JP2007027192A

JP2007027192A - レーザトリミング方法

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Publication number: JP2007027192A
Application number: JP2005203229A
Authority: JP
Inventors: Michio Yamashita; 道男山下
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2005-07-12
Filing date: 2005-07-12
Publication date: 2007-02-01
Also published as: US20070012666A1

Abstract

【課題】直線偏光のレーザビームを用いて薄膜抵抗体をレーザトリミングする場合において筋残りを発生させないようにすることができるレーザトリミング方法を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ１内にある全てのレーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３についてトリミング方向を一方向のみとし、かつ、このトリミング方向を各レーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３で揃えておき、レーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３に対し直線偏光のレーザビームを筋残りが出ない方向にのみ走査してトリミングを行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザトリミング方法に関するものである。

薄膜抵抗体をトリミングするためにレーザトリミングが使われている（例えば、特許文献１）。具体的には、例えば、図１０に示すように、ＩＣチップにおいてシリコン基板２００の上に絶縁膜２０１を介して薄膜抵抗体２０２が形成され、薄膜抵抗体２０２に対しレーザビームを照射してトリム跡２０３を形成してトリミングする。図１０では、Ｘ方向に延びる第１の線分２０３ａとＹ方向に延びる第２の線分２０３ｂからなるＬ字のトリム跡２０３を形成している（Ｌカットしている）。
特許番号第２６１８１３９号公報

ところが、直線偏光のレーザビームで薄膜抵抗体２０２のトリミングを行うと、図１１に示すように、Ｘ，Ｙ方向でレーザビームの切れ具合が異なり、１方向だけ筋状の切れ残りが出やすい。図１１においては、Ｘ方向に比べＹ方向に筋状の切れ残り２１０が発生する。この筋状の切れ残り２１０が発生すると（筋状の切れ残り２１０が流出すると）、納入先や市場で筋２１０が切れて納入／市場不良になっていた。

一方、筋状の切れ残り２１０が出ないようにトリミングの際のレーザエネルギーの強さを上げると、今後は保護膜２０４（図１０参照）がトリミングによる発熱エネルギーに耐えきれず損傷してしまい品質上問題がある。

本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、直線偏光のレーザビームを用いて薄膜抵抗体をレーザトリミングする場合において筋残りを発生させないようにすることができるレーザトリミング方法を提供することにある。

請求項１に記載の発明は、ＩＣチップ内に複数のレーザトリミング用薄膜抵抗体を有する半導体装置におけるレーザトリミング方法であって、ＩＣチップ内にある全てのレーザトリミング用薄膜抵抗体についてトリミング方向を一方向のみとし、かつ、このトリミング方向を各レーザトリミング用薄膜抵抗体で揃えておき、当該レーザトリミング用薄膜抵抗体に対し直線偏光のレーザビームを筋残りが出ない方向にのみ走査してトリミングを行うようにしたレーザトリミング方法をその要旨としている。

請求項１に記載の発明によれば、ＩＣチップ内にある全てのレーザトリミング用薄膜抵抗体についてトリミング方向を一方向のみとし、かつ、このトリミング方向を各レーザトリミング用薄膜抵抗体で揃えておき、当該レーザトリミング用薄膜抵抗体に対し直線偏光のレーザビームを筋残りが出ない方向にのみ走査してトリミングを行うので、直線偏光のレーザビームを用いて薄膜抵抗体をレーザトリミングする場合において筋残りを発生させないようにすることができる。

請求項２に記載のように、請求項１に記載のレーザトリミング方法において、シリコン基板の上に絶縁膜を介して前記レーザトリミング用薄膜抵抗体を配置するとともに、少なくとも前記レーザトリミング用薄膜抵抗体の下方における前記絶縁膜とシリコン基板との間に、平面形状が長方形状のＬＯＣＯＳ酸化膜を前記トリミング方向に延びるように配置しておき、トリミングの際に、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜を含めた領域に直線偏光のレーザビームを照射すると、レーザトリミング用薄膜抵抗体および絶縁膜を透過したレーザビームについてＬＯＣＯＳ酸化膜とシリコン基板との界面においてレーザビームを反射させてレーザトリミング用薄膜抵抗体に向かわせることができる。これにより、レーザトリミング用薄膜抵抗体を溶断して直線偏光のレーザビームにおける筋残りが出ない方向にトリム跡を容易に形成することができる。

