JP5884234B2 - 基準電圧回路 - Google Patents
基準電圧回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5884234B2 JP5884234B2 JP2011199733A JP2011199733A JP5884234B2 JP 5884234 B2 JP5884234 B2 JP 5884234B2 JP 2011199733 A JP2011199733 A JP 2011199733A JP 2011199733 A JP2011199733 A JP 2011199733A JP 5884234 B2 JP5884234 B2 JP 5884234B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- transistor
- drain
- power supply
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
- G05F1/567—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
- G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/245—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a voltage or current as a predetermined function of the temperature
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
本発明は上記課題に鑑みてなされ、温度変化に対してフラットな温度特性を得られる基準電圧回路を提供する。
第一の実施形態の基準電圧回路は、Nchデプレッショントランジスタ101、102、103、104と、差動増幅回路105と、電源端子150と、グラウンド端子100で構成されている。差動増幅回路105は入力端子121、122と、出力端子123で構成されている。
Nchデプレッショントランジスタ101は、ゲート及びドレインは差動増幅回路105の入力端子121に接続され、ソースはグラウンド端子100に接続される。Nchデプレッショントランジスタ102は、ゲート及びソースは差動増幅回路105の入力端子121に接続され、ドレインは電源端子150に接続される。Nchデプレッショントランジスタ103は、ゲート及びドレインは差動増幅回路105の入力端子122に接続され、ソースはグラウンド端子100に接続される。Nchデプレッショントランジスタ104は、ゲート及びソースは差動増幅回路105の入力端子122に接続され、ドレインは電源端子150に接続される。
Nchデプレッショントランジスタ101、102は同じしきい値でVtndmと設定される。Nchデプレッショントランジスタ103、104は同じしきい値でVtndlと設定される。これらのしきい値はVtndm<Vtndlと設定されVtndmのほうが低く設定される。Nchデプレッショントランジスタ102、104は飽和で動作し、Nchデプレッショントランジスタ101、103は非飽和(可変抵抗領域)で動作する。Nchデプレッショントランジスタ101、102のアスペクト比(W/L)をA101、A102とし、Nchデプレッショントランジスタ103、104のアスペクト比をA103、A104とする。ノード121の電圧は、
入力端子122の電圧は
第二の実施形態の基準電圧回路は、Nchデプレッショントランジスタ201、203、205、207と、NMOSトランジスタ202、204、206、208と、差動増幅回路105と、電源端子150と、グラウンド端子100で構成されている。差動増幅回路105は入力端子121、122と、出力端子123で構成されている。
Nchデプレッショントランジスタ201は、ゲート及びソースはNMOSトランジスタ202のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子150に接続される。NMOSトランジスタ202は、ソースはグラウンド端子100に接続される。NMOSトランジスタ204は、ゲートはNMOSトランジスタ202のゲートに接続され、ドレインはNchデプレッショントランジスタ203のソース及び入力端子121に接続され、ソースはグラウンド端子100に接続される。Nchデプレッショントランジスタ203は、ゲートはグラウンド端子100に接続され、ドレインは電源端子150に接続される。Nchデプレッショントランジスタ205は、ゲート及びソースはNMOSトランジスタ206のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子150に接続される。NMOSトランジスタ206は、ソースはグラウンド端子100に接続される。NMOSトランジスタ208は、ゲートはNMOSトランジスタ206のゲートに接続され、ドレインはNchデプレッショントランジスタ207のソース及び入力端子122に接続され、ソースはグラウンド端子100に接続される。Nchデプレッショントランジスタ207は、ゲートはグラウンド端子100に接続され、ドレインは電源端子150に接続される。
Nchデプレッショントランジスタ201、203は同じしきい値でVtndmと設定される。Nchデプレッショントランジスタ205、207は同じしきい値でVtndlと設定される。これらのしきい値はVtndm<Vtndlと設定されVtndmのほうが低く設定される。Nchデプレッショントランジスタ201、203のアスペクト比をA201、A203とし、Nchデプレッショントランジスタ205、207のアスペクト比をA205、A207とする。NMOSトランジスタ202と204はカレントミラーを構成しておりNchデプレッショントランジスタ201と203には同じ大きさの電流が流れる。NMOSトランジスタ206と208はカレントミラーを構成しておりNchデプレッショントランジスタ205と207は同じ大きさの電流が流れる。Nchデプレッショントランジスタ201、203、205、207に流れる電流をそれぞれ、I201、I203、I205,I207とする。電子の移動度をμ0、ゲート容量をCoxとすると電流I201は
図1の第1の実施形態との違いは、差動増幅回路105の構成を具体的に示した点である。
ノード321の電圧V321とノード322の電圧V322は第1の実施形態と同様に同じ温度傾斜を持つように設定される。抵抗301、302の抵抗値をR1、抵抗303、304の抵抗値をR2とすると、出力端子123の電圧V123は
(13)式から明らかなように温度傾斜の同じ電圧の差分を取ることができ、抵抗値を調節する事で出力端子の電圧を調節することも可能となる。
図2の第2の実施形態との違いは、差動増幅回路105の構成を具体的に示した点である。差動増幅回路105の構成の構成は図3の第3の実施形態と同じである。このような構成でも温度特性のよい基準電圧回路を得ることができ、差動増幅回路の抵抗値を調節する事で基準電圧の電圧値を調節することもできる。
