JPH08250824A - 共線終端伝送線構造およびその製造方法 - Google Patents

共線終端伝送線構造およびその製造方法

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JPH08250824A
JPH08250824A JP8020132A JP2013296A JPH08250824A JP H08250824 A JPH08250824 A JP H08250824A JP 8020132 A JP8020132 A JP 8020132A JP 2013296 A JP2013296 A JP 2013296A JP H08250824 A JPH08250824 A JP H08250824A
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transmission line
substrate
collinear
line structure
conductors
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JP8020132A
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John F Casey
ジョン・エフ・ケイシー
Ronald W Schroeder
ロナルド・ダブリュ・シュローダー
Lewis R Dove
ルイス・アール・ドーヴ
Philip J Yearsley
フィリップ・ジェー・ヤースリー
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HP Inc
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Hewlett Packard Co
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Abstract

(57)【要約】 【課題】レーザー・スラグを最少化し微細ピッチ間隔を
備える共線終端伝送線構造の提供。 【解決手段】基板上に印刷され、それぞれの間に所定幅
の間隔を有し、ほぼ平行に配置されている複数の導体
(120)と、厚膜抵抗材料の帯から形成され、それぞ
れが前記複数の導体に電気的に接続されている複数の抵
抗(150)とを備えている共線終端伝送線構造。厚膜
抵抗材料の帯(210)のレーザ・トリム領域(22
0)を除去して抵抗(150)を作成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般にハイブリッド回
路に関し、より詳細には、共線終端伝送線構造およびそ
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ハイブリッド回路は、アルミナまたは類
似のセラミックから成る絶縁基板上に製造することがで
きる。このハイブリッド回路には任意の数の厚膜または
薄膜構成部品、半導体デバイスおよびコンデンサのよう
なディスクリート部品が組み合わされている。ハイブリ
ッド回路は通常、高周波およびマイクロ波用途に応用さ
れているが、低周波用途にもまた応用することができ
る。多くの場合、絶縁蓋が、回路を封入する基板に取り
付けられている。高電力用途においては、ヒート・シン
クを備えることが望ましい場合が多い。通常は、ヒート
・シンクは、熱可塑性エポキシ樹脂により、ハイブリッ
ドの不活性側に直接取り付けられている。
【0003】高周波で動作する電子装置の設計および製
造においては、回路間の電気的相互接続が重大な問題と
なる。相互接続寸法が、信号波長の有意分数となる(通
常は、波長の1/10から1/8が有意とみなされる)
と、相互接続は、制御インピーダンス伝送線として扱わ
なければならない。高周波数、およびマイクロ波周波数
(すなわち1GHz以上の周波数)においては、ほとん
どすべての回路相互接続は、この基準を満たており、こ
のため、制御インピーダンス伝送線として設計されなけ
ればならない。回路の特性インピーダンスに整合しない
相互接続、および界が整合しない相互接続は、信号反射
を生じ、その結果送電性および信号保全性を損なうこと
になる。
【0004】通常、基板に接続される高周波回路は、回
路周囲付近にエッチングされた導電パッドを有する。こ
うしたパッドは、ワイヤ・ボンディングを介して、基板
上にエッチングまたは印刷された導電リード線に電気的
に接続されている。パッドとリード線との間の制御可能
な相互接続をもたらすために、多くの場合抵抗が各リー
ド線を終端している。この技法の問題点は、各終端抵抗
が個々に印刷されることである。複数のリード線を終端
するために複数のスクリーン印刷が必要となるため、こ
の通常の技法では、プロセス・エラーおよび不均一な終
端抵抗の可能性を高めてしまう。さらに、終端抵抗は、
正確な値を得るためのレーザー・トリミングの結果、ス
ラグ(即ちレーザ・スラグ)を含んでいる。このスラグ
がさらに、導電リード線上にのり、これがワイヤ・ボン
ディングを妨げる。さらにその上、通常の印刷およびレ
ーザー・トリミングされた抵抗は、その典型的な厚さ
(すなわち約10−20ミル)のために、高密度パッケ
ージングが容易ではない。ここに、1ミルは0.0254mmで
ある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、レーザー・
スラグを最少化し微細ピッチ間隔を備える共線終端伝送
線構造をもたらす。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の構造は、より大
きなスクリーン印刷された抵抗帯からレーザー・トリミ
ングされた、複数の抵抗を含んでいる。複数の抵抗は、
複数の導電リード線に電気的に接続されている。複数の
各抵抗間の間隔は、複数の各導電リード線の間の所定間
隔を補間しており、このため厚膜回路に対する高密度パ
ッケージングを容易にしている。本発明の構造には、比
較的スラグの問題がない。本発明はまた、本発明の共線
終端伝送線構造を製造する方法と考えることもできる。
特に、本発明の方法は、基板製造ステップ、抵抗帯を基
板上にスクリーン印刷するステップ、炉で焼成するステ
ップ、溶液に基板を浸漬するステップ、抵抗帯をレーザ
ー・トリミングし複数の抵抗を製造するステップ、およ
び温水で基板をすすぐステップを含んでいる。1つの実
施例においては、基板を浸漬する溶液は、ポリビニル・
アルコールとイソプロピル・アルコールの混合液であ
る。
【0007】
【実施例】レーザー・スラグが最少限であり、微細ピッ
チ間隔を備える共線終端伝送線構造を呈示する。本発明
の構造は、抵抗帯からレーザー・トリミングされた複数
の抵抗を含んでいる。複数の抵抗は、複数の導電リード
線に電気的に接続されている。この微細ピッチ間隔は、
複数の各導電リード線間の所定間隔である。
【0008】図1は、本発明による、共線終端伝送線の
斜視図である。高周波回路100が通常の方法で、基板
(図示せず)に取り付けられている。基板は、たとえば
アルミナから製造することができる。グラウンド層10
5は、回路100の下に配置され、基板の下のグラウン
ド層と電気的に接続されている。回路100は、ある所
定距離をあけて配置された、複数の導電パッド110を
含んでいる。好ましい実施例においては、パッド110
は、アルミニウム・メッキまたは金メッキされており、
2−7ミルの間隔があけられている。グラウンド層10
5はまた、金メッキされていてもよい。他の導体タイプ
(たとえば、パラジウム銀)および他の間隔(たとえ
ば、7−20ミル)も、本発明の範囲を逸脱することな
く使用することができる。
【0009】複数の導電リード線120が、基板上に配
置され、回路100上の導電パッドに合わせて配列され
ている。導電リード線120の数は、導電パッド110
の数と等しくすることができる。各導電リード線120
は、ワイヤ・ボンド115を経て関連する導電パッド1
10に電気的に接続されている。抵抗150は、導電リ
ード線120をグラウンド層105に接続している。1
