JP2001044001A - 薄膜型抵抗器の構造及び抵抗値調整方法 - Google Patents
薄膜型抵抗器の構造及び抵抗値調整方法Info
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- JP2001044001A JP2001044001A JP11216505A JP21650599A JP2001044001A JP 2001044001 A JP2001044001 A JP 2001044001A JP 11216505 A JP11216505 A JP 11216505A JP 21650599 A JP21650599 A JP 21650599A JP 2001044001 A JP2001044001 A JP 2001044001A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性絶縁体１の表面に、薄膜状の抵抗膜２
と、その両端に対する電極３，４とを形成して成る薄膜
型抵抗器において、その抵抗値を高い精度で所定値に調
整できるようにする。 【解決手段】 前記抵抗膜２の途中における部分２ｂ
に、複数本の第１細幅抵抗膜２ｂ′と、これと異なった
方向に延びる複数本の第２細幅抵抗膜２ｂ″とを互いに
網目状に交差させた網状回路を設け、この網状回路の部
分に、トリミング溝８を、当該網状回路における各第１
細幅抵抗膜２ｂ′及び各第２細幅抵抗膜２ｂ″のうち一
部を切断するように設ける。
と、その両端に対する電極３，４とを形成して成る薄膜
型抵抗器において、その抵抗値を高い精度で所定値に調
整できるようにする。 【解決手段】 前記抵抗膜２の途中における部分２ｂ
に、複数本の第１細幅抵抗膜２ｂ′と、これと異なった
方向に延びる複数本の第２細幅抵抗膜２ｂ″とを互いに
網目状に交差させた網状回路を設け、この網状回路の部
分に、トリミング溝８を、当該網状回路における各第１
細幅抵抗膜２ｂ′及び各第２細幅抵抗膜２ｂ″のうち一
部を切断するように設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック等の耐
熱性の絶縁体の表面に、抵抗膜をスパッタリング又は真
空蒸着等の薄膜形成法にて形成して成る薄膜型の抵抗器
において、その構造と、その抵抗値を調整する方法とに
関するものである。
熱性の絶縁体の表面に、抵抗膜をスパッタリング又は真
空蒸着等の薄膜形成法にて形成して成る薄膜型の抵抗器
において、その構造と、その抵抗値を調整する方法とに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の薄膜型の抵抗器は、耐
熱性絶縁体の表面に、抵抗膜をスパッタリング又は真空
蒸着等の薄膜形成法にて形成すると共に、この抵抗膜の
両端に対する電極を形成するという構成にしており、前
記抵抗膜は、当該抵抗膜にレーザ光線の照射によってト
リミング溝を刻設することにより、所定の抵抗値になる
ように調整している。
熱性絶縁体の表面に、抵抗膜をスパッタリング又は真空
蒸着等の薄膜形成法にて形成すると共に、この抵抗膜の
両端に対する電極を形成するという構成にしており、前
記抵抗膜は、当該抵抗膜にレーザ光線の照射によってト
リミング溝を刻設することにより、所定の抵抗値になる
ように調整している。
【０００３】このトリミング溝の刻設による抵抗値の調
整に際して、従来は、抵抗膜における抵抗値を測定しな
がらこれにトリミング溝を刻設し、抵抗値が所定値にな
った時点で、トリミング溝の刻設を停止するようにして
いる。
整に際して、従来は、抵抗膜における抵抗値を測定しな
がらこれにトリミング溝を刻設し、抵抗値が所定値にな
った時点で、トリミング溝の刻設を停止するようにして
いる。
【０００４】このトリミング方法によると、抵抗膜のう
ちトリミング溝の終端の部分は、トリミング溝を刻設す
るときの熱によるダメージを受けており、この部分を電
流が流れることになるから、抵抗値がトリミング調整し
たあとで可成り変化するのであった。
ちトリミング溝の終端の部分は、トリミング溝を刻設す
るときの熱によるダメージを受けており、この部分を電
流が流れることになるから、抵抗値がトリミング調整し
たあとで可成り変化するのであった。
