JPS6116415A - 配線体 - Google Patents
配線体Info
- Publication number
- JPS6116415A JPS6116415A JP13590584A JP13590584A JPS6116415A JP S6116415 A JPS6116415 A JP S6116415A JP 13590584 A JP13590584 A JP 13590584A JP 13590584 A JP13590584 A JP 13590584A JP S6116415 A JPS6116415 A JP S6116415A
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- Japan
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- wiring
- wiring body
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- insulator
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は集積回路素子を実装するのに適した配線体に
係り、特に同軸構造の配線体に関する。
係り、特に同軸構造の配線体に関する。
集積回路素子、特に高速論理素子の実装に際しては、複
数の信号線が近接して平行に配列されていると配線間に
クロストークが生じ、論理誤動作が起り易いという問題
がある。また、信号線の特性インピーダンスが不均一の
場合には不連続部で反射が生じて伝達損失が増大し、や
はり高速動作に障害となる。
数の信号線が近接して平行に配列されていると配線間に
クロストークが生じ、論理誤動作が起り易いという問題
がある。また、信号線の特性インピーダンスが不均一の
場合には不連続部で反射が生じて伝達損失が増大し、や
はり高速動作に障害となる。
このような問題を解決する方法として、集積回路素子の
実装に用いられる配線体を通信灘等の高周波回路で信号
線路に用いられているような同軸構造とすることが考え
られる。しかしながら、論理集積回路素子の場合は高速
動作を維持するためにドライバ段での電力損失を極力低
く抑える必要があり、このような要求を満足する配線体
の具体的な構造は未だ提案されていない。
実装に用いられる配線体を通信灘等の高周波回路で信号
線路に用いられているような同軸構造とすることが考え
られる。しかしながら、論理集積回路素子の場合は高速
動作を維持するためにドライバ段での電力損失を極力低
く抑える必要があり、このような要求を満足する配線体
の具体的な構造は未だ提案されていない。
この発明の目的は、高速動作が要求される集積回路素子
の実装に適した同軸構造の配線体を提供することにある
。
の実装に適した同軸構造の配線体を提供することにある
。
この発明に係る配線体は、複数の配線パターンケ、これ
らの配線パターンを取囲むように設けられた有機絶縁体
と、これらの有機絶縁体を取囲むように設けられた共通
導体とを備えたものである。
らの配線パターンを取囲むように設けられた有機絶縁体
と、これらの有機絶縁体を取囲むように設けられた共通
導体とを備えたものである。
すなわち、同軸線路の中心導体を構成する配線パターン
と、外部導体を構成する共通導体との間を絶縁する絶縁
体（誘電体）として、有機絶縁体、例えばポリイミドや
デフロンを用いた点が大きな特徴である。
と、外部導体を構成する共通導体との間を絶縁する絶縁
体（誘電体）として、有機絶縁体、例えばポリイミドや
デフロンを用いた点が大きな特徴である。
この発明による配線体は同軸構造であるため、信号線（
配線パターン）が近接して形成されていてもその相互間
にクロストークが生じることはなく、論理素子等の誤動
作が防止される。また、同軸構造によって信号線の特性
インピーダンスが一定に保たれることにより、信号線で
の反射がなく、伝達損失が小さく抑えられる。
配線パターン）が近接して形成されていてもその相互間
にクロストークが生じることはなく、論理素子等の誤動
作が防止される。また、同軸構造によって信号線の特性
インピーダンスが一定に保たれることにより、信号線で
の反射がなく、伝達損失が小さく抑えられる。
さらに、この発明では特に配線パターンと共通導体との
間に介在される絶縁体として誘電率が小さい有機絶縁体
を使用しているため、特性インピーダンスを大きくとる
ことができる。従って、配線体に流れる電流が小さく抑
えられるので、集積回路素子のドライバ段での電力損失
を小さくでき、高速動作に有利となる。