第五の実施形態の基準電圧回路は、Nchデプレッショントランジスタ201、203、205、207と、NMOSトランジスタ202、204、206、208、601と、PMOSトランジスタ602、603と、抵抗604、605と、定電流回路610と、オペアンプ305と、電源端子150と、グラウンド端子100と、出力端子123で構成されている。
Nchデプレッショントランジスタ201は、ゲート及びソースはNMOSトランジスタ202のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子150に接続される。NMOSトランジスタ202は、ソースはグラウンド端子100に接続される。NMOSトランジスタ204は、ゲートはNMOSトランジスタ202のゲートに接続され、ドレインはNchデプレッショントランジスタ203のソース及びオペアンプ305の反転入力端子に接続され、ソースはグラウンド端子100に接続される。Nchデプレッショントランジスタ203は、ゲートはNMOSトランジスタ601のゲート及びドレインに接続され、ドレインは電源端子150に接続される。Nchデプレッショントランジスタ205は、ゲート及びソースはNMOSトランジスタ206のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子150に接続される。NMOSトランジスタ206は、ソースはグラウンド端子100に接続される。NMOSトランジスタ208は、ゲートはNMOSトランジスタ206のゲートに接続され、ドレインはNchデプレッショントランジスタ207のソース及びオペアンプ305の非反転入力端子に接続され、ソースはグラウンド端子100に接続される。Nchデプレッショントランジスタ207は、ゲートはPMOSトランジスタ602のドレインに接続され、ドレインは電源端子150に接続される。抵抗604は、一方はNMOSトランジスタ601のドレインに接続され、もう一方はPMOSトランジスタ602のドレインに接続される。定電流回路610は、一方がNMOSトランジスタ601のゲートに接続され、もう一方が電源端子150に接続される。PMOSトランジスタ602は、ゲートはPMOSトランジスタ603のゲート及びオペアンプ305の出力端子に接続され、ソースは電源端子150に接続される。PMOSトランジスタ603は、ドレインは抵抗605及び出力端子123に接続され、ソースは電源端子150に接続される。抵抗605のもう一方はグラウンド端子100に接続される。
Nchデプレッショントランジスタ201、203は同じしきい値でVtndmと設定される。Nchデプレッショントランジスタ205、207は同じしきい値でVtndlと設定される。これらのしきい値はVtndm<Vtndlと設定されVtndmのほうが低く設定される。Nchデプレッショントランジスタ201、203のアスペクト比をA201、A203とし、Nchデプレッショントランジスタ205、207のアスペクト比をA205、A207とする。NMOSトランジスタ202と204はカレントミラーを構成しておりNchデプレッショントランジスタ201と203には同じ大きさの電流が流れる。こうして、Nchデプレッショントランジスタ201、203、NMOSトランジスタ202、204で、Nchデプレッショントランジスタ203のソースとゲート間の電圧を出力する定電圧回路が構成される。NMOSトランジスタ206と208はカレントミラーを構成しておりNchデプレッショントランジスタ205と207には同じ大きさの電流が流れる。こうして、Nchデプレッショントランジスタ205、207、NMOSトランジスタ206、208でもNchデプレッショントランジスタ207のソースとゲート間の電圧を出力する定電圧回路が構成される。
105 差動増幅回路
121、122 入力端子
123 出力端子
150 電源端子
305 オペアンプ
Claims (2)
- 第一のデプレッショントランジスタを有する第一の定電圧回路と、前記第一のデプレッショントランジスタとしきい値の異なる第二のデプレッショントランジスタを有する第二の定電圧回路を備えた基準電圧回路であって、
前記第一の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第一のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第一のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第一のMOSトランジスタと、
ゲートが前記第一のMOSトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第二のMOSトランジスタと、
ゲートが第二の電源端子に接続され、ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第二のMOSトランジスタのドレインと接続され、前記第一のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を流す、前記第一のデプレッショントランジスタと同じしきい値の第三のデプレッショントランジスタと、で構成され、前記第二のMOSトランジスタのドレインから出力電圧を出力し、
前記第二の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第二のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第二のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第三のMOSトランジスタと、
ゲートが前記第三のMOSトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第四のMOSトランジスタと、
ゲートが第二の電源端子に接続され、ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第四のMOSトランジスタのドレインと接続され、前記第二のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を流す、前記第二のデプレッショントランジスタと同じしきい値の第四のデプレッショントランジスタと、で構成され、前記第四のMOSトランジスタのドレインから出力電圧を出力し、
前記第一の定電圧回路の出力電圧と前記第二の定電圧回路の出力電圧の差に基づいた基準電圧を発生させる、ことを特徴とする基準電圧回路。 - 第一のデプレッショントランジスタを有する第一の定電圧回路と、前記第一のデプレッショントランジスタとしきい値の異なる第二のデプレッショントランジスタを有する第二の定電圧回路と、差動増幅手段を備えた基準電圧回路であって、
前記第一の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第一のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第一のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第一のMOSトランジスタと、