【０００５】そこで、最近では、両電極の間における抵
抗膜を、細幅抵抗膜の複数本を並列に形成したものに構
成し、この各細幅抵抗膜のうち一部を、レーザ光線の照
射によるトリミング溝の刻設によって切断することによ
って、所定の抵抗値なるように調整することが行われて
いる。
抗膜を、細幅抵抗膜の複数本を並列に形成したものに構
成し、この各細幅抵抗膜のうち一部を、レーザ光線の照
射によるトリミング溝の刻設によって切断することによ
って、所定の抵抗値なるように調整することが行われて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この方法によると、各
細幅抵抗膜のうちトリミング溝にて切断された細幅抵抗
膜には電流が流れることがないから、熱的ダメージによ
る抵抗値の変化を回避できるという利点を有するが、そ
の反面、抵抗値が細幅抵抗膜の切断によって段階的に高
くなるというように、抵抗値の調整が階段的であること
に加えて、一つの細幅抵抗膜を切断することによる抵抗
値の上昇率は、切断する細幅抵抗膜の本数が多くなるに
つれて大きくなることにより、抵抗値を微細に調整する
ことができないから、抵抗値を所定値にすることの精度
が低いという問題があった。
細幅抵抗膜のうちトリミング溝にて切断された細幅抵抗
膜には電流が流れることがないから、熱的ダメージによ
る抵抗値の変化を回避できるという利点を有するが、そ
の反面、抵抗値が細幅抵抗膜の切断によって段階的に高
くなるというように、抵抗値の調整が階段的であること
に加えて、一つの細幅抵抗膜を切断することによる抵抗
値の上昇率は、切断する細幅抵抗膜の本数が多くなるに
つれて大きくなることにより、抵抗値を微細に調整する
ことができないから、抵抗値を所定値にすることの精度
が低いという問題があった。
【０００７】本発明は、この問題を解消した薄膜型抵抗
器の構造と、抵抗値調整方法とを提供することを技術的
課題とするものである。
器の構造と、抵抗値調整方法とを提供することを技術的
課題とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明の構造は、「耐熱性絶縁体の表面に、薄膜
状の抵抗膜と、その両端に対する電極とを形成して成る
薄膜型抵抗器において、前記抵抗膜の途中の部分に、複
数本の第１細幅抵抗膜と、これと異なった方向に延びる
複数本の第２細幅抵抗膜とを互いに網目状に交差させた
網状回路を設け、この網状回路の部分に、トリミング溝
を、当該網状回路における各第１細幅抵抗膜及び各第２
細幅抵抗膜のうち一部を切断するように設ける。」とい
う構成にした。
るため本発明の構造は、「耐熱性絶縁体の表面に、薄膜
状の抵抗膜と、その両端に対する電極とを形成して成る
薄膜型抵抗器において、前記抵抗膜の途中の部分に、複
数本の第１細幅抵抗膜と、これと異なった方向に延びる
複数本の第２細幅抵抗膜とを互いに網目状に交差させた
網状回路を設け、この網状回路の部分に、トリミング溝
を、当該網状回路における各第１細幅抵抗膜及び各第２
細幅抵抗膜のうち一部を切断するように設ける。」とい
う構成にした。
【０００９】また、本発明の抵抗値調整方法は、「前記
網状回路の部分に対するトリミング溝の刻設を、当該ト
リミング溝による細幅抵抗膜の切断に伴う抵抗値の上昇
率が高い細幅抵抗膜について行い、次いで、抵抗値の上
昇率が順次低くなる細幅抵抗膜について行うことを特徴
とする。」ものである。
網状回路の部分に対するトリミング溝の刻設を、当該ト
リミング溝による細幅抵抗膜の切断に伴う抵抗値の上昇
率が高い細幅抵抗膜について行い、次いで、抵抗値の上
昇率が順次低くなる細幅抵抗膜について行うことを特徴
とする。」ものである。
【００１０】
【発明の作用・効果】このように、抵抗膜の途中の部分
に、複数本の第１細幅抵抗膜と、これと異なった方向に
延びる複数本の第２細幅抵抗膜とを互いに網目状に交差
させた網状回路を設けることにより、この抵抗膜におけ
る抵抗値は、前記網状回路における各第１細幅抵抗膜の
うち一部の切断によって段階的に高くなることに加え
て、前記網状回路における各第２細幅抵抗膜のうち一部
の切断によっても階段的に高くなるが、この場合、前記
各第１細幅抵抗膜及び前記各第２細幅抵抗膜とは互いに
異なった方向に延びて交差していることにより、前記各