間に介在される絶縁体として誘電率が小さい有機絶縁体
を使用しているため、特性インピーダンスを大きくとる
ことができる。従って、配線体に流れる電流が小さく抑
えられるので、集積回路素子のドライバ段での電力損失
を小さくでき、高速動作に有利となる。
第１図にこの発明の一実施例の配線体を示す。
この図において第１の導体層１は例えば銅箔からなり、
この第１の導体層１上に有機絶縁体フィルム、例えばポ
リイミドまたはテフロンの薄し１フイルムからなる帯状
の第１の絶縁体層２力（複数本平行に形成されている。
この第１の導体層１上に有機絶縁体フィルム、例えばポ
リイミドまたはテフロンの薄し１フイルムからなる帯状
の第１の絶縁体層２力（複数本平行に形成されている。
これら第１の絶縁層２上に例えば無電解銅メッキまたは
銅箔からなる配線）くターン３が形成され、さらにこの
上に第１の絶縁層２と同様の第２の絶縁層４が形成され
てし）る。
銅箔からなる配線）くターン３が形成され、さらにこの
上に第１の絶縁層２と同様の第２の絶縁層４が形成され
てし）る。
そして、第１の導体層１の露出部分および第２の絶縁層
４上に第１の導体層１と同様の第２の導体層５が形成さ
れている。
４上に第１の導体層１と同様の第２の導体層５が形成さ
れている。
このように構成される配線体１０の製造方法の一例を説
明すると、次の通りである。まず、第１の導体層１とし
て３５μｍ厚の銅箔の上に第１の絶縁層２となる７０μ
ｍ厚のポリイミドフィルムと、配線パターン３となる１
０μｍ厚の銅箔を順次ラミネート（被着）する。１ｏＩ
ｉｍ厚の銅箔を゛ エツチングにより線幅１０μｍの平
行な配線パターン３とし、次いで７０μｍ厚のポリイミ
ドフィルムを１００μｍ１幅にエツチングして、第１の
絶縁層２を形成する。このとき第１の絶縁層２の間隔は
例えば５０μｍとする。次に、７０μｍ厚のポリイミド
フィルムを全面に被着し、これを第２の絶縁層２および
配線パターン３上の部分のみ残るようにエツチングして
第２の絶縁層４とする。
明すると、次の通りである。まず、第１の導体層１とし
て３５μｍ厚の銅箔の上に第１の絶縁層２となる７０μ
ｍ厚のポリイミドフィルムと、配線パターン３となる１
０μｍ厚の銅箔を順次ラミネート（被着）する。１ｏＩ
ｉｍ厚の銅箔を゛ エツチングにより線幅１０μｍの平
行な配線パターン３とし、次いで７０μｍ厚のポリイミ
ドフィルムを１００μｍ１幅にエツチングして、第１の
絶縁層２を形成する。このとき第１の絶縁層２の間隔は
例えば５０μｍとする。次に、７０μｍ厚のポリイミド
フィルムを全面に被着し、これを第２の絶縁層２および
配線パターン３上の部分のみ残るようにエツチングして
第２の絶縁層４とする。
最後に全面に無電解銅メッキを施して第２の導体層５を
形成する。
形成する。
このようにして配線パターン３を第１．第２の絶縁層３
，４からなる有機絶縁体で取囲み、さらにその外側を第
１．第２の導体層１，１１５からなる共通導体で取囲ん
だ第１図に示すような同軸構造の配線体１０が作成され
る。
，４からなる有機絶縁体で取囲み、さらにその外側を第
１．第２の導体層１，１１５からなる共通導体で取囲ん
だ第１図に示すような同軸構造の配線体１０が作成され
る。
この配線体１０を集積回路素子（［ＳＩ）の実装に用い
た場合の具体例を説明する。第２図はその一例を示すも
ので、第１図で説明した第１．第２の導体層１，５と第
１．第２の絶縁層２，４および配線パターン３からなる
配線体１０は、第３図にも示すように、第１図とは表裏
を逆にして集積回路素子１１と共にＡｆｆｉ２０３ 、
ＡλＮ。
た場合の具体例を説明する。第２図はその一例を示すも
ので、第１図で説明した第１．第２の導体層１，５と第
１．第２の絶縁層２，４および配線パターン３からなる
配線体１０は、第３図にも示すように、第１図とは表裏
を逆にして集積回路素子１１と共にＡｆｆｉ２０３ 、
ＡλＮ。
ＢｅＯ等のセラミックからなる外器１２上番こ配置され
ている。外器１２の下面には必要に応じてヒートシンク
１３が取付けられる。
ている。外器１２の下面には必要に応じてヒートシンク
１３が取付けられる。
配線体１０において配線パターン３の端部は露出されて
おり、この露出部に集積回路素子１２上の入出力パッド
１４および外器１２上の外部接続用バッド１５との接続
のための接続用パン１１６゜１７が形成されている。配
線体１０のバンプ１６゜１７と反対側の位置は開口され
ており、この開口部を通して加熱圧着用のツールを突き
当てることにより配線体１０と各パッド１４．１５との
電気的接続を行なうことができる。外部接続用パッド１
５は例えばタングステン・ペーストを塗布して形成され