ゲートが前記第一のMOSトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第二のMOSトランジスタと、
ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第二のMOSトランジスタのドレインと接続され、前記第一のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を流す、前記第一のデプレッショントランジスタと同じしきい値の第三のデプレッショントランジスタと、で構成され、前記第二のMOSトランジスタのドレインから出力電圧を出力し、
前記第二の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第二のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第二のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第三のMOSトランジスタと、
ゲートが前記第三のMOSトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第四のMOSトランジスタと、
ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第四のMOSトランジスタのドレインと接続され、前記第二のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を流す、前記第二のデプレッショントランジスタと同じしきい値の第四のデプレッショントランジスタと、で構成され、前記第四のMOSトランジスタのドレインから出力電圧を出力し
前記差動増幅手段は、
前記第一の定電圧回路の出力端子と反転入力端子が接続され、前記第二の定電圧回路の出力端子と非反転入力端子が接続されたオペアンプと、
前記オペアンプの出力端子に設けられた前記基準電圧回路の出力回路と、
第一の出力端子と第二の出力端子を有し、前記オペアンプの出力端子に設けられた帰還回路と、を備え、
前記帰還回路の前記第一の出力端子と前記第三のデプレッショントランジスタのゲート端子が接続され、
前記帰還回路の前記第二の出力端子と前記第四のデプレッショントランジスタのゲート端子が接続された、ことを特徴とする基準電圧回路。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011199733A JP5884234B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-09-13 | 基準電圧回路 |
TW101108638A TWI534585B (zh) | 2011-03-25 | 2012-03-14 | Reference voltage circuit |
KR1020120026490A KR101946641B1 (ko) | 2011-03-25 | 2012-03-15 | 기준 전압 회로 |
US13/424,588 US20120242317A1 (en) | 2011-03-25 | 2012-03-20 | Reference voltage circuit |
CN201210077914.9A CN102692947B (zh) | 2011-03-25 | 2012-03-22 | 基准电压电路 |
US14/804,536 US9523995B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-07-21 | Reference voltage circuit |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011068036 | 2011-03-25 | ||
JP2011068036 | 2011-03-25 | ||
JP2011199733A JP5884234B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-09-13 | 基準電圧回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012216171A JP2012216171A (ja) | 2012-11-08 |
JP5884234B2 true JP5884234B2 (ja) | 2016-03-15 |
Family
ID=46858483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011199733A Active JP5884234B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-09-13 | 基準電圧回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20120242317A1 (ja) |
JP (1) | JP5884234B2 (ja) |
KR (1) | KR101946641B1 (ja) |
CN (1) | CN102692947B (ja) |
TW (1) | TWI534585B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5967987B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2016-08-10 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 基準電圧回路 |
JP6292901B2 (ja) * | 2014-01-27 | 2018-03-14 | エイブリック株式会社 | 基準電圧回路 |
JP7154102B2 (ja) * | 2018-10-24 | 2022-10-17 | エイブリック株式会社 | 基準電圧回路及びパワーオンリセット回路 |
CN115421551A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-12-02 | 成都微光集电科技有限公司 | 带隙基准电路及芯片 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54132753A (en) * | 1978-04-05 | 1979-10-16 | Hitachi Ltd | Referential voltage generator and its application |
DE3108726A1 (de) * | 1981-03-07 | 1982-09-16 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Monolithisch integrierte referenzspannungsquelle |