第１細幅抵抗膜及び前記各第２細幅抵抗膜のうちいずれ
か一方の各細幅抵抗膜の一部を切断することによる抵抗
値の上昇率は、前記従来のように、細幅抵抗膜の複数本
を並列にしてその一部を切断することによる抵抗値の上
昇と略同じであっても、他方の各細幅抵抗膜の一部を切
断することによる抵抗値の上昇率は、前記よりも遥かに
低いものである。
に、複数本の第１細幅抵抗膜と、これと異なった方向に
延びる複数本の第２細幅抵抗膜とを互いに網目状に交差
させた網状回路を設けることにより、この抵抗膜におけ
る抵抗値は、前記網状回路における各第１細幅抵抗膜の
うち一部の切断によって段階的に高くなることに加え
て、前記網状回路における各第２細幅抵抗膜のうち一部
の切断によっても階段的に高くなるが、この場合、前記
各第１細幅抵抗膜及び前記各第２細幅抵抗膜とは互いに
異なった方向に延びて交差していることにより、前記各
第１細幅抵抗膜及び前記各第２細幅抵抗膜のうちいずれ
か一方の各細幅抵抗膜の一部を切断することによる抵抗
値の上昇率は、前記従来のように、細幅抵抗膜の複数本
を並列にしてその一部を切断することによる抵抗値の上
昇と略同じであっても、他方の各細幅抵抗膜の一部を切
断することによる抵抗値の上昇率は、前記よりも遥かに
低いものである。
【００１１】そこで、前記したように、前記網状回路の
部分に、トリミング溝を、当該網状回路における各第１
細幅抵抗膜及び各第２細幅抵抗膜のうち一部を切断する
ように設ける場合に、前記各第１細幅抵抗膜のうち一部
の切断と、前記各第２細幅抵抗膜のうち一部の切断とを
適宜組み合わせることによって、抵抗値を、微細な間隔
で段階的に高くすることができると共に、抵抗値の上昇
率が、細幅抵抗膜の切断の進行に伴になって高くなるこ
とを回避できるから、抵抗値を、所定値に高い精度で所
定値にすることができるのである。
部分に、トリミング溝を、当該網状回路における各第１
細幅抵抗膜及び各第２細幅抵抗膜のうち一部を切断する
ように設ける場合に、前記各第１細幅抵抗膜のうち一部
の切断と、前記各第２細幅抵抗膜のうち一部の切断とを
適宜組み合わせることによって、抵抗値を、微細な間隔
で段階的に高くすることができると共に、抵抗値の上昇
率が、細幅抵抗膜の切断の進行に伴になって高くなるこ
とを回避できるから、抵抗値を、所定値に高い精度で所
定値にすることができるのである。
【００１２】特に、前記網状回路の部分に対するトリミ
ング溝の刻設を、前記した調整方法のように、当該トリ
ミング溝による細幅抵抗膜の切断に伴う抵抗値の上昇率
が高い細幅抵抗膜について行い、次いで、抵抗値の上昇
率が順次低くなる細幅抵抗膜について行うことにより、
一部の細幅抵抗膜を切断することにより抵抗値の上昇率
を次第に小さくしながら、抵抗膜における抵抗値を所定
値にすることができるから、抵抗値を高い精度で確実に
所定値にすることができるである。
ング溝の刻設を、前記した調整方法のように、当該トリ
ミング溝による細幅抵抗膜の切断に伴う抵抗値の上昇率
が高い細幅抵抗膜について行い、次いで、抵抗値の上昇
率が順次低くなる細幅抵抗膜について行うことにより、
一部の細幅抵抗膜を切断することにより抵抗値の上昇率
を次第に小さくしながら、抵抗膜における抵抗値を所定
値にすることができるから、抵抗値を高い精度で確実に
所定値にすることができるである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１〜図３の図面について説明する。
１〜図３の図面について説明する。
【００１４】この図において、符号１は、セラミック等
の耐熱絶縁材料にてチップ型に構成した絶縁体を示し、
このチップ型の絶縁体１の表面は、ニッケル・銅合金又
はタンタル等の金属薄膜の抵抗膜２と、その両端に対す
る金属薄膜による電極３，４とが形成され、更に、前記
絶縁体１の表面には、ガラス又は耐熱合成樹脂によるカ
バーコート５が、前記抵抗膜２及び両電極３，４の全体
を覆うように形成されている。
の耐熱絶縁材料にてチップ型に構成した絶縁体を示し、
このチップ型の絶縁体１の表面は、ニッケル・銅合金又
はタンタル等の金属薄膜の抵抗膜２と、その両端に対す
る金属薄膜による電極３，４とが形成され、更に、前記
絶縁体１の表面には、ガラス又は耐熱合成樹脂によるカ
バーコート５が、前記抵抗膜２及び両電極３，４の全体