請求項３に記載の発明は、ＩＣチップ内にレーザトリミング用薄膜抵抗体を有する半導体装置におけるレーザトリミング方法であって、前記レーザトリミング用薄膜抵抗体に対し直線偏光のレーザビームを連続して走査してトリミングするときにおいてレーザビームの走査方向の変更に伴い偏光子をレーザビームの光軸を中心に回動し、筋残りの出ない方向でのみレーザビームを走査してトリミングを行うようにしたレーザトリミング方法をその要旨としている。

請求項３に記載の発明によれば、レーザトリミング用薄膜抵抗体に対し直線偏光のレーザビームを連続して走査してトリミングするときにおいてレーザビームの走査方向の変更に伴い偏光子をレーザビームの光軸を中心に回動し、筋残りの出ない方向でのみレーザビームを走査してトリミングを行うことにより、直線偏光のレーザビームを用いて薄膜抵抗体をレーザトリミングする場合において筋残りを発生させないようにすることができる。

（第１の実施の形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施形態におけるＩＣチップ１の平面図である。ＩＣチップ１は、本実施形態のパターンレイアウトで配置された複数のレーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３を有する。図１において、直交する２軸方向をＸ，Ｙ方向としている。

チップ１内の複数のレーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３のうちのレーザトリミング用薄膜抵抗体１０について、図２には図１のＡ−Ａ線での縦断面図を示す。

図２においてシリコン基板２０の上面には絶縁膜（ＳｉＯ_２膜等）２１を介してレーザトリミング用薄膜抵抗体１０が形成されている。レーザトリミング用薄膜抵抗体１０はトリミング前においては長方形状をなしている。つまり、抵抗形状としては矩形形となっている。絶縁膜２１の上においてレーザトリミング用薄膜抵抗体１０の両端部にはバリアメタル層２２ａ，２２ｂを介してアルミ電極２３，２４が形成されている。さらに、レーザトリミング用薄膜抵抗体１０は表面保護膜（ＳｉＯ_２膜等）２５により被覆されている。

図１において、レーザトリミング用薄膜抵抗体１３は抵抗形状としてレーザトリミング用薄膜抵抗体１０と同様に矩形形をなし、また、図１のレーザトリミング用薄膜抵抗体１１およびレーザトリミング用薄膜抵抗体１２は抵抗形状としてトップハット形をなしている。各レーザトリミング用薄膜抵抗体１１，１２，１３もレーザトリミング用薄膜抵抗体１０と同様に両端にアルミ電極２３，２４が形成されている。

図２においてウエハ（シリコン基板２０）はＸＹテーブル２９上にチャックされ、ＸＹテーブル２９が水平方向（前後左右）に移動してウエハを移動させることができるようになっている。また、ＸＹテーブル２９の上方、即ち、ウエハ（シリコン基板２０）の上方においてレーザ装置２６が配置されている。レーザ装置２６にはレーザ発振器２７に加えて直線偏光器２８が備えられ、直線偏光器２８はレーザ発振器２７のレーザビームの光軸上に配置されている。そして、レーザ発振器２７から出力されたレーザビームが偏光子としての直線偏光器２８を通過する。このレーザビームＬｂが、矩形形のレーザトリミング用薄膜抵抗体１０に照射される。このとき、レーザ装置２６内においてＸＹ方向にレーザビームＬｂが走査されてトリミングが行われるようになっている。より詳しくは、アルミ電極２３に一体的に連結された第１のパッド（図示略）とアルミ電極２４に一体的に連結された第２のパッド（図示略）にそれぞれプローブ針を当て、この状態で特性値を測定しながらトリミングが行われる（レーザビームの走査が行われる）。偏光子としての直線偏光器２８として偏光板を挙げることができる。

図１において、各レーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３においてはトリミング方向が一方向のみとなっており、かつ、各薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３でＸ方向に揃えられている。Ｘ方向は本実施形態での直線偏光のレーザビームＬｂを用いてトリミングする際に筋状の切れ残りが出ない方向である。

そして、このトリミング方向（Ｘ方向）でトリミングが行われて、Ｘ方向に延びるトリム跡３０ａ，３０ｂ，３０ｃ、３１、３２、３３ａ，３３ｂ，３３ｃが形成されることになる。