たものであり、このパッド１５には一端がセラミック支
持体１８により支持された入出力ビン１９が電気的に接
続されている。
おり、この露出部に集積回路素子１２上の入出力パッド
１４および外器１２上の外部接続用バッド１５との接続
のための接続用パン１１６゜１７が形成されている。配
線体１０のバンプ１６゜１７と反対側の位置は開口され
ており、この開口部を通して加熱圧着用のツールを突き
当てることにより配線体１０と各パッド１４．１５との
電気的接続を行なうことができる。外部接続用パッド１
５は例えばタングステン・ペーストを塗布して形成され
たものであり、このパッド１５には一端がセラミック支
持体１８により支持された入出力ビン１９が電気的に接
続されている。
配線体１０の特性インピーダンス２０は、絶縁体層２，
４に用いられるポリイミドのような有機絶縁材料の比誘
電率εＢが２〜３程度であるから、Ｚｏ＝３０〜５００
程度となる。これは絶縁体として厚膜絶縁体（εｓ＝７
〜１２程度）を用いた場合に比べほぼ２倍の値である。
４に用いられるポリイミドのような有機絶縁材料の比誘
電率εＢが２〜３程度であるから、Ｚｏ＝３０〜５００
程度となる。これは絶縁体として厚膜絶縁体（εｓ＝７
〜１２程度）を用いた場合に比べほぼ２倍の値である。
これにより集積回路素子１１のドライバ段での電力損失
が比較的小さく抑えられるので、集積回路素子１１の動
作速度を損うことがなくなる。従って、この発明の配線
体は特に高速論理素子の実装に適している。
が比較的小さく抑えられるので、集積回路素子１１の動
作速度を損うことがなくなる。従って、この発明の配線
体は特に高速論理素子の実装に適している。
第４図に示す実施例はこの発明の配線体１０を配線基板
２０上に配設した例を示すものである。
２０上に配設した例を示すものである。
すなわち、配線基板２０はセラミック基板２１上に例え
ば厚膜導体からなる配線パターン２２を形成したもので
あり、この配線パターン２２上に形成されたパッド２３
に接続用パッド２４を介して配線体１０の配線パターン
３が接続されている。
ば厚膜導体からなる配線パターン２２を形成したもので
あり、この配線パターン２２上に形成されたパッド２３
に接続用パッド２４を介して配線体１０の配線パターン
３が接続されている。
また、配線体１０の配線パターン３には配線基板２０の
配線パターン２２とは反対側から、集積回路素子２５の
入出力パッド２６がやはり接続用バンプ２７により接続
されている。
配線パターン２２とは反対側から、集積回路素子２５の
入出力パッド２６がやはり接続用バンプ２７により接続
されている。
第５図に示す実施例はセラミック基板３０上に配線体１
０を一体に形成したものである。すなわち、配線体１０
の第１の導体層１はこの例ではセラミック基板３０上に
厚膜印刷等により被着形成され、この第１の導体層１上
に第１の絶縁層２が形成され、この第１の絶縁層２上に
配線パターン３がフォトリソグラフィにより形成される
。配線パターン３の形成にフ７Ｉ）−リソグラフィを用
いる理由は、配線パターン３を第１図で説明したと同様
に線幅を１０μｍ程度にする必要があるためである。こ
のフォトグラフィに際し、配線パターン３のエツチング
工程で用いるエラチャン１−としては配線パターンの導
体材料がＡｕの場合はＩ２十に！、導体材料がＣＬ）の
場合は過硫酸アンモニウムが適当である。
０を一体に形成したものである。すなわち、配線体１０
の第１の導体層１はこの例ではセラミック基板３０上に
厚膜印刷等により被着形成され、この第１の導体層１上
に第１の絶縁層２が形成され、この第１の絶縁層２上に
配線パターン３がフォトリソグラフィにより形成される
。配線パターン３の形成にフ７Ｉ）−リソグラフィを用
いる理由は、配線パターン３を第１図で説明したと同様
に線幅を１０μｍ程度にする必要があるためである。こ
のフォトグラフィに際し、配線パターン３のエツチング
工程で用いるエラチャン１−としては配線パターンの導
体材料がＡｕの場合はＩ２十に！、導体材料がＣＬ）の
場合は過硫酸アンモニウムが適当である。
なお、配線パターンの他の形成方法としては、例えば銅
の薄膜を蒸着またはスパッタにより２０００人程度０厚
さ形成して酸素プラズマにて酸化させ、さらに銅薄膜を
１〜３μｍ程度形成し、Ｎ２ガス中で焼成して第１の絶
縁層２上に被着せしめた後、エツチングによりパターニ
ングする方法もある。
の薄膜を蒸着またはスパッタにより２０００人程度０厚
さ形成して酸素プラズマにて酸化させ、さらに銅薄膜を
１〜３μｍ程度形成し、Ｎ２ガス中で焼成して第１の絶
縁層２上に被着せしめた後、エツチングによりパターニ