つの好ましい実施例においては、各導電リード線120
は、ある特性インピーダンスを有している。他の好まし
い実施例においては、各抵抗150の抵抗値は、導電リ
ード線120の特性インピーダンスに等しくなってい
る。ほかの実施例においては、各抵抗150の抵抗値
は、50オームに等しくなっている。
【0010】図2は、共線終端伝送線の上面図である。
共線終端伝送線は、同数の厚膜抵抗150に接続され
た、複数の導電リード線120を含んでいる。複数の導
電リード線120は、所定の微細ピッチ間隔xを有して
いる。好ましい実施例においては、xは5ミルに等しい
が、本発明の範囲を逸脱することなく、たとえば5−2
0ミルなどの他のx値を使用することができる。通常の
スクリーン印刷およびレーザー・トリミング技法では、
一般に、x値は20ミル以上が適切であるとされてい
る。
【0011】厚膜抵抗材の帯210が、複数の導電リー
ド線120に隣接した基板の表側に印刷される。溶液に
浸漬した後、この帯210は、レーザー・エッチングさ
れて、レーザー・トリム領域220を生成する。この結
果、残った厚膜抵抗150は、均一の厚さを有する比較
的レーザー・スラグの問題のない抵抗である。この抵抗
150は、好ましい実施例においては3ミルの、幅yを
有する。幅わずか3ミルの厚膜抵抗は、高密度なパッケ
ージングに、はかり知れない利点をもたらす。(たとえ
ば、3ミルの抵抗は、高周波回路の導電パッドがわずか
5ミルの間隔で配置される高密度厚膜パッケージングに
対応することができる)3ミルの抵抗の他の利点は、電
界整合を容易にすることである。導電リード線/抵抗対
に関連する、寄生キャパシタンスおよびインダクタンス
などの寄生インピーダンスは、通常信号の完全性を妨げ
ている。寄生量は、抵抗の大きさに直接に関連する。す
なわち、寄生量は、形状寸法に応じて拡大縮小するた
め、幅3ミルの抵抗は、幅10ミルの抵抗に比べ、寄生
量がより少なくてすむ。
【0012】好ましい実施例において、帯210は、幅
20ミルおよび長さ2”(50.8mm)である。この
共線終端伝送線は、現代の基板技術の許す限り最大の寸
法まで延ばすことができる。現在、長さ4”(101.
6mm)が、様々な基板およびチップ寸法に適応してい
る。4”を超える延長も、本発明の範囲内に十分含まれ
る。
【0013】図3Aは、2つの導体間に配置された一個
作りの厚膜抵抗の一実例を示す斜視図である。導体32
0は、導体322に整列して配置され、グラウンド接続
を表している。例示のために、導体320および322
は、基板上に配置されたエッチング導体である。厚膜抵
抗350は、導体320を導体322に電気的に接続し
ている。抵抗350を基板上に付着させた後、部分35
5は、抵抗350の一方の側面からレーザー・トリミン
グによって除去される。
【0014】図3Bは、図3Aの厚膜抵抗のA'-A'断面を
示す断面図である。抵抗350は、非均一表面を有して
いる。レーザー・トリミングされた部分355は、a1
で表される。a2は、残りの抵抗350材を表してい
る。図3Bに示されるように、レーザー・トリミング
は、抵抗の薄い部分(a1)をとらえている。残念なが
ら、個々にスクリーン印刷された厚膜抵抗においては、
特に抵抗のサイズが減少すると、レーザー・トリム工程
に十分な制御性を与えない。通常のレーザー・エッチン
グ抵抗は、20ミルで「小型」とみなされる。通常の抵
抗は20ミルであるが、10ミルであったとしても、高
密度にパッケージされた厚膜回路には対応できない。
【0015】図4は、図1および図2に示された、共線
終端伝送線の1つの厚膜抵抗を示す断面図である。図3
Aおよび図3Bの抵抗とは対照的に、この抵抗150の
断面図は、表面a3の大部分が平滑であることを示して
いる。この平滑さは、抵抗150の均質性を示してい
る。抵抗150がこれほどに均質である理由の1つは、
これがより大きな、スクリーン印刷された抵抗帯からレ
ーザー・トリミングされたことにある。この抵抗150
が均質である他の理由は、レーザー・トリミングに先立
ち、抵抗帯ごと基板を溶液に浸漬する、本発明の方法
(図5Aおよび図5Bに関して以下により詳細に説明す
る)に起因している。この溶液は、基板および抵抗帯上
に保護被膜を形成して、トリミング処理中に生じたレー
ザー・スラグを集めるようになっている。「マウスの耳
状隆起」410が、レーザー・トリミング後のリフロー
イング・プロセスにより、抵抗150の両角に形成され
る。
【0016】図5Aおよび図5Bは、本発明による共線終
端伝送線の製造方法の1つの好ましい実施例を示す流れ
図である。プロセスは、基板の表側金属をスクリーン印
刷する(ブロック510)ことから開始する。基板は、
たとえばセラミック製でもよい。その後、スクリーン印
刷された金属は、自然乾燥される(ブロック520)。
そして、グラウンド層は、パッケージが高温で焼成され
る(ブロック540)前に基板の裏側にスクリーン印刷
される(ブロック530)。次に制御は、項目580に
渡される。
【0017】図5Bを参照すると、ブロック581にお
いて、基板の表側に厚膜抵抗帯がスクリーン印刷される
ことが示されている。好ましい実施例においては、抵抗
帯は、米国デラウェア州ウィルミントン(Wilmington)
のDuPont Electronics社製、BIROX Series17である。ス
クリーン印刷された抵抗帯を備えた基板は、所定温度に
おいて所定時間、炉で焼成される(ブロック582)。
そして、抵抗帯と共に基板は、抵抗帯がレーザー・トリ
ミングされる(ブロック584)前に、溶液に浸漬され
る(ブロック583)。溶液は、基板および抵抗帯に保
護被膜を施すため、レーザー・トリミング・ステップ
(ブロック584)を、比較的スラグのない状態で進め
ることができる。レーザー・トリミングが終了すると、
基板は、温水ですすがれる(ブロック585)。このた
め図5Aに戻る前に、溶液およびいかなるレーザー・ス
ラグも除去される。好ましい実施例においては、抵抗帯
をトリミングするために使用されたレーザーは、約1.
5ワット、波長1064nmで動作するイットリウム・
アルミニウム・ガーネット(YAG)結晶レーザーであ
る。CO2またはエキシマ・レーザーのいずれも、本発
明の範囲を逸脱することなく代替として使用することが
できる。
【0018】好ましい実施例においては、ブロック58
3において使用される溶液は、ポリビニル・アルコール
およびイソプロピル・アルコールの混合液である。他の
好ましい実施例においては、溶液は、米国マサチューセ
ッツ州のTransene Company,Inc製のTransene Photomask
Coating-2060である。
【0019】以上、本発明を好ましい実施例と共に示
し、説明してきたが、これは示された特定の構造および
方法に制限するものではない。本発明の真の範囲および
精神を、広義の態様において逸脱することなく、冒頭の
請求の範囲内で、様々な変更および修正を加えることが
可能であることが、当業者には理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による、共線終端伝送線を示す斜視図で
ある。
【図2】共線終端伝送線の上面図である。
【図3A】2つの導体の間に配置された厚膜抵抗を示す
斜視図である。
【図3B】図3Aの厚膜抵抗の断面を示す側断面図であ
る。
【図4】図1および図2に示された共線終端伝送線の1
つの厚膜抵抗の断面を示す側断面図である。
【図5A】本発明による、共線終端伝送線の製造方法を
示す流れ図である。
【図5B】本発明による、共線終端伝送線の製造方法を
示す流れ図である。
【符号の説明】
120 導電リード線 150 厚膜抵抗 210 厚膜抵抗材料の帯 220 レーザ・トリム領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ルイス・アール・ドーヴ アメリカ合衆国コロラド州モニュメント、 イースト トップ オー ザ ムーア ド ライブ 19855 (72)発明者 フィリップ・ジェー・ヤースリー アメリカ合衆国コロラド州コロラド スプ リングス、パトリシャン ウエイ 2314

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に印刷され、それぞれの間に所定
    幅の間隔を有し、ほぼ平行に配置されている複数の導体
    と、 厚膜抵抗材料の帯から形成され、それぞれが前記複数の
    導体に電気的に接続されている複数の抵抗とを備えてい
    る共線終端伝送線構造。
  2. 【請求項2】 所定幅が0.0505mm(2ミル)よりも大き
    く、かつ0.178mm(7ミル)未満であることを特徴とす
    る、請求項1に記載の共線終端伝送線構造。
  3. 【請求項3】 前記複数の各抵抗が3ミルの特性幅を有
    することを特徴とする、請求項2に記載の共線終端伝送
    線構造。
  4. 【請求項4】(1)基板を製造するステップと、(2)
    基板上に複数の導体をスクリーン印刷するステップと、
    (3)複数の導体の一端付近の抵抗帯にスクリーン印刷
    するステップと、(4)基板を溶液に浸漬するステップ
    と、(5)抵抗帯をレーザー・トリミングして、それぞ
    れが複数の各導体に合わせて配置される、複数の抵抗を
    生成するステップと、(6)基板を温水ですすぐことに
    よって、溶液を除去するステップとからなる共線終端伝
    送線構造の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記ステップ(4)の前記溶液が、ポリ
    ビニル・アルコールとイソプロピル・アルコールの混合
    液であることを特徴とする、請求項4に記載の共線終端
    伝送線構造の製造方法。
JP8020132A 1995-03-02 1996-02-06 共線終端伝送線構造およびその製造方法 Pending JPH08250824A (ja)

