JPH05109513A - 厚膜抵抗体形成方法 - Google Patents

厚膜抵抗体形成方法

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JPH05109513A
JPH05109513A JP3271581A JP27158191A JPH05109513A JP H05109513 A JPH05109513 A JP H05109513A JP 3271581 A JP3271581 A JP 3271581A JP 27158191 A JP27158191 A JP 27158191A JP H05109513 A JPH05109513 A JP H05109513A
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JP
Japan
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thick film
film resistor
conductor
resistance value
trimming
Prior art date
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Pending
Application number
JP3271581A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhiko Muraoka
信彦 村岡
Shozo Minamitani
昌三 南谷
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP3271581A priority Critical patent/JPH05109513A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 厚膜抵抗体において、抵抗値を低減できると
ともに、仮に厚膜抵抗体を完全に切断した場合において
も、その修復が可能であり、さらに、厚膜抵抗体のカッ
トを最小限に抑えながらも幅広い抵抗値調整範囲をもつ
厚膜抵抗体を形成できる厚膜抵抗体形成方法を提供す
る。 【構成】 厚膜抵抗体10が形成される一対の導体8a,
8bの中間に導体の島9を設け、この導体9の一部が厚
膜抵抗体9に覆われるように形成し、仮に形成した厚膜
抵抗体10が、トリミング前にすでに所望の抵抗値より高
い場合、あるいは、トリミングのカットにより抵抗体を
切断してしまったときなどに、導体ランド8aと導体の
島9をボンディングワイヤ12を介してワイヤーボンディ
ングなどにより接続することによって、抵抗値の低減を
可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜電子回路形成にお
ける厚膜抵抗体の形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】厚膜回路基板における抵抗体の形成方法
としては、スクリーン印刷などの方法により抵抗体を基
板上に塗布した後、乾燥および焼成という工程を経て焼
結体である抵抗を形成している。この抵抗体は、焼成し
たままでは設計値である所望の抵抗値を得ることは困難
であり、通常はトリミングという抵抗値の調整工程が必
要になる。ここで、厚膜回路基板上に形成される抵抗体
は、通常、対向する一対の導体ランドを橋渡しするよう
に塗布、形成される。
【0003】この対向する導体ランドの間には様々な形
状の抵抗体が形成され、矩形形状が一般的である。抵抗
値調整のためのトリミングは、抵抗値の低いものを高く
していく方向に行っていく。この方法は、通常抵抗体の
幅を狭めたり、幅の狭い部分の長さを長くしたりして行
う。しかし、いずれの方法においても、抵抗体を削る方
向にトリミングすることになる。
【0004】以下、図6および図7を参照しながら、上
述した従来の厚膜抵抗体形成方法の一例について説明す
る。図6は従来の厚膜抵抗体形成方法による厚膜抵抗を
示した斜視図である。図6において、1aおよび1bは
導体ランド、2は厚膜抵抗体、3はレーザトリミングに
よる抵抗体のカット部である。
【0005】一対の導体ランド1a,1bの間を橋渡し
するように、スクリーン印刷などで形成された厚膜抵抗
は、乾燥工程、焼成工程を経て抵抗体として機能するよ
うになる。しかし、焼成後ただちに設計通りの所望の抵
抗値が得られることはなく、トリミング工程を経て初め
て所望の抵抗体として完成する。このトリミング方法
は、近年ではYAG(ヤグ;イットリュウム・アルミニ
ュウム・ガーネット)レーザによるものが主流を占めて
いる。このYAGレーザによってトリミングされた部分
がカット部3であり、ちょうど厚膜抵抗体2に切り目を
入れたような形状を呈する。
【0006】このカット方法によれば、レーザによる厚
膜抵抗体2のカット長さを横軸に取り、また縦軸に抵抗
値変化を取ると図7に示すように指数関数様のカーブを
呈する。つまりカットが進めば進むほど相対的に抵抗値
の変化量が大きくなるものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらのト
リミング方法では、抵抗値を低減することができないた
めトリミングの前にすでに所望の抵抗値より高い場合に
は、その電子回路そのものが不良となる。また、トリミ
ングのカット位置がずれるために厚膜抵抗体2を完全に
切断してしまうこともある。さらに、図7に示すよう
に、トリミングを進めていく過程において、所望の抵抗
値に近づくほど抵抗値の変化量が相対的に大きくなるカ