ングする方法もある。
こうして配線パターン３を形成した後、第２の絶縁層４
および第２の導体層５を順次形成することによって、第
１図と同様な同軸構造の配線体１０がセラミック基板３
０上に一体に形成される。
および第２の導体層５を順次形成することによって、第
１図と同様な同軸構造の配線体１０がセラミック基板３
０上に一体に形成される。
第５図の実流例は多層配線にも適用が可能であり、その
実施例を第６図に示す。第６図においてセラミック基板
３０上に形成された第１の配線体１０ａにおける第２の
導体層５の表面は平坦に形成され、この上に第１の配線
体１０ａと全く同様な構成の第２の配線体１０ｂが形成
されている。
実施例を第６図に示す。第６図においてセラミック基板
３０上に形成された第１の配線体１０ａにおける第２の
導体層５の表面は平坦に形成され、この上に第１の配線
体１０ａと全く同様な構成の第２の配線体１０ｂが形成
されている。
ただし、第１の配線体１０ａと第２の配線体１０ｂのそ
れぞれの配線パターン３は互いに直交しており、各端部
は図に示すように異なる方向に引出されて外部接続用バ
ッド（図示せず）に接続される。また、第１の配線体１
０ａにお【プる第２の導体層５は、第２の配線体１０ｂ
における第１の導体層を兼ねている。
れぞれの配線パターン３は互いに直交しており、各端部
は図に示すように異なる方向に引出されて外部接続用バ
ッド（図示せず）に接続される。また、第１の配線体１
０ａにお【プる第２の導体層５は、第２の配線体１０ｂ
における第１の導体層を兼ねている。
この発明は上述した実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施が可能である
ことはいうまでもない。
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施が可能である
ことはいうまでもない。
第１図はこの発明の一実施例の配線体の構成を示す図、
第２図は同配線体をセラミック外器上に配設した状態を
示す断面図、第３図は第２図の要部の平面図、第４図は
同配線体を他の配線基板上に配設した状態を示す断面図
、第５図は同配線体をセラミック基板上に一体に形成し
た状態を示す図、第６図は同配線体を多層棺線に適用し
た例を示す図である。 １・・・第１の導体層、２・・・第１の絶縁層、３・・
・配線パターン、４・・・第２の絶縁層、５・・・第２
の導体層、１０．１０ａ、１０ｂ・・・配線体。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ＭＳ１図 ′！１５３図 第４図 第５図
第２図は同配線体をセラミック外器上に配設した状態を
示す断面図、第３図は第２図の要部の平面図、第４図は
同配線体を他の配線基板上に配設した状態を示す断面図
、第５図は同配線体をセラミック基板上に一体に形成し
た状態を示す図、第６図は同配線体を多層棺線に適用し
た例を示す図である。 １・・・第１の導体層、２・・・第１の絶縁層、３・・
・配線パターン、４・・・第２の絶縁層、５・・・第２
の導体層、１０．１０ａ、１０ｂ・・・配線体。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ＭＳ１図 ′！１５３図 第４図 第５図
Claims (5)
- （１）複数の配線パターンと、これらの配線パターンを
取囲むように設けられた有機絶縁体と、これらの有機絶
縁体を取囲むように設けられた共通導体とを備えたこと
を特徴とする配線体。 - （２）有機絶縁体は配線パターンの各々を支持する第１
の絶縁体層と、これら第１の絶縁体層に配線パターンを
介して対向して設けられた第２の絶縁体層とからなり、
共通導体は第１の絶縁体層を支持する第１の導体層と、
この第１の導体層および第１の絶縁体層上に設けられた
第２の導体層とからなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の配線体。 - （３）配線パターンと有機絶縁体および共通導体が他の
配線基板上に形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項または第２項記載の配線体。 - （４）第１の導体層がセラミック基板上に形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項また
は第３項記載の配線体。 - （５）配線パターンの端部が有機絶縁体から露出され、
この露出部に接続用バンプが形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第
４項記載の配線体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13590584A JPS6116415A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 配線体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13590584A JPS6116415A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 配線体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116415A true JPS6116415A (ja) | 1986-01-24 |
Family
ID=15162565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13590584A Pending JPS6116415A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 配線体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116415A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333543A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-13 | Kubota Ltd | 黒鉛が晶出した高クロムロ−ル材 |
| JPS6397304A (ja) * | 1986-10-11 | 1988-04-28 | Kubota Ltd | 耐焼付性に優れた複合リングロ−ル |
| JPS645610A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Sumitomo Metal Ind | Rolling roll excellent in wear resistance and seizure resistance |
| JPH02232339A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-14 | Kubota Ltd | 耐摩耗性および耐肌荒性に優れた黒鉛を有する高クロム鋳鉄材 |
| JP2003249731A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 同軸線路構造を有するプリント配線基板およびその製造方法 |
| JP2012243857A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Hitachi Ltd | プリント基板及びプリント基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-30 JP JP13590584A patent/JPS6116415A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333543A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-13 | Kubota Ltd | 黒鉛が晶出した高クロムロ−ル材 |
| JPS6397304A (ja) * | 1986-10-11 | 1988-04-28 | Kubota Ltd | 耐焼付性に優れた複合リングロ−ル |
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| JPH02232339A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-14 | Kubota Ltd | 耐摩耗性および耐肌荒性に優れた黒鉛を有する高クロム鋳鉄材 |
| JP2003249731A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 同軸線路構造を有するプリント配線基板およびその製造方法 |
| JP2012243857A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Hitachi Ltd | プリント基板及びプリント基板の製造方法 |
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