図２で説明すると、直線偏光器２８を通過したレーザビームＬｂが、矩形形のレーザトリミング用薄膜抵抗体１０に照射されてレーザトリミングによりトリム跡３０ａ，３０ｂ，３０ｃが形成される。このとき、トリム跡３０ａ，３０ｂ，３０ｃは図１に示すように筋状の切れ残りが出ないＸ方向に延びるように形成され、サーペンタインカット（ジクザクカット）される。これにより、レーザトリミング後のトリム跡３０ａ，３０ｂ，３０ｃには筋状の切れ残りが出ない。

同様に、図１のトップハット形のレーザトリミング用薄膜抵抗体１１についてもトリミング方向がＸ方向であり、トリミングによりＸ方向に延びるトリム跡３１が形成され、シングルカットされる。また、トップハット形のレーザトリミング用薄膜抵抗体１２についてもトリミング方向がＸ方向であり、トリミングによりＸ方向に延びるトリム跡３２が形成され、シングルカットされる。さらに、矩形形のレーザトリミング用薄膜抵抗体１３についてもトリミング方向がＸ方向であり、トリミングによりＸ方向に延びるトリム跡３３ａ，３３ｂ，３３ｃが形成され、サーペンタインカット（ジクザクカット）される。

なお、筋残りが出る方向と出ない方向に関しては、レーザ装置２６において直線偏光器２８のセットした角度により筋残りが出る方向が変わるため、直線偏光器２８を配したレーザ装置２６において直交するＸ，Ｙ方向のうちの一方が筋残りが出る方向ならば他方が筋残りが出ない方向である。

一方、図３は、比較のためのＩＣチップ１００の平面図である。ＩＣチップ１００は、比較のためのパターンレイアウトで配置された複数のレーザトリミング用薄膜抵抗体１１０，１１１，１１２，１１３を有する。図３において、各レーザトリミング用薄膜抵抗体１１０，１１１，１１２，１１３には、Ｘ方向で示す筋残りの出ないトリミング方向と、Ｙ方向で示す筋残りの出るトリミング方向とが混在している。

これに対し図１においては、各レーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３について、Ｙ方向で示す筋残りの出る方向でのトリミングは行わず、Ｘ方向で示す筋残りの出ない方向でのみトリミングするように、パターンレイアウトとトリミング方向を考慮している。つまり、全てのトリミングがＸ方向のみでトリミングされるようになっており、トリミング方向が筋残り（筋状の切れ残り）の出ない方向で統一したＩＣとなっている。

このようにして図１に示すごとく、ＩＣチップ１内にある全てのレーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３について筋残りの出ない方向（図１のＸ方向）でのみレーザビームＬｂを走査してレーザトリミングを行うことにより、筋残りを発生させなくすることができる。つまり、図１においてレーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１３では抵抗形状が矩形形、トリミング形状がサーペンタインカットであり、また、レーザトリミング用薄膜抵抗体１１，１２では抵抗形状がトップハット形、トリミング形状がシングルカットであり、図３でのＬカットをなくして一方向に延びるカットのみ行うようにし、これにより、筋残りを発生させなくすることができる。

このようにトリミングする方向を筋残りが出ない方向で統一してレイアウトするのはトリミングの品質向上に極めて有効である。
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。

ＩＣチップ１内に複数のレーザトリミング用薄膜抵抗体を有する半導体装置におけるレーザトリミング方法として、ＩＣチップ１内にある全てのレーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３についてトリミング方向を一方向のみとし、かつ、このトリミング方向を各レーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３で揃えておき、当該レーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３に対し直線偏光のレーザビームＬｂを筋残りが出ないＸ方向にのみ走査してトリミングを行うようにした。よって、直線偏光のレーザビームＬｂを用いてレーザトリミング用薄膜抵抗体１０，１１，１２，１３をレーザトリミングする場合において筋残りを発生させないようにすることができる。

より詳しくは、図１０で示したようにレーザトリミングによりＬ字のトリム跡２０３を形成する場合、直線偏光のレーザビームで薄膜抵抗体２０２のトリミングを行うと、図１１に示すように、Ｘ，Ｙ方向でレーザビームの切れ具合が異なり、１方向だけ筋状の切れ残り２１０が出やすく、この筋状の切れ残り２１０が発生すると（筋状の切れ残り２１０が流出すると）、納入先や市場で筋２１０が切れて納入／市場不良になってしまう。これに対し、本実施形態においては、筋残りを発生させないようにすることができ、納入／市場不良の発生を未然に回避することができる。