JPS63189916A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-05 | Seiko Epson Corp | 定電流回路 |
JPH08335122A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-12-17 | Seiko Instr Inc | 基準電圧用半導体装置 |
US5873053A (en) * | 1997-04-08 | 1999-02-16 | International Business Machines Corporation | On-chip thermometry for control of chip operating temperature |
JP2001174338A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Mitsumi Electric Co Ltd | 温度センサ回路 |
JP4194237B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2008-12-10 | 株式会社リコー | 電界効果トランジスタを用いた電圧発生回路及び基準電圧源回路 |
US6552603B2 (en) * | 2000-06-23 | 2003-04-22 | Ricoh Company Ltd. | Voltage reference generation circuit and power source incorporating such circuit |
JP3808867B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2006-08-16 | 株式会社東芝 | 基準電源回路 |
JP2006242894A (ja) | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Ricoh Co Ltd | 温度検出回路 |
JP4768339B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-09-07 | 株式会社リコー | 温度検出回路およびそれを用いた発振周波数補正装置 |
CN101331437A (zh) * | 2006-03-31 | 2008-12-24 | 株式会社理光 | 基准电压产生电路及使用其的供电设备 |
JP5078502B2 (ja) * | 2007-08-16 | 2012-11-21 | セイコーインスツル株式会社 | 基準電圧回路 |
CN101308394A (zh) * | 2008-06-27 | 2008-11-19 | 东南大学 | 耗尽型mos管稳定电压源电路 |
JP5506594B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2014-05-28 | セイコーインスツル株式会社 | 基準電圧回路 |
-
2011
- 2011-09-13 JP JP2011199733A patent/JP5884234B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-14 TW TW101108638A patent/TWI534585B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-03-15 KR KR1020120026490A patent/KR101946641B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-20 US US13/424,588 patent/US20120242317A1/en not_active Abandoned
- 2012-03-22 CN CN201210077914.9A patent/CN102692947B/zh active Active
-
2015
- 2015-07-21 US US14/804,536 patent/US9523995B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102692947B (zh) | 2016-01-20 |
KR20120109314A (ko) | 2012-10-08 |
KR101946641B1 (ko) | 2019-02-11 |
US9523995B2 (en) | 2016-12-20 |
CN102692947A (zh) | 2012-09-26 |
TW201300987A (zh) | 2013-01-01 |
TWI534585B (zh) | 2016-05-21 |
US20120242317A1 (en) | 2012-09-27 |
JP2012216171A (ja) | 2012-11-08 |
US20150323952A1 (en) | 2015-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5690469B2 (ja) | 差動増幅器、基準電圧発生回路、差動増幅方法及び基準電圧発生方法 | |
TWI694321B (zh) | 提供可調恆定電流之電流電路 | |
JP2008071245A (ja) | 基準電流生成装置 | |
JP6927070B2 (ja) | 補正電流出力回路及び補正機能付き基準電圧回路 | |
JP5367620B2 (ja) | 電流源回路および半導体装置 | |
JP4522299B2 (ja) | 定電流回路 | |
JP5884234B2 (ja) | 基準電圧回路 | |
JP3953009B2 (ja) | トランスコンダクタンス調整回路 | |
KR102483031B1 (ko) | 전류 생성 회로 | |
JP5262718B2 (ja) | バイアス回路 | |
KR101952961B1 (ko) | 기준 전압 회로 | |
JP6132881B2 (ja) | 電圧可変利得増幅回路及び差動入力電圧の増幅方法 | |
JP4607482B2 (ja) | 定電流回路 | |
JP5788739B2 (ja) | 電圧可変利得増幅回路 | |
JP7241565B2 (ja) | 電流生成回路 | |
JP5967987B2 (ja) | 基準電圧回路 | |
JP4445916B2 (ja) | バンドギャップ回路 | |
TWI542968B (zh) | 可調式鏡射比率之電流鏡 | |
JP2009031987A (ja) | バイアス発生回路及び半導体装置 | |
JP2014207611A (ja) | 計装用増幅器 | |
JP5669634B2 (ja) | 定電流回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20160112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5884234 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |