具体化した第１実施形態のレーザトリミング方法における第２の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも大きい場合）を説明するための説明図。 第１実施形態において、抵抗体Ｒａ，Ｒｂのレーザトリミングの完了後における定電圧ＶＯＭのバラツキの分布を示す説明図。 本発明を具体化した第２実施形態において、抵抗体Ｒａ，Ｒｂのレーザトリミングの完了後における定電圧ＶＯＭのバラツキの分布を示す説明図。 第２実施形態のレーザトリミング方法における第１の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも小さい場合）を説明するための説明図。 本発明を具体化した第３実施形態の発振回路２０の回路図。 本発明を具体化した第４実施形態のボルテージフォロワ回路３０の回路図。 第４実施形態のオペアンプＯＰの内部構成を示す回路図。 第１，第２実施形態および従来技術の定電圧生成回路１０の回路図。 第２実施形態および従来技術のレーザトリミング方法における第１の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも小さい場合）を説明するための説明図。 従来技術において、抵抗体Ｒａ，Ｒｂのレーザトリミングの完了後における定電圧ＶＯＭのバラツキの分布を示す説明図。 第１実施形態および従来技術のレーザトリミング方法における第２の場合（定電圧ＶＯＭの初期値Ｖｐが狙い値Ｖａよりも大きい場合）を説明するための説明図。

符号の説明

１０…定電圧生成回路
１１…抵抗分圧回路
１２…負帰還増幅回路
２０…発振回路
３０…ボルテージフォロワ
ＯＰ…オペアンプ
ＶＢＧ…直流電源（直流電圧）
ＶＯＭ…定電圧（出力端子）
ＣＬＫ…発振信号（出力端子）
Ｒａ，Ｒｂ…レーザトリミング用抵抗体
Ｖｔ…分圧電圧
Ｖａ…狙い値
Ｖｐ…初期値
Ｖｘ，Ｖｙ…一定電圧値

Claims (5)

1. 第１抵抗体の抵抗値または第２抵抗体の抵抗値を調整することにより出力信号を調整して狙い値に近づける回路にて、前記各抵抗体をレーザトリミングすることにより当該抵抗体の抵抗値を増大させるレーザトリミング方法であって、
   第１抵抗体への１回のレーザ光の照射による前記出力信号の変化量は、第２抵抗体への１回のレーザ光の照射による前記出力信号の変化量よりも大きく設定されていることと、
   前記各抵抗体の抵抗値を調整する以前の初期状態における出力信号の初期値が狙い値に対して第１の側にある場合には、第１抵抗体をレーザトリミングせず、第２抵抗体をレーザトリミングする度に前記出力信号を一定量だけ変化させる操作を繰り返し行い、前記出力信号が狙い値を超えた時点で第２抵抗体のレーザトリミングを完了することと、
   前記出力信号の初期値が狙い値に対して第２の側にある場合には、まず、第１抵抗体をレーザトリミングする度に前記出力信号を一定量だけ変化させる操作を繰り返し行い、前記出力信号が狙い値を超えた時点で第１抵抗体のレーザトリミングを完了し、次に、第２抵抗体をレーザトリミングする度に前記出力信号を一定量だけ変化させる操作を繰り返し行い、前記出力信号が狙い値を超えた時点で第２抵抗体のレーザトリミングを完了することと、
   前記第１の側は、前記第２抵抗体のレーザトリミングにより前記初期状態の前記出力信号が狙い値に近づく側であることと、
   前記第２の側は、前記第１抵抗体のレーザトリミングにより前記初期状態の前記出力信号が狙い値に近づく側であることと
   を特徴とするレーザトリミング方法。
2. 請求項１に記載のレーザトリミング方法において、
   前記回路は、直列接続された第１抵抗体と第２抵抗体から構成され、前記各抵抗体の抵抗値比によって決定される分圧電圧を生成する抵抗分圧回路であることと、
   前記出力信号は前記分圧電圧であることとを特徴とするレーザトリミング方法。
3. 請求項１に記載のレーザトリミング方法において、
   前記回路は入力電圧から定電圧を生成する定電圧生成回路であることと、
   前記出力信号は前記定電圧であることと、
   前記入力電圧は、直列接続された第１抵抗体と第２抵抗体の抵抗値比によって決定される分圧電圧であることと
   を特徴とするレーザトリミング方法。
4. 請求項１に記載のレーザトリミング方法において、
   前記回路は入力電圧に基づいた周波数の発振信号を生成する発振回路であることと、
   前記出力信号は前記発振信号であることと、
   前記入力電圧は、直列接続された第１抵抗体と第２抵抗体の抵抗値比によって決定される分圧電圧であることと
   を特徴とするレーザトリミング方法。
5. 請求項１に記載のレーザトリミング方法において、
   前記回路はオペアンプによって構成されたボルテージフォロワ回路であることと、
   前記出力信号は前記ボルテージフォロワ回路の出力信号であることと、
   前記各抵抗体の抵抗値を調整することにより前記オペアンプのオフセット電圧が調整されることと
   を特徴とするレーザトリミング方法。

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