また、図１１の筋状の切れ残り２１０が出ないようにレーザエネルギーの強さを上げると、今後は保護膜２０４（図１０参照）がトリミングによる発熱エネルギーに耐えきれず損傷してしまい品質上問題があるが、本実施形態においてはレーザエネルギーの強さを上げる必要がなく保護膜２５（図２参照）をトリミング時に損傷させることなくトリミング後においても保護膜２５により薄膜抵抗体を確実に保護することができる。
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。

図４は、トリミング前におけるＩＣチップ内のレーザトリミング用薄膜抵抗体４０の平面図である。図４のＡ−Ａ線での縦断面図を図５に示す。
図５に示すように、シリコン基板２０の上には絶縁膜２１が形成され、絶縁膜２１上にはレーザトリミング用薄膜抵抗体４０が形成されている。図４に示すようにレーザトリミング用薄膜抵抗体４０は平面形状が長方形状をなし、図４においてＹ方向に延設されている。図５においてレーザトリミング用薄膜抵抗体４０の両端部においてレーザトリミング用薄膜抵抗体４０上を含めた絶縁膜２１の上にはバリアメタル層２２ａ，２２ｂを介してアルミ電極２３，２４が形成されている。レーザトリミング用薄膜抵抗体４０は表面保護膜（ＳｉＯ_２膜等）２５により被覆されている。

さらに、少なくともレーザトリミング用薄膜抵抗体４０の下方における絶縁膜２１とシリコン基板２０との間に、ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆが配置されている。図４に示すように、ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆは平面形状が長方形状をなし、直線偏光のレーザビームＬｂにおける筋残りが出ない方向（Ｘ）に延びるようにして配置されている。各ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆはレーザトリミング用薄膜抵抗体４０の延設方向であるＹ方向において距離Ｗ３だけ離間して並設されている。各ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆの幅をＷ２としている。図５に示すように、各ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆの底面においてはバーズビークによる凹面が形成され、この部位が集光用の凹面鏡として機能することになる。

即ち、ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆをストライプ状に形成することで、ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆの下面が円弧となっており、ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆの下面とシリコン基板２０との界面にて凹面鏡が形成される（レーザトリミング用薄膜抵抗体４０については下地のシリコン表面に凹面鏡が設けられている）。

そして、図７に示すように直線偏光のレーザビームＬｂを照射して図６に示すように筋残りが出ないＸ方向に走査してトリミングを行ってトリム跡４２を形成する。詳しくは、図７において、レーザ装置４４にはレーザ発振器４５と、レーザ発振器４５のレーザビームの光軸上に配置された直線偏光器４６が備えられている。よって、レーザ発振器４５を出て、偏光子としての直線偏光器４６を通過したレーザビームＬｂがウエハ（基板２０）に照射される。このレーザビームＬｂの一部は表面保護膜（ＳｉＯ_２膜等）２５、薄膜抵抗体４０および絶縁膜（ＳｉＯ_２膜等）２１を透過してＬＯＣＯＳ酸化膜４１ｄにおけるＬＯＣＯＳ酸化膜（ＳｉＯ_２）４１ｄとシリコン基板（Ｓｉ）２０の界面において反射してＬＯＣＯＳ酸化膜４１ｄ上の薄膜抵抗体４０に向かう。

レーザトリミングの際において、トリミングのウインドウ（良好に切れるトリミングエネルギーの幅）が狭い場合に、図７に示すように、ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆの下面（凹面鏡）によりレーザビームＬｂに対してレンズ効果（集光効果）が与えられ、図６においてレーザビームＬｂが当たる全ての領域４３ではなく特定のエリアだけが切れてトリム跡４２が形成される。つまり、レーザビームＬｂが当たった全ての領域４３がトリミングされるのではなく図７のストライプ状に形成したＬＯＣＯＳ酸化膜４１ｄの直上の領域（４２）のみがトリミングされる。

ここで、図６において、各ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆの幅Ｗ２と、各ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆの間の距離（幅）Ｗ３と、レーザビーム照射の際の幅Ｗ１との関係において、Ｗ１＞（２・Ｗ２＋Ｗ３）とすることにより、レーザビームの位置ズレが発生してもレーザビームが照射される領域４３（幅Ｗ１）の中に必ずＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆのいずれかがＷ２の幅で完全に入ることができる。

このようにして、一つのレーザトリミング用薄膜抵抗体４０について１方向のみにトリミングする場合において、トリミングのウインドウが狭かったりビーム幅が多少不安定であっても、ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆのいずれかの直上の領域（４２）のみを正確にカットすることができる（トリム跡を形成することができる）。

上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
シリコン基板２０の上に絶縁膜２１を介してレーザトリミング用薄膜抵抗体４０および保護膜２５を配置するとともに、少なくともレーザトリミング用薄膜抵抗体４０の下方における絶縁膜２１とシリコン基板２０との間に、平面形状が長方形状のＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆをトリミング方向に延びるように配置しておき、トリミングの際に、ＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆを含めた領域４３に直線偏光のレーザビームＬｂを照射するようにした。よって、保護膜（ＳｉＯ_２膜等）２５、レーザトリミング用薄膜抵抗体４０および絶縁膜（ＳｉＯ_２膜等）２１を透過したレーザビームＬｂについてＬＯＣＯＳ酸化膜４１ａ〜４１ｆのいずれかとシリコン基板２０との界面においてレーザビームＬｂを反射させてレーザトリミング用薄膜抵抗体４０に向かわせることができる。これにより、レーザトリミング用薄膜抵抗体４０を溶断して直線偏光のレーザビームＬｂにおける筋残りが出ない方向にトリム跡４２を容易に形成することができる。
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施形態を図面に従って説明する。

本実施形態においては、図８に示すようにＩＣチップ５０内において平面形状が長方形状をなすレーザトリミング用薄膜抵抗体５１がＸ方向に延びるように配置され、レーザトリミング用薄膜抵抗体５１の両端にアルミ電極５２，５３が形成されている。

レーザ装置６０にはレーザ発振器６１と、レーザ発振器６１のレーザビームの光軸上に配置された直線偏光器６２が備えられている。レーザ発振器６１を出て、偏光子としての直線偏光器６２を通過したレーザビームＬｂが、ＩＣチップ５０内に形成したレーザトリミング用薄膜抵抗体５１に照射される。レーザ装置６０においてはレーザビームＬｂを水平方向（Ｘ，Ｙ方向）に走査することができるようになっている。一方、ウエハを載せるテーブルはレーザトリミング時（レーザビーム走査時）においては動かない。さらに、レーザ装置６０は、直線偏光器６２がレーザビームの光軸を中心にして回動可能であり、かつ、所望の向きに変更できるようになっている。

アルミ電極５２，５３にはパッド（図示略）がそれぞれ一体的に連結されており、両パッドにプローブ針を当てた状態で特性値を測定しながらレーザトリミングを行う。このレーザトリミングの際には、直線偏光器６２を通したレーザビームＬｂを、レーザトリミング用薄膜抵抗体５１に対し、筋残りの出ない方向（図中のＹ方向）で走査してトリム跡５４を形成して粗調を行い、図９に示すようにトリミングの方向を右に９０°に変えてＸ方向で走査してトリム跡５５を形成して微調トリミングを行う。つまり、図８は向きを変える直前の状態であり、図９は向きを変えてＸ方向でのトリミングを開始した直後の状態である。

このとき、Ｌカットを行うべく連続して走査するときにおいて、図８の状態から９０°トリミングの方向を変える際に、偏光器６２をレーザビームの光軸を中心に９０°回動し（偏光器６２の向きを９０°変え）、その後にＸ方向にトリミングを行う。

偏光器６２をトリミングする方向に合わせて９０°回動することで（偏光器６２の向きを９０°変えることで）、Ｘ，Ｙいずれの方向にトリミングしても筋残りの出ないトリミングを行うことができる。

また、レーザ装置６０側においてレーザビームＬｂを走査するのではなくウエハ側（テーブル側）を移動させて走査することとし、この走査時に走査方向を変更するときに偏光器６２を回動させて筋残りが出ない方向での走査を行うようにしてもよい。