を覆うように形成されている。
【００１５】また、前記両電極３，４の表面には、プリ
ント基板等に対して半田付けにて接続するための錫又は
半田製のバンプ６，７が、前記カバーコート５を貫通し
てその表面より突出するように設けられている。
ント基板等に対して半田付けにて接続するための錫又は
半田製のバンプ６，７が、前記カバーコート５を貫通し
てその表面より突出するように設けられている。
【００１６】そして、前記抵抗膜２を、図２に示すよう
に、その両端に隣接する長さＬ1 の第１部分２ａと、こ
れ以外で略中央に位置する長さＬ２の第２部分２ｂとに
よって構成し、前記第１部分２ａを、細長にしてジグザ
グ状に形成する一方、前記第２部分２ｂを、抵抗膜２の
幅方向に延びる複数本の第１細幅抵抗膜２ｂ′と、これ
と直角の方向に延びる複数本の第２細幅抵抗膜２ｂ″と
を互いに網目状に交差させた網状回路に構成し、この網
状回路の第２部分２ｂに、図３に示すように、レーザ光
線の照射によるトリミング溝８を、当該トリミング溝８
にて網状回路における各第１細幅抵抗膜２ｂ′及び各第
２細幅抵抗膜２ｂ″のうち一部を切断するように刻設す
る。
に、その両端に隣接する長さＬ1 の第１部分２ａと、こ
れ以外で略中央に位置する長さＬ２の第２部分２ｂとに
よって構成し、前記第１部分２ａを、細長にしてジグザ
グ状に形成する一方、前記第２部分２ｂを、抵抗膜２の
幅方向に延びる複数本の第１細幅抵抗膜２ｂ′と、これ
と直角の方向に延びる複数本の第２細幅抵抗膜２ｂ″と
を互いに網目状に交差させた網状回路に構成し、この網
状回路の第２部分２ｂに、図３に示すように、レーザ光
線の照射によるトリミング溝８を、当該トリミング溝８
にて網状回路における各第１細幅抵抗膜２ｂ′及び各第
２細幅抵抗膜２ｂ″のうち一部を切断するように刻設す
る。
【００１７】このように、抵抗膜２の途中における第２
部分２ｂを、複数本の第１細幅抵抗膜２ｂ′と、これと
異なった方向に延びる複数本の第２細幅抵抗膜２ｂ″と
を互いに網目状に交差させた網状回路に形成することに
より、この抵抗膜２における抵抗値は、前記網状回路に
おける各第１細幅抵抗膜２ｂ′のうち一部の切断によっ
て段階的に高くなることに加えて、前記網状回路におけ
る各第２細幅抵抗膜２ｂ″のうち一部の切断によっても
階段的に高くなる。
部分２ｂを、複数本の第１細幅抵抗膜２ｂ′と、これと
異なった方向に延びる複数本の第２細幅抵抗膜２ｂ″と
を互いに網目状に交差させた網状回路に形成することに
より、この抵抗膜２における抵抗値は、前記網状回路に
おける各第１細幅抵抗膜２ｂ′のうち一部の切断によっ
て段階的に高くなることに加えて、前記網状回路におけ
る各第２細幅抵抗膜２ｂ″のうち一部の切断によっても
階段的に高くなる。
【００１８】この場合において、前記各第１細幅抵抗膜
２ｂ′は抵抗膜２における幅方向に延び、前記各第２細
幅抵抗膜２ｂ″は前記各第１細幅抵抗膜２ｂ′と直角の
方向に延びて互いに交差していることにより、前記各第
２細幅抵抗膜２ｂ″のうち一部を切断することによる抵
抗値の上昇率は、前記従来のように、細幅抵抗膜の複数
本を並列にしてその一部を切断することによる抵抗値の
上昇と略同じであるが、前記各第１細幅抵抗膜２ｂ′の
うち一部を切断することによる抵抗値の上昇率は、前記
第２細幅抵抗膜２ｂ′の場合よりも遥かに低い。
２ｂ′は抵抗膜２における幅方向に延び、前記各第２細
幅抵抗膜２ｂ″は前記各第１細幅抵抗膜２ｂ′と直角の
方向に延びて互いに交差していることにより、前記各第
２細幅抵抗膜２ｂ″のうち一部を切断することによる抵
抗値の上昇率は、前記従来のように、細幅抵抗膜の複数
本を並列にしてその一部を切断することによる抵抗値の
上昇と略同じであるが、前記各第１細幅抵抗膜２ｂ′の
うち一部を切断することによる抵抗値の上昇率は、前記
第２細幅抵抗膜２ｂ′の場合よりも遥かに低い。
【００１９】そこで、前記網状回路の第２部分２ｂに、
トリミング溝８を、当該網状回路における各第１細幅抵
抗膜２ｂ′及び各第２細幅抵抗膜２ｂ″のうち一部を切
断するように設ける場合に、前記各第１細幅抵抗膜２
ｂ′のうち一部の切断と、前記各第２細幅抵抗膜２ｂ″
のうち一部の切断とを適宜組み合わせることによって、
抵抗膜２における抵抗値を、微細な間隔で段階的に高く