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US08/397,594 US5504986A (en) 1995-03-02 1995-03-02 Method of manufacturing collinear terminated transmission line structure with thick film circuitry
US397,594 1995-03-02

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000353873A (ja) * 1999-06-11 2000-12-19 Kyocera Corp 多層配線基板

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5922514A (en) 1997-09-17 1999-07-13 Dale Electronics, Inc. Thick film low value high frequency inductor, and method of making the same
US7297896B2 (en) * 2002-11-21 2007-11-20 Hadco Santa Clara, Inc. Laser trimming of resistors
JP5091406B2 (ja) * 2002-11-21 2012-12-05 ハドコ サンタ クララ,インコーポレイテッド レジスタのレーザトリミング
US6972391B2 (en) * 2002-11-21 2005-12-06 Hadco Santa Clara, Inc. Laser trimming of annular passive components
US7100270B2 (en) * 2003-09-25 2006-09-05 Tong Hsing Electric Industries Ltd. Method of fabricating a thin film integrated circuit with thick film resistors
JP2007027192A (ja) * 2005-07-12 2007-02-01 Denso Corp レーザトリミング方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4146673A (en) * 1977-10-27 1979-03-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process of film resistor laser trimming and composition of removable coating used therein

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000353873A (ja) * 1999-06-11 2000-12-19 Kyocera Corp 多層配線基板

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