上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
ＩＣチップ５０内にレーザトリミング用薄膜抵抗体５１を有する半導体装置におけるレーザトリミング方法として、レーザトリミング用薄膜抵抗体５１に対し直線偏光のレーザビームＬｂを連続して走査してトリミングするときにおいてレーザビームＬｂの走査方向の変更に伴い偏光子（６２）をレーザビームの光軸を中心に回動し、筋残りの出ない方向でのみレーザビームＬｂを走査してトリミングを行うようにした。よって、ＩＣチップ内のトリミング方向に合わせて偏光子（６２）を機械的に回動することで直交する方向（Ｘ，Ｙの両方向）で筋残りの出ないトリミングを実現することができる。つまり、筋残りの出ない方向でのみトリミングを行うことができ、これにより、直線偏光のレーザビームＬｂを用いて薄膜抵抗体５１をレーザトリミングする場合において筋残りを発生させないようにすることができる。

なお、偏光子（６２）の回動角度に関して、Ｌカットについては９０°回動させたが、このカット（角度）に限ることなく、筋残りの出ない方向でのみレーザビームＬｂを走査すべく走査方向の変更に伴い偏光子（６２）を回動すればよい。

第１の実施形態におけるＩＣチップの平面図。図１のＡ−Ａ線での縦断面図。比較のためのＩＣチップの平面図。第２の実施形態におけるトリミング前におけるＩＣチップ内のレーザトリミング用薄膜抵抗体の平面図。図４のＡ−Ａ線での縦断面図。レーザトリミング時のＩＣチップ内のレーザトリミング用薄膜抵抗体の平面図。図６のＡ−Ａ線に対応する、レーザトリミング時のＩＣチップの縦断面図。第３の実施形態におけるレーザトリミングを説明するための斜視図。第３の実施形態におけるレーザトリミングを説明するための斜視図。背景技術を説明するためのＩＣチップの平面構造および縦断面構造を示す図。ＩＣチップの平面図。

符号の説明

１…ＩＣチップ、１０…レーザトリミング用薄膜抵抗体、１１…レーザトリミング用薄膜抵抗体、１２…レーザトリミング用薄膜抵抗体、１３…レーザトリミング用薄膜抵抗体、２０…シリコン基板、２１…絶縁膜、２８…直線偏光器、３０ａ，３０ｂ，３０ｃ…トリム跡、３１…トリム跡、３２…トリム跡、３３ａ，３３ｂ，３３ｃ…トリム跡、４０…レーザトリミング用薄膜抵抗体、４１ａ〜４１ｆ…ＬＯＣＯＳ酸化膜、５０…ＩＣチップ、５１…レーザトリミング用薄膜抵抗体、５４，５５…トリム跡、６２…直線偏光器、Ｌｂ…レーザビーム。

Claims

ＩＣチップ（１）内に複数のレーザトリミング用薄膜抵抗体を有する半導体装置におけるレーザトリミング方法であって、
ＩＣチップ（１）内にある全てのレーザトリミング用薄膜抵抗体（１０，１１，１２，１３）についてトリミング方向を一方向のみとし、かつ、このトリミング方向を各レーザトリミング用薄膜抵抗体（１０，１１，１２，１３）で揃えておき、当該レーザトリミング用薄膜抵抗体（１０，１１，１２，１３）に対し直線偏光のレーザビーム（Ｌｂ）を筋残りが出ない方向（Ｘ）にのみ走査してトリミングを行うようにしたことを特徴とするレーザトリミング方法。
シリコン基板（２０）の上に絶縁膜（２１）を介して前記レーザトリミング用薄膜抵抗体（４０）を配置するとともに、少なくとも前記レーザトリミング用薄膜抵抗体（４０）の下方における前記絶縁膜（２１）とシリコン基板（２０）との間に、平面形状が長方形状のＬＯＣＯＳ酸化膜（４１ａ〜４１ｆ）を前記トリミング方向に延びるように配置しておき、トリミングの際に、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜（４１ａ〜４１ｆ）を含めた領域（４３）に直線偏光のレーザビーム（Ｌｂ）を照射するようにしたことを特徴とする請求項１に記載のレーザトリミング方法。
ＩＣチップ（５０）内にレーザトリミング用薄膜抵抗体（５１）を有する半導体装置におけるレーザトリミング方法であって、
前記レーザトリミング用薄膜抵抗体（５１）に対し直線偏光のレーザビーム（Ｌｂ）を連続して走査してトリミングするときにおいてレーザビーム（Ｌｂ）の走査方向の変更に伴い偏光子（６２）をレーザビームの光軸を中心に回動し、筋残りの出ない方向でのみレーザビーム（Ｌｂ）を走査してトリミングを行うようにしたことを特徴とするレーザトリミング方法。