することができると共に、抵抗値の上昇率が、細幅抵抗
膜の切断の進行に伴なって高くなることを回避できるの
である。
トリミング溝８を、当該網状回路における各第１細幅抵
抗膜２ｂ′及び各第２細幅抵抗膜２ｂ″のうち一部を切
断するように設ける場合に、前記各第１細幅抵抗膜２
ｂ′のうち一部の切断と、前記各第２細幅抵抗膜２ｂ″
のうち一部の切断とを適宜組み合わせることによって、
抵抗膜２における抵抗値を、微細な間隔で段階的に高く
することができると共に、抵抗値の上昇率が、細幅抵抗
膜の切断の進行に伴なって高くなることを回避できるの
である。
【００２０】また、前記網状回路の第２部分２ｂにトリ
ミング溝を刻設するに際して、図４に示す第２の実施の
形態のように、このトリミング溝８′を、例えば、各第
２細幅抵抗膜２ｂ″の複数本を切断するように延び、次
いで、第１細幅抵抗膜２ｂ′の複数本を切断するように
屈曲し、更に、各第２細幅抵抗膜２ｂ″の複数本を切断
するように屈曲し、そして、第１細幅抵抗膜２ｂ′の複
数本を切断するように屈曲するというように渦巻き状に
刻設することにより、当該トリミング溝８′による細幅
抵抗膜の切断に伴う抵抗値の上昇率が高い細幅抵抗膜に
ついて行い、次いで、抵抗値の上昇率が順次低くなる細
幅抵抗膜について行うというように刻設することによ
り、一部の細幅抵抗膜を切断することにより抵抗値の上
昇率を次第に小さくしながら、抵抗膜における抵抗値を
所定値にすることができるのである。
ミング溝を刻設するに際して、図４に示す第２の実施の
形態のように、このトリミング溝８′を、例えば、各第
２細幅抵抗膜２ｂ″の複数本を切断するように延び、次
いで、第１細幅抵抗膜２ｂ′の複数本を切断するように
屈曲し、更に、各第２細幅抵抗膜２ｂ″の複数本を切断
するように屈曲し、そして、第１細幅抵抗膜２ｂ′の複
数本を切断するように屈曲するというように渦巻き状に
刻設することにより、当該トリミング溝８′による細幅
抵抗膜の切断に伴う抵抗値の上昇率が高い細幅抵抗膜に
ついて行い、次いで、抵抗値の上昇率が順次低くなる細
幅抵抗膜について行うというように刻設することによ
り、一部の細幅抵抗膜を切断することにより抵抗値の上
昇率を次第に小さくしながら、抵抗膜における抵抗値を
所定値にすることができるのである。
【００２１】なお、前記図示の実施の形態においては、
前記抵抗膜２のうち両第１部分２ａに、各ジグザグ状に
屈曲する部分の相互間をバイパスの細幅抵抗膜２ａ′に
接続し、この各バイパスの細幅抵抗膜２ａ′のうち一部
を、レーザ光線の照射によるトリミング溝９にて切断す
ることにより、抵抗膜２における抵抗値を調整するよう
に構成している。
前記抵抗膜２のうち両第１部分２ａに、各ジグザグ状に
屈曲する部分の相互間をバイパスの細幅抵抗膜２ａ′に
接続し、この各バイパスの細幅抵抗膜２ａ′のうち一部
を、レーザ光線の照射によるトリミング溝９にて切断す
ることにより、抵抗膜２における抵抗値を調整するよう
に構成している。
【図１】本発明の実施の形態による抵抗器を示す拡大縦
断正面図である。
断正面図である。
【図２】前記図１の拡大底面図である。
【図３】前記図２おいてトリミング溝を刻設した状態を
示す底面図である。
示す底面図である。
【図４】前記トリミング溝の別の形態を示す底面図であ
る。
る。
１ 絶縁体 ２ 抵抗膜 ２ａ ジグザグ状の第１部分 ２ｂ 網状回路の第２部分 ２ｂ′ 第１細幅抵抗膜 ２ｂ″ 第２細幅抵抗膜 ３，４ 電極 ５ カバーコート ６，７ バンプ ８，８′ トリミング溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E032 BA12 BB01 CA01 CC03 TA17 TB02 5E033 AA02 BB02 BD02 BD13 BE01 BF01 BG02 BG03 BH01
Claims (2)
- 【請求項１】耐熱性絶縁体の表面に、薄膜状の抵抗膜
と、その両端に対する電極とを形成して成る薄膜型抵抗
器において、 前記抵抗膜の途中の部分に、複数本の第１細幅抵抗膜
と、これと異なった方向に延びる複数本の第２細幅抵抗
膜とを互いに網目状に交差させた網状回路を設け、この
網状回路の部分に、トリミング溝を、当該網状回路にお
ける各第１細幅抵抗膜及び各第２細幅抵抗膜のうち一部
を切断するように設けたことを特徴とする薄膜型抵抗器