ット方法などでは、抵抗値を高くし過ぎてしまうことが
あり、抵抗の修復ができず不良となってしまうという問
題点を有していた。
【0008】さらに別の問題として、特に抵抗値の調整
だけでなく、回路そのものの特性を調整する、いわゆる
ファンクショントリミングにおいては、厚膜抵抗体2の
抵抗値調整範囲を比較的大きく必要とするが、このとき
従来の厚膜抵抗体2では調整幅を大きくするには非常に
数多くのカットを行なわねばならず、厚膜抵抗体2並び
に回路そのものの信頼性を低くする要因の一つとなって
いた。
【0009】本発明は上記のような問題を解決するため
になされたものであり、抵抗値を低減できるとともに、
仮に厚膜抵抗体を完全に切断した場合においても、その
修復が可能であり、さらに、厚膜抵抗体のカットを最小
限に抑えながらも幅広い抵抗値調整範囲をもつ厚膜抵抗
体を形成する方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明の第1の手段は、厚膜抵抗体が形成される一対
の導体の中間に、一個あるいは複数個の導体の島を設
け、導体の一部が厚膜抵抗体に覆われるように厚膜抵抗
体を形成し、導体の島同士、あるいは、導体ランドと導
体の島をワイヤーボンディングなどにより接続すること
によって、抵抗値の低減を可能としたものである。
【0011】また、本発明の第2の手段は、この前記手
段の応用として、前記一対の導体ランドとその導体ラン
ドの中間の任意の位置に設けられた一個あるいは複数個
の前記導体の島を、予め導体によって接続しておき、こ
の接続している導体の任意の位置をレーザカットなどに
よりカットすることにより、厚膜抵抗体のカットを最小
限にとどめ、抵抗値を段階的に幅広く変化させ得るよう
にしたものである。
【0012】
【作用】上記構成により、形成された厚膜抵抗体の中間
に導体の島があり、それぞれの任意の導体ランドあるい
は導体の島を後工程により自由に接続することが可能な
ため、抵抗値の低減や、抵抗体の修復が容易に実施でき
る。
【0013】また、これら導体ランドや導体の島を導体
によって予め接続しておくことにより、たとえば大きな
抵抗値変化が必要な場合や、製造品種の違いによって要
求される抵抗値が違う場合などには、後工程で接続して
いる導体の任意の位置をカットすることによって、選択
的に抵抗値が形成できたり、階段上の抵抗値変化が得ら
れる。さらに、この方法によれば、抵抗値の調整範囲が
大きいにも拘らず、抵抗体のカット量、言い替えると厚
膜抵抗体に与える損傷を必要最小限に抑えることが可能
となる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図に基づいて説明
する。図2は本発明の一実施例にかかる厚膜抵抗形成方
法を適用可能な厚膜抵抗体形成部の斜視図である。導体
ランド4a,4bの中間には導体の島5が設けられてお
り、この導体の島5の一部は、導体ランド4a,4b間
に設けられた厚膜抵抗体6により覆われている。7はト
リミングのカット部分であり、通常は厚膜抵抗体6を切
断してしまうことなく、図2に示すように厚膜抵抗体6
の幅半ばでカットが終了している。このように正常にト
リミングが行われるものについては、本発明の厚膜抵抗
体形成方法によらなくてもよいが、図1に示すように厚
膜抵抗体6を完全に切断してしまった場合においては本
発明は有効である。
【0015】すなわち、図2と同様に、導体ランド8
a,8bの中間には導体の島9が設けられ、この導体の
島9の一部は、導体ランド8a,8b間に設けられた厚
膜抵抗体10に覆われているが、カット位置のずれなどの
理由からトリミングカット部11にて厚膜抵抗体10が完全
に切断されている。そして、厚膜抵抗体10を修復する手
段として、導体ランド8aと導体の島9とをワイヤーボ
ンディングにより接続している。ここで、12はボンディ
ングされたボンディングワイヤ、13はワイヤーボンディ
ングされた状態で抵抗値を調整するためのトリミングカ
ット部である。
【0016】なお、この実施例においては、修復の方法
にワイヤーボンディング法を用いたが、導伝性のペース
トなどを用いてもよい。また導体ランド8a,8bと導
体の島9との接続部分の間隔を比較的狭く、かつ適当な
寸法に取ることによりクリーム半田による接続も可能で
ある。さらに、厚膜抵抗体10の修復を後工程で行った後
に改めて抵抗値調整をしなくとも、たとえば図1の例で
は、導体ランド8bと導体の島9とに計測プローブ(図
示せず)を立て、所望の抵抗値に調整しておいた後に切
断部分を修復すべく導体ランド8aと導体の島9を接続
すればよく、この場合は導体の島9を接続した後のトリ
ミングカットを行わなくても済む。
【0017】この図1の例における抵抗値の変化をグラ
フ化すると図3のようになる。図3において、イがトリ
ミング前の初期抵抗値、ロが第1回目のトリミングにお
いて厚膜抵抗体10が切断される直前の最大抵抗値、ハは
ワイヤーボンディングによる修復後の厚膜抵抗体10の抵
抗値、ニは正常なトリミング後の厚膜抵抗体10の最終抵
抗値である。従来であれば、厚膜抵抗体が完全に切断さ
れるまでもなく抵抗値が値ニより許容値を越えて上昇す
れば不良にする以外どうしようもなかったが、本発明に
よればその修復も可能となる。
【0018】なお、修復時の抵抗値変化(図3のロとハ
の差)をあまり大きくすると、その後のトリミングで再
び大きくカットしなければならない。この修復後の変化
を小さくする方法としては、図4に示すように導体の島
16a,16bの位置や大きさに工夫をすることにより実現
させることが可能である。この実施例では、導体ランド