の構造。 - 【請求項２】前記請求項１おける網状回路の部分に対す
るトリミング溝の刻設を、当該トリミング溝による細幅
抵抗膜の切断に伴う抵抗値の上昇率が高い細幅抵抗膜に
ついて行い、次いで、抵抗値の上昇率が順次低くなる細
幅抵抗膜について行うことを特徴とする薄膜型抵抗器の
抵抗値調整方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11216505A JP2001044001A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 薄膜型抵抗器の構造及び抵抗値調整方法 |
| TW089114671A TW466508B (en) | 1999-07-22 | 2000-07-21 | Resistor and method of adjusting resistance of the same |
| US09/621,621 US6292091B1 (en) | 1999-07-22 | 2000-07-21 | Resistor and method of adjusting resistance of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11216505A JP2001044001A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 薄膜型抵抗器の構造及び抵抗値調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044001A true JP2001044001A (ja) | 2001-02-16 |
Family
ID=16689490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11216505A Pending JP2001044001A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-30 | 薄膜型抵抗器の構造及び抵抗値調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001044001A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006502592A (ja) * | 2002-12-23 | 2006-01-19 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 抵抗路の電気抵抗の調整方法 |
| US7345477B1 (en) | 2006-09-11 | 2008-03-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic detection device including resistance adjusting unit |
| JP2013065784A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-11 | Koa Corp | 薄膜抵抗体 |
| WO2013111496A1 (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | ローム株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
| JP2013153129A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-08-08 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器および抵抗回路網を有する電子機器 |
| JP2015144241A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-08-06 | ローム株式会社 | チップ部品およびその製造方法、ならびに当該チップ部品を備えた回路アセンブリおよび電子機器 |
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