14a、14b間よりも側方まで延長された厚膜抵抗体15を
用い、この厚膜抵抗体15における導体ランド14a,14b
が接続されていない角の部分にて導体の島16a,16bを
覆っている。図4において、17はトリミングカット部を
示す。
【0019】次に本発明の他の実施例を説明する。図5
は、本発明の他の実施例である厚膜抵抗体形成方法によ
る厚膜抵抗体形成部の平面図を示す。図5に示すよう
に、導体ランド18a,18bの間には複数の導体の島20a
〜20iが設けられており、これらの導体の島20a〜20i
の一端部は、導体ランド18a,18b間に設けられた厚膜
抵抗体19により覆われているとともに、導体の島20a〜
20iの他端部は導体部21により接続されている。
【0020】図5に示している状態では、導体ランド18
a,18bは導体部21により接続されているために抵抗体
としては機能していない。しかし、この状態から導体部
21の任意の位置、たとえば図5における部分ホをカット
することにより導体ランド18aと導体の島20aによって
挟まれる部分が抵抗として機能する。同様に導体部21の
任意の位置を切断することによって、所望の抵抗値に近
いところまでは厚膜抵抗体19に一切傷をつけることなく
調整することができる。なお、厚膜抵抗体19の最終の微
調整は厚膜抵抗体19自身をカットして行う。
【0021】また、この実施例においても、仮に抵抗値
が所望の値より高くなった場合には任意の導体の島や導
体ランドを接続すれば修復が可能である。この実施例で
は特に抵抗値の調整幅の大きいファンクショントリミン
グにおいて有効であるが、もちろん一般の抵抗として適
用する場合でも差しつかえなく適用することができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の厚膜抵抗
体形成方法によれば、厚膜抵抗体が形成される一対の導
体ランドの中間に導体の島を設けたため、この厚膜抵抗
体をトリミングする際などに、抵抗値が所望の値よりも
大きくなったときにでも、前記導体の島を利用して導体
の島同士あるいは導体ランドと接続することによって、
厚膜抵抗体の抵抗値を低減したり、切断された厚膜抵抗
体を修復したりすることができる。
【0023】また、本発明の厚膜抵抗体形成方法による
と、厚膜抵抗体が形成される一対の導体ランドの中間に
導体の島を設け、導体の島同士や導体の島と導体ランド
とを予め導体によって接続し、接続されている導体の任
意の位置をカットすることによって、抵抗体のカットを
必要最小限に抑えることができるとともに、幅広く抵抗
値の調整を行うこともできる。また、万が一、厚膜抵抗
体の抵抗値が所望の値を越えたときには、導体の島の適
当なもの同士あるいは、導体ランドを接続することによ
って抵抗値を低減させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例にかかる厚膜抵抗体形成方法
による厚膜抵抗体形成部の斜視図である。
【図2】本発明の一実施例にかかる厚膜抵抗体形成方法
を適用可能な厚膜抵抗体形成部の斜視図である。
【図3】同厚膜抵抗体形成方法による厚膜抵抗体形成部
の厚膜抵抗体をトリミングした際の抵抗値変化を示すグ
ラフである。
【図4】本発明の他の実施例にかかる厚膜抵抗体形成方
法による厚膜抵抗体形成部の斜視図である。
【図5】本発明の他の実施例にかかる厚膜抵抗体形成方
法による厚膜抵抗体部の平面図である。
【図6】従来の厚膜抵抗体形成方法による厚膜抵抗体形
成部の斜視図である。
【図7】従来の厚膜抵抗体形成方法による厚膜抵抗体を
トリミングした際の抵抗値変化を示すグラフである。
【符号の説明】
4a,4b,8a,8b,14a,14b,18a,18b 導
体ランド 5,9,16a,16b,20a〜20i 導
体の島 6,10,15
厚膜抵抗体 7,11,13,17
トリミングカット部 12
ボンディングワイヤ 21
導体部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 厚膜電子回路を形成する際、厚膜抵抗体
    が形成される一対の導体ランドの中間に導体の島を設
    け、導体の島の一部が厚膜抵抗体に覆われるように厚膜
    抵抗体を形成し、前記導体ランドと前記導体の島、また
    は前記導体の島同士を接続することによって抵抗値を低
    減可能とした厚膜抵抗体形成方法。
  2. 【請求項2】 導体の島を導体で導体ランドに予め接続
    し、導体の任意の位置をトリミングすることにより、厚
    膜抵抗体のカットを最小限にとどめながら、段階的な抵
    抗値変化を広い範囲において得られるようにした請求項
    1記載の厚膜抵抗体形成方法。
JP3271581A 1991-10-21 1991-10-21 厚膜抵抗体形成方法 Pending JPH05109513A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100463434B1 (ko) * 2001-12-04 2004-12-23 삼성전기주식회사 매립된 레지스터를 갖는 인쇄회로기판 및 이의 제조방법
KR100483623B1 (ko) * 2002-06-12 2005-04-18 삼성전기주식회사 매립된 레지스터를 갖는 인쇄회로기판, 이의 제조방법, 및이의 최적화방법
CN111279443A (zh) * 2017-10-25 2020-06-12 Koa株式会社 片式电阻器及片式电阻器的制造方法

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